芯片測試反壓作業(yè)規(guī)范及品質(zhì)要求課件

芯片測試反壓作業(yè)規(guī)范及品質(zhì)要求主講人—鐘燕平2010年06月22日芯片測試反壓作業(yè)規(guī)范及品質(zhì)要求一、芯片測試工藝目的及品質(zhì)要求二、芯片測試準備工作三、芯片測試四、芯片測試軟件注意事項五、芯片測試操作注意事項六、芯片測試安全注意事項七、芯片反壓工藝目的及品質(zhì)要求八、芯片反壓準備工作九、芯片反壓作業(yè)步驟十、芯片反壓異常判定十一、芯片反壓操作注意事項十二、芯片反壓安全注意事項一、芯片測試工藝目的及品質(zhì)要求1、工藝目的

測試非晶硅太陽電池芯片的電性參數(shù)；2、品質(zhì)要求

2.1、測試結(jié)果有較好的重復(fù)性，誤差范圍2%內(nèi)；

2.2、測試環(huán)境溫度25±5℃；

2.3、光強分布誤差：100±5mw/cm2；

2.4、測試過程中不造成人為破角或在背電極留下手指印，及探針刮傷膜面；二、芯片測試準備工作2、標準板清潔A、在搬運測試標準板時，需要戴上尼龍手套，減少標準板玻璃面的手指印殘留；B、車間測試人員在較準標準板前，要先對標準板的玻璃表面進行清潔（用舊尼龍手套或紗布沾上酒精進行清潔），清潔后才可以進行標準板較準；3、光強校準A、點擊測試軟件界面中的光強測試按鈕，進入光強測試界面；B、在光強測試界面中，點擊“重測”按鈕（連續(xù)3-5次），若光強在100±5mw/cm2范圍內(nèi)，則點擊“平均”按鈕，后再點擊確定；若標準光強不在規(guī)定的范圍內(nèi)，則通過微調(diào)整主電源電壓（調(diào)節(jié)幅度±5V，）使標準光強達到100±5mw/cm2；

二、芯片測試準備工作4、標準板校準A、在標準光強100±5mw/cm2下測試非晶硅太陽電池組件標準片；B、根據(jù)測試結(jié)果和標準片所標示的參數(shù)對比，在控制面板界面進行修正校準因子：

a、調(diào)整電壓測量校準因子使Voc與標準板標稱標示值相近；

b、調(diào)整電流測量校準因子使Isc與標準板標稱標示值相近；

c、在開關(guān)時間不變的情況下，調(diào)整修正電阻使FF、Pm與標準板標示值相近（此過程需要配合調(diào)整電壓測量較準因子、電流測量較準因子）；

d、若調(diào)節(jié)修正電阻無法使FF、Pm與標準板標示值接近，則相應(yīng)調(diào)節(jié)開關(guān)時間，此時需按3的要求重新校正光強，并按4.B.a至4.B.c的步驟進行較準標準板；

e、標準板較準過程中的測試值（FF、Voc、Isc、Pm）需與標準板標稱值相近，并且具有良好的重復(fù)性和一致性，相近值重復(fù)次數(shù)不少于4次；

f、標準板生產(chǎn)校準過程中只允許修改電流測量校準因子、電壓測量校準因子、開關(guān)時間、修正電阻，禁止修改其他測試參數(shù)；

g、標準板較準時各項參數(shù)與標準板標示值的誤差范圍為：Pm（±0.15W）、

Voc（±0.15V）、Isc（±0.015A）、FF（±0.015）；二、芯片測試準備工作圖3工藝參數(shù)設(shè)定窗口圖4測試軟件窗口光強測試按鈕三、芯片測試2、用掃描儀把芯片上條碼掃到測試軟件界面中（或手動輸入芯片編號），后輕輕推動待測電池芯片，使待測電池芯片在測試機的中間位置（待測電池芯片的受光面面向光源）；3、按下測試機氣動閥的控制開關(guān)，使氣缸下壓，從而使測試探針與電池芯片的正負極相接觸；4、點擊測試界面中的“測試”按鈕（可使用快捷鍵“空格鍵”或“Alt+x”）或踩下腳踏開關(guān)進行測試并根據(jù)芯片的情況選擇相應(yīng)的產(chǎn)品形態(tài)；三、芯片測試5、每片芯片至少需要測試兩次，并記錄最后一次測試數(shù)據(jù)記錄；6、測試人員按下氣動閥控制開關(guān)讓測試工裝上升，脫離與芯片的接觸；7、下片人員從下片口處拉出已測試的電池芯片，并參照品保發(fā)行的《非晶硅太陽能電池芯片/組件等級判定標準》將電池芯片進行等級分類放置于相應(yīng)的小推車上；8、車間每個班在下班前需要將本班的測試數(shù)據(jù)導(dǎo)出并進行整理(需按單結(jié)、雙結(jié)退火測試、反壓測試分開),并把測試數(shù)據(jù)保存在相應(yīng)的電子檔文中；四、芯片測試軟件注意事項1、每一片芯片或組件在測試后，會出現(xiàn)一個“客戶定制信息”對話框，對話框中內(nèi)容有測試機位、產(chǎn)品形態(tài)、有效數(shù)據(jù)無效數(shù)據(jù)；2、測試機位：每一臺測試機有固定的編號，一車間芯片段為101，一車間組件段為102；3、產(chǎn)品形態(tài)：每一片芯片或組件的產(chǎn)品形態(tài)（良品芯片或不良芯片），若沒有不良則為“good”，若有不良則選擇相應(yīng)的不良項目；4、有效數(shù)據(jù)無效數(shù)據(jù)：若為有效數(shù)據(jù)則會被MES

系統(tǒng)采集；五、芯片測試操作注意事項1、開機前檢查電源線、各數(shù)據(jù)線是否連接上，是否牢固；測試機主電源急停開關(guān)是否處于開啟狀態(tài)；2、光源與被測板之間不得有任何遮擋物以免影響測量精度，玻璃臺面要保持清潔（每班每天都要用紗布清潔測試機的表面），并對測試探針接觸面進行擦拭（用尼龍手套的手背面對接觸面進行擦拭，防止測試探針表面而影響測試結(jié)果）；3、芯片的溫度需冷卻在25±5℃的情況下才可進行測試；4、拿取電池芯片時要輕拿輕放以免磕碰破角，電池芯片要放在測試臺中間區(qū)域（如圖5所示），以免影響測試數(shù)據(jù)，并保證測試探針處與電池芯片接觸良好；五、芯片測試操作注意事項5、當(dāng)測試顯示“測試錯誤”時檢查電池芯片正、負極是否放反；正、負極引線接觸是否良好或者短路；氙燈電源是否打開并處于工作狀態(tài)；負載開關(guān)是否打開；如果以上方法還無法解決請通知技術(shù)部或設(shè)備組；6、每測試二小時或測試機重啟后，重新進行標準板校準，以減小誤差；若在較準標準板后的2

個小時內(nèi)有間隔20分鐘以上未進行測試，則需要重新較準標準板；五、芯片測試操作注意事項7、靠單晶硅標準板位置的測試工裝應(yīng)與測試機的單晶硅標準板留有5-10mm左右的間隙（如圖5）；8、單結(jié)電池芯片測試時，測試工裝的正負極探針只能分別接觸到芯片正負極第一條激光線到芯片邊緣區(qū)域；9、芯片掃描時，芯片平放于上料平臺上，靠編號位置偏離上料平臺10cm左右，后用掃描儀進行掃描；六、芯片測試安全注意事項1、操作人員在操作過程中，戴好護腕與尼龍手套，防止玻璃破裂時刮傷；2、在處理破裂芯片時，需要兩個人來共同來處理，防止受傷；3、電源系高壓大電流，系統(tǒng)工作時嚴禁任何人打開電源箱,以免造成人員傷害；4、測量時人眼不得直視光源，以免對人眼造成傷害；七、芯片反壓工藝目的及品質(zhì)要求1、工藝目的

對芯片進行反壓修補，起到修補激光線的作用，從而提高芯片功率；2、品質(zhì)要求

2.1、雙結(jié)反壓時，工裝鋁帶不能貼在激光線上；

2.2、單結(jié)芯片反壓時，工裝鋁帶可以貼在激光線上；

2.3、反壓后允許有輕微的透空現(xiàn)象；3、工藝參數(shù)

3.1、修補時間：視不同產(chǎn)品選擇不同工藝時間；

3.2、穩(wěn)壓電源電壓：除一臺為低壓24V±0.3V外（正極邊數(shù)第一、二條鋁帶對應(yīng)的穩(wěn)壓電源），其余七臺全為30±0.3V；

3.3、穩(wěn)壓電源最大限制電流：0.15±0.01A；八、芯片反壓準備工作1、開啟設(shè)備電源：打開電控箱，將左上角的空氣開關(guān)向上撥，此時控制系統(tǒng)和反壓電源開啟。2、確認各直流穩(wěn)壓電源都有通電，（各電源指示燈均會亮起）。除標示為‘低壓’的一臺應(yīng)是

24V，其余電壓都指向刻度30V（如圖一所示）；3、按下“電源啟動”，再按下“系統(tǒng)啟動”，機器便進入工作狀態(tài)（如圖二所示）；4、選擇反壓時間；5、選擇傳動方式為“自動”狀態(tài)，則傳送帶開始勻速運轉(zhuǎn)。九、芯片反壓作業(yè)步驟1、作業(yè)員須戴防靜電手套及護腕，把待反壓修補的電池芯片放置于反壓設(shè)備的上區(qū)料，此時應(yīng)注意芯片的正負極方向（設(shè)備上有標識），用手輕推電池芯片，使其進入傳送帶，自動進入反壓區(qū)域；2、當(dāng)芯片進入反壓區(qū)域后，設(shè)備傳感器接受到信號后下壓，進行反壓修補；3、一次測試上料員配合留意反壓電流情況，如發(fā)現(xiàn)異常，應(yīng)及時將問題向現(xiàn)場助工反饋；九、芯片反壓作業(yè)步驟4、在芯片的反壓修補過程中，可以再放置一片待反壓的電池芯片于反壓設(shè)備的上料區(qū)；5、反壓時間到后，已反壓的電池芯片將自動轉(zhuǎn)動至設(shè)備下區(qū)料；6、作業(yè)員把已傳送到下料區(qū)的已反壓電池芯片搬至物料車上、或直接搬至測試上料臺進行測試；十、芯片反壓異常判定1、反壓工作時若連續(xù)幾片在同一穩(wěn)壓電源的反壓電流為0，則說明此臺穩(wěn)壓電源的鋁帶與電池芯片有可能不存在接觸，或者是反壓設(shè)備可能出現(xiàn)異常，此時需要檢查原因（確定是否為鋁帶問題、反壓設(shè)備故障、還是激光刻劃效果好而使漏電流很?。?、反壓工作時反壓電流較小說明激光刻畫較好，此時反壓后測試的功率較一次測試可能沒有多大變化，這屬正常情況；十一、芯片反壓操作注意事項1、在自動狀態(tài)下，若在反壓過程中出現(xiàn)待反壓芯片還沒有傳動至反壓區(qū)，氣缸就已經(jīng)下壓的情況，需要把“自動狀態(tài)”轉(zhuǎn)為“手動狀態(tài)”，按下“手動移出”，讓芯片傳動至反壓區(qū)，后把“手動狀態(tài)”轉(zhuǎn)為“自動狀態(tài)”；若選擇“手動”狀態(tài)，壓板將自動升起，傳送帶停止傳送，此時可通過按下“手動移出”按鈕，將電池芯片傳送到需要的位置；

十一、芯片反壓操作注意事項2、機器上料區(qū)處、電控箱、下料區(qū)設(shè)置有3個