研發(fā)服務(wù)全景調(diào)研與發(fā)展戰(zhàn)略研究

研發(fā)服務(wù)全景調(diào)研與發(fā)展戰(zhàn)略研究半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)（一）半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機(jī)遇1、半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)政策的有力支持半導(dǎo)體行業(yè)作為信息產(chǎn)業(yè)中的基礎(chǔ)和核心部分，是關(guān)系國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展全局的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，對國家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。發(fā)展我國半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，是我國成為世界制造強(qiáng)國的必由之路。近年來，國家各部門相繼推出了一系列優(yōu)惠政策，鼓勵和支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2020年8月，《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》從財稅、投融資、研發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應(yīng)用、國際合作等八方面，給予集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)40條支持政策。國家相關(guān)政策的陸續(xù)出臺從戰(zhàn)略、資金、專利保護(hù)、稅收優(yōu)惠等多方面推動半導(dǎo)體行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。2021年3月，全國人民代表大會通過了《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，提出瞄準(zhǔn)人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學(xué)、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域，特別指出集成電路領(lǐng)域攻關(guān)具體包括了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。2、半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域高度契合國家碳中和規(guī)劃目標(biāo)2030年左右二氧化碳排放比達(dá)到峰值，單位GDP二氧化碳排放比2005年下降60%-65%，非化石能源占一次能源消費(fèi)比重達(dá)到20%左右。2020年9月，中國政府在第七十五屆聯(lián)合國大會上提出，中國將提高國家自主貢獻(xiàn)力度，采取更加有力的政策和措施，二氧化碳排放力爭于2030年前達(dá)到峰值，努力爭取2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和。2021年3月5日，2021年工作報告中指出，扎實(shí)做好碳達(dá)峰、碳中和各項(xiàng)工作，制定2030年前碳排放達(dá)峰行動方案，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和能源結(jié)構(gòu)。實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)以及發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)需要大量的功率器件及模組。在海上風(fēng)電等新能源發(fā)電領(lǐng)域、輸配電領(lǐng)域、儲能領(lǐng)域、用電領(lǐng)域等，IGBT等功率器件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。3、半導(dǎo)體行業(yè)各類新產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動市場需求持續(xù)旺盛半導(dǎo)體行業(yè)雖然呈現(xiàn)周期性波動的特性，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，每次技術(shù)變革持續(xù)帶動行業(yè)增長。以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動的如云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)新一代技術(shù)變革動力。同時，新能源驅(qū)動的智能汽車已經(jīng)成為萬物互聯(lián)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，隨著智能汽車復(fù)雜程度的提高，智能汽車網(wǎng)聯(lián)化、智能化以及電動化程度進(jìn)一步提升，新能源汽車行業(yè)對汽車半導(dǎo)體元件的需求勢必會大幅增長，因此汽車板塊對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言屬于推動其長期發(fā)展的新引擎。半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延展帶動了市場需求的持續(xù)旺盛。4、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資源轉(zhuǎn)移大趨勢下的進(jìn)口替代市場機(jī)遇半導(dǎo)體行業(yè)目前呈現(xiàn)專業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷第巨變，產(chǎn)業(yè)資源正處于向中國大陸和東南亞等地區(qū)轉(zhuǎn)移的進(jìn)程之中，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是市場需求和資本驅(qū)動的綜合結(jié)果。中國擁有全球最大且增速最快的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，巨大的下游市場配合積極的國家產(chǎn)業(yè)政策與活躍的社會資本，正在全方位、多角度地支持國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)技術(shù)的不斷突破，加之我國在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車等下游市場走在世界前列，有望在更多細(xì)分市場實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。（二）半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)1、半導(dǎo)體行業(yè)與具備頂尖技術(shù)水平的國際龍頭企業(yè)仍有一定差距中國大陸半導(dǎo)體企業(yè)在頂尖技術(shù)積累方面與業(yè)界龍頭企業(yè)存在一定差距。盡管中國政府和企業(yè)愈發(fā)重視對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)投入，但由于技術(shù)發(fā)展水平、人才培養(yǎng)等方面的滯后性，以及企業(yè)資金實(shí)力不足等諸多原因，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)力量薄弱、自主創(chuàng)新能力不足的狀況依然存在。在半導(dǎo)體行業(yè)面臨全球范圍內(nèi)充分競爭的背景下，中國大陸企業(yè)在與業(yè)界龍頭企業(yè)競爭的過程中仍會在未來一段時間內(nèi)處于相對弱勢的地位。2、半導(dǎo)體行業(yè)資金投入巨大半導(dǎo)體制造行業(yè)，尤其是晶圓代工行業(yè)，從前期產(chǎn)線建設(shè)，設(shè)備投入到工藝研發(fā)，都需要大量的資金投入，大多數(shù)企業(yè)的資金實(shí)力無法滿足動輒數(shù)十億甚至上百億美元的生產(chǎn)線投入。產(chǎn)線建成以后，企業(yè)還需要維持較高的研發(fā)投入來豐富產(chǎn)品類型以應(yīng)對下游客戶多樣化的需求，并為優(yōu)質(zhì)人才提供有競爭力的薪酬，這對行業(yè)內(nèi)企業(yè)的資金實(shí)力和資源調(diào)配能力形成了一定的挑戰(zhàn)。3、半導(dǎo)體行業(yè)高端專業(yè)技術(shù)人才不足晶圓代工行業(yè)屬于技術(shù)和人才密集型行業(yè)。相對于發(fā)展成熟的美國、日本、歐洲和中國臺灣等，中國大陸因產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步晚，導(dǎo)致經(jīng)驗(yàn)豐富的半導(dǎo)體行業(yè)高端人才稀缺。盡管近年來國家對高端專業(yè)人才的培養(yǎng)力度逐步加大，但人才匱乏的情況依然存在，已成為當(dāng)前制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。4、半導(dǎo)體行業(yè)受經(jīng)濟(jì)周期和地緣的影響較大半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展與宏觀經(jīng)濟(jì)走勢密切相關(guān)。當(dāng)前，我國經(jīng)濟(jì)由高速增長向中高速增長轉(zhuǎn)換，經(jīng)濟(jì)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整特征十分明顯。宏觀經(jīng)濟(jì)的增長放緩將會導(dǎo)致下游行業(yè)需求減少，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體企業(yè)收入的波動。此外，近幾年地緣危機(jī)不斷擾動全球經(jīng)濟(jì)，西方政府不斷試圖通過貿(mào)易保護(hù)以及技術(shù)封鎖等渠道打壓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。功率器件行業(yè)發(fā)展情況（一）功率器件行業(yè)的新技術(shù)發(fā)展情況與趨勢1、模塊化功率器件行業(yè)集成化的技術(shù)發(fā)展趨勢隨著功率器件應(yīng)用場景不斷拓展，下游產(chǎn)品對其電能轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率需求及復(fù)雜度提出了更高要求。功率器件的組裝模塊化和集成化能有效滿足要求，有助于優(yōu)化客戶使用體驗(yàn)并保障產(chǎn)品配套性和穩(wěn)定性，功率器件的組裝模塊化和集成化將成為行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主流趨勢。同時，隨著工藝技術(shù)的不斷升級，更高性能、更小體積的功率器件為模塊化和集成化創(chuàng)造了技術(shù)條件。2、第三代半導(dǎo)體材料有望實(shí)現(xiàn)突破當(dāng)前功率器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能成為新型的半導(dǎo)體材料，屬于新興領(lǐng)域，具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及中國臺灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料功率器件的量產(chǎn)。部分境內(nèi)企業(yè)通過多年的技術(shù)和資本積累，依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持，也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。由于新型半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域，國內(nèi)廠商與國際巨頭企業(yè)的技術(shù)差距不斷縮小，因此有望抓住機(jī)遇、實(shí)現(xiàn)突破并搶占未來市場。（二）功率器件行業(yè)的新產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況1、功率器件行業(yè)新能源汽車與充電樁發(fā)展情況新能源汽車普遍采用高壓電路，需要頻繁進(jìn)行電壓變化，對電壓轉(zhuǎn)換電路需求大幅提升。IGBT、MOSFET等功率器件用于主驅(qū)動系統(tǒng)的逆變器、變壓器、換流器等，其需求相應(yīng)增大。除了動力系統(tǒng)，功率器件在新能源汽車上應(yīng)用還涵蓋了安全配置、電動門窗及后視鏡、人車交互系統(tǒng)、儀表盤、車燈、娛樂系統(tǒng)及底盤系統(tǒng)等。汽車電子隨著新能源汽車的發(fā)展呈越來越熱的趨勢，汽車內(nèi)部電子系統(tǒng)數(shù)量的需求不斷攀升，越來越多汽車制造商都在逐步加大電動汽車技術(shù)的研發(fā)投入。新能源汽車充電樁為功率器件另一大增量，根據(jù)中國汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟的統(tǒng)計(jì)，2016年至2021年，我國公共充電樁和專用充電樁的保有量由5．88萬個增長至114．70萬個，呈爆發(fā)式增長，帶動了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市場需求。2、功率器件行業(yè)工業(yè)和智能電網(wǎng)發(fā)展情況工業(yè)領(lǐng)域是功率器件另一大需求市場。工業(yè)領(lǐng)域中，數(shù)控機(jī)床、牽引機(jī)等電機(jī)對功率器件需求較大，主要使用的功率器件是IGBT。隨著工業(yè)4．0不斷推進(jìn)，工業(yè)的生產(chǎn)制造、倉儲、物流等流程改造對電機(jī)需求不斷擴(kuò)大，工業(yè)功率器件需求增加。太陽能、風(fēng)能等新能源發(fā)電過程中產(chǎn)生的電能，需要經(jīng)過IGBT、MOSFET等功率器件的變換，之后才能入網(wǎng)傳輸。功率器件作為智能電網(wǎng)的核心部件，可以增強(qiáng)電網(wǎng)的靈活性與可靠性，使得智能電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)電力高效節(jié)能的傳輸。未來新能源市場的快速發(fā)展和智能電網(wǎng)建設(shè)的推進(jìn)將催生出對功率器件需求的穩(wěn)步增長。半導(dǎo)體行業(yè)概況半導(dǎo)體（Semiconductor）是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一類材料。半導(dǎo)體的特殊之處在于其導(dǎo)電性可控性強(qiáng)，可以在外界環(huán)境如電壓、光照、溫度等變化下呈現(xiàn)導(dǎo)通、阻斷的電路特性從而實(shí)現(xiàn)特定的功能，這一特點(diǎn)使得半導(dǎo)體成為科技和經(jīng)濟(jì)發(fā)展中不可或缺的角色。（一）全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況近年來，隨著人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、5G、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興市場的不斷發(fā)展，全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模整體呈現(xiàn)增長趨勢。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會（WSTS）統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額由2013年的3，056億美元增長至2021年的5，559億美元，年均復(fù)合增長率為7．8%。（二）中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況近年來，憑借巨大的市場需求、豐富的人口紅利、穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)增長及有利的產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境等眾多優(yōu)勢條件，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了快速發(fā)展，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額由2013年的4，044億元增長至2021年的12，423億元，年均復(fù)合增長率達(dá)15．1%。硅片：供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。（一）半導(dǎo)體硅片純度極高，大尺寸為大勢所趨硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽能電池片。多晶是沒有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動汽車的功率器件、模擬IC、指紋識別和顯示驅(qū)動等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲存器和自動駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢。硅片越大，單個產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動汽車功率器件和儲存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過氣相沉淀的方式使其表面外延生長符合特定要求的多晶硅的硅片。該技術(shù)可有效減少硅片中的單晶缺陷，使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量，從而提升終端產(chǎn)品的可靠性，常用于制造CMOS芯片。根據(jù)摻雜程度的不同，半導(dǎo)體硅片可分為輕摻和重?fù)健Ｖ負(fù)焦杵脑負(fù)诫s濃度高，電阻率低，一般應(yīng)用于功率器件。輕摻硅片摻雜濃度低，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高，一般用于集成電路領(lǐng)域。由于集成電路在全球半導(dǎo)體市場中占比超過80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。（二）受益晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，硅片市場快速增長含硅量提升驅(qū)動行業(yè)快速增長。伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、人工智能等新興領(lǐng)域的高速成長，汽車電子行業(yè)成為半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域新的需求增長點(diǎn)。據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年全球汽車行業(yè)的芯片出貨量同比增長了30%，達(dá)524億顆。但全球汽車缺芯情況在2020年短暫緩解后，于2022年再度加劇，帶動下游硅片市場需求量上升。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模為126億美元，同比增長12．5%。MEMS行業(yè)發(fā)展概況MEMS是指用微電子加工的方法精密制造的機(jī)械裝置，其實(shí)質(zhì)是將機(jī)械系統(tǒng)微型化。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球MEMS行業(yè)市場規(guī)模為120億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到183億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為7．3%，呈現(xiàn)逐年穩(wěn)步上升的態(tài)勢。MEMS產(chǎn)品主要可以分為MEMS傳感器和MEMS執(zhí)行器。其中傳感器是用于探測和檢測物理、化學(xué)、生物等現(xiàn)象和信號的器件，而執(zhí)行器是用于實(shí)現(xiàn)機(jī)械運(yùn)動、力和扭矩等行為的器件。MEMS產(chǎn)品目前以MEMS傳感器為主，MEMS執(zhí)行器中，射頻器件市場規(guī)模最大。因此，MEMS的大規(guī)模應(yīng)用主要集中在傳感器和射頻器件。（一）MEMS傳感器行業(yè)發(fā)展概況傳感器是物體實(shí)現(xiàn)感知功能的主力，通常由傳感器模塊、微控制器模塊、無線通信模塊以及電源管理模塊四個部分構(gòu)成。傳感器感知狀態(tài)數(shù)據(jù)，微控制器存儲和處理數(shù)據(jù)，無線通信模塊接收微控制器模塊處理的數(shù)據(jù)之后再通過網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)竭h(yuǎn)端的數(shù)據(jù)采集平臺。MEMS技術(shù)是將微米級的敏感組件、信號處理器、數(shù)據(jù)處理裝置封裝在一塊芯片上，再利用硅基微納加工工藝進(jìn)行批量制造，從而形成了MEMS傳感器，廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天、通信等領(lǐng)域。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球MEMS傳感器市場規(guī)模為90億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到128億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為6．1%。消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)控制是應(yīng)用MEMS最多的三個下游板塊，也是近年最大的增長點(diǎn)。（二）MEMS射頻器件行業(yè)發(fā)展概況MEMS射頻器件（RFMEMS）是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。MEMS射頻器件用于射頻和微波頻率電路中的信號處理，是一項(xiàng)將能對現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。隨著信息時代的來臨，在無線通信領(lǐng)域，特別是在移動通信和衛(wèi)星通信領(lǐng)域，正迫切需要一些低功耗、超小型化且能與信號處理電路集成的新型器件，并希望能覆蓋包括微波、毫米波和亞毫米波在內(nèi)的寬頻波段。采用MEMS技術(shù)制造的無源器件能夠直接和有源電路集成在同一芯片內(nèi)，實(shí)現(xiàn)射頻系統(tǒng)的片內(nèi)高集成，消除由片外分立元件帶來的寄生損耗，真正做到系統(tǒng)的高內(nèi)聚、低耦合，能顯著提高系統(tǒng)的性能。MEMS技術(shù)在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用可分為可動的和固定的兩類?？蓜拥腗EMS器件包括開關(guān)、調(diào)諧器和可變電容，固定的MEMS器件包括本體微機(jī)械加工傳輸線、耦合器和濾波器。其中，濾波器是射頻前端的關(guān)鍵核心器件之一，約占整個射頻前端市場超過60%的份額。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年MEMS射頻器件的市場規(guī)模為21億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到40億美元。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來說，在芯片制造過程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會用到高純特氣和高純試劑；沉積環(huán)節(jié)會用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會用到高純試劑，刻蝕環(huán)節(jié)還會用到高純特氣；薄膜生長環(huán)節(jié)會用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過程中，貼片環(huán)節(jié)會用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會用到錫球。半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時代進(jìn)入智能手機(jī)時代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測試三個流程。其中硅