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文檔簡介
新版《電力電子技術(shù)及應(yīng)用》考試復(fù)習(xí)題庫500題(含各題型)
一'單選題
1.GT0的()結(jié)構(gòu)是為了便于實現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計的。
A、多元集成
B、封閉
C、集成
D、回路
答案:A
2.三相橋式全控整流電路中的單寬脈沖觸發(fā)方式,即脈沖寬度大于(),小于1
20°,一般取80°—100°o
A、30°
B、90°
C、120°
D、60°
答案:D
3.晶閘管交流側(cè)過電壓保護(hù)常用措施有()。
A、并聯(lián)阻容吸收電路
B、利用閥型避雷器
C、具有穩(wěn)壓特性的非線性電阻器
D、以上都是
答案:D
4.帶電感性負(fù)載的三相橋式全控整流電路中,變壓器一周期有()有電流通過,
變壓器的利用率高。
A、120°
B、360°
C、180°
D、240°
答案:D
5.在實際選用晶閘管的元件時,選用元件的額定電壓應(yīng)為實際電壓工作時晶閘管
所承受的(一)o
A、峰值電壓的1?2倍
B、管壓降的1?2倍
C、峰值電壓的2?3倍
D、管壓降的2?3倍
答案:C
6.電容具有儲能作用,()不能突變。
A、電壓
B、電流
C、電磁
D、以上都是
答案:A
7.帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a=(一)時,輸出電壓
波形的正負(fù)面積相等,其電壓平均值為0?
A、150°
B、90°
C、60°
D、120°
答案:B
8.帶電感性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路,晶閘管的導(dǎo)通角9不僅與控制角a有關(guān),
而且與(一)有關(guān)。
A、導(dǎo)通角e
B、停止導(dǎo)電角6
C、控制角a
D、功率因數(shù)角。
答案:D
9.晶閘管的陽極伏安特性是指(一)-
A、陽極電壓與門極電流的關(guān)系
B、門極電壓與門極電流的關(guān)系
C、陽極電壓與陽極電流的關(guān)系
D、門極電壓與陽極電流的關(guān)系
答案:C
10.帶電感性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路,當(dāng)(一)時,負(fù)載電流只有正半波部分,
出現(xiàn)很大直流分量,電路不能正常工作。
A、a=(p
B、a<0
C、a>4)
D、Q羊Q
答案:B
11.晶閘管的過電壓是指超過正常工作時晶閘管能夠承受的(—)o
A、最小電壓
B、最大電壓
C、正向電壓
D、反向電壓
答案:B
12.單結(jié)晶體管特性中,T]被稱為(一)。
A、分壓比
B、分流比
C、波形系數(shù)
D、增益
答案:A
13.在三相半波可控整流電路中,每經(jīng)過其中一點,電流就會自動從前一相換流
至后一相,這點稱為(一)o
A、自然換相點
B、共陰極接法
C、共陽極接法
D、星形移相點
答案:A
14.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,負(fù)載上的電壓出現(xiàn)了(一)。
A、正值
B、負(fù)值
C、零值
D、正向
答案:B
15.作為晶閘管過電流保護(hù)的最后一道屏障,同時又是最簡單、最有效的保護(hù)方
法是(一)o
A、交流進(jìn)線電抗器
B、過電流繼電器保護(hù)
C、直流快速開關(guān)保護(hù)
D、快速熔斷器保護(hù)
答案:D
16.逆導(dǎo)晶閘管具有正向壓降小,關(guān)斷時間短,高溫特性好,O等優(yōu)點。
A、正向壓降大
B、關(guān)斷時間長
C、高溫特性差
D、額定結(jié)溫圖
答案:D
17.由于單相可控整流電路負(fù)載容量較大時會造成三相交流電網(wǎng)不平衡,所以當(dāng)
負(fù)載容量比較大時,一般采用(一)電路。
A、三相逆變電路
B、三相半波電路
C、三相可控整流電路
D、三相調(diào)壓電路
答案:C
18.下列哪一個不屬于電阻性負(fù)載(一)o
A、電爐
B、電力晶體管
C、電焊
D、電解
答案:B
19.型號為KK200—9的額定電壓是()o
A、9V
B、90V
C、200V
D、900V
答案:D
20.雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中,靈敏度最低的是()o
AxI+
B、I-
GIII+
D、III-
答案:C
21.電力電子技術(shù)的發(fā)展是以(一)為核心發(fā)展起來的。
A、晶閘管
B、電力電子器件
C、二極管
D、電力晶體管
答案:B
22.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路輸出觸發(fā)脈沖的特點是()。
A、功率較大,脈沖較窄
B、功率較大,脈沖較寬
C、功率較小,脈沖較寬
D、功率較小,脈沖較窄
答案:D
23.帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路適用于(A)負(fù)載。
A、大電流
B、導(dǎo)電壓
C、電動機
D、電感性
答案:A
24.以下三相交流調(diào)壓電路,適用于各種負(fù)載的是(一)o
A、負(fù)載Y形連接帶中性線的三相交流調(diào)壓電路
B、晶閘管與負(fù)載連接成內(nèi)三角形的三相交流調(diào)壓電路
C、三個晶閘管接于Y形負(fù)載中性點的三相交流調(diào)壓電路
D、三相三線交流調(diào)壓電路
答案:D
25.以下特點是三相半波可控整流電路優(yōu)點的是()。
A、輸出功率大
B、變壓器利用率低
C、引起額外損耗
D、容易出現(xiàn)直流磁化現(xiàn)象
答案:A
26.帶反電動勢負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,為了克服電流斷續(xù)時電動機機
械特性變軟的缺點,常常在主回路直流輸出側(cè)串聯(lián)一(一)o
A、平波電抗器
B、晶閘管
C、續(xù)流二極管
D、變壓器
答案:A
27.晶閘管在觸發(fā)開通過程中,當(dāng)陽極電流()掣柱電流之前,如去掉觸發(fā)脈沖,
晶閘管又會關(guān)斷。
A、大于
B、等于
G小于
D、不確定
答案:C
28.以下哪項不是晶閘管的電壓定額(一)。
A、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
B、反向重復(fù)峰值電壓
C、通態(tài)平均電壓
D、門極觸發(fā)電流
答案:D
29.對于尖峰狀的瞬時過電壓,通常要在晶閘管兩端并聯(lián)()對管子進(jìn)行保護(hù)。
A、R
B、C
C、RC
D、RL
答案:C
30.下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是()o
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
D、電阻
答案:A
31.在單相全控橋整流電路中,兩對晶閘管的觸發(fā)脈沖,應(yīng)依次相差()度。
A、180度
B、60度
G360度
D、120度
答案:A
32.單相可控整流電路最基本的是(一)o
A、單相半波可控整流電路
B、單相橋式全控整流電路
C、單相橋式半控整流電路
D、單相全波可控整流電路
答案:A
33.為什么選用晶閘管元件的額定電壓為實際工作時晶閘管所承受峰值電壓的
2?3倍?()o
A、散熱良好
B、環(huán)境溫度升高
C、環(huán)境溫度降低
D、環(huán)境溫度正常
答案:B
34.三相半波可控整流電路,電阻性負(fù)載,當(dāng)控制角()時,整流輸出電壓與電
流波形斷續(xù)。
A、a/30度
B、a>30度
C、a>60度
D、a>90度
答案:B
35.目前常用的大功率晶閘管,外形結(jié)構(gòu)有(一)o
A、螺栓式和平板式
B、螺旋式和平板式
C、螺栓式和平行式
D、螺旋式和平行式
答案:A
36.由波形系數(shù)可知,晶閘管在額定情況下的有效值電流為ITn等于()倍IT(AV)。
A、1.57
B、3.14
C、根號2
D、10
答案:A
37.雙向晶閘管IIl+的觸發(fā)方式()。
A、T1極為正,T2極為正;門極為正,T2極為正
B、T1極為負(fù),T2極為負(fù);門極為負(fù),T2極為正
C、T1極為負(fù),T2極為正;門極為正,T2極為負(fù)
D、T1極為負(fù),T2極為負(fù);門極為負(fù),T2極為負(fù)。
答案:C
38.IGBT的通態(tài)壓降在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有()溫度系數(shù)。
Av正
B、負(fù)
C、零
D、穩(wěn)7E.
答案:B
39.將三相橋式全控整流電路中共陽極組的三只晶閘管換成三只二極管,就構(gòu)成
00
A、三相半波可控整流電路
B、三相橋式半控整流電路
C、雙反星形可控整流電路
D、十二脈波可控整流電路
答案:B
40.電力晶體管的三個電極分別為(一)o
A、基極、集電極、發(fā)射極
B、陽極、門極、基極
C、陰極、基極、發(fā)射極
D、集電極、門極、陽極
答案:A
41.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,為了擴大移相范圍,且去掉輸出
電壓的負(fù)值,可以在負(fù)載兩端并聯(lián)(一)o
A、平波電抗器
B、續(xù)流二極管
C、晶閘管
D、三極管
答案:B
42.帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角(一)時,直流輸出電
壓的波形出現(xiàn)了負(fù)值。
A、a>30°
B、a>90°
C、a>60°
D、a>120°
答案:A
43.逆導(dǎo)晶閘管是將二極管與晶閘管()在同一管芯上的功率集成器件。
A、串聯(lián)
B、并聯(lián)
C、反并聯(lián)
D、不確定
答案:C
44.DC/DC變換電路又被稱為(__)o
A、整流電路
B、濾波電路
C、穩(wěn)壓電路
D、斬波電路
答案:D
45,三相半波不可控整流電路,輸出電壓一周期內(nèi)脈動次數(shù)為3次,脈動頻率為(_
_)Hz0
A、50
B、80
C、100
D、150
答案:D
46.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a=150。時,晶閘管將
不再承受正向相電壓,因此()O
A、導(dǎo)通
B、為正值
C、無法導(dǎo)通
D、為負(fù)值
答案:C
47.交流調(diào)壓電路是將一定頻率和電壓的交流電轉(zhuǎn)換為()的交流電。
A、頻率可變、電壓可調(diào)
B、頻率可變、電壓不可調(diào)
C、頻率不變、電壓不可調(diào)
D、頻率不變、電壓可調(diào)
答案:D
48.絕緣柵雙極型晶體管是()o
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
D、電阻
答案:C
49.比較而言,下列半導(dǎo)體器件中開關(guān)速度最快的是()o
A、GTO
B、GTR
GMOSFET
D、晶閘管
答案:C
50.電風(fēng)扇無極調(diào)速器是以O(shè)為核心器件。
A、雙向晶閘管
B、二極管
C、晶體管
D、三極管
答案:A
51.下列哪項不是晶閘管的關(guān)斷方式(一)。
A、去掉晶閘管的陽極電壓
B、給晶閘管陽極加反向電壓
C、降低正向陽極電壓
D、去掉門極電壓
答案:D
52.單結(jié)晶體管產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖主要用于驅(qū)動()功率的晶閘管。
A、小
B、大
G中
D、超大
答案:A
53.三相半波可控整流電路中,共陽極接法時的整流輸出電壓波形形狀與共陰極
時相同,只是輸出電壓極性(一)o
A、相同
B、相反
C、為正值
D、為零
答案:B
54.電阻性負(fù)載的特點是(一)o
A、電壓允許突變,電流不允許突變
B、電流允許突變,電壓不允許突變
C、電壓和電流均允許突變
D、電壓和電流均不允許突變
答案:C
55.晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較()。
A、恬]
B、低
G好
D、特殊
答案:B
56.IGBT的通態(tài)壓降在1/2或1/3額定電流以上區(qū)段具有()溫度系數(shù)。
A、正
B、負(fù)
C、零
D\穩(wěn)定
答案:A
57.整流電路的簡稱為(一)變換。
A、AC/DC
B、DC/AC
C、AC/AC
D、DC/DC
答案:A
58.晶閘管可通過門極()。
A、既可控制開通,又可控制關(guān)斷
B、不能控制開通,只能控制關(guān)斷
C、只能控制開通,不能控制關(guān)斷
D、開通和關(guān)斷都不能控制
答案:C
59.在電流容量較大、要求較高的晶閘管裝置中,為了保證觸發(fā)脈沖具有足夠的
功率,常采用()組成的觸發(fā)電路。
A、晶閘管
B、二極管
C、晶體管
D、三極管
答案:c
60.三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài),輸出電壓平均值Ud的表達(dá)式是
()
A、Ud=-2.34U2cosB
B、Ud=1.17U2cosp
C、Ud=2.34U2cos0
D、Ud=-0.9U2cosp
答案:A
61.帶電感性負(fù)載的單相半波可控整流電路,負(fù)載上的電壓出現(xiàn)了(一)。
A、負(fù)值
B、正值
C、平均值
D、不變
答案:A
62.雙向晶閘管的型號為KS50-10-21,其中斷態(tài)重復(fù)峰值電壓等級為()級。
A、30
B、55
C、60
D、10
答案:D
63.晶閘管在電路中的門極正向偏壓()愈好。
A、愈大
B、愈小
C、不變
D、不確定
答案:B
64.雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)有螺栓式和(—)o
A、平板式
B、方管式
C、絕緣式
D、螺管式
答案:A
65.晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應(yīng)該屬于()負(fù)載。
A、電阻性
B、電感性
C、反電動勢
D、電容性
答案:C
66.三相可控整流與單相可控整流相比較,輸出直流電壓的紋波系數(shù)()。
A、三相的大
B、單相的大
C、一樣大
D、不確定
答案:B
67.()是指超過正常工作時晶閘管能夠承受的最大電壓。
A、過電流
B、過電壓
C、線電流
D、線電壓
答案:B
68.以下哪個不是晶閘管的電極()。
A、陽極
B、陰極
C、元極
D、門級
答案:C
69.帶電阻性負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,負(fù)載上得到的直流輸出電壓波形
與半波時相比多了(一)倍。
A、—
B、二
C、三
D、四
答案:A
70.單結(jié)晶體管同步振蕩觸發(fā)電路中,改變Re能實現(xiàn)()o
A、移相
B、同步
C、增大脈沖寬度
D、增大脈沖幅值
答案:A
71.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a=(一)時,輸出電壓、
電流的波形處于連續(xù)與斷續(xù)的臨界狀態(tài)。
A、120°
B、90°
C、60°
D、30°
答案:D
72.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,電感中電流不能突變,電感愈大
則電流愈(一)o
A、小
B、大
C\平穩(wěn)
D、忽懸)忽低
答案:C
73.當(dāng)負(fù)載的感抗wLd和電阻Rd的大小相比不可忽略時稱之為(一)o
A、電容性負(fù)載
B、反電動勢負(fù)載
G電感性負(fù)載
D、電阻性負(fù)載
答案:C
74.帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路,控制角Q的最大有效移相范圍是0°
~(一)o
A、150°
B、90°
C、60°
D、120°
答案:B
75.晶閘管在一個周期內(nèi)導(dǎo)通的電角度稱為(一)o
A、導(dǎo)通角
B、移相角
C、控制角
D、停止角
答案:A
76.以下不是電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展方向的是()。
A、集成化
B、高效化
C、低壓化
D、智能化
答案:C
77.單結(jié)晶體管有兩個是基極,因此又被稱為(一)o
A、單結(jié)晶體管
B、雙基極二極管
C、續(xù)流二極管
D、三極管
答案:B
78.KC04移相集成觸發(fā)器具有()個引腳的雙列直插式集成元件。
A、2
B、4
C、8
D、16
答案:D
79.普通二極管導(dǎo)通的條件是(一)o
A、陰極電位高于陽極電位
B、陽極電位等于陰極電位
C、陽極電位高于陰極電位
D、以上皆不是
答案:C
80.在單相橋式全控整流電路帶反電動勢負(fù)載中,當(dāng)成二£的時刻,id降為零,
晶閘管處于(一)狀態(tài)。
A、導(dǎo)通
B、硬開通
G關(guān)斷
D、反向擊穿
答案:C
81.晶閘管是一種。器件。
A、大功率半導(dǎo)體
B、全控型
C、小功率半導(dǎo)體
D、不可控型
答案:A
82.帶電感性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路中,觸發(fā)脈沖方式不能采用(一)o
A、寬脈沖觸發(fā)
B、窄脈沖觸發(fā)
C、脈沖列觸發(fā)
D、集成觸發(fā)
答案:B
83.在分析整流電路工作時,認(rèn)為晶閘管(開關(guān)器件)為。。
A、半導(dǎo)體器件
B、可控硅器件
C、理想器件
D、放大器件
答案:C
84.下列屬于集成觸發(fā)電路優(yōu)點的是()。
A、體積大
ByCffi-U
、/nn./77x/\
c、性能穩(wěn)定可靠
D、功耗高
答案:c
85.三相半波不可控整流電路,三只二極管導(dǎo)通角均為(—)。
A、30°
B、60°
G90°
D、120°
答案:D
86.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為()
A、一次擊穿
B、二次擊穿
C、臨界飽和
D、反向截止
答案:B
87.晶閘管門極G的作用(一)o
A、控制導(dǎo)通
B、控制關(guān)斷
C、控制電壓
D、控制電流
答案:A
88.逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在一個管芯上而成()。
A、大功率三極管
B、逆阻型晶閘管
C、雙向晶閘管
D、可關(guān)斷晶閘管
答案:B
89.由雙向晶閘管與電阻負(fù)載組成的交流調(diào)壓電路,雙向晶閘管也可用兩只(—
一)代替。
A、二極管
B、三極管
C、晶閘管
D、單結(jié)晶體管
答案:C
90.交流調(diào)壓電路的作用是將一定()的交流電轉(zhuǎn)換為頻率不變、電壓可調(diào)的交
流電。
A、頻率和電壓
B、頻率和電流
C、電壓和電流
D、電流和電阻
答案:A
91.不是構(gòu)成KC04集成觸發(fā)器環(huán)節(jié)的是()。
A、異步信號
B、鋸齒波的產(chǎn)生
C、移相控制
D、脈沖形成
答案:A
92.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時,不論門極加何種極性觸發(fā)電壓,管子都將工
作在()。
A、導(dǎo)通狀態(tài)
B、關(guān)斷狀態(tài)
C、飽和狀態(tài)
D、不定
答案:B
93.型號為KS100-8的元件表示()o
A、電力晶體管
B、MOSFET
C、IGBT
D、雙向晶閘管
答案:D
94.下面哪種功能不屬于變流的功能()
A、有源逆變
B、交流調(diào)壓
C、變壓器降壓
D、直流斬波
答案:C
95.三相橋式全控整流橋的電路的紋波系數(shù)比三相半波可控流電路電路要。。
A、大
B、小
C、——樣
D、不確定
答案:B
96.當(dāng)反向電壓超過晶閘管的反向擊穿電壓時,晶閘管會因。而損壞。
A、反向擊穿
B、硬開通
C、正向?qū)?/p>
D、反向?qū)?/p>
答案:A
97.帶電阻性負(fù)載的三相橋式全控整流電路中,輸出電壓波形用(一)波形表示。
A、線電流
B、線電壓
C、相電壓
D、相電流
答案:B
98.為了克服移相觸發(fā)控制所產(chǎn)生的缺角正弦波對電力系統(tǒng)形成干擾,可采用(_
一)方式。
A、正向觸發(fā)
B、過零觸發(fā)
C、單結(jié)晶體管觸發(fā)
D、集成觸發(fā)
答案:B
99.逆變,把直流電變換為頻率固定或頻率可調(diào)的交流電,亦稱為(一)變換。
A、AC/DC
B、DC/AC
GAC/AC
D、DC/DC
答案:B
100.帶電感性負(fù)載的單相半波可控整流電路中,可以在電路的負(fù)載兩端并聯(lián)一個
整流二極管,稱之為(一)o
A、電力晶閘管
B、續(xù)流二極管
C、三極管
D、快速晶閘管
答案:B
101.為了讓晶閘管可控整流電感性負(fù)載電路正常工作,應(yīng)在電路中接入()o
A、三極管
B、續(xù)流二極管
C、保險絲
D、電感器
答案:B
102.以下晶閘管的幾種狀態(tài)最不好的是(一)。
A、觸發(fā)導(dǎo)通
B、正向阻斷
C、硬開通
D、反向阻斷
答案:C
103.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路,接了續(xù)流二極管后,a的移相范圍
可以擴大到0°~(—)o
A、180°
Bv90°
C、120°
D、150°
答案:A
104.晶閘管陽極從開始承受正向電壓到出現(xiàn)觸發(fā)電壓之間的角度是(一)o
A、導(dǎo)通角6
B、停止導(dǎo)電角3
C、控制角a
D、功率因數(shù)角。
答案:C
105.MOSFET的漏極伏安特性中的三個區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時的輸出特性中
的三個區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系,其中前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的()
A、放大區(qū)
B、飽和區(qū)
C、截止區(qū)
D、閉合
答案:A
106.阻感負(fù)載的特點是()。
A、流過電感的電流不能突變
B、電壓不能突變
C、功率不能突變
D、能量守恒
答案:A
107.三相橋式全控整流電路要保證兩只晶閘管同時導(dǎo)通,觸發(fā)脈沖一般可采用(_
—)o
A、單寬脈沖、雙窄脈沖
B、脈沖列'雙窄脈沖
C、單寬脈沖、脈沖列
D、移相脈沖、雙窄脈沖
答案:A
108.光控晶閘管是利用(一)信號進(jìn)行觸發(fā)的。
A、電壓
B、光照
C、電流
D、熱感應(yīng)
答案:B
109.晶閘管具有()的特點。
A、容量大,可控性好
B、容量小,可控性差
C、容量小,可控性好
D、容量大,可控性差
答案:A
110.以下哪些為常見電阻型負(fù)載?①電爐②電解③電鍍④電焊⑤白熾燈,(—)。
A、①②③④⑤
B、①③⑤
C、②④
D、①②③⑤
答案:A
111.晶閘管型號KP200-8B中8是指(,)o
A、額定電流
B、額定電壓
C、擎住電流
D、浪涌電流
答案:B
112.斬波電路是將直流電壓變換為固定或可調(diào)的(一)o
A、直流電流
B、直流電壓
C、交流電流
D、交流電壓
答案:B
113.雙向晶閘管有正反向?qū)ΨQ的伏安特性曲線。主要集中于第()象限。
A、1、3
B、2、4
C、1、4
D、2、3
答案:A
114.通過控制電力電子器件通斷時間比,改變輸出直流電壓大小的電源稱為(
_)o
A、控制電源
B、直流穩(wěn)壓電源
C、開關(guān)電源
D、交流穩(wěn)壓電源
答案:C
115.晶閘管的關(guān)斷條件(一)0
A、要有適當(dāng)?shù)恼蜿枠O電壓
B、給陽極加反向電壓或降低正向陽極電壓
C、有適當(dāng)正向門極電壓
D、外加電壓
答案:B
116.若減小SPWM逆變器輸出電壓基波幅值,可采用的控制方法是()
A、減小三角波頻率
B、減小三角波幅度
C、減小輸入正弦控制電壓幅值
D、減小輸入正弦控制電壓頻率
答案:C
117.若可控整流電路的功率大于4kW,宜采用()整流電路。
A、單相半波可控
B、單相全波可控
C、三相可控
D、逆變電路
答案:C
118.以下哪個不是晶閘管的狀態(tài)(一)0
A、正向阻斷
B、硬開通
C、反向阻斷
D、反向?qū)?/p>
答案:D
119.單結(jié)晶體管的三個電極分別為(—)0
A、發(fā)射極、基極、基極
B、發(fā)射極、基極、集電極
C、發(fā)射極、基極、柵極
D、發(fā)射極、基極、漏極
答案:A
120.a稱為觸發(fā)延遲角,6稱為導(dǎo)通角,a和6的關(guān)系為()。
A、0-a=n
B、e+a=rt
C、0-a=n/2
D、Q+a-n/2
答案:B
121.關(guān)于單相半波可控整流電路敘述正確的是(一)0
A、其波形只在電源負(fù)半周出現(xiàn)
B、在負(fù)載上得到的是一單方向的直流電壓
C、電阻性負(fù)載電壓和電流均不允許突變
D、如果改變晶閘管的觸發(fā)導(dǎo)通時刻,ud和id的波形不變化
答案:B
122.在三相半波可控整流電路中,自然換相點為晶閘管可以被觸發(fā)導(dǎo)通的最早時
刻,此時控制角a的起始點不再是坐標(biāo)原點,而是距離原點(一)的位置。
A、0°
B、30°
C、60°
D、90°
答案:B
123.單相半波可控整流電路,變壓器利用率低,且二次測通過含直流分量的電流,
使變壓器存在(一)現(xiàn)象。
A、半控整流
B、電流降低
C、全控整流
D、直流磁化現(xiàn)象
答案:D
124.對三相橋式全控變流電路實施觸發(fā)時,如采用單寬脈沖觸發(fā),單寬脈沖的寬
度一般取O度較合適。
A、90
B、100
C、60
D、10
答案:A
125.帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,為了擴大移相范圍以及提高輸出
電壓,可在負(fù)載兩端并聯(lián)(一)o
A、續(xù)流二極管
B、三極管
C、晶閘管
D、平波電抗器
答案:A
126.共陰極三相半波可控整流電路的自然換相點是()
A、交流相電壓的過零點
B、本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處
C、比三相不控整流電路的自然換相點超前30°
D、比三相不控整流電路的自然換相點滯后60°
答案:B
127.單相半波可控整流電路具有(一)優(yōu)點。
A、電路簡單
B、變壓器利用率低
C、輸出的直流電壓、電流脈動大
D、變壓器存在直流磁化現(xiàn)象
答案:A
128.當(dāng)溫度降低時,晶閘管的正反向漏電流會()
A、增加
B、減小
G不變
D、不確定
答案:B
129.整流變壓器漏抗對電路的影響有()。
A、整流裝置的功率因數(shù)降低
B、輸出電壓脈動減小
C、電流變化緩和
D、引起相間短路
答案:B
130.晶閘管導(dǎo)通的條件是()o
A、陽極加正向電壓,門極有正向脈沖
B、陽極加正向電壓,門極有負(fù)向脈沖
C、陽極加反向電壓,門極有正向脈沖
D、陽極加反向電壓,門極有負(fù)向脈沖
答案:A
131.晶閘管額定電壓一般取正常工作時晶閘管所承受峰電壓的()o
A、1?2倍
B、2?3倍
C、3?4倍
D、4?5倍
答案:B
132.單結(jié)晶體管同步振蕩觸發(fā)電路中,改變Re能實現(xiàn)()。
A、移相
B、同步
C、增大脈沖寬度
D、增大脈沖幅值
答案:A
133.雙向晶閘管是用于交流電路中的,其外部有()電極。
A、一個
B、兩個
G三個
D、四個
答案:c
134.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路中,控制角a的最大移相范圍是()。
A、05-90°
B、05-120°
G09-150°
D、0。-180°
答案:D
135.三相橋式全控整流電路任何時候都有兩只晶閘管導(dǎo)通,才可以形成負(fù)荷的供
電回路,一般可采哪種觸發(fā)方式()O
A、單寬
B、雙窄
C、單寬和雙窄
D、輔助觸發(fā)方式
答案:C
136.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路中不屬于其組成部分是(一)0
A、晶閘管
B、變壓器
C、三極管
D、負(fù)載電阻
答案:C
137.無源逆變指的是把直流能量轉(zhuǎn)變成交流能量后送給()裝置。
A、負(fù)載
B、停電
C、運行
D、電網(wǎng)
答案:A
138.比較而言,下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最大的是()o
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
D、晶閘管
答案:B
139.三相半波不可控整流電路中,變壓器一次側(cè)接成(一)o
A、三角形
B、星形
C、串聯(lián)
D、并聯(lián)
答案:A
140.帶電阻性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路,可以通過改變(一)調(diào)節(jié)輸出電壓有效
值,達(dá)到交流調(diào)壓的目的。
A、導(dǎo)通角e
B、停止導(dǎo)電角5
c、控制角a
D、功率因數(shù)角。
答案:c
141.變流裝置的功率因數(shù)總是()0
A、大于1
B、等于1
G小于1
D、不確定
答案:C
142.將三相橋式全控整流電路中共陽極組的三只晶閘管換成三只(),就構(gòu)成三
相橋式半控整流電路。
A、晶體管
B、晶閘管
C、二極管
D、功率場效應(yīng)晶體管
答案:C
143.在下面幾種電路中,可以實現(xiàn)有源逆變的電路是()o
A、三相橋式可控整流電路
B、三相半控整流橋電路
C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路
D、單相半控橋整流電路。
答案:A
144.晶閘管的伏安特性曲線分為(—)0
A、電壓特性;電流特性
B、飽和特性;截止特性
C、正向特性;反向特性
D、開通特性;關(guān)斷特性
答案:C
145.對同一只晶閘管,擎住電流IL約為維持電流IH的()。
A、1?2倍
B、2?4倍
C、3?5倍
D、6?8倍
答案:B
146.IGBT的開啟電壓UGE(th)隨溫度升高而略有()。
A、上升
B、下降
C、不變
D\穩(wěn)定
答案:B
147.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a>(一)時,輸出電
壓、電流波形為斷續(xù)。
A、120°
B、90°
C、60°
D、30°
答案:D
148.三相半波不可控整流電路中,變壓器二次側(cè)接成()得到中線。
A、三角形
B、星形
C、串聯(lián)
D、并聯(lián)
答案:B
149.帶反電動勢負(fù)載的單相橋式全控整流電路中,在(一)時,晶閘管才承受正
電壓有導(dǎo)通可能。
A、U2=E
BU2<E
C、U2>E
D、U2WE
答案:C
150.單結(jié)晶管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點是(一)o
A、峰點
B、谷點
C、轉(zhuǎn)折點
D、臨界點
答案:A
151.帶電感性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路,控制角的移相范圍是(一)o
A、。~60。
B、4>~90°
C、0~120°
D、。~180°
答案:D
152.單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中,控制角a的移相范圍是()
A、0°—90°
B、0°—180°
C、90°—180°
D、180°~360°
答案:A
153.單結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止得臨界點是(一)o
A、峰點
B、谷點
C、轉(zhuǎn)折點
D、臨界點
答案:B
154.電力電子應(yīng)用技術(shù)的主要領(lǐng)域有()。
A、電源設(shè)計領(lǐng)域
B、電機傳動領(lǐng)域
C、電力系統(tǒng)領(lǐng)域
D、以上都是
答案:D
155.KC04移相集成觸發(fā)器是具有16個引腳的雙列直插式集成元件,主要用于O
全控橋式裝置中。
A、單相
B、單相、三相
G三相
D、以上都不是
答案:B
156.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路中,變壓器主要作用是(一)?
A、變換電壓
B、變換電流
C、變換功率
D、變換頻率
答案:A
157.比較而言,下列半導(dǎo)體器件中開關(guān)速度最慢的是()o
A、GTO
B、GTR
GMOSFET
D、晶閘管
答案:D
158.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a=0°時,輸出電壓連
續(xù),晶閘管導(dǎo)通角皆為(一)o
A、30°
B、90°
C、60°
D、120°
答案:D
159.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a>30°時,輸出電壓、
電流波形為(一)o
A、連續(xù)
B、斷續(xù)
C、為零
D、為負(fù)值
答案:B
160.當(dāng)溫度升高時,晶閘管的觸發(fā)電流會()
A、增加
B、減小
C、不變
D、不確定
答案:B
161.光控晶閘管適用于(一)場合。
A、高壓大功率
B、高壓小功率
C、低壓大功率
D、低壓小功率
答案:A
162.MOSFET的漏極伏安特性中的三個區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時的輸出特性中
的三個區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系,其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的()
A、放大區(qū)
B、飽和區(qū)
C、截止區(qū)
D、閉合
答案:C
163.以下不是斬波電路控制方式的是(一)o
A、脈沖寬度調(diào)制
B、頻率調(diào)制
C、混合調(diào)制
D、控制角調(diào)制
答案:D
164.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路輸出電壓波形只在電源(一)出現(xiàn)。
A、正半周
B、負(fù)半周
C、一次側(cè)繞組
D、二次側(cè)繞組
答案:A
165.雙向晶閘管是一種控制O的理想器件。
A、交流功率
B、直流功率
C、電阻
D、電容
答案:A
166.以下不是集成觸發(fā)電路的優(yōu)點的是()o
A、體積大
B、溫漂小
C、功耗低
D、調(diào)試接線方便
答案:A
167.當(dāng)正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓時,會使晶閘管()o
A、反向擊穿
B、正向?qū)?/p>
C、硬導(dǎo)通
D、反向?qū)?/p>
答案:C
168.以下不是固態(tài)開關(guān)優(yōu)點的是(一)0
A、體積小
B、工作頻率低
C、可靠性高
D、使用安全
答案:B
169.晶閘管以管子本身的陽極電壓作為觸發(fā)電壓進(jìn)行觸發(fā),屬于(一)o
A、強觸發(fā)
B、弱觸發(fā)
C、單結(jié)晶體管觸發(fā)
D、集成觸發(fā)
答案:A
170.三相橋式整流電路整流后的。的波形為相應(yīng)的變壓器的二次測線電壓的整
流電壓。
A、線電壓
B、輸出電壓
C、相電壓
D、輸出線電壓
答案:B
171.以下不是常見斬波電路的是(一)0
A、降壓斬波電路
B、升壓斬波電路
C、升降壓斬波電路
D、穩(wěn)壓電路
答案:D
172.型號為KS100-8的額定電壓是()o
A、8V
B、80V
C、100V
D、800V
答案:D
173.以下不是晶閘管過電壓保護(hù)的是()o
A、晶閘管關(guān)斷過電壓及保護(hù)
B、交流側(cè)過電壓及保護(hù)
C、直流側(cè)過電壓及保護(hù)
D、過電流繼電器保護(hù)
答案:D
174.帶電阻性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路,控制角的移相范圍是(一)o
A、0°~30。
B、0°~60°
G00~90°
D、0°~180°
答案:D
175.普通晶閘管的額定電流用通態(tài)平均電流值標(biāo)定,而雙向晶閘管通常用在交流
電路中,因此其額定電流用()標(biāo)定。
A、平均值
B、最大值
C、最小值
D、有效值
答案:D
176.三相可控整流電路中最基本的形式為(一)o
A、三相半波可控整流電路
B、三相橋式全控整流電路
C、雙反星形可控整流電路
D、十二脈波可控整流電路
答案:A
177.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路中,由以下哪些器件組成?①晶閘管
VT②負(fù)載電阻Rd③變壓器T④晶體管。(—)0
A、①②③④
B、②③④
C、①②③
D、①③④
答案:C
178.在型號為KP1072G中,數(shù)字12表示()。
A、額定電壓12V
B、額定電流12A
C、額定電壓1200V
D、額定電流1200A
答案:C
179.將交流電變?yōu)橹绷麟姺Q為(—)0
A、逆變
B、整流
C、變頻
D、交流調(diào)壓
答案:B
180.整流變壓器漏抗對電路的影響有()o
A、整流裝置的功率因數(shù)降低
B、輸出電壓脈動減小
C、電流變化緩和
D、引起相間短路
答案:B
181.三相半波不可控整流電路是由(—)組成的不可控整流電路。
A、晶閘管
B、二極管
C、三極管
D、雙向晶閘管
答案:B
182.雙向晶閘管的觸發(fā)方式有(一)0
A、I+、I—、II+xII—
B、II+、11—、III+、III—
C、I+、I—、III+、III-
D、II+、II—sI+、III—
答案:c
183.三相橋式全控整流電路,必須保證(一)只晶閘管同時導(dǎo)通,才能形成回路。
A、1
B、2
C、3
D、4
答案:B
184.在單相半波可控整流電路中,控制角a與導(dǎo)通9t之間的關(guān)系為(一)o
A、0t=n+a
B、0t=n—a
C、6t=2n+a
D、0t=2n—a
答案:B
185.晶閘管交流開關(guān)是以其(一)中毫安級的觸發(fā)電流,來控制其陽極中幾安至
幾百安大電流通斷的裝置。
A、陽極
B、陰極
C、門極
D、基極
答案:C
186.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中,當(dāng)控制角a=60。時,晶閘管的
導(dǎo)通角是(一)。
A、120°
B、90°
C、60°
D、30°
答案:B
187.單相橋式全控整流電路屬(一)整流。
A、全波
B、半波
C、尖頂波
D、平頂波
答案:A
188.將三相橋式全控整流電路中共陽極組的三只()換成三只二極管,就構(gòu)成三
相橋式半控整流電路。
A、三極管
B、晶閘管
C、二極管
D、功率場效應(yīng)晶體管
答案:B
189.雙向晶閘管的觸發(fā)方式中,靈敏度最差的是()觸發(fā)方式。
A、I+
B、I-
C、111+
D、III-
答案:C
190.單結(jié)晶體管管內(nèi)有()jPN結(jié)。
A、1
B、2
C、3
D、4
答案:A
191.三相交流調(diào)壓電路可由三個互差(一)的單相交流調(diào)壓電路組成。
A、30°
B、90°
C、60°
D、120°
答案:D
192.三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載,當(dāng)觸發(fā)角a=0。時,輸出的負(fù)載電壓平
均值為()。
A、0.45U2;
B、0.9U2;
G1.17U2;
D、2.34U2;
答案:D
193.型號為KK200-9的額定電流是O。
A、9A
B、90A
C、200A
D、900A
答案:C
194.電力場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點下列選項中錯誤的是?(—)0
A、無二次擊穿問題
B、開關(guān)速度慢
C、安全工作區(qū)寬
D、工作頻率高
答案:B
195.KK200—9的元件表示()。
A、快速晶閘管
B、MOSFET
C、IGBT
D、逆導(dǎo)晶閘管
答案:A
196.(一)接法是三個二極管的陽極分別接到變壓器二次側(cè)的三相電源上,而三
個陰極接在一起,接到負(fù)載的一端。
A、三角形接法
B、星形接法
C、共陽極接法
D、共陰極接法
答案:D
197.型號為KS100-8的額定電流是0o
A、8A
B、80A
C、100A
D、800A
答案:C
198.雙向晶閘管的觸發(fā)方式中,靈敏度最高的是()o
A、I+
B、I-
C、III+
D、III-
答案:A
199.固態(tài)開關(guān)是以(一)為基礎(chǔ)構(gòu)成的無觸點通斷組件。
A、雙向晶閘管
B、普通晶閘管
C、二極管
D、三極管
答案:A
200.IGBT開關(guān)速度0電力MOSFET。
A、大于1
B、等于1
C、小于1
D、不確定
答案:C
多選題
1.功率場效應(yīng)的晶體管分為(一)兩種類型。
A、功率場效應(yīng)晶體管
B、靜電感應(yīng)晶體管
C、絕緣柵型
D、結(jié)型
答案:CD
2.電阻負(fù)載的特點是()。
A、電壓和電流成正比
B、波形相同
C、電感性
D、電容性
答案:AB
3.晶閘管型號KP200-8B的含義為(一)o
A、額定電流200A
B、額定電壓800V
C、管壓降0.4?0.5
D、額定電流900A
答案:ABC
4.以下哪些屬于電力電子技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域?(一)o
A、交通運輸
B、電力系統(tǒng)
C、一般工業(yè)
D、家用電器
答案:ABCD
5.單結(jié)晶體管的三個電極是(一)o
A、發(fā)射極
B、第一基極
C、第二基極
D、集電極
答案:ABC
6.KC04移相集成觸發(fā)器是由()環(huán)節(jié)構(gòu)成。
A、同步信號
B、鋸齒波產(chǎn)生
C移相控制
D、脈沖形成
答案:ABCD
7.以下是常見斬波電路的是(一)o
A、降壓斬波電路
B、升壓斬波電路
C、升降壓斬波電路
D、穩(wěn)壓電路
答案:ABC
8.以下屬于晶閘管狀態(tài)的是(一)o
A、正向阻斷
B、硬開通
C、反向?qū)?/p>
D、晶閘管關(guān)斷
答案:ABD
9.當(dāng)流過晶閘管的電流的有效值超過它的額定通態(tài)平均電流的有效值時,會出現(xiàn)
0的情況。
Av短路
B、限流
C、逆變
D、過載
答案:AD
10.常見的非線性電阻元件有()。
A、金屬氧化物亞敏電阻
B、硒堆
C、電容
D、電感
答案:AB
11.PWM逆變電路的控制方法中的調(diào)制法主要分為哪幾種?
A、三角波調(diào)制
B、異步調(diào)制
C、同步調(diào)制
D、脈沖波調(diào)制
答案:BC
12.晶閘管觸發(fā)的觸發(fā)脈沖要滿足哪幾項基本要求。
A、觸發(fā)信號應(yīng)有足夠的功率
B、脈沖前沿盡可能陡
C、使元件在觸發(fā)導(dǎo)通后,陽極電流能迅速上升超過掣住電流而維持導(dǎo)通
D、正弦波觸發(fā)信號
答案:ABC
13.當(dāng)負(fù)載為大電感負(fù)載,如不加續(xù)流二極管時,在電路中出現(xiàn)觸發(fā)脈沖丟失時
()電路會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。
A、單相橋式半控整流橋
B、單相橋式全控整流橋
C、三相橋式半控整流橋
D、三相橋式全控整流橋
答案:AC
14.交流調(diào)壓電路分為(一)。
A、單相交流調(diào)壓電路
B、三相交流調(diào)壓電路
C、移相交流調(diào)壓電路
D、并相交流調(diào)壓電路
答案:AB
15.對晶閘管觸發(fā)方法有()。
A、雙窄脈沖
B、單寬脈沖
G強脈沖
D、短脈沖
答案:AB
16.三相半波不可控整流電路中,變壓器一次側(cè)接成(一),二次側(cè)接成(一)
得到中線。
A、三角形
B、星形
C、串聯(lián)
D、并聯(lián)
答案:AB
17.鋸齒波觸發(fā)電路的主要環(huán)節(jié)是由()環(huán)節(jié)組成。
A、同步環(huán)節(jié)
B、鋸齒波形成
C、脈沖形成
D、整形放大
答案:ABCD
18.雙向晶閘管的三個極分是()。
A、第一陽極T1
B、第二陽極T2
C、基極B
D、門極G
答案:ABD
19.將交流變換成直流稱為整流,下例錯誤的是(一)。
A、AC/DC
B、DC/DC
C、DC/AC
D、AC/AC
答案:BCD
20.電力電子器件的驅(qū)動電路的目的是給器件施加()的信號,提供控制電路與
主電路之間的電氣隔離。
A、隔離
B、開通
C、放大
D、關(guān)斷
答案:BC
21.以下是雙向晶閘管觸發(fā)方式的是(一)o
A、I+觸發(fā)方式
B、I—觸發(fā)方式
C、III+觸發(fā)方式
D、川一觸發(fā)方式
答案:ABCD
22.電力電子應(yīng)用技術(shù)的主要領(lǐng)域有()。
A、電源設(shè)計領(lǐng)域
B、電機傳動領(lǐng)域
C、電力系統(tǒng)領(lǐng)域
D、汽車電子領(lǐng)域
答案:ABCD
23.以下屬于電力電子技術(shù)的功能的是①可控整流②交流調(diào)壓③逆變④變頻⑤直
流斬波⑥無觸點靜態(tài)開關(guān)(—)0
A、①②③
B、①③④⑤
C、②③⑤⑥
D、④⑤⑥
答案:AD
24.用三對反并聯(lián)晶閘管連接成三相三線交流調(diào)壓電路對觸發(fā)脈沖電路的要求是
()o
A、三相正(或負(fù))觸發(fā)脈沖依次間隔為120。,而每一相正、負(fù)觸發(fā)脈沖間隔為1
80°o
B、為了保證電路起始工作時能兩相同時導(dǎo)通,以及在感性負(fù)載和控制角較大時,
仍能保持兩相同時導(dǎo)通,與三相全控整流橋一樣,要求采用雙脈沖或?qū)捗}沖觸發(fā)。
C、為了保證輸出電壓對稱可調(diào),應(yīng)保持觸發(fā)脈沖與電源電壓同步。
D、為了保證輸出電壓對稱可調(diào),應(yīng)保持觸發(fā)脈沖與電源電壓同步。
答案:ABCD
25.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路,電路組成部分為(一)o
A、晶閘管VT
B、負(fù)載電阻Rd
C、變壓器T
D、負(fù)載感抗3Ld
答案:ABC
26.提高變流置的功率因數(shù)的常用方法有()
A、減小觸發(fā)角
B、增加整流相數(shù)
C、采用多組變流裝置串聯(lián)供電
D、設(shè)置補償電容。
答案:ABCD
27.雙向晶閘管的三個電極是(一)。
A、主電極為T1
B、門極G
C、主電極為T2
D、基極B
答案:ABC
28.晶閘管的過電流保護(hù)常用哪幾種保護(hù)方式?
A、過電流繼電器保護(hù)
B、限流與脈沖移相保護(hù)
C、直流快速開關(guān)過電流保護(hù)
D、快速熔斷器過電流保護(hù)
答案:ABCD
29.單結(jié)晶體管觸發(fā)電路是利用(一)特性所構(gòu)成的。
A、單結(jié)晶體管負(fù)阻特性
B、RC充放電特性
C、電感元件儲能特性
D、電阻元件耗能特性
答案:AB
30.晶閘管的外形結(jié)構(gòu)有哪兩種?(—)o
A、螺栓式
B、平板式
C、直板式
D、螺旋式
答案:AB
31.晶閘管的換相重疊角與電路的()等參數(shù)有關(guān)。
A、觸發(fā)角a
B、變壓器漏抗XB
C、平均電流Id
D、電源相電壓U2
答案:ABCD
32.晶閘管的動態(tài)特性就是指晶閘管在開通和關(guān)斷的動態(tài)過程中(..)的變化規(guī)
律。
A、陽極電流
B、陰極電流
C、陽極電壓
D、陰極電壓
答案:AC
33.電風(fēng)扇無級調(diào)速系統(tǒng)包括(一)。
A、雙向晶閘管
B、主電路
C、觸發(fā)電路
D、保護(hù)電路
答案:ABCD
34.單相可控整流電路具有()的優(yōu)點。
A、電路簡單
B、維護(hù)方便
C、調(diào)試方便
D、電路復(fù)雜
答案:ABC
35.在電力晶閘管電路中,常用的過電流保護(hù)有()。
A、快速熔斷器
B、電路串電抗器
C、過流時快速移相
D、直流快速開關(guān)
答案:ABCD
36.常見的反電動勢負(fù)載有(一)o
A、整流二極管
B、蓄電池
C、電力晶體管
D、直流電動機的電樞
答案:BD
37.雙向晶閘管的伏安特性曲線主要集中在O象限。
A、第一象限
B、第二象限
G第三象限
D、第四象限
答案:AC
38.晶閘管的過電流保護(hù)方法有()。
A、交流進(jìn)線電抗器
B、限流與脈沖移相保護(hù)
C、快速熔斷器保護(hù)
D、直流快速開關(guān)保護(hù)
答案:ABCD
39.以下關(guān)于交流調(diào)壓電路說法錯誤的是()o
A、AC/AC
B、AC/DC
C、DC/DC
D、DC/AC
答案:BCD
40.變壓器T的作用是(一)。
A、電氣隔離
B、變換電壓
C、調(diào)整電路
D、變換電流
答案:AB
41.常見的雙極型器件有(一)。
A、GTR
B、GT0
C、IGBT
D、MOSFET
答案:AB
42.以下是單相半波可控整流電路缺點的是(—)。
A、電路簡單
B、輸出電壓、電流脈動大
C、調(diào)整方便
D、變壓器存在直流磁化現(xiàn)象
答案:BD
43.常用的過電流保護(hù)措施有()。
A、快速熔斷器
B、串進(jìn)線電抗器
C、接入直流快速開關(guān)
D、控制快速移相使輸出電壓下降
答案:ABCD
44.電力電子器件功率損耗主要為()。
A、通態(tài)損耗
B、斷態(tài)損耗
C、開關(guān)損耗
D、過零損耗
答案:ABC
45.以下是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)優(yōu)點的是(一)。
A、驅(qū)動功率小
B、開關(guān)速度快
C、.飽和壓降低
D、安全工作區(qū)域?qū)?/p>
答案:ABCD
46.正確使用晶閘管應(yīng)該注意哪些事項?
A、清除灰塵
B、擰緊接觸螺釘
C、嚴(yán)格遵守規(guī)定要求
D、可以隨意取用
答案:ABC
47.調(diào)光燈電路中,(—)是決定燈泡能否調(diào)節(jié)亮度的關(guān)鍵。
A、電阻
B、單結(jié)晶體管
C、電抗
D、電容
答案:BD
48.選用晶閘管元件的額定電壓應(yīng)為實際工作時晶閘管所承受的峰值電壓的2~
3倍原因是(一)。
A、散熱不良
B、環(huán)境溫度降低
C、環(huán)境溫度升高
D、散熱良好
答案:AC
49.電力場效應(yīng)管(MOSFET)按照導(dǎo)電溝道分為()。
A、P溝道
B、N溝道
C、耗盡型
D、增強型
答案:AB
50.晶閘管的額定電壓通常是指(一)中的較小值,再取相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)等級中偏小
的電壓值。
A、UDRM
B、UTM
C、UT(AV)
D、URRM
答案:AD
51.三相半波可控整流電路帶電感負(fù)載時,當(dāng)觸發(fā)脈沖向后移動至&=()時,U
d的波形正負(fù)面積相等,其平均值為()。
A、30
B、60°
C、90°
D、0
答案:CD
52.三相橋式全控整流電路中,晶閘管的觸發(fā)脈沖方式有(一)o
A、單窄脈沖觸發(fā)
B、單寬脈沖觸發(fā)
C、雙窄脈沖觸發(fā)
D、雙寬脈沖觸發(fā)
答案:BC
53.三相可控整流電路有(一)和(—)兩種接法。
A、共陽極接法
B、共陰極接法
C、星形接法
D、三角形接法
答案:AB
54.以下哪幾項是逆導(dǎo)晶閘管與普通晶閘管相比的優(yōu)勢。(—)0
A、關(guān)斷時間短
B、高溫特性好
C、外形美觀
D、便宜
答案:AB
55.常見的全控單極型器件有(一)0
A、功率場效應(yīng)晶體管
B、靜電感應(yīng)晶體管
C、二極管
D、三極管
答案:AB
56.電力晶體管(GTR)的三個電極為(一)o
A、發(fā)射極
B、柵極
C、基極
D、集電極
答案:ACD
57.在晶閘管兩端并聯(lián)R、C吸收回路的主要作用有哪些()o
A、吸收晶閘管瞬間過電壓
B、限制電流上升率
C、動態(tài)均壓作用
D、動態(tài)均流作用
答案:ABC
58.家用調(diào)光燈電路組成部分為(一)o
A、整流電路
B、觸發(fā)電路
C、晶閘管
D、三極管
答案:ABC
59.直流電動機調(diào)速系統(tǒng)各組成部分有。
A、主電路
B、觸發(fā)控制電路
C、保護(hù)電路
D、檢測電路
答案:ABCD
60.以下是電阻性負(fù)載的是()。
A、電爐
B、電解
C、電焊
D、白熾燈
答案:ABCD
61.直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有()。
A、降壓斬波電路
B、平波斬波
C、升壓斬波
D、恒壓斬波
答案:AC
62.電力電子器件組成的系統(tǒng),一般由()組成.
A、控制電路
B、主回路
C、保護(hù)電路
D、驅(qū)動電路
答案:ABCD
63.三相橋式全控整流電路導(dǎo)通的兩只晶閘管必須是()和()各一只。
A、共陰極組
B、共陽極組
C、串聯(lián)組
D、并聯(lián)組
答案:AB
64.在晶閘管型號KP200-8B中,200和8分別代表()。
A、額定電流
B、額定電壓
C、管壓降
D、閘流特性
答案:AB
65.軟開關(guān)電路種類很多,但歸納起來可分為()o
A、零電流開關(guān)
B、理想開關(guān)
C、零電壓開關(guān)
D、零功率
答案:AC
66.在電力晶閘管電路中,常用的過電壓保護(hù)有()。
A、避雷器
B、阻容吸收
G硒堆
D、壓敏電阻
答案:ABCD
67.由晶閘管構(gòu)成的逆變器換流方式有()。
A、負(fù)載換流
B、電源換流
C、強迫換流
D、同相換流
答案:AC
68.電阻性負(fù)載的特點是(一)o
A、電壓和電流不成比例。
B、電壓和電流成比例,且兩者波形相似。
C、電壓和電流允許突變。
D、電壓和電流不允許突變。
答案:BC
69.在下面幾種電路中,不能實現(xiàn)有源逆變的電路有哪幾種。
A、三相半波可控整流電路
B、三相半控整流橋電路
C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路
D、單相半控橋整流電路。
答案:BCD
70.屬于雙極型器件的有()o
A、場效應(yīng)管
B、電力二極管
C、晶閘管
D、GT0
答案:BCD
71.以下屬于晶閘管導(dǎo)通條件的是(一)o
A、要有適當(dāng)?shù)恼蜿枠O電壓
B、要有適當(dāng)?shù)恼蜷T極電壓
C、去掉晶閘管的陽極電壓
D、給晶閘管陽極加反向電壓
答案:AB
72.電力場效應(yīng)管(MOSFET)按柵極電壓幅值可分為(一)。
A、耗盡型
B、增強型
GP溝道
D、N溝道
答案:AB
73.PWM逆變電路的控制方法主要有哪幾種?
A、分析法
B、計算法
C、編程法
D、調(diào)制法
答案:BD
74.造成逆變失敗的原因有()等幾種。
A、逆變橋晶閘管或元件損壞
B、供電電源缺相
C、逆變角太小
D、觸發(fā)脈沖丟失或未按時到達(dá)
答案:ABCD
75.晶閘管過電流保護(hù)方法有(一)o
A、交流進(jìn)線電抗器
B、過電流繼電器保護(hù)
C、直流快速開關(guān)保護(hù)
D、快速熔斷器保護(hù)
答案:ABCD
76.絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是由(—)和(—)構(gòu)成的復(fù)合型器件。
A、MOSFET
B、GTO
C、GTR
D、SITH
答案:AC
77.晶閘管的UDRM為835V,URRM為976V,則額定電壓應(yīng)定義為()即()級。
A、800V
B、6
C、600V
D、8
答案:AD
78.電力場效應(yīng)管(MOSFET)的三個電極為()。
A、漏極
B、柵極
G源極
D、基極
答案:ABC
79.晶閘管過電壓保護(hù)方法有(一)o
A、關(guān)斷過電壓保護(hù)
B、交流側(cè)過電壓保護(hù)
C、直流側(cè)過電壓保護(hù)
D、進(jìn)線過電流保護(hù)
答案:ABC
80.三相半波可控整流電路的優(yōu)點有()。
A、輸出電壓脈動小
B、輸出功率大
C、三相負(fù)載平衡
D、接線比較簡單
答案:ABCD
81.用晶閘管組成的交流電壓控制電路,可以方便的調(diào)節(jié)輸出電壓有效值,可用
于()。
A、電路溫控
B、燈光調(diào)節(jié)
C、異步電動機的啟動和調(diào)速
D、輸電
答案:ABC
82.三相橋式全控整流電路是由一組()三只晶閘管和一組()的三只晶閘管串
聯(lián)后構(gòu)成的
A、順串
B、共陰極
C、共陽極
D、逆串
答案:BC
83.逆導(dǎo)晶閘管是將。反并聯(lián)同一管芯上的功率集成器件。
A、三極管
B、二極管
C、晶閘管
D、場效應(yīng)管
答案:BC
84.以下是晶閘管派生器件的是(一)。
A、雙向晶閘管
B、逆導(dǎo)晶閘管
C、快速晶閘管
D、光控晶閘管
答案:ABCD
85.電力電子器件可分為()。
A、單極性
B、雙極性
G三極性
D、復(fù)合型
答案:ABD
86.SPWM脈寬調(diào)制型變頻電路的基本原理是:對逆變電路中開關(guān)器件的通斷進(jìn)行
有規(guī)律的調(diào)制,使輸出端得到()脈沖列來等效Oo
A、等高不等寬
B、等寬不等高
G正弦波
D、方波
答案:AC
87.以下屬于節(jié)能調(diào)光燈特點的是(—)。
A、體積小
B、壽命長
G使用方便
D、耗電少
答案:ABCD
88.變頻電路有()形式。
A、直接變頻電路
B、間接變頻電路
C、調(diào)壓電路
D、調(diào)相電路
答案:AB
89.KC04移相集成觸發(fā)器的()引出端輸出相位相差180度的兩個窄脈沖。
A、1端
B、26端
G22端
D、15端
答案:AD
90.逆變器按直流側(cè)提供的電源的性質(zhì)來分,可分為()。
A、電壓型型逆變器
B、電流型型逆變器
C、電源型逆變器
D、無源逆變器
答案:AB
91.正確使用晶閘管應(yīng)該注意哪些事項?
A、采取必要的過電流、過電壓等保護(hù)措施
B、選擇晶閘管額定電壓、電流時還應(yīng)留有足夠的安全余量
C、嚴(yán)禁用兆歐表檢查晶閘管的絕緣情況
D、定期對設(shè)備進(jìn)行維護(hù)
答案:ABCD
92.根據(jù)器件內(nèi)部參與導(dǎo)電的載流子的情況可將電力電子器件分為(一)。
A、雙極型
B、單極型
C、復(fù)合型
D、全控型
答案:ABC
93.PWM控制技術(shù)的理論基礎(chǔ)是()。
A、面積等效原理
B、沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)
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