晶體管原理第四章金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶_第1頁
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文檔簡介

4.3.2電流－電壓關(guān)系――主要的結(jié)構(gòu)參數(shù)：LW,GL L N N -

--

x

selfalignedpoly-siliconprocess自對準(zhǔn)多晶硅工藝,使柵區(qū) 高，表面斷鋁，增加了光刻 ，所以又發(fā)展了以作掩膜的局部氧化LOCOS--Localoxidationonsilicon(MOSIC的局部氧化工藝LocalOxidationIsolationforMOSIC)，或稱等平面硅柵工藝。MOSFET工作原理MOSFET工作原理MOSFET工作原理 gd＝W/L*un4.3.2MOSFET工作原理VDS較小時，ID－VDS VDS＝VDS·當(dāng)達(dá)到VDS=VGS-VTN時，在漏端形成了VGD=VGS-VDS=VTN的VDS>VDS增加VDS(VDS>VGS-VTN)，在漏端的導(dǎo)電溝道 n溝增強(qiáng)型MOSFETIDS－VDS WnCOX V 2

(sat)WnCOX

V 4.3.3電流－電壓關(guān)系―4.3.3電流－電壓關(guān)系―4.3.3電流－電壓關(guān)系―4.3.3電流－電壓關(guān)系― QBM'(max) CCox

4.3.3電流－電壓關(guān)系――數(shù)學(xué)推演4.3.3電流－電壓關(guān)系――數(shù)學(xué)推演JxExenn(y)Ex在yz方向上對Jx積分即為總電流：IxJx Qn'en(IxJxdydzWnQn' 4.3.3電流－電壓關(guān)系――數(shù)學(xué)推演

('Eg Q'

nn

C 1 ' ' C IxWnQn'

WnCox V)V

WnCOX V

2

(sat)WnCOX V

gm (sat)WnCOX

V

ID(sat)WnCOX

V

m m

ID(sat)

V

零偏時反型條件：φs=2φfp,反偏時112eS2eS

2f2fp □Q

2eS2

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