Renesas 兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP-新品速遞

精品文檔-下載后可編輯Renesas兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP-新品速遞瑞薩科技公司(Renesas)宣布推出具有兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP，封裝形式是WPAK(瑞薩科技的封裝代碼)*1高熱輻射封裝，尺寸僅有5.36.10.8mm()，用于筆記本電腦、通信設(shè)備及類(lèi)似產(chǎn)品的DC-DC變換器中。在2022年10月29日，將從日本開(kāi)始樣品發(fā)貨。HAT2210WP的主要特性如下。

(1)低熱阻

由于使用了WPAK高熱輻射封裝，與目前SOP-8封裝的HAT2210R相比，熱阻減小了一半。可以控制的輸出電流也提高了大約50%，因此可以減少具有高電流處理能力的DC-DC變換器所需要的功率MOSFET的數(shù)目。

(2)與SOP-8封裝的安裝面積相同，但厚度僅有它的一半(0.8mm()。

HAT2210WP需要的安裝面積與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8封裝一樣，是5.36.1mm；但厚度大約僅是它的一半，為0.8mm()，使得DC-DC變換器可以做得更小巧。

安裝在信息設(shè)備如筆記本電腦和服務(wù)器中的存儲(chǔ)器、ASIC和其它芯片需要不同的驅(qū)動(dòng)電壓，因此，需要使用一些DC-DC變換器。這些DC-DC變換器需要兩個(gè)功率MOSFET，分別用于高邊和低邊*2應(yīng)用。瑞薩科技目前大量生產(chǎn)的產(chǎn)品，具有兩個(gè)功率MOSFET，封裝形式是SOP-8封裝，可以滿(mǎn)足較小DC-DC變換器的需要。但是，各種芯片處理的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，需要可以處理更大電流、安裝更多功率MOSFET的DC-DC變換器。

在這樣的背景下，瑞薩科技開(kāi)發(fā)出了新型HAT2210WP，它使用WPAK高熱輻射封裝，可以提高可以控制的電流量，實(shí)現(xiàn)更高的DC-DC變換器電流容量，并減少安裝的功率MOSFET的數(shù)目。

HAT2210WP安裝在印刷電路板（40401.6mm玻璃環(huán)氧板單個(gè)功率MOSFET操作）上時(shí)的熱阻，從瑞薩科技目前SOP-8封裝產(chǎn)品的110C/W，下降了一半，達(dá)到55C/W。因此，可以控制的輸出電流提高了50%多，從SOP-8產(chǎn)品的3A，提高到了5A。當(dāng)ASIC和其它芯片的驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)3A，進(jìn)入4A－5A范圍時(shí)，單個(gè)HAT2210WP就可以控制5A的輸出電流，而先前需要兩個(gè)SOP-8封裝的具有兩個(gè)功率MOSFET的產(chǎn)品，因此，HAT2210WP使得DC-DC變換器可以做得更小。

而且，由于安裝了高邊和低邊功率MOSFET，使用分裂漏結(jié)構(gòu)。使用瑞薩科技的0.35μm工藝的第8代功率MOSFET，具有業(yè)界的性能，設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行了優(yōu)化，使高邊MOSFET具有高開(kāi)關(guān)速度、低邊MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，因此可以實(shí)現(xiàn)很高的效率，從而滿(mǎn)足DC-DC變換器低壓輸出的需要。

在低邊MOSFET中有一個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管，減小了MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管之間的接線電感*3。在