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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管第1頁(yè)/共22頁(yè)6.1JEFT的概念6.2器件的特性6.3非理想因素第六章結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管第2頁(yè)/共22頁(yè)BJTFET電流控制器件電壓控制器件雙極器件單極器件依靠少子工作,噪聲大依靠多子工作,噪聲低輸入阻抗低輸入阻抗高,利于直接耦合,輸入功耗小溫度穩(wěn)定性差溫度穩(wěn)定性好,具有零或負(fù)的溫度系數(shù)工藝較復(fù)雜,集成度低制造工藝較BJT簡(jiǎn)單,EMOS有天然的隔離,集成度高第3頁(yè)/共22頁(yè)6.1.1pnJFET的基本結(jié)構(gòu)第4頁(yè)/共22頁(yè)第5頁(yè)/共22頁(yè)第6頁(yè)/共22頁(yè)6.2器件的特性第7頁(yè)/共22頁(yè)6.2.1內(nèi)建夾斷電壓、夾斷電壓和漏源飽和電壓內(nèi)建夾斷電壓：夾斷電壓：第8頁(yè)/共22頁(yè)第9頁(yè)/共22頁(yè)第10頁(yè)/共22頁(yè)耗盡層寬度：第11頁(yè)/共22頁(yè)y處電流第12頁(yè)/共22頁(yè)第13頁(yè)/共22頁(yè)均勻分布情況第14頁(yè)/共22頁(yè)6.2.3MESFET基本結(jié)構(gòu)第15頁(yè)/共22頁(yè)MESFET工作原理E型MESFET開(kāi)啟電壓第16頁(yè)/共22頁(yè)6.3非理想因素6.3.1溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)第17頁(yè)/共22頁(yè)第18頁(yè)/共22頁(yè)其中，溝長(zhǎng)調(diào)制系數(shù)6.3.2速度飽和效應(yīng)第19頁(yè)/共22頁(yè)6.3.3亞閾值電流亞閾值電流主要是擴(kuò)散電流第20頁(yè)/共22頁(yè)

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