集成電路制造相關術語

acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)?3.ACCESS:一個EDA(EngineeringDataAnalysis)系統(tǒng)?6.Alignmark(key):對位標記？Ammonia?氨Ammoniumfluoride氟化銨？Ammoniumhydroxide氫氧化銨Amorphoussilicon:o-Si,非晶硅(不是多晶硅)？Analog:模擬的？Angstrom?Anisotropic：各向異性(如POLYETCH?AQL(AcceptanceQualityLevel):接受質量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質量標準(不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層(用于METAL等層的光刻)Antimony(Sb)銻22.ArsineAspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）？Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導致有雜質蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層）？28.Benchmark:基準？30.Boat：擴散用（石英）舟？32.Characterwindow:特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。？36.CIM:computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。？Compensationdoping:補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質或向N型摻入受主雜質。？CMOS:complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。？Computer-aideddesign（CAD）:計算機輔助設計。？Conductivitytype:傳導類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。？Contact:孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。Controlchart:控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據描述的可以代表工藝某種性質的曲線圖表。Correlation：相關性。Cp:工藝能力，詳見processcapabilityo

Cpk:工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindexo?Cycletime：圓片做完某段工藝或設定工藝段所需要的時間。Damage:損傷。Defectdensity：缺陷密度。單位面積內的缺陷數(shù)。？IIIDepletionimplant:耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)？IIIDepletionlayer:耗盡層。可動載流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。？53?Depletionwidth:耗盡寬度。？Depthoffocus(DOF):焦深。？designofexperiments(DOE):為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據結果的統(tǒng)計合理性等目的，所設計的初始工程批試驗計劃。？developer:I)顯影設備；II)顯影液？diborane(B2H6):乙硼烷,dichloromethane(CH2CL2):二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。？dichlorosilane(DSC):二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質，常用于硅外延或多晶硅的成長,以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。？62?die:硅片中一個很小的單位,包括了設計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。？dielectric：I)介質，一種絕緣材料;diffusedlayer：擴散層，即雜質離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質離子層。？disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。？66?drive-in?effectivelayerthickness:有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內的硅錠前端的深度。？EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。？epitaxiaUayer:夕卜延層。？featuresize：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。？field-effecttransistor(FET):場效應管。包含源、漏、柵、flat：平邊？flatbandcapacitanse:平帶電容？flatbandvoltage:平帶電壓？flowcoefficicent:流動系數(shù)？flowvelocity:流速計？flowvolume:流量計？flux:單位時間內流過給定面積的顆粒數(shù)？forbiddenenergygap:four-pointprobe:四點探針臺?fUnctionalarea:功能區(qū)?IIIglasstransitiontemperature:玻璃態(tài)轉換溫度gowning：凈化服？IIIgrayarea:灰區(qū)？grazingincidenceinterferometer:切線入射干涉儀?hardbake:后烘?heteroepitaxy:單晶長在不同材料的襯底上的外延方法？high-currentimplanter:束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產？hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter:高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒?host:主機？hotcarriers:熱載流子？hydrophilic:親水性？hydrophobic:疏水性？101.impurity:雜質?.摻雜102.inductivecoupledplasma(ICP):感應等離子體103.inertgas:惰性氣體？104.initialoxide:一氧？105.insulator：絕緣？106.isolatedline：隔離線?junctionspikingn:鋁穿刺？kerf:劃片槽？113.lithographyn制版？114.maintainability,equipment:設備產能majoritycarriern:多數(shù)載流子？masks,deviceseriesofn:一成套光刻版materialn:原料？matrixn1:矩陣？meann:平均值？mediann:中間值？memoryn:記憶體nanometer(nm)n:nanosecond(ns)n:納秒?nitrideetchn:氮化物刻蝕?130.ohmspersquaren:歐姆每平方:方塊電阻?131.orientationn:晶向，一組晶列所指的方向?132.overlapn：交迭區(qū)？phosphorus(P)n:磷，一種有毒的非金屬元素?photomaskn：光刻版，用于光刻的版？photomask,negativen：反刻？137.images：去掉圖形區(qū)域的版？photomask,positiven：正刻？pilotn：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子？plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn:TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝？pnjunctionn:pn結？pockedbeadn：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠？polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術語?111polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復合柵結構?111polycrystallinesilicon(poly)n:多晶硅，高濃度摻雜(>5E19)的硅，能導電。polymorphismn:多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結晶的現(xiàn)象？probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設備,用以連接圓片和檢測設備。？processcontroln:過程控制。半導體制造過程中，對設備或產品規(guī)范的控制能力。？proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應的光刻膠暴光。purewatern:純水。半導體生產中所用之水。quantumdevicen:量子設備。一種電子設備結構，其特性源于電子的波動性。？quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n:隨機存儲器。randomlogicdevicen:隨機邏輯器件。rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。??159.reactorn:反應腔。反應進行的密封隔離腔。？scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微^(SEM)。scheduleddowntimen:(設備)預定停工時間。？164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。?scribelinen:劃片槽。？sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。用以衡量半導體表面雜質摻雜水平。？sideload:邊緣載荷，被彎曲后產生的應力。？silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍寶石襯底硅的原片？smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。？sourcecode:原代碼spectralline:^＞線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。？

spinwebbing:旋轉帶,在旋轉過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。？stackingfault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產生的2次空間錯誤。？Illsteambath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。？Illstepresponsetime:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛到達特定地帶的那個時刻之間的時間。？stepper:步進光刻機（按BLOCK來曝光）?Illstresstest:應力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。?Illsurfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。？182?symptom^兆，人員感覺到在一定條件下產生變化的弊病的主觀認識。tackweld澗斷焊，通常在角落上尋找預先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。？Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質。IIItemperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。？IllIII似的高低溫循環(huán)。？Illtestability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。IIIthermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。？

IIItitanium(Ti):鈦。？toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。？191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。?tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。？tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。？totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。watt(W):瓦。能量單位。？waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。？203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。？1—」III205.vaporpressure:1—」IIIPAC感光化合物?ASIC特殊應用集成電路？Solvent溶劑？Carbide碳？Refractive折射？Expansion膨脹？TM:topmental頂層金屬層？WEE周邊曝光？POD裝晶舟和晶片的盒子？Reticle光罩？Spin旋轉？A/D［軍］Analog?Digital痍擬/數(shù)字？ACMagnitude交流幅度？ACPhase交流相位？Accuracy精度？"ActivityModel？ActivityModel"活動模型？AdditiveProcess加成工藝？Adhesion附著力？Aggressor干擾源？AnalogSource模擬源？AOI,AutomatedOpticalInspection自動光學檢查?AssemblyVariant不同的裝配版本輸出？Attributes屬性？AXI,AutomatedX-rayInspection自動X光檢查BIST,Built-inSelfTest內建的自測試？BusRoute總線布線？Circuit電路基準？circuitdiagram電路圖？Clementine專用共形開線設計?ClusterPlacement簇布局？CM合約制造商?CommonImpedance共模阻抗?Concurrent并行設計？ConstantSource恒壓源？CooperPour智能覆銅？Crosstalk串擾CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認與跟蹤?DCMagnitude直流幅度？Delays延時？DesignforTesting可測試性設計？Designator標識？DFC,DesignforCost面向成本的設計？DFM,DesignforManufacturing面向制造過程的設計？DFR,DesignforReliability面向可靠性的設計？DFT,DesignforTest面向測試的設計？DFX,DesignforX面向產品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設計？DSM,DynamicSetupManagement動態(tài)設定管理？DynamicRoute動態(tài)布線？EDTF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設計交互格式？EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會？ElectroDynamicCheck動態(tài)電性能分析？ElectromagneticDisturbance電磁干擾？ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容？EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾？Emulation硬件仿真？EngineeringChangeOrder原理圖與PCB版圖的自動對應修改？Ensemble多層平面電磁場仿真ESD靜電釋放？FallTime下降時間？FalseClocking假時鐘？FEP氟化乙丙烯？FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換？FloatLicense網絡浮動？FrequencyDomain頻域？GaussianDistribution高斯分布?Globalflducial板基準GroundBounce地彈反射?GUI,GraphicalUserInterface圖形用戶界面?Harmonica射頻微波電路仿真?HFSS三維高頻結構電磁場仿真?IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型？ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項目里就是指制作PCB?IEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國際電氣和電子工程師協(xié)會IGES,InittalGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的標準？ImageFiducial電路基準Impedance阻抗?！In-Circuit-Test在線測試？InitialVoltage初始電壓？InputRiseTime輸入躍升時間？IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連協(xié)會?IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過程優(yōu)化？ISO,TheInternationalStandardsOrganization國際標準化組織？Jumper跳線?LocalFiducial個別基準manufacturing制造業(yè)？MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件?MDE,MaxwellDesignEnvironment?ODB++OpenDataBase公開數(shù)據庫?OEM原設備制造商?OLEAutomation目標連接與嵌入?On-lineDRC在線設計規(guī)則檢查？Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot過沖？Panelfiducial板基準？PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線?PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板？Period周期？PeriodicPulseSource周期脈沖源？PhysicalDesignReuse物理設計可重復PI,PowerIntegrity電源完整性？Piece-Wise-linearSource分段線性源？Preview輸出預覽？PulseWidth脈沖寬度？PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線RadialArrayPlacement極坐標方式的元件布局Reflection反射？Reuse實現(xiàn)設計重用？RiseTime上升時間？Rnging振蕩,信號的振鈴？Rounding環(huán)繞振蕩？RulesDriven規(guī)則驅動設計SaxBasicEngine設計系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironment?SDT,SchematicDesignTools電路原理設計工具SettlingTime建立時間？ShapeBase以外形為基礎的無網格布線？Shove元器件的推擠布局？SI,SignalIntegrity信號完整性？Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線？Skew偏移?SlewRate斜率？SPC,StaticticalProcessControl統(tǒng)計過程控制SPI,Signal-PowerIntegrity將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具？SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序?Split/MixedLayer多電源/地線的自動分SSO同步交換？STEP,StandardfortheExchangeofProductModelData?Symphony系統(tǒng)仿真？Timedomain時域？TimestepSetting步進時間設置？UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語言?Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布?Variant派生？VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟?Victim被干擾對象?VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗證和仿真工具?Wizard智能建庫工具,向導？專業(yè)術語？術語英文意義中文解釋?

LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示?LCMLiquidCrystalModule液晶模塊?TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉90度?STNSuperTwistedNematic超級扭曲向列。約180?270度扭曲向列?FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級扭曲向列。一層光程補償偏甲于STN,用于單色顯示?ill)Backlight-一層光程補償偏甲于STN,用于單色顯示?ill)OSDOnScreenDisplay在屏上顯示？DVIDigitalVisualInterface(VGA)數(shù)字接口？TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnaling?LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號Panelink-?TCPTapeCarrierPackage柔性線路板?COBChipOnBoard通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上?COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上?Duty-占空比，高出點亮的閥值電壓的部分在一個周期中所占的比率?ELElextroLuminescence電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構成?CCFL（CCFT）ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈？PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管？VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列？PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復合視頻？componentvideo-分量視頻？S-video-S端子，與復合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸？NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國電視系統(tǒng)委員會制式？PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（順序與存儲彩色電視系統(tǒng)）？VideoOnDemand視頻點播？DPIDotPerInch點每英寸？A.M.U原子質量數(shù)？ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視Alignment排成一直線，對平Alloy融合：電壓與電流成線性關系，降低接觸的阻值？ARC:anti-reflectcoating防反射層？10.ASI光阻去除后檢查？13.Beam-Current電子束電流?15.Break中斷,stepper機臺內中途停止鍵?Childlot子批Chip(die)晶粒?23.Coater光阻覆蓋（機臺）?ContactHole接觸窗？ControlWafer控片?Criticallayer重要層29.Cycletime生產周期?32.Descum預處理?35.DG:dualgate雙門？Doping摻雜？Dose劑量？Downgrade降級？DRC:designrulecheck設計規(guī)則檢查？48.ESD:el