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實(shí)驗(yàn)十一SDRAM制一、實(shí)驗(yàn)背為數(shù)據(jù)緩存器的首選介質(zhì)。二、SDRAM工作原通常一個(gè)SDRAM中包含幾個(gè)BANK，每個(gè)BANK的 址的。由于這種特殊的結(jié)構(gòu)，SDRAM有以下幾個(gè)工作特性：SDRAM的初始化---SDRAM在上電100～200μs后，必須由一個(gè)初始化進(jìn)程來(lái)配置SDRAM 的模式寄存器，模式寄存器的值決定著SDRAM的工作模式。單元---為減少 I/O引腳數(shù)量，SDRAM復(fù)用地址線，所以在讀寫SDRAM時(shí)，先由ACTIVE 命令激活要讀寫的BANK，并鎖存行地址，然后在讀寫指令有效時(shí)鎖存列地址一旦BANK被激活后只有執(zhí)行一次預(yù)充命令后才能再次激活同一BANK。刷新和預(yù)充---為了提高密度，SDRAM采用硅片電容數(shù)據(jù)，由(最小刷新周期÷時(shí)鐘周期)計(jì)算獲得。對(duì)BANK預(yù)充電或者關(guān)閉已激活的BANK，BANK也可同時(shí)作用于所有BANK，A10、BA0和BA1用于選擇BANK。操作控制---SDRAM的具體控制命令由一些控制引腳和地址線輔助完成。CS、RAS、CAS和WR在時(shí)鐘上升沿的狀態(tài)決定具體操作動(dòng)作，地址BANK選擇控制線在部分操作動(dòng)作中作為輔助參數(shù)輸入。由于特殊的結(jié)構(gòu)，SDRAMSRAM一樣只有簡(jiǎn)單的讀寫，具體操作指三、三、SDRAM4.4.四、實(shí)

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