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碳納米管與石墨烯的化學修飾4/3/20231主要內(nèi)容1簡介234碳納米管石墨烯總結(jié)4/3/202321.簡介化學修飾用吸附、涂敷、聚合、化學反應(yīng)等方法把活性基團或催化物質(zhì)等附著在電極表面,保護電極或改進電極特征功能的工藝過程。4/3/202331.簡介長度:1~50μm直徑:0.75~3nm長度:0.1~50μm直徑:2~30nm層數(shù):2~50層間距:0.34±0.01nm無論多壁管還是單壁管都具有很高的長徑比,一般為100~1000,最高可達1000~10000,完全可以認為是一維分子。
4/3/20235主要內(nèi)容1簡介234碳納米管石墨烯總結(jié)4/3/20236優(yōu)點:性能及應(yīng)用碳納米管制備缺點:化學修飾碳納米管的進展碳納米管4/3/20237應(yīng)用4/3/20239制備方法聶海瑜。碳納米管的制備[J],塑料工業(yè)。2004,32(10):11。電弧法多壁CNTs單壁CNTs多壁CNTs單壁CNTs4/3/202310化學修飾化學修飾4/3/202311化學修飾共價鍵修飾是在碳米管表面上共價地連接一些適宜的基團,使CNTs表面和聚合物之間產(chǎn)生化學鍵連接,以改善其溶解度。非共價鍵修飾利用有效的溶劑化作用和表面活性劑或天然生物大分子化合物包裹在碳納米管外壁以增加其溶解性。4/3/202313化學修飾
表面活性劑GA由親水性的極性基團和憎水性的非極性基團所構(gòu)成。是一種高分子長鏈,混合物在兩相界面間具有良好的吸附能力,且黏度較低,分子能定向地排列于任意兩相之間的界面層中,使界面的不飽和力場得到某種程度的補償,從而使界面張力降低。*非共價修飾4/3/202314化學修飾改善多壁碳納米管(WMCNTs)在水體系中的分散性,以阿拉伯膠(GA)為分散劑(SAA),采用SAA超聲處理法對WMCNTs進行修飾。
通過GA分子長鏈的包覆改善WMCNTs的親水性和分散性,進而表現(xiàn)出對WMCNTs具有較好的分散穩(wěn)定性。王保民等。碳納米管的表面修飾及分散機理研究[J].中國礦業(yè)大學學報.2012,41:758-7634/3/202315化學修飾*共價修飾超支化聚合物具有三維球形的高度支化的分子結(jié)構(gòu),分子間不會發(fā)生交聯(lián)。具有低粘度、高流變性、良好的溶解性,為提高CNTs的分散性提供了有利條件。4/3/202317化學修飾超支化聚合物修飾的CNTs具有核殼結(jié)構(gòu),分子的殼層高度支化,末端聚集大量的活性官能團,粘度低、溶解性能好,分子之間無纏結(jié),因此表現(xiàn)出許多線形聚合物修飾的所不具有的特殊性能,如良好的溶解性,低溶液粘度,高反應(yīng)活性,并且可以通過封端反應(yīng)加以改性。張梓軍等.超支化聚合物修飾碳納米管的研究進展[J].材料導報.2012,26:144-1484/3/202318化學修飾共價鍵修飾改性碳納米管利用氧化劑(強酸)等對碳納米管進行化學切割,可使CNTs開口并在其表面接枝上一定數(shù)量的活性基團(羧基、羥基)等,再通過活性基團與超支化大分子反應(yīng),從而實現(xiàn)的超支化共價修飾。4/3/202319石墨烯?4/3/202321主要內(nèi)容1簡介234碳納米管石墨烯總結(jié)4/3/202322石墨烯1.結(jié)構(gòu)性質(zhì)2.制備方法3.修飾改性4.應(yīng)用舉例4/3/202323石墨烯是由碳原子以sp2雜化連接的單原子層構(gòu)成的,其基本結(jié)構(gòu)單元為有機材料中最穩(wěn)定的苯六元環(huán),其理論厚度僅為0.35nm,是目前所發(fā)現(xiàn)的最薄的二維材料。4/3/20232520世紀70年代,Clar等利用化學方法合成一系列具有大共軛體系的化合物,即石墨烯片。Schmidt等科學家對其方法進行改進,合成了許多含不同邊緣修飾基團的石墨烯衍生物,但這種方法不能得到較大平面結(jié)構(gòu)的石墨烯。2004年,Geim等以石墨為原料,通過微機械力剝離法得到一系列叫作二維原子晶體的新材料—“石墨烯(graphene)”。
ClarE,IronsideCT,ZanderM.J.Chem.Soc.1959,142-147HendelW,KhanZH,SchmidtW.Tetrahedron.1986,42:1127-11344/3/202326機械方法微機械剝離法取向附生法外延生長法4/3/202329
一種典型的微機械剝離制備石墨烯方法a.利用膠帶分開石墨薄片;b.逐次反復分開石墨薄片;c.將足夠薄的片粘附在硅上;d.壓緊后揭開可以找到附著在硅片上的石墨烯。A.K.Geim,P.Kim.Carbonwonderland[J].SCIENTIFICAMERICAN,2008,298(4):90-974/3/2023304/3/202331化學方法氧化石墨還原法化學氣相沉積法4/3/202332化學氣相沉積法化學氣相沉積(CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在相當高的溫度、氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應(yīng),生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面,進而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。Dato等報道了一種新型等離子體增強化學氣相沉積法,乙醇液滴作為碳源,利用Ar等離子體合成石墨烯,極大地縮短了反應(yīng)時間。DatoA,RadmilovicV,LeeZ,PhillipsJ,FrenklachM.NanoLett.2008,8(7):2012-20164/3/2023334/3/202334為了破環(huán)石墨層間的范德華作用力,更好地實現(xiàn)剝離,目前化學家們常先對氧化石墨烯進行修飾然后再進行還原,即氧化-修飾-還原的方法?;瘜W修飾主要包括3種:共價鍵修飾非共價鍵修飾金屬顆粒及金屬離子修飾4/3/202335共價鍵修飾通過氧化-分散-還原得到的石墨烯通常其邊緣含有羧基,共價鍵修飾可以羧基為活性基團,與胺或氨基酸等反應(yīng)。Lomeda等將表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)包裹的氧化石墨烯經(jīng)水合肼還原后與芳基重氮鹽反應(yīng)得到芳基修飾的石墨烯.它們在極性非質(zhì)子性溶劑(如DMF、NMP、DMAc)中有較好的溶解性,只是得到石墨烯有部分是雙層的。石墨烯上的羥基作為活性位點也可以與多種聚合物通過共價鍵結(jié)合。LomedaJR,DoyleCD,TourJM,etal.J.Am.Chem.Soc.2008,130(48):16201-162064/3/202336非共價鍵修飾石墨烯具有大的π共軛體系,因而可與具有共軛體系的小分子或高分子通過π-π相互作用增強其溶解性能或者是分散到溶液體系。石高全等利用氧化石墨烯與具有大π共軛體系的分子間的非共價鍵作用合成了PB--G(1-芘丁酸修飾的石墨烯)。與未經(jīng)修飾的氧化石墨烯相比,PB--G在水中能形成穩(wěn)定的分散體系,且電導率比氧化石墨烯高107倍。XuYX,BaiH,LuGW,LiC,ShiGQ.J.Am.Chem.Soc.2008,130(18):5856—58574/3/202337金屬顆粒及金屬離子修飾Samulski等用鉑納米顆粒修飾石墨烯,鉑作為阻隔基團,可降低石墨烯層間的π-π堆積作用,得到的石墨烯比表面積較大(862m2/g)。這種鉑修飾的石墨烯可以作為超級電容器或燃料電池電極。其他金屬顆粒也可用于修飾石墨烯。鐵磁性的Ni、Co、Fe等修飾后得到的復合物可屏蔽電磁干擾;Pd、Au修飾后得到的復合物可作為超靈敏的化學傳感器,用于檢測H2、NO等。SiYC,SamulskiET.Chem.Mater.2008,20:6792—67974/3/202338合成石墨烯的中間產(chǎn)物—氧化石墨烯(GO),同樣具有較好的機械性能,而且含有環(huán)氧鍵、羥基、羧基等含氧功能團,但溶解性不好,因而也有不少科學家研究氧化石墨烯的化學修飾。Stankovich等通過異氰酸酯對GO進行功能化修飾,得到了一系列不同CPN比的產(chǎn)物,可在一些極性非質(zhì)子性溶劑(如DMF、NMP、DMSO、HMPA、THF等)中形成穩(wěn)定的膠束體系。StankovichS,PinerRD,RuoffRS.Carbon,2006,44:3342-33474/3/202339雙層石墨烯可降低元器件電噪聲美國IBM公司T·J·沃森研究中心的科學家,最近攻克了在利用石墨構(gòu)建納米電路方面最令人困擾的難題,即通過將兩層石墨烯片疊加,可以將元器件的電噪聲降低10倍,由此可以大幅改善晶體管的性能,這將有助于制造出比硅晶體管速度快、體積小、能耗低的石墨烯晶體管。4/3/202340石墨烯在儲氫/甲烷中的應(yīng)用Dimitrakakis利用石墨烯和碳納米管設(shè)計了一個三維儲氫模型,如果這種材料摻入鋰離子,其在常壓下儲氫能力可以達到41g/L。因此,石墨烯這種新材料的出現(xiàn),為人們對儲氫/甲烷材料的設(shè)計提供了一種新的思路和材料。4
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