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二極管的結構——實質(zhì)為一個PNif)SiI(eS

(常溫下UT 硅鍺幾十 uuuiIi

iI

真正導通；當uD0.6V以后，正向電流急劇硅鍺幾十工程估算：Si二極管導通電壓取 反向電流IR 本小結 問題：已知、求ID

IDIe

EE

12123

K -當 K -當uD 解：因D正偏，二極管導通

- - 當uD 時，K斷開；二極管截止，DON”U U

EUon -當uD Dd當uD ；二極管截止，D接上例：“D為折線近似模型截止D0，對理想二極管 對恒壓源模型二極管

對理想二極管 on（將D從電路中斷開（假定截止），求出D（陽—陰極=5V>0

R

11 1

V 50 假設圖中假設圖中D為SiD=5V>0.7V 12VON)5

（1）將D1、D2D1=12，D2=12+4=16V 所以D2優(yōu)先1 （1）將D1、D2D1=10V，D2=20V

I B

U

C

UB

10UB

U 1

EDEDID dd———即二極管的小信號模

UDu u r

dDidi

I

Q

rrdIDrdID例1.2：圖中D為Si二極管，

EDED u

定Q。u(t)=0，電容開路畫法：令直流=0，電容短路ED ED(t2sinπ×10(mV))解：（1）u(t)=0V時，畫出直流D=(3-d=T/D(mA)26mV/D(mA)=(t/d0.585sinπ×10(mA)C (C)1C

ii

1

i ，由D的 E 60.71.039mRDR V

5.1

d 1

V24.8852.49 RR

25 0.70.7vo(t)vi—— )t二極管的應用——試畫出ovovi

ovo o

i)i)

vo(t) 穩(wěn)壓管是利用PN 穩(wěn)定電壓最大功耗ZM＝IZMz＝ΔZ ）工作條件： I Imin當發(fā)生變化時：Lmin

ImaxLmaz z

VzImaxImaxIRRIminIRL Imax z I

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