materialstudio使用經(jīng)驗總結(jié)

materialstudio使用經(jīng)驗總結(jié)關(guān)于K點應(yīng)當(dāng)使用多少個k網(wǎng)格?很難一般地回答,只能給出一般建議。注意:一定要檢查k網(wǎng)格,首先用較粗糙的網(wǎng)格計算,接下來用精細的網(wǎng)格計算。通過比較兩次的結(jié)果,決定選用較粗糙的網(wǎng)格,或是繼續(xù)進行更精細網(wǎng)格的計算,直到達到收斂。金屬體系需要精細的網(wǎng)格,絕緣體使用很少的k點通常就可以。小單胞需要精細格點,大單胞很可能不需要。因此:單位晶胞內(nèi)原子數(shù)很多（比如40-60個）的絕緣體,可能僅需要一個（移動后的）k點。另一方面,面心立方的鋁可能需要上萬個k點以獲得好的DOS對于孤立原子或分子的超晶胞，僅需要在Gamm點計算。對于表面（層面）的超晶胞計算,僅需要（垂直于表面）z方向上有1個k點。甚至可以增加晶格參數(shù)c,這樣即使對精細格點，沿z方向上也只產(chǎn)生一個k點（產(chǎn)生k點后,不要忘記再把c改回）。當(dāng)體系沒有出現(xiàn)時間反演對稱操作時,是否加入?大多數(shù)情況下的回答是“是”,只有包含自旋-軌道耦合的自旋極化（磁性）計算除外。這時,時間反演對稱性被破壞（+k和-k的本征值可能不同）,因此決不能加入時間反演對稱性。是否移動k網(wǎng)格?（只對某些格子類型有效）“移動”k網(wǎng)格意味著把所有產(chǎn)生的k點增加x,x,x,把那些位于高對稱點（或線）上的k點移動到權(quán)重更大的一般點上。通過這種方法（也即眾所周知的“特殊k點方法”）可以產(chǎn)生等密度的,k點較少的網(wǎng)格。通常建議移動。只有一點注意:當(dāng)對半導(dǎo)體的帶隙感興趣時（通常位于Gamma,X或BZ邊界上的其它點）,使用移動的網(wǎng)格將不會得到這些高對稱性的點,因此得到的帶隙和預(yù)期結(jié)果相比或大或小。這個問題的解決:用移動的網(wǎng)格做SCF循環(huán)，但對DOS計算，改用精細的未移動網(wǎng)格。關(guān)于k空間布點的問題,建議參閱以下文獻Phys.Rev.B49,162231994如何構(gòu)建缺陷晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)改成P1,然后去掉想抹去的原子就可以了在ms中如何做空穴對于金屬缺陷,是直接剪切一個原子?個人經(jīng)驗：就是直接把原子去掉就0K;如果不是正版軟件，有可能出現(xiàn)同時去掉其他同位置的原子,如果這種情況,就重新定義,問題就不會出現(xiàn)了.還有,一般考慮孔穴的時候,都要標明哪些原子的遲豫,具體為什么不知道,國外的文獻有提到.希望有做空位的一起多討論.我Q：183876402PDOS選項計算DOS時,選擇PDOS可以畫出s,p,d軌道的DOS,但無法畫出某一個原子的s,p,d圖關(guān)于PDOS的Chart中求積分的問題在用Castep計算出PDOS后，如何在Chart中對曲線局部進行積分？將Chart輸出為cav格式,然后在excel中求和簡單,把數(shù)據(jù)導(dǎo)出,在Origin里作圖,程序里有積分微分卷積功能,在數(shù)據(jù)分析下面。作圖時選取積分范圍。優(yōu)化結(jié)構(gòu)算能帶一般需要優(yōu)化結(jié)構(gòu)。如果選擇實驗的參數(shù),全部固定的話就不需要了如何做二維電子密度圖MS結(jié)果文件夾中*.grd文件內(nèi)存儲的是三維空間各點的電荷密度值,利用這個數(shù)據(jù)就可以得到二維的電荷密度等值線圖,應(yīng)該有專門的軟件能畫,不過用matlab編自己編程序也不難,其中關(guān)鍵命令是contourslice,實現(xiàn)在某一平面內(nèi)繪制等高線對DOS圖的分析根據(jù)DOS的積分曲線可以計算出,對于表面N和C原子,大約有16.8%和14.8%的電子態(tài)b集中在4.0~2.0eV的區(qū)域,而對體相原子則分別為6.4%和6.0%表面吸附我做H在ZnO上吸附。剛開始時后我構(gòu)建的吸附構(gòu)型忘記imposesymmetry了,Groupname是P1。在第二次計算的時候我加上了symmetry。兩次計算差別出來了：⑴首先是imposesymmetry后,supercell中的原子位置由原來的現(xiàn)面跑到了上面,也就是和真空層換了一下位置!而且吸附原子竟然超出了supercell的白色線框！(2)比較兩次計算的DOS,一模一樣；但是兩次計算的BandStructure卻有很大差異!回答：1)只是顯示問題(2)BandStructure有很大差異是指那種差異?使用不同對稱性計算能帶時默認計算的K點是不同的,所以圖像肯定不同。如果你確定是選擇計算了同樣的點,能帶結(jié)構(gòu)仍然不同,那可能是采用對稱后結(jié)構(gòu)變化導(dǎo)致的。如何計算結(jié)構(gòu)中某一元素的分波態(tài)密度我最近看了關(guān)于氧氣鋅的論文,上面有鋅原子的分波態(tài)密度圖,可是我怎么都沒算出來,一直得到氧和鋅原子的分波態(tài)密度,希望哪位大俠指教在計算性質(zhì)選擇了計算densityofstate 是,對話框下面有一個口calculatePDOS,把它勾選上,計算成功后,在分析就能看到總態(tài)密度和分態(tài)密度,隨你選擇。按照樓上的指導(dǎo)計算成功后，需要哪個原子的PDOS就選中哪個原子，然后在analysis里DOS項前打勾‘partial項打勾,再view就ok了。有關(guān)能帶分析能帶圖分析能帶圖的橫坐標是在模型對稱性基礎(chǔ)上取的K點。為什么要取K點呢?因為晶體的周期性使得薛定諤方程的解也具有了周期性。按照對稱性取K點,可以保證以最小的計算量獲得最全的能量特征解。能帶圖橫坐標是K點,其實就是倒格空間中的幾何點。其中最重要也最簡單的就是gamma那個點，因為這個點在任何幾何結(jié)構(gòu)中都具有對稱性，所以在castep里,有個最簡單的K點選擇,就是那個gamma選項?？v坐標是能量。那么能帶圖應(yīng)該就是表示了研究體系中,各個具有對稱性位置的點的能量。我們所得到的體系總能量,應(yīng)該就是整個體系各個點能量的加和。記得氫原子的能量線吧?能帶圖中的能量帶就像是氫原子中的每條能量線都拉寬為一個帶。通過能帶圖,能把價帶和導(dǎo)帶看出來。在castep里,分析能帶結(jié)構(gòu)的時候給丿、才 ■ 、二^定scissors這個選項某個值,就可以加大價帶和導(dǎo)帶之間的空隙,把絕緣體的價帶和導(dǎo)帶清楚地區(qū)分出來。DOS叫態(tài)密度，也就是體系各個狀態(tài)的密度，各個能量狀態(tài)的密度。從DOS圖也可以清晰地看出帶隙、價帶、導(dǎo)帶的位置。要理解DOS,需要將能帶圖和DOS結(jié)合起來。分析的時候,如果選擇了full,就會把體系的總態(tài)密度顯示出來,如果選擇了PDOS,就可以分別把體系的s、p、d、f狀態(tài)的態(tài)密度分別顯示出來。還有一點要注意的是,如果在分析的時候你選擇了單個原子,那么顯示出來的就是這個原子的態(tài)密度。否則顯示的就是整個體系原子的態(tài)密度。要把周期性結(jié)構(gòu)能量由于微擾裂分成各個能帶這個概念印在腦袋里。最后還有一點,這里所有的能帶圖和DOS的討論都是針對體系中的所有電子展開的。研究的是體系中所有電子的能量狀態(tài)。根據(jù)量子力學(xué)假設(shè),由于原子核的質(zhì)量遠遠大于電子,因此奧本海默假設(shè)原子核是靜止不動的,電子圍繞原子核以某一概率在某個時刻出現(xiàn)。我們經(jīng)常提到的總能量,就是體系電子的總能量。這些是我看書的體會,不一定準確,大家多多批評啊!如何分析第一原理的計算結(jié)果轉(zhuǎn)自:////0>.轉(zhuǎn)自量化網(wǎng)////. 摘要:本文總結(jié)了對于第一原理計算工作的結(jié)果分析的三個重要方面,以及各自的若干要點用第一原理計算軟件開展的工作,分析結(jié)果主要是從以下三個方面進行定性/定量的討論:1、電荷密度圖(chargedensity);2、能帶結(jié)構(gòu)(EnergyBandStructure);3、態(tài)密度(DensityofStates,簡稱DOS)。電荷密度圖是以圖的形式出現(xiàn)在文章中,非常直觀,因此對于一般的入門級研究人員來講不會有任何的疑問。唯一需要注意的就是這種分析的種種衍生形式,比如差分電荷密圖(def-ormationchargedensity)和二次差分圖(differencechargedensity)等等,加自旋極化的工作還可能有自旋極化電荷密度圖(spin-polarized chargedensity）。所謂“差分”是指原子組成體系（團簇）之后電荷的重新分布,“二次”是指同一個體系化學(xué)成分或者幾何構(gòu)型改變之后電荷的重新分布,因此通過這種差分圖可以很直觀地看出體系中個原子的成鍵情況。通過電荷聚集（accumulation）/損失（depletion）的具體空間分布,看成鍵的極性強弱;通過某格點附近的電荷分布形狀判斷成鍵的軌道（這個主要是對d軌道的分析,對于s或者p軌道的形狀分析我還沒有見過）。分析總電荷密度圖的方法類似,不過相對而言,這種圖所攜帶的信息量較小。能帶結(jié)構(gòu)分析現(xiàn)在在各個領(lǐng)域的第一原理計算工作中用得非常普遍了。但是因為能帶這個概念本身的抽象性,對于能帶的分析是讓初學(xué)者最感頭痛的地方。關(guān)于能帶理論本身,我在這篇文章中不想涉及,這里只考慮已得到的能帶,如何能從里面看出有用的信息。首先當(dāng)然可以看出這個體系是金屬、半導(dǎo)體還是絕緣體。判斷的標準是看費米能級和導(dǎo)帶（也即在高對稱點附近近似成開口向上的拋物線形狀的能帶）是否相交,若相交,則為金屬,否則為半導(dǎo)體或者絕緣體。對于本征半導(dǎo)體,還可以看出是直接能隙還是間接能隙:如果導(dǎo)帶的最低點和價帶的最高點在同一個k點處,則為直接能隙,否則為間接能隙。在具體工作中,情況要復(fù)雜得多,而且各種領(lǐng)域中感興趣的方面彼此相差很大,分析不可能像上述分析一樣直觀和普適。不過仍然可以總結(jié)出一些經(jīng)驗性的規(guī)律來。主要有以下幾點:1)因為目前的計算大多采用超單胞(supercell)的形式,在一個單胞里有幾十個原子以及上百個電子,所以得到的能帶圖往往在遠低于費米能級處非常平坦,也非常密集。原則上講,這個區(qū)域的能帶并不具備多大的解說/閱讀價值。因此,不要被這種現(xiàn)象嚇住一般的工作中,我們主要關(guān)心的還是費米能級附近的能帶形狀。能帶的寬窄在能帶的分析中占據(jù)很重要的位置。能帶越寬,也即在能帶圖中的起伏越大,說明處于這個帶中的電子有效質(zhì)量越小、非局域(non-local)的程度越大、組成這條能帶的原子軌道擴展性越強。如果形狀近似于拋物線形狀,一般而言會被冠以類sp帶(sp-likeband)之名。反之,一條比較窄的能帶表明對應(yīng)于這條能帶的本征態(tài)主要是由局域于某個格點的原子軌道組成,這條帶上的電子局域性非常強,有效質(zhì)量相對較大如果體系為摻雜的非本征半導(dǎo)體,注意與本征半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)圖進行對比,一般而言在能隙處會出現(xiàn)一條新的、比較窄的能帶。這就是通常所謂的雜質(zhì)態(tài)dopingstate,或者按照摻雜半導(dǎo)體的類型稱為受主態(tài)或者施主態(tài)。關(guān)于自旋極化的能帶,一般是畫出兩幅圖:majorityspin和minorityspin。經(jīng)典的說,分別代表自旋向上和自旋向下的軌道所組成的能帶結(jié)構(gòu)。注意它們在費米能級處的差異。如果費米能級與majorityspin的能帶圖相交而處于minorityspin的能隙中,則此體系具有明顯的自旋極化現(xiàn)象,而該體系也可稱之為半金屬(halfmetal)。因為majorityspin與費米能級相交的能帶主要由雜質(zhì)原子軌道組成,所以也可以此為出發(fā)點討論雜質(zhì)的磁性特征。做界面問題時,襯底材料的能帶圖顯得非常重要,各高對稱點之間有可能出現(xiàn)不同的情況。具體地說,在某兩點之間,費米能級與能帶相交;而在另外的k的區(qū)間上,費米能級正好處在導(dǎo)帶和價帶之間。這樣,襯底材料就呈現(xiàn)出各項異性:對于前者,呈現(xiàn)金屬性,而對于后者,呈現(xiàn)絕緣性。因此,有的工作是通過某種材料的能帶圖而選擇不同的面作為生長面。具體的分析應(yīng)該結(jié)合試驗結(jié)果給出。(如果我沒記錯的話,物理所薛其坤研究員曾經(jīng)分析過$\beta$-Fe的100和111面對應(yīng)的能帶。有興趣的讀者可進一步查閱資料。)原則上講,態(tài)密度可以作為能帶結(jié)構(gòu)的一個可視化結(jié)果。很多分析和能帶的分析結(jié)果可以一一對應(yīng),很多術(shù)語也和能帶分析相通。但是因為它更直觀,因此在結(jié)果討論中用得比能帶分析更廣泛一些。簡要總結(jié)分析要點如下:1)在整個能量區(qū)間之內(nèi)分布較為平均、沒有局域尖峰的DOS對應(yīng)的是類sp帶,表明電子的非局域化性質(zhì)很強。相反，對于一般的過渡金屬而言,d軌道的DOS一般是一個很大的尖峰,說明d電子相對比較局域,相應(yīng)的能帶也比較窄。從DOS圖也可分析能隙特性：若費米能級處于DOS值為零的區(qū)間中,說明該體系是半導(dǎo)體或絕緣體；若有分波DOS跨過費米能級，則該體系是金屬。此外,可以畫出分波(PDOS)和局域(LDOS)兩種態(tài)密度，更加細致的研究在各點處的分波成鍵情況。從DOS圖中還可引入“贋?zāi)芟丁?pseudogap)的概念。也即在費米能級兩側(cè)分別有兩個尖峰。而兩個尖峰之間的DOS并不為零。贋?zāi)芟吨苯臃从沉嗽擉w系成鍵的共價性的強弱：越寬，說明共價性越強。如果分析的是局域態(tài)密度(LDOS),那么贗能隙反映的則是相鄰兩個原子成鍵的強弱:贗能隙越寬,說明兩個原子成鍵越強。上述分析的理論基礎(chǔ)可從緊束縛理論出發(fā)得到解釋:實際上,可以認為贗能隙的寬度直接和Hamiltonian矩陣的非對角元相關(guān),彼此間成單調(diào)遞增的函數(shù)關(guān)系。對于自旋極化的體系,與能帶分析類似,也應(yīng)該將majorityspin和minorityspin分別畫出,若費米能級與majority的DOS相交而處于minority的DOS的能隙之中,可以說明該體系的自旋極化。考慮LDOS,如果相鄰原子的LDOS在同一個能量上同時出現(xiàn)了尖峰，則我們將其稱之為雜化峰(hybridizedpeak),這個概念直觀地向我們展示了相鄰原子之間的作用強弱。以上是本人基于文獻調(diào)研所總結(jié)的一些關(guān)于第一原理工作的結(jié)果分析要點。期冀能對剛進入這個領(lǐng)域內(nèi)的科研工作者有所啟發(fā)。受本人的水平所限,文章的內(nèi)容可能會有理論上的不足甚至錯誤之處,希望大家指出,共同發(fā)展第一原理計算物理的方法和研究內(nèi)=希=望大家多讀幾遍////.看看人家用castep怎樣選擇贗勢和K點的關(guān)于出錯信息的解讀(對自己解決問題有幫助）GeomrtryOptimization時,到77步（共100步）就沒有反應(yīng),我等了一天終于把它停止了,文件中有下列出錯信息,請大俠幫忙解讀一下。精度是Fine,之前在coarse下可以24步就完成。1、Warning:Therearenoemptybandsforatleastonekpointandspin;thismayslowtheconvergenceand/orleadtoaninaccurategroundstateIfthiswarningpersists,youshouldconsiderincreasingnextra_bandsand/orreducingsmearing_widthintheparamfileRecommendusingnextra_bandsof6to122、BFGS:Warning-RepeatedconsecutiveresetofinverseHessianBFGS:withoutsatisfyingconvergencecriteriawhichBFGS:lookslikeBFGShasrunoutofsearchdirectionsBFGS:Warning-LetstryallowingsomeuphillstepsandseeifBFGS:wecangetaroundthisbarrierBFGS:Warning-ItispossiblethatthesystemmaynowconvergetoBFGS:astationarypointOTHERthanthedesiredminimumBFGS:Hint-thismaybeanindicationthateither:BFGS:ayouareusingapoorguessatgeom_frequency_estBFGS:and/orgeom_modulus_est,orBFGS:byouareusingunrealisticconvergencecriteriaBFGS:Suggestthereforethatyouconsiderchangingthem!3、energiesnotcorrectedforfinitebasisset什么意思?要修改那些參數(shù)??回答：你可以在property中的SCF增加emptyband和減小smearing來試試關(guān)于結(jié)合能形成能的問題我不太明白形成能結(jié)合能和總能之間的關(guān)系?是否可以指教回答:舉例來說吧。對于Si塊體材料,通過CASTEP計算得到的能量就叫總能。如果你想把它切開,得到(100)面,通過添加真空層構(gòu)建一個spercell,計算得到的也叫總能。剛才對于Si塊體材料的總能乘上系數(shù)再減去Si(100)面總能這就是Si(100)面的形成能。乘上的系數(shù)保證他們的原子總數(shù)一致。結(jié)合能:如果在Si100面上吸附了一個Mn原子(假如你關(guān)心磁性),和原來一樣計算出總能后,減去Si100面的總能再減去Mn原子的總能,得到的就是bindingenergy那位高手能夠介紹一下MS中CASTEP勺勢能模型的適用范圍？比如說 LDA的(PWC,VWN),GGA的(PW91,BP,PBE,BLYP,B0P,VWN-BP,PRBE,HCT能),夠簡述一下其大致差別更好LDA局域密度近似(LDA):局域密度近似(LDA)是第一階梯。它僅僅采用空間點r處的電子密度n(r)來決定那點交換-相關(guān)能密度的形式。交換-相關(guān)能密度由密度相同的均勻電子氣完全確定。泛函的交換部分就準確的用均勻電子氣的微分表達。各種不同的局域密度近似(LDA)僅僅是相關(guān)部分表示方法不同，所有現(xiàn)代應(yīng)用的局域密度泛函都基于Ceperly和Alder's在80年代對均勻電子氣總能量的MonteCarlo模擬。廣義梯度近似(GGA):GGA是Jacob階梯的第二個臺階,將電子密度的梯度也作為一個獨立的變量(|?nr|),在描述交換-相關(guān)能方面,梯度引入了非定域性。GGA泛函包含了兩個主要的方向:一個稱為“無參數(shù)”,泛函中新的參數(shù)通過已知形式中參數(shù)或在其它準確理論幫助下得到。另外一個就是經(jīng)驗方法,未知參數(shù)來自于對實驗數(shù)據(jù)的擬和或通過對原子和分子性質(zhì)準確的計算。Perdew,BurkeandEmzerhofPBE以及Perdew-Wangfrom1991PW91是無參數(shù)的,在量子化學(xué)中廣泛采用的GGA,比女口Becke,Lee,ParrandYangBLYP!經(jīng)驗性。LYP校正采用了密度的二階Laplace算符,因此嚴格上講屬于Jacob階梯的第三階，但通常仍然歸類為 GGA(見后面英文介紹)請問：在用CASTE計算材料空位缺陷時,如何才能實現(xiàn)只取一個空位呢在build下的symtrey有makeP1makesuppercell然后就可以刪去一個原子了正常的話如果晶體是原胞,直接刪除一個原子可能造成很大影響可以建大一點的超晶胞比如 2X2X2超晶胞然后刪掉一個原子,這樣比較合理,畢竟缺陷濃度是很低的。*都可以啊!先看一下showsymmetry是P1就可以直接刪一個，如果不是就換成P1,一般makesupercell后自動變成P1了,你可以根據(jù)自己所需的濃度選擇其中一種方式MS無法收斂請大家?guī)兔纯戳?摻雜Eu的體系,一開始提示增加emptyband,減小smear,都做了,把精度設(shè)置到coarse,可最后還是在100輪后提示無法收斂*Warning*.SCFcyclesperformedbutsystemhasnotreachedthegroundstateCurrenttotalenergy,E-10141.84970726eVCurrentfreeenergyE-TS-10141.84970726eVenergiesnotcorrectedforfinitebasissetNBest.0KenergyE-0.5TS -10141.84970726eV******************************************************** Warning:electronicminimisationdidnotconvergeduringfinitebasisset

CheckpointfilecannotbewrittenErrorcalculate_finite_basisConvergencefailedwhendoingfinitebasissetcorrectionErrorcalculate_finite_basis:Convergencefailedwhendoingfinitebasissetcorrection********************************************************correctionWarning:electronicminimisationdidnotconvergeduringfinitebasissetcorrection********************************************************correctionCheckpointfilecannotbewritten[1]MPIAbortbyuserAbortingprogram![1]Abortingprogram![0]MPIAbortbyuserAbortingprogram![0]Abortingprogram!回答:1.增加smearing容易收斂,但是太大可能結(jié)果會有些問題。增加循環(huán)的圈數(shù),增加空帶數(shù)目,4.體系有自旋單電子的,要設(shè)置自旋極化,如果設(shè)置非自旋極化,可能不收斂5.如果是金屬體系,比較難收斂,可以試試修改k點和emptyband試試看。1.幾何優(yōu)化可以在多大范圍內(nèi)改變原子的位置啊?感覺每次優(yōu)化后的位置調(diào)整不是很多啊?2.大家在算能帶和態(tài)密度的時候的時候是用單點能計算給出能帶還是幾何優(yōu)化給出能帶回答:問題1幾何優(yōu)化的目的是尋找壓力最小的幾何結(jié)構(gòu),原子位置改變不多是因為你建的構(gòu)形比較合理,比如直接從軟件數(shù)據(jù)庫中導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)在0壓力下改變很小,如果加個壓力就會變化大一些。問題2一般都是優(yōu)化的時候算,如果你想算特定構(gòu)形的能帶或其它性質(zhì),就可以用單點能;【表面模擬】castep計算中遇到的幾個問題PW91Perdew-Wanggeneralized-gradientapproximationPerdewandWang1992BPBeckeexchangeplusPerdewcorrelationBecke1988,PerdewandWang1992PBEPerdew-Burke-ErnzerhofcorrelationPerdewetal.1996RPBERevisedPBEfunctionalbyHammeretal.Hammeretal.1999HCTHHamprecht,Cohen,TozerandHandyfunctionalBoeseandHandy2001BLYPBeckeexchangeplusLee-Yang-ParrcorrelationBecke1988,Leeetal.1988BOPBeckeOneParameterfunctionalTsunedaetal.1999VWN-BPBPfunctionalwiththelocalcorrelationreplacedbytheVWNfunctionalVoskoetal.1980,Becke1988,PerdewandWang1992VWN:TheVosko-Wilk-NusairVWNfunctionalisthemostpopularLSDcorrelationpotential.ItusesafittoaccuratenumericalresultsbyCeperlyandAlderofauniformelectrongas.CeperleyandAlderperformedquantumMonteCarlocalculationsonauniformelectrongasatlowandhighspinlimitsforseveralelectrondensities.VWNusesthePadeinterpolationproceduretofittheCAresultsforboththeparaandferrostatesandforlowandhighdensities.DMol3usesthebestVWNsocalled"Fit"parametersPWC:ThePerdew-WangPWCfunctionalisarecentparameterizationoftheCeperleyandAlderdata,whichcorrectssomeVWNproblemswithfitting.PWCisthedefaultfunctionalforDMol3calculationsThelocalspin-densityLSDapproximationaccuratelypredictsstructures,vibrations,andrelativeenergiesofcovalentsystems;however,bondenergiesareseriouslyoverestimatedThelocalDFTshouldnotbeuse