結(jié)題報告華工材料sparkle

廣東省第四屆大學生材料創(chuàng)新大賽高效藍光圖形化襯底LED的設(shè)計與制備2014年10月6日華南理工大學發(fā)光材料與器件國家重點實驗室答辯人：王海燕指導老師：李國強教授匯報提綱研究背景

研究內(nèi)容

研究亮點成果總結(jié)LED新一代綠色固體光源節(jié)能（LED發(fā)光效率為白熾燈的6~10倍）

環(huán)保（LED無毒，節(jié)能燈含有毒元素汞）

用途廣泛（照明，顯示，通訊，存儲…）

體積小……①內(nèi)量子效率②光提取效率ηEQE＝

ηIQE×

ηLEELED的優(yōu)異特性LED光效的決定因素內(nèi)量子效率圖形化藍寶石襯底(PSS)技術(shù)LED發(fā)光效率

產(chǎn)生橫向磊晶效果位錯彎曲、閉合有源層缺陷減少對光線的散射作用改變光線傳播路徑出射光線增加光提取效率匯報提綱研究背景

研究內(nèi)容

研究亮點成果總結(jié)基于TracePro光學模擬設(shè)計新型襯底圖案

模擬結(jié)合實驗ICP刻蝕及MOCVD外延生長襯底表面形貌分析LED發(fā)光性能表征內(nèi)容大綱研究內(nèi)容穹頂型PSS的創(chuàng)新設(shè)計與優(yōu)化穹頂型PSS上LED外延與表征新型PSS的創(chuàng)新設(shè)計與優(yōu)化LED芯片模型結(jié)構(gòu)圖形襯底模型LED模型仿真出光半球型圓錐型六棱錐型優(yōu)化曲線穹頂型構(gòu)建LED芯片模型1多種PSS參數(shù)優(yōu)化2最佳光效新型PSS3光效提升19%Crys.Growth&Des.,2012,12,2836.ECSJ.SolidStateSci.Technol.,2014,3,R1.RSCAdv.,2014,4,41942.穹頂型PSS上LED外延與表征采用MOCVD法在最優(yōu)化的穹頂型PSS上生長LED外延層圖形襯底形貌(a)穹頂型PSS(b)圓錐型PSS橫截面SEM應(yīng)力、缺陷表征(a)GaN(0002)(b)GaN(10-12)面XRD外延層晶體質(zhì)量精確控制ICP刻蝕工藝新型PSS對磊晶質(zhì)量無不良影響提高LED發(fā)光強度達19%兩種PSSLED的(a)PL光譜(b)EL光譜匯報提綱研究背景

研究內(nèi)容

研究亮點成果總結(jié)研究亮點采用一種獲發(fā)明專利授權(quán)的圖形襯底設(shè)計方法，可大大降低研究成本與耗時，結(jié)果準確可靠ZL201210169936.8設(shè)計出具有最佳光學效率的新型PSS，實現(xiàn)LED芯片出光效率最大化在保證GaN外延質(zhì)量的同時，大幅度提升LED出光效率，具有重大應(yīng)用價值光效提升19%匯報提綱研究背景

研究內(nèi)容

研究亮點成果總結(jié)成果總結(jié)發(fā)表SCI論文1篇（IF=3.7）發(fā)明專利公示1項穹頂型PSS的創(chuàng)新設(shè)計

獲得實用新型專利授權(quán)1項致謝

感謝李國強教授對本團隊的悉心