IDC - 諫早電子開發(fā)的高壓Nch MOSFET-新品速遞_第1頁
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精品文檔-下載后可編輯IDC-諫早電子開發(fā)的高壓NchMOSFET-新品速遞

半導(dǎo)體制造商諫早電子有限公司宣布,開發(fā)高壓NchMOSFET「INK013EAP1」。

產(chǎn)品是響應(yīng)開發(fā)請求而開發(fā)的產(chǎn)品，以支持其他公司同類產(chǎn)品的EOL。本產(chǎn)品是額定VDSS=500V、ID=0.5A、SOT89封裝的NchMOSFET，為諫早電子的MOSFET產(chǎn)品中具有的VDSS額定值。

本產(chǎn)品適用于高速開關(guān)和高壓開關(guān)應(yīng)用，其應(yīng)用之一是為開關(guān)電源控制IC提供驅(qū)動電源的啟動電路，如下圖所示。如果啟動電路僅由電阻和電容組成，則必須降低電阻值以縮短啟動時間,但降低電阻會增加啟動電路中的功率損耗。通過使用MOSFET構(gòu)成啟動器電路，可以在不損失啟動時間的情況下抑制啟動器電路的功率損耗。在這種情況下，輸入電壓直接施加在MOSFET的漏極和源極之間，因此需要高耐壓MOSFET。特別是AC240V開關(guān)電源的情況下，包括紋波在內(nèi)的電壓超過400V，因此VDSS=500V的產(chǎn)品適合這種情況。

此外，通過工藝優(yōu)化，該產(chǎn)品的抗浪涌性能是其他公司同類產(chǎn)品的3倍左右。

□用途高速切換高壓開關(guān)特約經(jīng)銷商一覽GRANSTARINTERNATIONALCO.,LTD.KoryoElectronicsCo.,Ltd.SansonicElectronicST(ShangHai)Co.,

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