模電配套4 12放大狀態(tài)下BJT的工作原理_第1頁
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BJT的結(jié)放大狀態(tài)下BJTBJT的V-I特性BJT的主4.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(a)小功率 (b)小功率 (c)大功率 率 BJT的結(jié)構(gòu)簡 BJT的結(jié)構(gòu)簡發(fā)射 集電

集電極，用C或表示發(fā)射極，用E或表示基

集電結(jié)發(fā)射結(jié)

三極管

基極，用B或表示 BJT的結(jié)構(gòu)簡結(jié)構(gòu) 管芯結(jié)構(gòu)剖面示意 放大狀態(tài)下BJT的工外部條件：IE=IB+IC=InC+

極型三極管或BJT(Bipolar Transistor)。載流子的傳輸根據(jù)傳輸過程

IE=IB+

IC=InC+設(shè)傳輸?shù)郊姌O的發(fā)射極注入即通常IC則有為電流放大系數(shù)。它為電流放大系數(shù)。它關(guān)。一般=0.90.99。載流子的傳輸過又 1I=I

I= +

EI且令I(lǐng)CEO=(1+)ICBO 電流I

ICEO

IC

時，I 是另一個電流放大系數(shù)。同樣，它也只與管一般>>1。 BJT的三種組 IEIEecICb++-IOBB-vI

共基極放大使iE1

當(dāng)0.98時iCiE=-0.98mAvOiCRL0.98電壓放大倍

vO0.98VV V4IC+IBb+cIC+IBb+c+e---IIE共射極放大則iC 1 vO=-iC?RL=-0.98電壓放大

vO0.98VVvI V放大狀態(tài)下BJT的工 BJT的V－I特性曲 （以共射極放大電路為例iB=f(vBE)當(dāng)vCE=0V時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲當(dāng)vCE≥1V時，vCB=vCE-vBE>0，集電結(jié)已進入反偏狀vCE=集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vBE下IB減小，特vCE=vCEvCE=vCEiBb+c-eV共射極放大BJT的V－I特性曲BJT的V－I特性曲iC=f(vCE)飽和區(qū)：i飽和區(qū)：iC明顯受vCE控制的區(qū)(硅管)。此時，發(fā)射結(jié)正偏，截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)BJT的主要參共發(fā)射極直流電流放大系 =（IC－ICEO）/IB≈IC/IB

BJT的主要參1共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)BJT的主要參1α=IC/IEVCB=const

≈，可以4.1.4BJT的主要參--+bce4.1.4BJT的主要參2. ICEO=（1+

c e

-+ICEO也稱為集

4.1.4BJT的主要參集電極最大允許功率損耗PCM=4.1.

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