半導體制造技術知到章節(jié)答案智慧樹2023年上海工程技術大學

半導體制造技術知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新上海工程技術大學第一章測試“摩爾定律”是（）提出的？

參考答案:

1965年第一個晶體管是（）材料晶體管？

參考答案:

鍺戈登摩爾是（）科學家。

參考答案:

美國第一個集成電路在（）被研制。

參考答案:

1958（）被稱為中國“芯片之父”。1、

參考答案:

鄧中翰第二章測試硅在地殼中的儲量為（）。

參考答案:

第二脫氧后的沙子主要以（）的形式。

參考答案:

二氧化硅半導體級硅的純度（）。

參考答案:

99.9999999％西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

參考答案:

錯一片硅片只有一個定位邊。（）

參考答案:

錯晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

參考答案:

對第三章測試通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）

參考答案:

對熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

參考答案:

對二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應。（）

參考答案:

對薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

參考答案:

錯電阻率，表征導電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

參考答案:

錯第四章測試光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學反應。（）

參考答案:

對一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點。（）

參考答案:

錯使用正膠進行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

參考答案:

對使用負膠進行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

參考答案:

對正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

參考答案:

對負性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

參考答案:

錯第五章測試刻蝕是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

參考答案:

錯濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

參考答案:

對干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

參考答案:

對選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）

參考答案:

錯同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導致刻蝕速率不一樣。（）

參考答案:

對第六章測試雜質(zhì)摻雜只能改變半導體的類型，不能改變其電阻率。（）

參考答案:

錯擴散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運動的形式，結果使其濃度趨于均勻。（）

參考答案:

錯菲克第一擴散定律中的負號代表從高濃度向低濃度運動。（）

參考答案:

對半導體常用的摻雜方式有擴散和離子注入。（）

參考答案:

對離子注入摻雜是物理過程。（）

參考答案:

對第七章測試選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

參考答案:

對尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

參考答案:

錯雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

參考答案:

錯高溫回流：一般是在高溫下進行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

參考答案:

錯肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

參考答案:

對第八章測試物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

參考答案:

錯霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

參考答案:

對半導體制造工藝中用的氣體可以隨便運輸。（）

參考答案:

錯工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）

參考答案:

錯等離子體是不導電的。（）

參考答案:

錯第九章測試芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標出。（）

參考答案:

錯芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

參考答案:

對半導體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

參考答案:

錯泊松模型是假設缺陷密度為均勻