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文檔簡介
突觸后電位
Postsynapticpotential經(jīng)典化學性突觸的傳遞過程動作電位到達突觸前膜突觸前膜去極化電壓門控Ca2+通道開放Ca2+內(nèi)流突觸小泡釋放遞質遞質與突觸后膜的受體結合突觸后膜離子通道通透性改變突觸后電位突觸后電位(postsynapticpotential,PSP)
興奮性突觸后電位
(Excitatorypostsynapticpotential,EPSP)
抑制性突觸后電位
(Inhibitorypostsynapticpotential,IPSP)
突觸后膜發(fā)生的局部去極化。機制：興奮性遞質提高后膜對Na+和K+的通透性，且Na+內(nèi)流大于K+外流，導致后膜局部去極化。興奮性突觸后電位---EPSP突觸后膜發(fā)生的局部超極化。機制：抑制性遞質使突觸后膜Cl-通道開放，Cl-內(nèi)流，突觸后膜發(fā)生超極化。抑制性突觸后電位---IPSP*
K+的通透性增加、Na+
或Ca2+通道關閉，也可使膜發(fā)生超極化。突觸后電位(postsynapticpotential,PSP)快突觸后電位（fPSP）慢突觸后電位（sPSP）發(fā)生緩慢、持續(xù)時間較長的突觸后電位，由K+電導增加或降低引起。慢突觸后電位（sPSP）：自主神經(jīng)節(jié)和大腦皮層的神經(jīng)元，包括慢EPSP和慢IPSP；遲慢突觸后電位（LsPSP）：交感神經(jīng)節(jié)的神經(jīng)元。慢突觸后電位突觸后電位具有局部電位的特征幅度
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