微納加工技術(shù)知到章節(jié)答案智慧樹2023年哈爾濱工業(yè)大學(xué)

微納加工技術(shù)知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹2023年最新哈爾濱工業(yè)大學(xué)緒論單元測(cè)試微納加工是以平面集成加工為代表的非傳統(tǒng)的加工方法，加工形成的部件或結(jié)構(gòu)本身的尺寸在（）量級(jí)。

參考答案:

微米或納米光刻工藝的基本要素主要包括（）。

參考答案:

光刻膠;對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng);光源刻蝕法圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)：（）。

參考答案:

掩膜的抗刻蝕比和刻蝕的方向性間接加工技術(shù)能夠繞過(guò)現(xiàn)有設(shè)備加工能力極限，意指直接光刻技術(shù)，其圖形結(jié)構(gòu)的分辨率決定于某種光刻方法的分辨率。（）

參考答案:

錯(cuò)間接加工技術(shù)就是光刻加圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。（）

參考答案:

錯(cuò)第一章測(cè)試光學(xué)曝光的目的是把掩模上的圖形成像到（）上。

參考答案:

光刻膠軟接觸通過(guò)調(diào)整（）實(shí)現(xiàn)。

參考答案:

壓力大小接觸式曝光分為（）。

參考答案:

硬接觸;軟接觸分辨率就是能夠清晰分辨出間隔很近的特征圖形的能力。（）

參考答案:

對(duì)正膠在感光時(shí)，使聚合物發(fā)生交聯(lián)。（）

參考答案:

錯(cuò)第二章測(cè)試先進(jìn)的電子束曝光機(jī)主要適用于（）以下的超微細(xì)加工。

參考答案:

0.5微米電子束曝光的曝光效率（）光學(xué)曝光。

參考答案:

遠(yuǎn)小于電子槍包括發(fā)射電子的陰極和對(duì)發(fā)射電子聚束的電子透鏡。（）

參考答案:

對(duì)光柵掃描是對(duì)整個(gè)曝光場(chǎng)掃描，但電子束曝光快門只在曝光圖形部分打開。（）

參考答案:

對(duì)曝光平面電子束斑包含各種像差，（）為主要像差。

參考答案:

球差;色差第三章測(cè)試離子源按工作原理可分為（）。

參考答案:

氣體放電型離子源;電子轟擊型離子源;場(chǎng)致電離型離子源;液態(tài)金屬離子源聚焦離子束系統(tǒng)的聚焦系統(tǒng)與電子束系統(tǒng)大致相同。（）

參考答案:

對(duì)聚焦離子束系統(tǒng)存在空間電荷效應(yīng)，可利用較小的發(fā)射電流來(lái)比避免該問(wèn)題。（）

參考答案:

對(duì)LMIS穩(wěn)定發(fā)射的關(guān)鍵是液態(tài)金屬與鎢絲的良好浸潤(rùn)。（）

參考答案:

對(duì)垂直入射的離子可以獲得最大的離子濺射產(chǎn)額。（）

參考答案:

錯(cuò)第四章測(cè)試掃描探針顯微鏡工作模式包括（）。

參考答案:

恒定電流模式;恒定間距模式STM通過(guò)（）對(duì)抗蝕劑曝光。

參考答案:

場(chǎng)致發(fā)射電子蘸筆納米探針加工受（）等因素影響。

參考答案:

表面晶粒尺寸;環(huán)境濕度;表面化學(xué)吸附性;探針駐留時(shí)間當(dāng)AFM以STM方式工作時(shí)，也可以用AFM實(shí)現(xiàn)對(duì)抗蝕劑的曝光。（）

參考答案:

對(duì)與STM相比，用AFM進(jìn)行掃描探針局部氧化加工更合適。（）

參考答案:

對(duì)第五章測(cè)試熱壓納米壓印技術(shù)工藝流程為（）。

參考答案:

反應(yīng)離子刻蝕去殘膠;脫模;壓印便于脫模，最易實(shí)施的方法是（）。

參考答案:

模板內(nèi)涂鍍高抗粘連的材料納米壓印包括陽(yáng)模壓印和陰模壓印，陰模壓印相對(duì)容易。（）

參考答案:

錯(cuò)正坡度印模結(jié)構(gòu)最適于脫模，零坡度視印模側(cè)壁的表面粗糙度而定。（）

參考答案:

對(duì)紫外光固化納米壓印一般采用透明的印模。（）

參考答案:

對(duì)第六章測(cè)試圖形轉(zhuǎn)移分為（）。

參考答案:

沉積法圖形轉(zhuǎn)移;刻蝕法圖形轉(zhuǎn)移薄膜沉積方法有（）等。

參考答案:

分子束外延;物理氣相沉積;化學(xué)氣相沉積溶脫剝離是薄膜沉積方法的目的之一。（）

參考答案:

對(duì)濺射法成膜質(zhì)量好，而且襯底溫升較低，但方向性不如熱蒸發(fā)沉積。（）

參考答案:

對(duì)沉積合金薄膜時(shí)，濺射法更優(yōu)于熱蒸發(fā)法。（）

參考答案:

對(duì)第七章測(cè)試濕法腐蝕二氧化硅的特點(diǎn)是（）。

參考答案:

各向同性反應(yīng)離子刻蝕是離子轟擊輔助的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，其主要過(guò)程可以概括為（）。

參考答案:

物理濺射;離子反應(yīng);產(chǎn)生自由基;自由基反應(yīng)傳統(tǒng)機(jī)械加工中的噴粉工藝一般噴的是（）粉末。

參考答案:

氧化鋁與等離子體刻蝕不同，離子濺射刻蝕方法中等離子體產(chǎn)生區(qū)和樣品刻蝕區(qū)是分開的。（）

參考答案:

對(duì)飛秒激光加工是熱加工。（）

參考答案:

錯(cuò)第八章測(cè)試側(cè)壁沉積法獲得側(cè)壁時(shí)用到了（）

參考答案:

熱氧化或CVD沉積薄膜;刻蝕清除頂部和底部的二氧化硅;光刻和刻蝕制作支撐結(jié)構(gòu)氧化削尖工藝依賴于氫氟酸能腐蝕（）而不能腐蝕（）。

參考答案:

二氧化硅，硅垂直抽減法制作納米通道和氧化橫向抽減法的氧化削尖都用到了熱氧化的工藝。（）

參考答案:

對(duì)橫向添加法用來(lái)獲得窄間隙結(jié)構(gòu)，橫向抽減法用來(lái)獲得窄線條結(jié)構(gòu)。（）

參考答案:

對(duì)側(cè)壁沉積法中，沉積時(shí)應(yīng)選擇各向同性沉積，而刻蝕時(shí)應(yīng)選擇方向性好的各向異性刻蝕。（）

參考答案:

對(duì)第九章測(cè)試傳統(tǒng)的平面集成電路加工技術(shù)是（）技術(shù)，分子自組裝是（）技術(shù)。

參考答案:

top-down;bottom-up目前，分子自組裝納米加工的優(yōu)勢(shì)是（）。

參考答案:

組裝結(jié)構(gòu)為分子尺度;低成本下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

參考答案:

自組裝是非自發(fā)的，組裝