項目溫度傳感器ds18b20中文

169182數(shù)據(jù)輸入/輸出腳。對于單線操作：漏極開路（見“寄生電源”節(jié)732）溫度傳感器，3）非易失性溫度觸發(fā)器TH和TL。器件用如下方式從單線通訊線上汲操作，控制器可以提供6條器和控制操作指令中的任一條。一條控制操作命令指示DS1820完成一次溫度測量。測量結(jié)果放在DS1820的暫存器里，用一條讀暫存器內(nèi)容的器操作命令可以把暫存器中數(shù)據(jù)讀出。溫度觸發(fā)器TH和TL各由一個EEPROM字節(jié)構(gòu)成。如果沒有對DS1820使用搜索命令，這些寄存器可以做為一般用途的用戶器使用?？梢杂靡粭l器操作命令對TH和TL進(jìn)行寫入，對這些寄存器的讀出1I/OVDDDS1820，I/ODS1820轉(zhuǎn)換或拷貝到E2 10μsI/O，VDD讓它們同時進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換。注意當(dāng)加上外部電源時，GND引腳不能懸空。通訊可能無法進(jìn)行。在類似這種溫度的情況下，強(qiáng)烈推薦使用DS1820VDD引腳。DS1820，DS1820溫度/數(shù)據(jù)關(guān)系（0---0，如果門周期仍未結(jié)束，將重復(fù)1展”產(chǎn)生出了示于表116bit溫度讀數(shù)。這個值叫做TEMP_READ。然后計數(shù)器中剩余的值，這個值是門周期結(jié)束后保留下來的值用下面的計算實際溫度值：號位。如果測得的溫度高于TH或低于TL，器件內(nèi)部就會置位一個 溫就對這個標(biāo)識進(jìn)行一次更新。當(dāng)標(biāo)識置位時，DS1820會對 會被立即識別出來并，而不用讀未的器件。一：1）ReadROM，2）MatchROM，3）SearchRom，4）SkipROM，5）AlarmSearch。成功DS1820中有8位CRC在64位ROM的最高有效字節(jié)中總線控制器可以用64位ROM中的前56位計算出一個CRC值，再用這個和在DS1820中的值進(jìn)行比較，以確定ROM數(shù)據(jù)是否被總線控制器接收無誤。CRC計算等式如下：DS1820同樣用上面的產(chǎn)生一個8位CRC值，把這個值提供給總線控制器用來校驗傳輸?shù)钠鲿r，做為第9個字節(jié)讀出來）進(jìn)行比較。CRC值的比較以及是否進(jìn)行下一步操作完全由總線控制器決定。當(dāng)在DS1820中 的或由其計算的CRC值和總線控制器計算的值不相符時，DS1820內(nèi)部并沒有一個能 0。然后從系列編號的最低有效位開始，一次一位移入寄存CRC8CRC0。器DS1820的器結(jié)構(gòu)示于圖8。器由一個暫存RAM和一個高低溫觸發(fā)值TH和TL數(shù)據(jù)傳到非易性（E2）RAM中。這一過程確保更改器時數(shù)據(jù)的完整性。1。第七和第八字節(jié)是計數(shù)寄存器，它們可以被用來獲得更高的溫執(zhí)行方式如第二個標(biāo)題“CRC發(fā)生器”所述。腳）是漏極開路式的，內(nèi)部等效電路見圖9。一個多點總線由一個單線總線和多個掛于其上的從機(jī)構(gòu)成。單線總線需要一個約5KΩ的上拉電阻。通過單線總線端口DS1820的協(xié)議如下作命令都8位長度。下面是這些命令（參見圖6流程圖）：ReadROM這個命令允許總線控制器讀到DS1820的8位系列編碼、唯一的序列號和8位CRC碼。只有在總線上存在單只DS1820的時候才能使用這個命令。如果總上有不止一個從機(jī)，當(dāng)所有從機(jī)試圖MatchROM只有和64位ROM序列完全匹配的DS1820才能響應(yīng)隨后的器操作命令。所有和64位ROMSkipROM[CCh]這條命令允許總線控制器不用提供64位ROM編碼就使用器操作命令在單點總線情況下右以節(jié)省時間。如果總線上不止一個從機(jī)，在SkipROM命令之后跟著讀命令，由于多個從機(jī)同時傳送信號，總線上就會發(fā)生數(shù)據(jù)（漏極開路下拉效果相當(dāng)于相與）。SearchROMAlarmSearchConvert1Read<寫兩個的字節(jié)到地址Copy22Recall 1、溫度轉(zhuǎn)換時間可長達(dá)500ms。接到溫度轉(zhuǎn)換的協(xié)議后，如果器件不是從VDD供電的話，I/O線就必須至500ms高電平。這樣，發(fā)出一ConvertT命令之后，單線總線上在這段時間2、接到CopyScratchpad協(xié)議后，如果器件不是從VDD供電的話，I/O線必須至少保持10msCopyScratchpad總線控制器發(fā)出（TX）一個復(fù)位脈沖（一個最少保持480μs的低電平信號），然后釋放總線，進(jìn)入接收狀態(tài)（RX）。單線總線由5K上拉電阻拉到高電平。探測到I/O引腳上的上升沿后，DS1820等待15~60μs，然后發(fā)出存在脈沖（一個60~240μs的低電平信號）。器操作流程圖（圖10）WriteScratchpad到暫存器中的地址位置2和3。可以在任何時刻發(fā)出復(fù)位命令來中止寫入。ReadScratchpadCopyScratchpad[48h]如果使用寄生電源，總線控制器必須在這條命令發(fā)出后立即起動強(qiáng)上拉并最少保持10ms。ConvertT[44h]制器必須在發(fā)出這條命令后立即起動強(qiáng)上拉，并保持500ms。RecallE2這條命令把觸發(fā)器里的值拷回暫存器。這種拷回操作在DS1820上電時自動執(zhí)行，這樣器件ReadPowerSupply1時間隙和寫0時間隙。所有寫時間隙必須最少持續(xù)60μs，包括兩個寫周期間至少1μs的恢I/O線電平變低后，DS1820在一15μs60μs的窗口內(nèi)I/O線采樣。如果線上是高電平，就是寫1，如果線上是低電平，就是寫0（見圖12）1μs；DS182015μsI/O15μs，以I/O（12）。在讀時間隙的結(jié)尾，I/O讀時間隙必須最少60μs，包括兩個讀周期間至少1μs的恢復(fù)時間。最大：TINIT和TRC保持時間盡可能??；把控制器采樣時間放到15μs周期的最后。器操作舉例（表3）例：總線控制器啟動溫度轉(zhuǎn)換，然后溫度（寄生電源控制數(shù)據(jù)（）發(fā)“MatchROM”<64發(fā)“ConvertT”<I/O線高發(fā)“MatchROM”<64發(fā)“ReadScratchpad<9器操作舉例（例：總線控制器 控制數(shù)據(jù)（）SkipROMWriteScratchpad<兩個數(shù)據(jù)SkipROMReadScratchpad<9個數(shù)據(jù)SkipROM器操作舉例（控制）SkipROMConvertT<1個字>1）SkipROMReadScratchpad<9個數(shù)CRC；8CRC，把計算的CRC和的CRC進(jìn)行比較，如果相同，數(shù)據(jù)就是有效的?？刂破鳒囟戎挡⒎謩e——工作溫度：-55到+125℃焊接溫度：260℃10秒V-V2V --0℃到-55℃0℃和+70℃℃V-V-28157交流電特性：（-55℃到+125℃；VDD=3.6V11ROMCOMMANDSFLOWCHARTFigure

MASTERTMASTERT READ

MATCH

SEARCH

ALARM

SKP DS18B20TBITDS18B20DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITDS18B20T6BYTESDS18B20DS18B20T6BYTESCRCBYTE

DS18B20DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITBIT0YBIT1

NBITDS18B20TDS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBIT

WITHALARMFLAGYNBIT1Y

BIT1YMASTERTMASTERTBIT63DS18B20TBITDS18B20TBITMASTERTBITBIT63

BIT63 MASTERMASTERT(FIGURE12)ofDS18B20FUNCTIONCOMMANDSFLOWCHARTFigure

MASTERMASTERT ?

? MASTERMASTERENABLESDATACOPEDFROM

? YR“1s”R“1s”

STRONG

COPYN ?YR“1s”R“1s”

MASTERENABLESMASTERENABLES POWER

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?MASTERMASTERTTBYTEMASTERMASTERRDATABYTEFROMSCRATCHPAD ?

MASTERBEGINSDATARECALLFROME2MASTERMASTERTTBYTETOR“1s”

R“0s”

BUSYRECALLING?Y

TRESET?NNBEENREAD?

MASTERTCONFIG.BYTETOSCRATCHPAD

“MASTERR MRETURNTOINITIALIZATIONNEXTTRANSACTIONof 有不對之處請來信指數(shù)字溫度傳感器DS1820(DS18B20)的應(yīng)—單線數(shù)字溫度計DSl820DSl820數(shù)字溫度計提供9位(二進(jìn)制)溫度讀數(shù)指示器件的溫度信息經(jīng)過單線接口送DSl820DSl820送出因此從主機(jī)CPUDSl820僅需一條線(和地線)DSl820的電源可以由數(shù)據(jù)線本身提供而不需要外部電源因為每一個DSl820在出廠時已經(jīng)給定了唯DSl820置溫度敏感器件DSl820的測量范圍從-55到+1250.5ls(典型值)內(nèi)DSl82064DSl820ROM(只讀存貯器)中開始8位是產(chǎn)品類型編碼(DSl82010H)位是每個器件唯一的序號最后8位是前面56CRC(循環(huán)冗余校驗)碼DSl820存測得的溫度值的兩個8位存貯器RAM編號為0號和1號1號存貯器存放溫度值的符號如果溫度為負(fù)( 則1號存貯器8位全為1否則全為00號存貯器用于放溫度值的補碼LSB(最低位)的 表示 將 )DSl820的引腳如圖 l所示每只D51820總線供電方式和外部供電方式采取數(shù)據(jù)總線供電方式可以節(jié)省一根導(dǎo)線但完成溫度測量的時間較長采取外部供電方式則多用一根導(dǎo)線但測量速度較快Ds1820用9位存貯溫值度最為符號位下圖為18b20的溫度方式負(fù)溫S=1正溫S=000AAH為 ,0032H為25FF92H Ds18b20用12位存貯溫值度最為符號位下圖為18b20的溫度方式負(fù)溫 正溫度 0550H H為25.0625 二DSl820初始化RoM操作命令器操作命令處理數(shù)總線主機(jī)檢測到DSl820的存在便可以發(fā)出ROM操作命令之一這些命令如 ReadROM(讀ROM) [33H]MatchROM(匹配ROM) SkipROM(跳過 SearchROM(搜索ROM)[F0H]Alarmsearch(告警搜索) 指 代WriteScratchpad(寫暫存存儲器)[4EH]ReadScratchpad(讀暫存器) CopyScratchpad(暫存器)[48H]ConvertTemperature(溫度變換) RecallEPROM(重新調(diào)出 ReadPowersupply(讀電源 時初始2.25-2to時刻發(fā)送一復(fù)位脈沖(480us的低電平信號)接著tl時刻釋放總線并進(jìn)入接收狀態(tài)DSl820在檢測到總線的上升沿之后等待15-60us接DS1820t2時刻發(fā)出存在脈沖(低電平持續(xù)60-240us)如圖中虛線所示MCS51仿真機(jī)上通過其晶振為12M.PUSH PUSH MOV CLRP1.0 MOVB,#250 ;計數(shù)250次DJNZ SETB ;釋放總MOV CLRC WAITL:JBPl.0,WH ;若總線釋放跳出循環(huán)DJNZ ;總線低等待SJMPSHORT ORLC,P1.0DJNZB,WH1 SHORT:POPA寫時當(dāng)主機(jī)總線to時刻從至低電平時就產(chǎn)生寫時間隙見圖2253圖24to15us之內(nèi)應(yīng)將所需寫的位送到總線上DSl820t15-60us間對總線采樣若低電平寫入的位是02253若高電平寫入的位是12254連續(xù)寫2位間的間隙應(yīng)大于1usPUSHMOVCLRWDLT:DJNZB,WDLT;56UsPOPBSETBPl.0 PUSH MOVB#8H WLOP:RRC ;1DJNZB WLOP;8位全寫完?POPB讀時見圖225 主機(jī)總線to時刻從至低電平時總線只須保持低電平l7ts之后在t1時刻將總線拉高產(chǎn)生讀時間隙讀時間隙在t1時刻后t2時刻前有效tz距to為15捍s也就是說tz時刻前主機(jī)必須完成讀位并在to后的60尸s一120fzs內(nèi)釋放總線讀位子程序(讀得的位到C中)PUSHPUSHMOVCLR;讀開始圖 5的t0時SETBMOVMOVDJNZSETBPOPPUSHB ;保存B MOVB,#8H ACALL RRCA DJNZB,RLOP ;8位讀完?POPB 三多路測量DSl820ROM48ROM1820ROM(33H)l820的序列號讀出當(dāng)主機(jī)需要對眾多1820的某一個進(jìn)行操作時首先要發(fā)出匹配ROM命令(55H)緊接著主64位序列(182048位序列號)之1820ROM命令即為之后的操作是對所有1820的框圖中先有ROM即是啟動所有1820進(jìn)行溫度變換之后通過匹配ROM再逐一地讀回每個1820的溫1820組成的測溫系統(tǒng)中ROM命令之后再發(fā)出統(tǒng)一的溫度轉(zhuǎn)換啟動碼44H就可以實現(xiàn)所有1820的統(tǒng)一轉(zhuǎn)換再經(jīng)過1s后就可以用很少的時間去逐一這種方式使其T值往往小于傳統(tǒng)方式由于采取公用的放大電路和AD轉(zhuǎn)換器只能逐一轉(zhuǎn)換顯然通道數(shù)越多這種省時效應(yīng)就越明四1ds1820序列號應(yīng)用程序,P1.6|||

ORG0000HORG0020HMOVCLR LCALLINT MOVA,#33HLCALLWRITE;送入讀ds1820的ROM命令LCALLREAD MOV40H,AMOV41H,AMOV42H,AMOV43H,AMOV44H,AMOV45H,AMOV46H,AMOV47H,ASETBEASJMP$ CLRL0:CLR MOVR2,#200L1:CLRP1.6DJNZR2,L1 SETBP1.6 ;釋放ds1820總線MOVL4:DJNZR2,L4 CLRC ORLJCL0 MOVR6,#80JCL3SJMPL0L2:DJNZR2,L2 CLRMOV WR1:SETBP1.6MOVRRCA ;把一個字節(jié)data(A)分成8個bit環(huán)移給CCLR WR2:DJNZR4,WR2 MOVP1.6,C ;寫入一個bitMOV DJNZR3,WR1 ;寫入下一個bitSETBP1.6

CLRMOV RE1:CLRP1.6 MOVR4,#4SETB ;開始讀總線釋放RE2:DJNZ MOVC,P1.6 ;從ds1820總線讀得一個bitRRCA ;把讀得的位值環(huán)移給AMOVR5,#30RE3:DJNZ DJNZ SETB 獲取單個ds1820轉(zhuǎn)化的溫度值的應(yīng)用程序,P1.6接

ORG0000HORG0020HMOVSP,#60HSJMP$CLRSETB CLR LCALLINT MOVA,#0CCHLCALL MOVA,LCALL LCALLINT MOVA,#0CCHLCALL MOVLCALLWRITE LCALLREADMOVR7,A LCALLREADMOVR6,A SETBEA CLRL0:CLR MOVR2,#200L1:CLRP1.6DJNZR2,L1 SETBP1.6 ;釋放ds1820總線MOVL4:DJNZR2,L4 CLRC ORLJCL0 MOVR6,#80JCL3SJMPL0L2:DJNZR2,L2 CLRMOVR3,#8 WR1:SETBP1.6MOVRRCA ;把一個字節(jié)data(A)分成8個bit環(huán)移給CCLR WR2:DJNZR4,WR2 MOVP1.6,C ;寫入一個bitMOV DJNZR3,WR1 ;寫入下一個bitSETBP1.6

CLRMOV RE1:CLRP1.6 MOVR4,#4SETB ;開始讀總線釋放RE2:DJNZ MOVC,P1.6 ;從ds1820總線讀得一個bitRRCA ;把讀得的位值環(huán)移給AMOVR5,#30RE3:DJNZ DJNZ SETB 有不對之處請來信指 DESIGN

DallasSemiconductorVHDL1-Wire

DS18B20

DS18x20/DS1822

WireDallasDS18x20/DS1822

DS5000 1480μs

5

60s<TX“0”

>

D>D>>DQ=0;//pullDQlowtostarttimeslotif(bitval==1)DQ=1;DQ=0;//pullDQlowtostarttimeslotif(bitval==1)DQ=1;//returnDQhighifwrite1delay(5);//holdvalueforremainderoftimeslotDQ=1;//Delayprovides16sperloop,plus24sTherefore,delay(5)=104svoidwrite_bit(char//DELAY-withan11.059MHz//Callingtheroutinetakesabout24s,and//eachcounttakesanother voiddelay(i