p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體課件_第1頁
p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體課件_第2頁
p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體課件_第3頁
p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體課件_第4頁
p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩7頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入微量的其它適當(dāng)后所形成的半導(dǎo)體根據(jù)摻雜的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型導(dǎo)體P型導(dǎo)體1.N型半導(dǎo)體

摻入五價雜質(zhì)元素（如磷、砷）的雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4摻入少量五價雜質(zhì)元素磷P+4+4+4+4+4+4+4+4+4P++++++++++++++++++++++++++++++++++++半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子c.電子是多數(shù)載流子，簡稱多子;空穴是少數(shù)載流子，簡稱少子。e.因電子帶負電，稱這種半導(dǎo)體為N(negative)型或

電子型半導(dǎo)體。f.

因摻入的雜質(zhì)給出電子，又稱之為施主雜質(zhì)。b.N型半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的(自由）電子和正離子。可見：d.np×nn=K(T)a.N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量五價雜質(zhì)元素形成的。g.負電荷

=受主雜質(zhì)產(chǎn)生的（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；正電荷(空穴)=受主負雜質(zhì)離子（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；

負電荷總數(shù)（多子電子）=正電荷總數(shù)（少子空穴+受主負離子）h.半導(dǎo)體整體是電中性的2.

P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼等。B+4+4+4+4+4+4+4+4+4出現(xiàn)了一個空位+4+4+4+4+4+4B+4+4+4+4+4+4+4+4B+4+4負離子空穴-----------------------

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論