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文檔簡(jiǎn)介
第七章長(zhǎng)溝道MOSFETs
(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)7.1MOSFETs的基本工作原理7.2漏電流模型7.3MOSFETs的I-V特性7.4亞閾特性7.5襯底偏置效應(yīng)和溫度特性對(duì)閾值電壓的影響7.6MOSFET溝道遷移率7.7MOSFET電容和反型層電容的影響7.8MOSFET的頻率特性7.1MOSFETs的基本工作原理
MOSFET器件三維結(jié)構(gòu)圖四端器件:源(S);漏(D);柵(G);襯底(B)N溝:p型襯底,源端用離子注入形成n+;P溝:n型襯底柵電極:金屬;重?fù)诫s多晶硅。氧化層:熱氧化硅隔離:場(chǎng)氧化理想的p-MOS和n-MOS電容能帶圖(1)
理想的p-MOS和n-MOS電容能帶圖(2)
理想的p-MOS和n-MOS電容能帶圖(3)
理想的p-MOS和n-MOS電容能帶圖(4)
p-MOS電容接近硅表面的能帶圖MOSFET的四種類型及符號(hào)類型N溝MOSFETP溝MOSFET耗盡型增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型襯底PNS、D區(qū)N+P+溝道載流子電子空穴VDS>0<0IDS方向由DS由SD閾值電壓VT<0VT>0VT>0VT<0電路符號(hào)MOSFET符號(hào)7.2漏電流模型7.2.1本征電荷密度與準(zhǔn)費(fèi)米勢(shì)的關(guān)系7.2.2緩變(漸變)溝道近似
7.2.3PAO和SAH’s雙積分
MOSFET器件剖面圖以N溝增強(qiáng)型MOSFET為例x=0在硅表面,指向襯底,平行于柵電極;y,平行于溝道,y=0在源端;y=L在漏端,L:溝道長(zhǎng)度(x,y):本證勢(shì);能帶彎曲V(y):在y處電子的準(zhǔn)費(fèi)米勢(shì),與x無(wú)關(guān);V(y=L)=Vds本征電荷密度與準(zhǔn)費(fèi)米勢(shì)的關(guān)系由方程(2.150)和(2.187)知:(1)(2)表面反型時(shí),(2.190)為:(3)最大耗盡層寬度:(4)
緩變(漸變)溝道近似緩變(漸變)溝道近似:電場(chǎng)在y方向(沿溝道方向)的變化[分量]遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于沿x方向(垂直于溝道方向)的變化[分量]。(Ey<<Ex)有了這個(gè)假設(shè)后Poisson’s方程可以簡(jiǎn)化為一維形式??昭娏骱彤a(chǎn)生和復(fù)合電流可以忽略。電流連續(xù)方程只應(yīng)用于y方向的電子。有了上述兩個(gè)假設(shè)后,任一點(diǎn)的漏源電流是相同的。由方程(2.45),(x,y)處的電子電流為:(5)MOSFET器件剖面圖緩變(漸變)溝道近似V(y)定義為準(zhǔn)費(fèi)米勢(shì);(5)式包括了漂移和擴(kuò)散電流密度。電流為:(6)反型層底部=B定義:Ids>0;漏源電流在-y方向單位柵面積反型層電荷:
(7)(6)是變?yōu)椋?/p>
(8)上式兩邊乘以dy并積分得:
(9)(10)PAO和SAH’s雙積分把(10)式用n(x,y)表示。由(1)式(11)把(11)式代入(7)式得:(12)把(2)式代入(12)式然后代入(10)式得:(13)PAO和SAH’s雙積分
(2.180)由和(2.180),(2)式得:(14)第3節(jié)MOSFETI-V特性薄層電荷近似
線性區(qū)特性
飽和區(qū)特性
夾斷點(diǎn)和電流飽和
pMOSFETI-V特性
薄層電荷近似
薄層電荷近似:假設(shè)所有的反型層電荷均位于硅表面薄層內(nèi),反型層內(nèi)沒(méi)有電勢(shì)降和能帶彎曲。耗盡層近似被應(yīng)用于體耗盡層。一旦反型,表面勢(shì)釘扎在S=2B+V(y),由(4)式,體耗盡層電荷密度:(15)硅界面整個(gè)電荷密度為[由(2.180)得]:(16)薄層電斑荷近似反型層電寇荷密度:把(17教)式代入念(10)饅式并積分腥得:(17通)(18)線性區(qū)特弄性在Vd低s較小戴時(shí),展謎開(kāi)(1河8)式噴并只保鞠留低階嘆項(xiàng)(一鑼階項(xiàng))劫:(19)Vt是閾攪值電壓:(20哄)閾值電壓母的物理意秘義:金屬柵下機(jī)面的半導(dǎo)交體表面呈北強(qiáng)反型,溝從而出現(xiàn)踩導(dǎo)電溝道藍(lán)時(shí)所需加灣的柵源電零壓。表面勢(shì)或佛能帶彎曲勸達(dá)到2B,硅電綁荷等于漠這個(gè)勢(shì)防的體耗態(tài)盡層電浪荷時(shí)的前柵電壓痛。線性區(qū)誦特性,竭典型值為程0.6—喬0.9V拿。Vg<騾Vt時(shí)柔,MO欺SFE尸T中電鉤流很小摔,叫截購(gòu)止區(qū);Vg>V滅t時(shí),由例(19)叼式知,M筐OSFE禾T像一個(gè)墳電阻一樣脊。方塊電隨阻為:,火受柵電壓蜓調(diào)制。低漏電壓餓時(shí)的Ids--Vg關(guān)系曲線閾值電壓樣的確定:畫(huà)低漏電掏壓時(shí)的Ids與Vg的關(guān)系曲竊線,由外持推法得到陜。注意:Ids與Vg的關(guān)系曲仁線是非線粘性的,這繪是因?yàn)楸∷褜与姾山杆圃谶@個(gè)貢區(qū)域不再盒是有效的寺。飽和區(qū)特耽性在Vd框s較大淋時(shí),展?jié)婇_(kāi)式中李的二階土項(xiàng)不能惹忽略,跳(18鼓)式為督:(非飽和掃區(qū))虧(21澡)這里:m:體效矮應(yīng)系數(shù),晚典型值:奇1.1~直1.4;浪當(dāng)體電荷廉效應(yīng)可以滋忽略時(shí),占m=1Cdm:在S=2B時(shí)的體誰(shuí)耗盡電留容(22)飽和區(qū)特證性閾值電壓很由(20筐),(2著2)式得伙出(21)怒式表明,滑當(dāng)Vd增加時(shí),蛛在最大值怕或飽和值灑達(dá)到之前壯,Ids是Vds的拋物線芬函數(shù)。當(dāng)熱時(shí)飽和區(qū)他(23址)方程(垂18)艦和(2重1)當(dāng)弱VdsVdsa牌t時(shí)有效圾,在這個(gè)桌范圍之外苦,電流仍駱為飽和電走流。(20武)長(zhǎng)溝MO免SFETIds—Vds關(guān)系曲算線夾斷點(diǎn)和飾電流飽和當(dāng)V2B時(shí),(1煮7)式為情:(展開(kāi)猴17時(shí)只寄保留前兩導(dǎo)項(xiàng))(24厚)此攜式所畫(huà)乎曲線如航圖下頁(yè)卻所示。源端:漏端:反型層包電荷密呼度與準(zhǔn)夫費(fèi)米勢(shì)愈的關(guān)系當(dāng)Vds較小時(shí)(盈線性區(qū))翁,漏端反離型層電荷匪密度比源呢端的稍小駝;當(dāng)Vds增加時(shí)墊(柵電馳壓固定姓),電長(zhǎng)流增加低;漏端取反型層過(guò)電荷密歉度減少碰;當(dāng)Vds=Vdsat=(Vg-Vt)/m時(shí)激,漏端反恢型層電荷鍬密度減少號(hào)到0;線性區(qū)(蠶低漏電壓末)開(kāi)始飽潑和時(shí)飽和時(shí)慣漏端表是面溝道巴消失。壇叫夾斷君。飽和區(qū)膽外,溝背道長(zhǎng)度里開(kāi)始減煮小當(dāng)Vd棒s>V誼dsa牌t時(shí),戒夾斷點(diǎn)霸向源端篩移動(dòng),惕但漏電桐流基本染不變。這是因販為夾斷晉點(diǎn)的電趣壓仍為宰飽和電恢壓。夾斷點(diǎn)和偷電流飽和由(9)誦式:數(shù)(25簽)夾斷后器皂件的特性鑄可以把上腦式從0到漿y積分得楊到(26)上式積分賠利用了(劍24)式鉛;把(2監(jiān)1)代皺入(2白6)得兼:(27)由(24廈)式:準(zhǔn)費(fèi)米于勢(shì)與源共漏之間支距離的洲關(guān)系當(dāng)Vds較小時(shí)射,源漏霸之間的嫁V(y蘭)幾乎艘是線性蜜的;當(dāng)Vds增加時(shí)運(yùn),由于趁電子的查準(zhǔn)費(fèi)米乖能級(jí)降幅低,漏長(zhǎng)電荷密里度減小豆;由于屋dV/偽dy增柄加,使董電流基徐本保持詞不變;當(dāng)Vds=Vdsa富t=(Vg-Vt)/m時(shí)勝,Qi(輸y=L)管=0,d悄V/dy風(fēng)=,這意含味著電貴場(chǎng)沿y林方向的龜變化大動(dòng)于沿x驚方向的河變化,匯漸變近靈似不再值適用。材從夾斷章點(diǎn)到漏宮端要解泥二維P果ois糖son哲’s方孝程。Vds>2B時(shí),方程欠(17)環(huán)Qi=0和方渡程(18蛇)dIds/dVds=0,妙并且V峰=Vdsat得:(28稅)計(jì)算的Ids—Vds關(guān)系曲線實(shí)線(3標(biāo).18)繡;點(diǎn)劃線戚:(3.撤21)pMOS養(yǎng)FET灘I-V特頸性MOS唯FET弄的特性襪曲線第4節(jié)亞拼閾特性漏電流的頑漂移和擴(kuò)聞散分量亞閾區(qū)擁電流表界達(dá)式亞閾區(qū)斜硬率MOS鞋F(xiàn)ET槳工作的稈三個(gè)區(qū)等域MOS摩FET謊器件一波般可分糧為三個(gè)粒區(qū)域:線性區(qū)儀;飽和槍區(qū);亞久閾區(qū)弱反型導(dǎo)胞電亞閾也刃叫弱反我型導(dǎo)電再:當(dāng)V辱gs<應(yīng)Vt(霧VGS<Vt配)時(shí)源析漏之間燦的漏電傲,成為椅弱反型套導(dǎo)電或猴次開(kāi)啟聲。弱反型導(dǎo)秧電原因一般情況閑下,Vgs<Vt時(shí)器件的輔電流為“驕0”。但耀在某些重譜要應(yīng)用中箱,非常小田的電流也昌是不能忽懇略的。在夢(mèng)低壓、低旦功耗應(yīng)用湖中,亞閾酷特性很重蓮要。如:稿數(shù)字邏輯頓和存儲(chǔ)電劈燕路原因:星當(dāng)VGS<Vt時(shí)表面處桶就有電子傷濃度,如霸公式(1惑1)所示熄。即當(dāng)跑表面不是宿強(qiáng)反型時(shí)究就存在電磁流。主要煤是源與溝刷道之間的獎(jiǎng)擴(kuò)散電流見(jiàn)。VGS<Von為弱反型戒;VGSVon為強(qiáng)反甚型(11)漏電流的損漂移和擴(kuò)庫(kù)散分量強(qiáng)反型雅時(shí):以觸漂移電黃流為主挎;弱反型薯時(shí):源令與溝道些之間的垃擴(kuò)散電匯流弱反型伐時(shí),漂絡(luò)移和擴(kuò)指散電流招均包含系在Pa蹲o(hù)a猶nd雅Sah仍’s雙嗎積分公皆式(1迷3)中電流連哨續(xù)是指園漂移和歇擴(kuò)散電鑒流之和貞連續(xù)。藍(lán)換句話躺說(shuō),在器任一點(diǎn)鉗漂移電焦流和擴(kuò)吐散電流梢的比例包很可能旦變化。在低漏穴電壓下飄,可以討用方程概(14閑)中隱拖含的(V)關(guān)蛇系,分離卡漂移電流就和擴(kuò)散電祝流。亞閾區(qū)電湊流表達(dá)式(35)或(36適)亞閾區(qū)硬斜率當(dāng)Vds是幾倍鋸kT/劑q時(shí),茅擴(kuò)散電喉流占統(tǒng)礎(chǔ)治地位牢,漏電吧流與漏春電壓無(wú)及關(guān),只葉與柵電址壓有關(guān)溫。斜率定義刃(圖3.蟲(chóng)10)(37標(biāo))由方程珠(22條)知,由方程(鄭22)知乖:S的典盡型值為:著70—1賢00mV劍/dec絹ade,唇如果Si援-SiO2界面陷輕阱密度果較高,榮斜率很型可能比婦方程(眉37)根給出的失大。第5節(jié)循襯底偏牢置效應(yīng)孤和溫度愿特性對(duì)誘閾值電雞壓的影末響體效應(yīng)閾值電軋壓的溫姨度特性體效應(yīng)MOSF枝ET襯底艦偏置效應(yīng)防等效電路體效應(yīng)(17立)方程(1猜7)變?yōu)樯校海?8)這里:V雁是溝道中扎的任一點(diǎn)憂與襯底之拋間的反向亞偏壓。對(duì)Qi從源(Vbs)到漏(童Vbs+Vds)積分匙得電流濃的表達(dá)蠶式為:折((1叨8)是墻變?yōu)椋?8償)(39)體效應(yīng)生(續(xù))在低漏裂電壓下鳳,漏電考流仍由籃(19仇)式給僻出:在Vds較小時(shí)陽(yáng),展開(kāi)湯(18熄)式并瓶只保留渣低階項(xiàng)勝(一階胃項(xiàng)):(19)閾值電拖壓Vt由:寇(20畜)變?yōu)椴浚?0逆)反向襯炕底偏壓趨的影響興是:使坊體耗盡忘層加寬奏,閾值畫(huà)電壓升昂高。閾值電少壓與反療向襯底茅偏壓的哭關(guān)系左圖曲遞線的斜乒率(41)叫襯偏敏泡感度。在Vbs=0時(shí)扁,當(dāng)Vbs增加時(shí)寺,襯偏雙敏感度烤下降。閾值電壓仙的溫度特版性平帶電獨(dú)壓:活(2場(chǎng).18馳1)假設(shè)不存灰在氧化層疫電荷,把河(2.1甩81)代凳入(20糧)式得:(42)在“0禍”襯偏陡電壓條邊件下,樹(shù)閾值電杰壓與溫雁度的關(guān)拉系為:(43)(2.歉37)閾值電壓跪的溫度特喪性(續(xù))(2.朽7)由方程沉(2.瓦37)撇和(2純.7)優(yōu)得:(44)因?yàn)镹c傍and邀NvT3/2,所以:閾值電壓腔的溫度特產(chǎn)性(續(xù))把方程范(44蕩)代入娘方程(槽43)鴉得:(45)Na=1謊016cm-3,m=1食.1時(shí),善dVt/遣dT典型膛值為-1腎mV/K耕。Na=薪1018cm-3,m=千1.3森時(shí),d贊Vt/浸dT典區(qū)型值為滑-0.齊7mV蚊/K。摻雜濃伶度增加當(dāng)時(shí),溫沿度系數(shù)發(fā)降低。物例:溫鄭度每升澡高10倚0度,僻閾值電繪壓降低氧55-桂75m懶V。在數(shù)字顫VLS脊I電路獎(jiǎng)中,溫恨度升高查,閾值笨電壓下饒降,漏俱電流增停加,這鵝是設(shè)計(jì)戲中必須砍考慮的清問(wèn)題。徐典型值劍:對(duì)于慈MOS答FET腦器件,路100C時(shí)的倉(cāng)開(kāi)關(guān)漏悄電流是弦25C時(shí)的3杯0-50破倍。第6節(jié)定MOSF挖ET溝道手遷移率有效遷給移率和什有效電近場(chǎng)電子遷移旨率數(shù)據(jù)空穴遷移宰率數(shù)據(jù)有效遷垂移率和核有效電害場(chǎng)有效遷巨移率(斜載流子殖濃度權(quán)恢重的平棒均值)陜:寄(4職6)有效電場(chǎng)養(yǎng)定義:經(jīng)(督47)是通過(guò)反庸型層中間浮層高斯表豬面的總電余荷。(2.餐161鮮)(20)應(yīng)用(墻2.1溝61)辯和(2拐0)式誦得:(48圖)(24)有效遷墓移率和旬有效電焰場(chǎng)(續(xù)搖)(48全)、(娘24)以代入(規(guī)47)警得:(49)上式應(yīng)用彎了:凈;因此,(50)電子遷移鴉率數(shù)據(jù)(51僚)當(dāng)賓時(shí),有效滔遷移率下磚降很快。維在高電場(chǎng)廈時(shí),散射過(guò)增加。300K怠和77K佛時(shí)測(cè)量的叨電子遷移茅率空穴遷也移率數(shù)謎據(jù)(52)因子1/梨3是經(jīng)驗(yàn)煉因子,沒(méi)加有物理意清義。300K果和77K飼時(shí)測(cè)量的堆空穴遷移代率第7節(jié)欠MO灰SFE索T電容石和反型雙層電容桐的影響本證M桑OSF另ET電府容反型層電寒容多晶硅柵嚼耗盡層的讀影響線性Ids--Vg特性7.1本剝證MOS體FET電摸容--亞閾區(qū)反型層電南荷變化可麻以忽略,夕當(dāng)電勢(shì)變碌化時(shí),只撐有耗盡層睬電荷變化擇。因此,枝本證的柵岡-源-漏律電容基本命上是零(勵(lì)討論在5村.2.2撫部分),繳柵-to隙-體電容軌等于氧化爹層電容和駐耗盡層電煩容的串聯(lián)疤。(53)Cd:電位面赤積耗盡層蝦電容,在位漏電壓較角大時(shí),耗屆盡層寬度總變寬,耗言盡層電容癥減小。7.1本成證MOS裹FET電晝?nèi)?-線性區(qū)表面溝損道一旦禮形成,途由于反休型層電栽荷的屏部蔽作用帥,柵-誕體之間與的電容稱很小,益所有的怖柵電容府是柵對(duì)病溝道,巷源極,饞漏極的邪電容。眼由薄層傅電荷理罵論,低猾漏電壓油時(shí):源端反晉型層電俊荷面密寺度:漏端反型晚層電荷面臥密度:柵下總僅的反型選層電荷細(xì):柵對(duì)溝傍道的電盆容簡(jiǎn)化勿為氧化姨層電容狗:7.1本床證MOS宰FET電敏容--飽和區(qū)(24)(27示)在夾斷輩點(diǎn)(飽暈和),減漏端電下荷密度瘦為0,拆飽和電選壓Vds=Vdsa劑t=(Vg-Vt)/m,救由(24濟(jì))式和(監(jiān)27)式岡得,y點(diǎn)皂反型層電障荷面密度杏為:(55嗎)上式在溝抄道長(zhǎng)度和跌寬度方向抹積分得總帖的反型層關(guān)電荷為:柵-to校-溝道電朱容為:礦(5飲6)7.2反頌型層電容以前的討繩論均是在軌薄層電荷孔近似的基偉礎(chǔ)上得出恭的,一旦扯反型,表搜面勢(shì)被釘某扎在S=2B,在此條牌件下,惑反型層遼電容可繼以忽略偶不計(jì)。緊但實(shí)際蘋(píng)上,反栗型層有運(yùn)一定的魚(yú)厚度,概反型后什隨著柵升電壓的旱增加,成表面勢(shì)照也會(huì)有退一些變密化,這礦時(shí)反型辭層電容表不能忽愿略。Qi-V抽g關(guān)系曲領(lǐng)線實(shí)線(粗零漏電熄壓時(shí),祝Pao牧an遭dS裹ah’擔(dān)sm糞ode諷l);鑰虛線(家電荷控井制模型核)7.2采反型層碧電容計(jì)源算(57)Cd近似為零蹤蝶,因?yàn)橐焕堑┏霈F(xiàn)強(qiáng)宰反型后,容反型層電貨荷將屏蔽伙耗盡層電敵荷。(2.1割64)(2.1鐮78)把上面3晌個(gè)表達(dá)式聲代入(5著7)式,杜積分得:(58)7.3護(hù)多晶硅齊柵耗盡植層的影李響如果柵是腳未摻雜的海,多晶硅誰(shuí)柵耗盡也物對(duì)Qi-Vg關(guān)系曲線擦有影響。末多晶硅耗此盡區(qū)象一峽個(gè)與氧化擔(dān)層電容串增聯(lián)的大電墳容,當(dāng)柵擔(dān)電壓較大戲時(shí),它使氣反型層中肺的電荷密賀度減弱。五在高柵偏穴壓時(shí),多卵晶硅耗盡奪層的影響片大于反型轟層電容影百響。(5敵8)式增級(jí)加一個(gè)附摩加項(xiàng)。與揀(2.1咐85)式育推導(dǎo)過(guò)程雁相似。(59各)Np:多晶株硅柵有主效的摻距雜濃度棚。柵電荷磨密度:禮(忽的略體硅烤耗盡層炸電荷)為了使(桃59)式帆中最后一業(yè)項(xiàng)可以忽儲(chǔ)略,Np應(yīng)在1020cm-3范圍內(nèi),昆尤其對(duì)于乎薄氧化層完MOSF動(dòng)ET。7.4卻線性I鑒ds-盛-Vg蒙特性(50)(51)(10屆)由上述3絮式可知,棗在低漏電賄壓情況下具(線性區(qū)單),轉(zhuǎn)移棕特性曲線瘦為:(60懸)跨導(dǎo):7.4兼線性I倍ds-譽(yù)-Vg或特性(徒續(xù))在高柵池偏壓時(shí)版,由于灶遷移率索減小,渠漏電流瓶和跨導(dǎo)戚均發(fā)生徒簡(jiǎn)并效秋應(yīng)。(61釀)反型層電銷容和遷移輪率簡(jiǎn)并效修應(yīng)
Id策s--V描g關(guān)系特歡性曲線點(diǎn)線:枯閾值電葵壓的外敞推值計(jì)算時(shí)焦假設(shè)沒(méi)桶有考慮顆多晶硅玻耗盡第8節(jié)愉MO訓(xùn)SFE榆T的頻兵率特性8.1領(lǐng)MOSF雞ET的柵先跨導(dǎo)gm8.2弄小信號(hào)襯漏底跨導(dǎo)gmb8.3千漏電導(dǎo)gd(MO炎SFE標(biāo)T的非敗飽和區(qū)西漏電導(dǎo)貌)8.4葬飽和溪區(qū)漏電禮導(dǎo)8.5矩MOSF尖ET小信警號(hào)等效電隙路模型8.6碧跨導(dǎo)召截止頻面率gm8.7唐截止頻率突fT8.8閑提高傲MOS朱FET陶頻率特耕性的途丹徑8.1悠MOSF壯ET的柵內(nèi)跨導(dǎo)gm—定義表示柵源區(qū)電壓對(duì)漏緣瑞電流的控宗制能力線性區(qū):放Vds小時(shí),Vds大時(shí),在飽和區(qū)晝:8.1愉MOSF盛ET的柵悶跨導(dǎo)gm—討論當(dāng)Vg一定時(shí)憐,跨導(dǎo)岸隨Vds的上升而慘線性增加偉;Vds=Vdsat時(shí),跨溪導(dǎo)達(dá)到滋最大值具;VdsVdsa盞t時(shí),跨意導(dǎo)與Vds無(wú)關(guān),速隨柵電妄壓的上遺升而增界加。8.1憑MO膀SFE柿T的柵凱跨導(dǎo)gm—柵電壓的凝影響在飽和區(qū)貿(mào),跨導(dǎo)隨籮柵電壓的很上升而增解加,但柵拌電壓上升造到一定值短時(shí),跨導(dǎo)培會(huì)下降;原因:徹柵電壓急低時(shí),閣遷移率只可看成補(bǔ)常數(shù),欣但柵電也壓大時(shí)河,遷移堤率隨電澤場(chǎng)強(qiáng)度樹(shù)的增加暢而下降孟,對(duì)柵唐電壓的攀增加起殖補(bǔ)償作藝用。8.1首MO餅SFE納T的柵窯跨導(dǎo)gm—考慮速度付飽和效應(yīng)額后源漏電東壓對(duì)跨導(dǎo)躺的影響線性區(qū):冷Vds大造時(shí)8.1紋MOSF東ET的柵萌跨導(dǎo)gm—源漏電阻拴對(duì)跨導(dǎo)的摟影響有一部分拍電壓將在攀源、漏電涉阻上,實(shí)觸際的跨導(dǎo)懼值小于理貓論值。8.2擠小信號(hào)襯糖底跨導(dǎo)gmb定義:表示襯底翼偏置電壓毅對(duì)漏電流笑的控制能歪力。因此漠,襯底的團(tuán)作用可成怎為另一個(gè)愿柵,也成米為“背柵哭”。8.3獲漏電囑導(dǎo)gd(MO益SFE黑T的非貝飽和區(qū)荷漏電導(dǎo)畫(huà))8.4跪飽和鉤區(qū)漏電態(tài)導(dǎo)考慮溝道觸長(zhǎng)度調(diào)制稻效應(yīng)后的鄉(xiāng)豐電導(dǎo)8.5揀MOSF句ET小信替號(hào)等效電過(guò)路模型8.6雖跨導(dǎo)差截止頻代率gmVGS:加在按G、S飯上的電宜壓。低仍
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