第十四章半導(dǎo)體器件

第十四章半導(dǎo)體器件第1頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四本章要求：1.理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕龢O管的電流分配和電流放大作用；2.了解二極管、穩(wěn)壓管和三極管的基本構(gòu)造、工作原理和特性曲線，理解主要參數(shù)的意義；3.會分析含有二極管的電路。第14章半導(dǎo)體器件第2頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四

學(xué)會用工程觀點(diǎn)分析問題，就是根據(jù)實(shí)際情況,對器件的數(shù)學(xué)模型和電路的工作條件進(jìn)行合理的近似,以便用簡便的分析方法獲得具有實(shí)際意義的結(jié)果。

對于元器件，重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和正確使用方法，不要過分追究其內(nèi)部機(jī)理。討論器件的目的在于應(yīng)用。對電路進(jìn)行分析計(jì)算時，只要能滿足技術(shù)指標(biāo),就不要過分追究精確的數(shù)值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。第3頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì),導(dǎo)電能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：當(dāng)受到光照時,導(dǎo)電能力明顯變化(可做成各種光敏元件,如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)

(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。第4頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.1.1本征半導(dǎo)體完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。價電子第5頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四價電子

價電子在獲得一定能量(溫度升高或受光照)后,即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子(帶負(fù)電),同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子在外電場的作用下,空穴吸引相鄰原子的價電子來填補(bǔ)，而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(相當(dāng)于正電荷的移動)?？昭ǖ?頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理

當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時，在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流

(1)自由電子作定向運(yùn)動電子電流

(2)價電子遞補(bǔ)空穴空穴電流注意：

(1)本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少,其導(dǎo)電性能很差；(2)溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈好。所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時,又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。第7頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.1.2N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價元素p+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€電子變?yōu)檎x子在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)(某種元素),形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。

在N

型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。第8頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.1.2N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。摻入三價元素

在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨?fù)離子空穴無論N型或P型半導(dǎo)體都是中性的，對外不顯電性。第9頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?4.2.1

PN結(jié)的形成多子的擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場少子的漂移運(yùn)動濃度差P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體空間電荷區(qū)也稱PN結(jié)擴(kuò)散和漂移這一對相反的運(yùn)動最終達(dá)到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空間電荷區(qū)擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。內(nèi)電場越強(qiáng)，漂移運(yùn)動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。第10頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)加正向電壓(正向偏置)P接正、N接負(fù)內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的擴(kuò)散電流。

PN結(jié)加正向電壓時，PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)變窄外電場IF內(nèi)電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–第11頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四2.PN結(jié)加反向電壓(反向偏置)外電場P接負(fù)、N接正內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+第12頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四PN結(jié)變寬2.PN結(jié)加反向電壓(反向偏置)外電場內(nèi)電場被加強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。IRP接負(fù)、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。–+

PN結(jié)加反向電壓時，PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－第13頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.3二極管14.3.1基本結(jié)構(gòu)(a)點(diǎn)接觸型(b)面接觸型

結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。(c)平面型

用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。第14頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號14.3二極管二極管的結(jié)構(gòu)示意圖第15頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四跳轉(zhuǎn)第16頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.3.2伏安特性硅管0.5V鍺管0.1V反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。正向特性反向特性特點(diǎn)：非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3V死區(qū)電壓PN+–PN–+反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。第17頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.3.3主要參數(shù)1.最大整流電流

IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。3.反向峰值電流IRM指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。第18頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓(正向偏置，陽極接正、陰極接負(fù))時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。2.二極管加反向電壓(反向偏置，陽極接負(fù)、陰極接正)時,二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。第19頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四1.二極管檢波電路

檢波就是將低頻信號從已調(diào)制信號(高頻信號)中取出。電路及信號波形如圖所示。a在電視、廣播及通信中，為使圖像、聲音能遠(yuǎn)距離傳送，需要將這一低頻電信號馱載在高頻信號上，這個過程叫調(diào)制。應(yīng)用舉例第20頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四1.二極管檢波電路

檢波就是將低頻信號從已調(diào)制信號(高頻信號)中取出。電路及信號波形如圖所示。

輸入信號為已調(diào)制信號，由電視機(jī)、收音機(jī)接收后，由檢波二極管D將已調(diào)制信號的負(fù)半周去掉，然后利用電容將高頻信號濾去,留下低頻信號,再經(jīng)放大電路放大，送給負(fù)載顯像管或揚(yáng)聲器，還原成圖像或聲音。應(yīng)用舉例第21頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四2.二極管限幅電路

限幅是指限制電路的輸出幅值。輸入信號的波形經(jīng)限幅后，只有其中一部分傳到輸出，其余部分則被限制而消失。模擬電子技術(shù)中，常用限幅電路來減小和限制某些信號的幅值，以適應(yīng)電路的不同要求，或作為保護(hù)措施。在數(shù)字電路中,常用限幅電路來處理信號波形。限幅電路是用具有非線性特性的器件來實(shí)現(xiàn)的，二極管可用來組成簡單的限幅電路。限幅電路中的二極管一般都工作在大電流范圍，所以可采用二極管的恒壓模型來分析電路的工作原理。第22頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四二極管電路分析原則：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通截止分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負(fù)。若V陽>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導(dǎo)通若V陽<V陰或UD為負(fù)(反向偏置)，二極管截止設(shè)二極管是理想的，正向?qū)〞r二極管相當(dāng)于短路，反向截止時二極管相當(dāng)于斷開。第23頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四電路如圖，求：UABV陽=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導(dǎo)通例1：取B點(diǎn)作參考點(diǎn),斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。在這里，二極管起鉗位作用。

若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V否則,UAB低于－6V一個管壓降,為－6.3Ｖ或－6.7V參考點(diǎn)V陽V陰第24頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四兩個二極管的陰極接在一起取B點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。V1陽=－6V，V2陽=0V，V1陰=V2陰=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1

∴D2優(yōu)先導(dǎo)通，D1截止。若忽略管壓降,二極管可看作短路,

UAB

=0V例2:D1承受反向電壓為－6V流過D2

的電流為求：UABD2起鉗位作用，D1起隔離作用。第25頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四ui>8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路，uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路，uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8V例3：二極管的用途：

整流、檢波、限幅、鉗位、開關(guān)、元件保護(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)?。二極管陰極電位為8V參考點(diǎn)第26頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.4穩(wěn)壓二極管1.符號和外形圖UZIZIZMUZIZ2.伏安特性使用時要加限流電阻O+

–穩(wěn)定電壓UZ最大電流工作電流穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。第27頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四穩(wěn)壓二極管第28頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四3.主要參數(shù)(1)穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。(2)電壓溫度系數(shù)ｕ環(huán)境溫度每變化1C引起穩(wěn)壓值變化的百分?jǐn)?shù)。(3)動態(tài)電阻(4)穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流IZM(5)最大允許耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。第29頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.5雙極型晶體管14.5.1基本結(jié)構(gòu)常見晶體管的外形圖第30頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四第31頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.5晶體管晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號(a)NPN型晶體管；(b)PNP型晶體管第32頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：面積最大第33頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.5.2電流分配和放大原理1.三極管放大的外部條件發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏PNP發(fā)射結(jié)正偏

VB<VE集電結(jié)反偏VC<VB從電位的角度看：

NPN

發(fā)射結(jié)正偏

VB>VE集電結(jié)反偏VC>VB

EBRB第34頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四晶體管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路設(shè)EC=6V，改變可變電阻RB,則基極電流IB、集電極電流IC和發(fā)射極電流IE都發(fā)生變化，測量結(jié)果如下表：2.各電極電流關(guān)系及電流放大作用第35頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四晶體管電流測量數(shù)據(jù)IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05結(jié)論:(1)IE=IB+IC符合基爾霍夫定律(2)IC

IB

，

IC

IE

(3)IC

IB

把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。

實(shí)質(zhì):用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是CCCS器件。第36頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四(a)NPN型晶體管；電流方向和發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的極性(4)要使晶體管起放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向偏置，集電結(jié)必須反向偏置。(b)PNP型晶體管第37頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四3.三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動規(guī)律IEIBEICEICBO發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。

進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE,多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。

基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。第38頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四3.三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動規(guī)律IC=ICE+ICBOICEICIBIB=IBE-ICBOIBEICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)集－射極穿透電流,溫度ICEO(常用公式)若IB=0,則

ICICE0BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO第39頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.5.3

特性曲線即晶體管各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能,是分析放大電路的依據(jù)。研究特性曲線目的：

(1)直觀地分析管子的工作狀態(tài)(2)合理地選擇偏置電路的參數(shù),設(shè)計(jì)性能良好的電路重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線第40頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路測量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線路第41頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四1.

輸入特性特點(diǎn):非線性正常工作時發(fā)射結(jié)電壓：NPN型硅管

UBE0.6~0.7VPNP型鍺管

UBE0.2~0.3V3DG100晶體管的輸入特性曲線死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。第42頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四2.輸出特性共發(fā)射極電路3DG100晶體管的輸出特性曲線在不同的IB下，可得出不同的曲線，所以晶體管的輸出特性曲線是一組曲線。第43頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四2.輸出特性晶體管有三種工作狀態(tài)，因而輸出特性曲線分為三個工作區(qū)3DG100晶體管的輸出特性曲線(1)放大區(qū)發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。IC=IB

,具有恒流特性。對NPN型管：UBE

約為0.7V左右，UCE

>UBE。2.31.5Q2Q1大放區(qū)第44頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四(2)截止區(qū)IB=0的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。IB=0時,IC=ICEO(很小)

發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置。若忽略ICEO：IC0,UCEUCC對于硅管,ICEO<1A對于鍺管,ICEO約為幾十1A~幾百A截止區(qū)第45頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四(3)飽和區(qū)

在飽和區(qū)，IBIC，

深度飽和時，硅管UCES0.3V，

鍺管UCES0.1V。

IC

UCC/RC。發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置，晶體管工作于飽和狀態(tài)。跳轉(zhuǎn)在模擬放大電路中，晶體管工作在放大狀態(tài)。在數(shù)字電路中，晶體管工作在截止或飽和狀態(tài)。飽和區(qū)第46頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四晶體管三種工作狀態(tài)的電壓和電流(a)放大+UBE>0

ICIB+UCE

UBC<0+(b)截止IC0IB=0+UCEUCC

UBC<0++UBE

0

(c)飽和+UBE>

0

IB+UCE0

UBC>0+當(dāng)晶體管飽和時，UCE

0，發(fā)射極與集電極之間如同一個開關(guān)的接通，其間電阻很??；當(dāng)晶體管截止時，IC

0，發(fā)射極與集電極之間如同一個開關(guān)的斷開，其間電阻很大，可見，晶體管除了有放大作用外，還有開關(guān)作用。第47頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四

0

0.10.5

0.1

0.6~0.70.2~0.3

0.30.1

0.7

0.3硅管(NPN)鍺管(PNP)可靠截止開始截止

UBE/V

UBE/VUCE/VUBE/V

截止

放大

飽和

工作狀態(tài)

管型晶體管結(jié)電壓的典型值第48頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四例1:在下圖電路中，UCC=6V，RC=3k，RB=10k,

=25，當(dāng)輸入電壓Ui分別為3V，1V和1V時，試問晶體管處于何種工作狀態(tài)？解:晶體管飽和時的集電極電流近似為晶體管剛飽和時的基極電流為(1)當(dāng)Ui=3V時，晶體管已處于深度飽和狀態(tài)。第49頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四例1:在下圖電路中，UCC=6V，RC=3k，RB=10k，

=25，當(dāng)輸入電壓Ui分別為3V，1V和1V時，試問晶體管處于何種工作狀態(tài)？解:晶體管飽和時的集電極電流近似為晶體管剛飽和時的基極電流為(2)當(dāng)Ui=1V時，晶體管處于放大狀態(tài)。(3)當(dāng)Ui=-1V時，晶體管可靠截止。

第50頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四14.5.4

主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)，直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時，注意：和

的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICE0較小的情況下，兩者數(shù)值接近。常用晶體管的

值在20~200之間。由于晶體管的輸出特性曲線是非線性的，只有在特性曲線的近于水平部分，IC隨IB成正比變化,值才可認(rèn)為是基本恒定的。表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。第51頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四例：在UCE=6V時，在Q1點(diǎn)IB=40A,IC=1.5mA；在Q2點(diǎn)IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：=。在Q1點(diǎn)，有由Q1和Q2點(diǎn)，得第52頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四2.集-基極反向截止電流ICBO

ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動所形成的電流，受溫度的影響大。溫度ICBOICBO3.集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEOAICEOIB=0+–

ICEO受溫度影響大。溫度ICEO，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。A+–EC第53頁，共61頁，2023年，2月20日，星期四4.集電極最大允許電流ICM5.集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO集電極電流IC上升會導(dǎo)致三極管的值的下降,當(dāng)值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。當(dāng)集—射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓