精選模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)完整3講義

（優(yōu)選）模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)完整版31104課件目前一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)特別提醒本課程5學(xué)分成績(jī)考試80分平時(shí)20分1、本周四確定座位表,以后每位同學(xué)按自己的座位入坐,若座位無(wú)人按缺席處理,缺席一次平時(shí)成績(jī)扣一分，缺席過(guò)多按校規(guī)處理。如有重課請(qǐng)盡早到學(xué)院辦理重課單。2、每周一交作業(yè)本，缺交或所做的作業(yè)量小于應(yīng)做作業(yè)量的50%的、有明顯作業(yè)抄襲的則平時(shí)成績(jī)每次扣一分。3、每周四課后答疑。目前二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)緒論一主要內(nèi)容

1

電子器件二極管器件的特性、管子晶體管參數(shù)、等效電路場(chǎng)效應(yīng)管（熟悉）

差分對(duì)管組件集成電路目前三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)緒論

2

、

電子電路晶體管放大器電路組成，放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大器工作原理，集成運(yùn)算放大器性能特性，功率放大器基本分析方法負(fù)反饋在放大電路中的應(yīng)用工程計(jì)算方法放大器的頻率響應(yīng)

目前四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)緒論二電子電路的應(yīng)用自動(dòng)控制計(jì)算機(jī)通信文化娛樂(lè)醫(yī)療儀器家用電器三要求

了解器件的內(nèi)部工作原理掌握器件的應(yīng)用特性（外特性）掌握各單元電路的工作原理及分析方法掌握實(shí)際技能及各種測(cè)試方法目前五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)四學(xué)習(xí)方法

1合理近似

例：I=20/（1+0.9）

=10.5mA

若把1K//10K=1K

則I=20/2K=10mA

僅差5%而采用一般電阻元件其誤差有10%

即1K的元件可能是1.1K?或900?2重視實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)堅(jiān)持理論聯(lián)系實(shí)際緒論+20v-1K1k10k0.9k目前六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)緒論五參考書(shū)

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)教程浙大鄧漢馨模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華童詩(shī)白電子技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科大孫肖子模擬電子技術(shù)北京理工王遠(yuǎn)模擬電子線路(I)謝源清return目前七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章§1.1PN結(jié)及晶體二極管總結(jié)§1.2晶體三極管半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）return目前八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)半導(dǎo)體器件第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

自然界中物質(zhì)按其導(dǎo)電能力可分為

導(dǎo)體:很容易傳導(dǎo)電流的物質(zhì)（銅鉛）絕緣體:幾乎不能傳導(dǎo)電流

(橡皮陶瓷石英塑料)半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間

(硅鍺)(本征雜質(zhì))(都是4階元素)目前九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

一本征半導(dǎo)體:-----純凈的半導(dǎo)體共價(jià)鍵

在本征半導(dǎo)體晶體中，原子有序排列構(gòu)成空間點(diǎn)陣（晶格），外層電子為相鄰原子共有，形成共價(jià)鍵

在絕對(duì)零度(-273.16)時(shí)晶體中沒(méi)有自由電子,所有價(jià)電子都被束縛在共價(jià)鍵中.所以半導(dǎo)體不能導(dǎo)電價(jià)電子共價(jià)鍵半導(dǎo)體器件目前十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

電子—空穴對(duì)

當(dāng)T或光線照射下,少數(shù)價(jià)電子因熱激發(fā)而獲得足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子.同時(shí)在原來(lái)的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位稱空穴本征半導(dǎo)體在熱或光照射作用下,

產(chǎn)生電子空穴對(duì)-----本征激發(fā)

T↑光照↑→電子-空穴對(duì)↑→導(dǎo)電能力↑所以半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力與T，光照有關(guān)在本征半導(dǎo)體中電子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的半導(dǎo)體器件目前十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)本征半導(dǎo)體(純凈半導(dǎo)體)SiGe+32+14慣性核價(jià)電子+4目前十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

電子電流電子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)產(chǎn)生的電流

<帶負(fù)電荷>x3→x2

→x1

空穴電流空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流<帶正電荷>x1→x2→x3

激發(fā)束縛電子獲能量成為自由電子和空穴自由電子濃度=空穴濃度電子和空穴稱為載流子半導(dǎo)體器件目前十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

復(fù)合運(yùn)動(dòng)中的自由電子如果“跳進(jìn)”空穴.重新被共價(jià)鍵束縛起來(lái),電子空穴對(duì)消失稱復(fù)合復(fù)合在一定溫度下,

使半導(dǎo)體中載流子濃度一定半導(dǎo)體器件目前十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4共價(jià)健特點(diǎn)電子、空穴兩種載流子成對(duì)出現(xiàn)；常溫下載流子數(shù)量少，導(dǎo)電性差；受外界影響大。電子空穴目前十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

二雜質(zhì)半導(dǎo)體-在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)使其導(dǎo)電能力產(chǎn)生明顯變化N型半導(dǎo)體-摻入微量的五價(jià)元素(磷砷銻)由于雜質(zhì)原子提供自由電子---稱施主原子

N型雜質(zhì)半導(dǎo)體中電子濃度比同一溫度下本征半導(dǎo)體的電子濃度大得多所以加深了導(dǎo)電能力多子――電子少子――空穴半導(dǎo)體器件目前十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第一章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)

P型半導(dǎo)體

—

摻入微量的三價(jià)元素（硼鋁）由于雜質(zhì)原子吸收電子——受主原子多子——空穴少子——電子雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子濃度由摻雜濃度決定少子濃度由溫度決定

P型雜質(zhì)半導(dǎo)體中空穴濃度比同一溫度下本征半導(dǎo)體的空穴濃度大得多所以加深了導(dǎo)電能力半導(dǎo)體器件return目前十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)雜質(zhì)半導(dǎo)體摻入五價(jià)元素?fù)饺肴齼r(jià)元素+5+4+4+4+4+3+4+4+4+4+-N型半導(dǎo)體多子—電子少子—空穴P型半導(dǎo)體多子—空穴少子—電子目前十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管

在一塊硅片上，用不同的摻雜工藝。使其一邊形成N型半導(dǎo)體。另一邊形成P型半導(dǎo)體則在其交界面附近形成了PN結(jié)。一PN結(jié)的形成1.空間電荷區(qū)

P型N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面兩測(cè)多子與少子濃度不同引起擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

（濃度差引起）

目前十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)PN結(jié)++++++++++++++++++++P型N型擴(kuò)散電流--------------------漂移電流濃度差電場(chǎng)作用內(nèi)電場(chǎng)目前二十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管

所以

在交面附近形成了不能移動(dòng)的帶電離子組成的空間電荷區(qū)P區(qū)空穴→N區(qū)與電子復(fù)合在N區(qū)留下帶正電荷的離子N區(qū)電子→P型與空穴結(jié)合在P區(qū)留下帶負(fù)電荷的離子

空間電荷區(qū)形成一個(gè)由N指向P的電場(chǎng)——

內(nèi)電場(chǎng)平衡后的PN結(jié)目前二十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管擴(kuò)散使空間電荷區(qū)加寬。內(nèi)電場(chǎng)加深，而內(nèi)電場(chǎng)阻止擴(kuò)散進(jìn)行

漂移運(yùn)動(dòng)（內(nèi)電場(chǎng)引起）

促使P區(qū)電子→NN區(qū)空穴→P引起

內(nèi)電場(chǎng)增加，擴(kuò)散減弱，漂移增加。最后漂移==擴(kuò)散動(dòng)態(tài)平衡通過(guò)PN結(jié)之間電流為零目前二十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管2.對(duì)稱結(jié)與不對(duì)稱結(jié)∵空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子∴又稱耗盡層∴當(dāng)N與P區(qū)雜質(zhì)濃度相同時(shí)，耗盡層在兩個(gè)區(qū)內(nèi)的寬度也相等—

對(duì)稱結(jié)否則雜質(zhì)濃度較高的一側(cè)耗盡層寬度小于低的一側(cè)——不對(duì)稱結(jié)

P+N結(jié)PN＋結(jié)∵耗盡層中正負(fù)電荷量相等圖1-8不對(duì)稱PN結(jié)目前二十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管二

PN結(jié)的特征——單向?qū)щ娦?/p>

1.正向特征—又稱PN結(jié)正向偏置

外電場(chǎng)作用下多子推向耗盡層，使耗盡層變窄，內(nèi)電場(chǎng)削弱擴(kuò)散>漂移從而在外電路中出現(xiàn)了一個(gè)較大的電流稱正向電流

VbV目前二十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管

在正常工作范圍內(nèi)，PN結(jié)上外加電壓只要有變化，就能引起電流的顯著變化。∴I

隨V急劇上升，PN結(jié)為一個(gè)很小的電阻（正向電阻?。?/p>

在外電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，使P區(qū)中的空穴和N區(qū)中的電子都向PN結(jié)移動(dòng)，使耗盡層變窄

目前二十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管1.PN結(jié)的反向特性—

外電場(chǎng)使耗盡層變寬使漂移（少子）>擴(kuò)散（多子）∴回路中的反向電流I’非常微弱一般Si為nA級(jí)

Ge為uA級(jí)又∵少子是本征激發(fā)產(chǎn)生∴管子制成后其數(shù)值與溫度有關(guān)

T↑→I’↑

目前二十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管

反向電流不僅很小，而且當(dāng)外加電壓超過(guò)零點(diǎn)幾伏后，∵少子供應(yīng)有限，它基本不隨外加電壓的增加而增加?！喾Q為反向飽和電流

∵反偏時(shí)電壓變化很大，而電流增加極微∴PN結(jié)等效為一大電阻（反向電阻大）

PN結(jié)這種只允許一個(gè)方向電流順利通過(guò)的特性

——

單向?qū)щ娦阅壳岸唔?yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)2023/5/12PN結(jié)兩端加電壓P接“+”N接“-”正向偏置I(mA)U(V)P接“-”N接“+”反向偏置---+++PNE擊穿單向?qū)щ娦訮N結(jié)目前二十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管3.PN結(jié)伏安特性表示式

Is

——

反向飽和電流決定于PN結(jié)的材料，制造工藝、溫度UT=kT/q----溫度的電壓當(dāng)量或熱電壓當(dāng)T=300K時(shí),UT=26mV

K—波耳茲曼常數(shù)T—絕對(duì)溫度 q—電子電荷u—外加電壓U為反向時(shí)，且

目前二十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管U正偏時(shí),V>VT

∴I=IseU/UT

實(shí)際特性在I較大時(shí)與指數(shù)特性有一定差異∵在上面討論忽略了引出線的接觸電阻，P區(qū)N區(qū)的體電阻及表面漏電流影響導(dǎo)通電壓--正向電流有明顯數(shù)值時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓∵正向電壓較小時(shí),不足影響內(nèi)電場(chǎng)∴載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)尚未明顯增加正向電流→0IGeSi導(dǎo)通電壓死區(qū)電壓閥植電壓UGe0.2-0.3V0.2VSi0.6-0.8V0.7V目前三十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管三溫度對(duì)伏安特性影響T↑—正向特性左移反向電流明顯增大，T每升高10攝氏度Is增加一倍V(BR)IUTT當(dāng)T↑到一定程度時(shí)，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度超過(guò)原來(lái)雜質(zhì)電離產(chǎn)生的多子濃度，雜質(zhì)半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體一樣，PN結(jié)不再存在關(guān)系式:IS1IS2目前三十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)

當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí),在一定范圍內(nèi)的反向電壓作用下,流過(guò)PN結(jié)的電流是很小的反向飽和電流,但當(dāng)反向電壓超過(guò)某一數(shù)值后,反向電流會(huì)急劇增加稱PN結(jié)的擊穿把反向電流開(kāi)始明顯增大時(shí)所對(duì)應(yīng)的反向電壓稱擊穿電壓V(BR)§1.1PN結(jié)及二極管

為保證PN結(jié)正常工作。它的工作溫度不能太高，溫度的限制與摻雜濃度有關(guān)，摻雜越大，最高工作溫度越高三PN結(jié)的擊穿

目前三十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管雪崩擊穿—輕摻雜摻雜越低擊穿電壓越大PN結(jié)一旦擊穿后,可認(rèn)為反向電壓幾乎不變近似為V(BR)擊穿齊納擊穿—重?fù)诫s摻雜越高擊穿電壓越低V(BR)>7V以上擊穿(Si)V(BR)<5V以下?lián)舸?Si)

只要限制擊穿時(shí)的電流，擊穿并不損壞PN結(jié)擊穿會(huì)損壞PN結(jié)目前三十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管四PN結(jié)電容

勢(shì)壘電容

--由PN結(jié)反向偏置時(shí)引起外加反向電壓結(jié)電容可通過(guò)外加反向偏壓來(lái)控制，利用這一特性可制成變?nèi)荻O管擴(kuò)散電容

--由PN結(jié)正向偏置時(shí)引起外加正向電壓正向PN結(jié)的結(jié)電容以擴(kuò)散電容為主PN結(jié)的結(jié)電容是兩者之和目前三十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管

晶體二極管是由PN結(jié)加上電極引線和管殼構(gòu)成的，其結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)分別如下PN+－＋－結(jié)構(gòu)示意圖電路符號(hào)特性：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦晕宥O管特性曲線正向：當(dāng)電壓加到UD(ON)以上，才有明顯正向電流。

UD(ON)稱死區(qū)（導(dǎo)通）電壓

反向：電流很小擊穿與溫度特性同PN結(jié)目前三十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管六二極管的主要參數(shù)1.（靜態(tài)）直流電阻

Q—

二極管的工作點(diǎn)UD—二極管二端電壓反偏時(shí)符號(hào)為UDR

ID——流過(guò)二極管電流2.（動(dòng)態(tài)）交流電阻

≈U/I

rD≈室溫下T=300KUD

ID

Qiuiu目前三十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管二極管交直流電阻都與工作點(diǎn)有關(guān)且同一點(diǎn)的交、直流電阻也不相同rD

正向約為幾-幾十反向幾十K-幾M

正反向電阻相差越大單向?qū)щ娦栽胶每梢?jiàn)二極管的交、直流電阻是兩個(gè)不同的概念,且等效電阻與電壓、電流之間的關(guān)系是非線性的3.最大整流電流IF

允許流過(guò)的最大正向平均電流應(yīng)用時(shí)不能超過(guò)此值目前三十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管4.最大反向工作電壓URM

允許加的最大反向電壓，超過(guò)此值容易反向擊穿應(yīng)用時(shí)取URM的一半5.反向電流IR二極管反向擊穿前的電流

越小越好IR與溫度有關(guān)6.最高工作頻率fH

決定于Cj工作頻率高時(shí)因Cj的作用二極管單向?qū)щ娦宰儔哪壳叭隧?yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.1PN結(jié)及二極管七二極管模型(等效電路)理想時(shí)正向偏置時(shí)管壓降為零V=0(短路)反向偏置時(shí)管電流為零I=0(開(kāi)路)非理想時(shí)有UD(ON),I(很小)目前三十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.2晶體三極管

把兩個(gè)PN結(jié)做在一起,這兩個(gè)互有影響的PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件稱晶體管

它有三個(gè)引出電極習(xí)慣又稱晶體三極管特點(diǎn)：具有正向受控性（即Ic受VBE的正向控制）目前四十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)一.晶體管中載流子的傳輸過(guò)程(以NPN為例)要使晶體管有放大作用ee結(jié)加正向偏置c結(jié)加反向偏置則晶體管的放大作用是通過(guò)載流子的傳輸體現(xiàn)出來(lái)的EBC各區(qū)作用E區(qū):向基極(擴(kuò)散)注入電子形成電流IENB區(qū)向E區(qū)注入空穴形成電流IEP∵發(fā)射區(qū)摻雜濃

∴

IEN>>IEP

IE≈IEN=IBN+ICN

§1.2晶體三極管

目前四十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)B區(qū)：傳遞和控制電子復(fù)合產(chǎn)生的電流IBNIB=IBN－ICBO（擴(kuò)散）（復(fù)合）∴被復(fù)合的電子數(shù)極少,大部分都擴(kuò)散到c結(jié)邊沿∵基區(qū)很薄空穴濃度低C區(qū)：收集電子ICN（漂移）IC=ICN＋I(xiàn)CBO（反向飽和電流）集電區(qū)和基區(qū)的少子在ｃ結(jié)反向電壓作用下漂移到對(duì)方形成ICBO過(guò)程：注入擴(kuò)散復(fù)合收集§1.2晶體三極管

目前四十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)二.電流分配關(guān)系

根據(jù)輸入輸出回路的公共端不同，可組成三種組態(tài).

無(wú)論哪種接法為保證正向受控作用須使發(fā)射結(jié)正偏、集電極反偏

且滿足

IE=IB+IC外接電路使發(fā)射結(jié)正偏、集電極反偏外因：內(nèi)因：提高傳輸效率的條件：1）制成不對(duì)稱結(jié)P+NP或N+PN2）基區(qū)薄3）增加集電結(jié)面積§1.2晶體三極管

目前四十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)三種組態(tài)共基極共集電極共發(fā)射極注意發(fā)射極即能做輸入端又能做輸出端基極只能做輸入端不能做輸出端

集電極只能做輸出端不能做輸入端§1.2晶體三極管

目前四十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)電流分配關(guān)系

定義共基極直流電流放大系數(shù)∴IC=IE+ICBO≈IE

定義共e極直流電流放大系數(shù)ICEO=(1+)ICBO

ICEO穿透電流ICBO反向飽和電流IB=IBN－ICBO=IE－IC

=（1－）IE－ICBO≈（1－）IE

IE=IC+IB

IC=ICN＋I(xiàn)CBO=IB+(1+)ICBO

≈IB

IE≈IEN=IBN+ICN=(1+)IB＋(1+)ICBO≈(1+)IB

§1.2晶體三極管

目前四十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)由于都反映了管中基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合的關(guān)系由定義可得：總結(jié)：IC≈IE

IE≈(1+)IB

IC≈IB

IB≈（1－）IEIE=IC+IB§1.2晶體三極管

目前四十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)一.共射極特性1.共射極輸入特性曲線—以為參量，與的關(guān)系

特點(diǎn)：類似二極管特性，但并非是e結(jié)特性，因e結(jié)與c結(jié)是相關(guān)的即受控制的SiUBE:0.6－0.8V0.7V

GeUBE:0.1－0.3V0.2V§1.2晶體三極管

目前四十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)2.共射極輸出特性曲線－以為參量時(shí)與的關(guān)系

輸出特性劃分為三個(gè)區(qū)域放大區(qū)——發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏的工作區(qū)

對(duì)有很強(qiáng)的控制作用，反映在共射極交流放大系數(shù)β上定義β=iB=－ICBOVCE=VBE飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)§1.2晶體三極管

目前四十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)變化對(duì)影響很小飽和區(qū)——發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏

VCE的變化對(duì)Ic影響很大而Ic不隨IB變化僅受VCE控制把VCE=VBE稱臨界飽和飽和時(shí)C.E間電壓稱飽和壓降

用VCES表示(Si管約為0.5V)小功率截止區(qū)——發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反偏

此時(shí)iE=0,iC=ICBO

截止區(qū)即為iB=－ICBO

的那條曲線以下的區(qū)域但小功率管ICBO很小可忽略∴近似以iB=0為其截止條件§1.2晶體三極管

目前四十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)3.溫度對(duì)晶體管特性的影響溫度對(duì)VBE的影響——TVBE

即輸入特性曲線左移溫度對(duì)ICBO的影響——TICBO

即輸出特性曲線上移溫度對(duì)的影響——T

即輸出特性曲線上曲線間距離T對(duì)VBEICBO

的影響反映在集電極電流IC上都使IC§1.2晶體三極管

目前五十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)

二.晶體管的主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)共射直、交流電流放大系數(shù)直流交流共基直、交流電流放大系數(shù)直流交流∵ICBO

ICEO都很小∴在數(shù)值上

≈

≈

§1.2晶體三極管

目前五十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)2.極間反向電流ICBO射極開(kāi)路集一基反向電流集電極反向飽和電流

ICEO基極開(kāi)路集一射反向電流集電極穿透電流

IEBO集電極開(kāi)路射一基反向電流3.結(jié)電容發(fā)射結(jié)電容Cb’e，集電結(jié)電容Cb’c，它們影響晶體管的頻率特性4.極限參數(shù)集電極最大允許功耗PCM

——這參數(shù)決定于管子的溫升。使用時(shí)不能超過(guò)且注意散熱§1.2晶體三極管

目前五十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)由PCM=IC·VCE

在輸出特性上畫(huà)出這一曲線PCMICMU（BR）CEO集電極最大允許電流ICM——引起明顯下降時(shí)的最大集電極電流IC>ICM時(shí)管子不一定會(huì)損壞但明顯下降∴在晶體管線性運(yùn)用時(shí)ic不應(yīng)超過(guò)ICM反向擊穿電壓U(BR)CBO射極開(kāi)路集一基反向擊穿電壓

U(BR)CEO基極開(kāi)路集一射反向擊穿電壓

U(BR)EBO集電極開(kāi)路射一基反向擊穿電壓§1.2晶體三極管

目前五十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管不僅具有一般晶體管體積小，重量輕，耗電省，壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)而且還有輸入阻抗高（可達(dá)1015）、噪音低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。因而應(yīng)用范圍很廣，特別是大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中應(yīng)用很廣

特點(diǎn)：也是一種具有正向受控作用的有源器件晶體管電流控制作用場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制作用目前五十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管晶體管：是由電子和空穴二種載流子運(yùn)動(dòng)形成電流的場(chǎng)效應(yīng)管：是利用改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料的導(dǎo)電能力

場(chǎng)效應(yīng)管（按結(jié)構(gòu)不同）分：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET)N溝道P溝道——MOS管P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道增強(qiáng)型耗盡型目前五十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管（利用半導(dǎo)體內(nèi)電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作的）

在一塊N型半導(dǎo)體材料兩邊擴(kuò)散高濃度P型區(qū)（重?fù)诫s）形成兩個(gè)P+N結(jié)為不對(duì)稱結(jié)（PN摻雜濃度不同）兩個(gè)P中間所夾的N型半導(dǎo)體區(qū)稱為導(dǎo)電溝道N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管箭頭方向?yàn)闁旁碢N結(jié)的正偏方向P溝道一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)目前五十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管一.JFET的結(jié)構(gòu)與工作原理(以N溝道為例)1.VGS對(duì)漏極電流ID的控制作用

對(duì)N溝道JFET，正常工作時(shí)

UGS<0，即柵源之間的PN結(jié)處于反偏狀態(tài).

當(dāng)反偏電壓增大時(shí),

則耗盡區(qū)加寬,并向溝道中擴(kuò)展使溝道區(qū)變窄，溝道電阻加大.

當(dāng)|VGS|加大到一定值時(shí)兩側(cè)的耗盡區(qū)幾乎碰上，導(dǎo)電溝道仿佛被夾斷，

D.S間的電阻將趨于無(wú)窮大目前五十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)|VGS|再增大時(shí)耗盡區(qū)已不再明顯變化但|VGS|過(guò)大會(huì)出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象。這時(shí)的VGS稱為夾斷電壓VGS(OFF)(負(fù)電壓）,既使加有電壓VDS>0，此時(shí)ID=0夾斷狀態(tài)時(shí)ID=0|VGS|P+N結(jié)的耗盡層溝道變窄

（即溝道電阻）（1）改變VGS的大小就可達(dá)到控制溝道寬度的目的，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)溝道電阻的控制作用。（2）當(dāng)加VDS>0的電壓時(shí)ID就隨VGS的變化而變化，從而達(dá)到VGS對(duì)ID的控制作用目前五十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管∵

場(chǎng)效應(yīng)管GS上加反向偏壓，則反向電流很小，若忽略反向電流，

則柵極電流基本為零，∴

控制信號(hào)的能量消耗很小(輸入電阻大)。

但當(dāng)GS上加正向偏壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生柵極電流若不采取限流措施會(huì)燒壞管子使用時(shí)應(yīng)注意+_0VGS<0VDS>0目前五十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管2.UDS對(duì)ID的影響(VGS=0)一般對(duì)N溝道JFET，VDS>0(1)當(dāng)VGS=VDS=0時(shí)靠漏端與靠源端的溝道寬度一樣，即具有均勻的溝道(2)當(dāng)VGS=0而VDS>0時(shí)，

靠漏端的P+N結(jié)的反偏程度>靠源端的P+N結(jié)反偏程度這使溝道兩側(cè)的耗盡區(qū)從源極到漏極逐漸加寬，結(jié)果使溝道逐漸變窄。隨著VDS

溝道不等寬的情況越明顯溝道在漏極附近越來(lái)越窄目前六十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管

當(dāng)VDS增大到VDS=Vp

時(shí)在漏極附近的耗盡區(qū)開(kāi)始靠攏

——

稱預(yù)夾斷在預(yù)夾斷狀態(tài)ID較大為IDSS(3)當(dāng)VDS再時(shí)耗盡區(qū)沿溝道加長(zhǎng)，它們接觸部分——稱夾斷區(qū)

夾斷區(qū)加長(zhǎng)并不意味著ID為零，因?yàn)槿鬒D為零則夾斷區(qū)也不復(fù)存在。夾斷區(qū)的加長(zhǎng)意味著溝道電阻增大，

VDS

繼續(xù)時(shí)，ID趨于不變。此時(shí)的電流稱為漏極飽和電流IDSS目前六十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管

但VDS不能無(wú)限

∵VDS到一定值時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向擊穿現(xiàn)象。

3.VGS<0、VDS>0時(shí)的情況VGS越負(fù)使耗盡區(qū)變寬、導(dǎo)電溝道變窄，VDS越正使耗盡區(qū)和導(dǎo)電溝道進(jìn)一步變得不等寬，(1)同一VDS下，改變VGS使溝道寬度不同，

ID也隨之改變即ID的大小受VGS控制。隨著|VGS|，導(dǎo)電溝道變窄，電阻變大，在同樣VDS作用下，產(chǎn)生的ID|VGS|溝道電阻ID目前六十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管∵VDSVP

即VDS-VP預(yù)夾斷狀態(tài)而又∵VDS=VDG∴器件達(dá)到預(yù)夾斷狀態(tài)的條件是VGDVP

∵VGD=VGS-VDS

∴VDSVGS-VP(2)VGS不同，產(chǎn)生預(yù)夾斷的VDS值也不同。(3)只有當(dāng)VGS=VP時(shí)溝道全部夾斷，此時(shí)ID=0目前六十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管二.N溝道JFET的特性曲線1.轉(zhuǎn)移特性曲線—UDS一定時(shí)，UGS對(duì)iD的控制作用為保證JFET工作在恒流區(qū)要求VDSVGS-VP可用方程描述定義:

漏極飽和電流IDSS

——VGS=0時(shí)iD的值夾斷電壓VP

——

iD=0時(shí)VGS的值

目前六十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管2.輸出特性曲線(1)壓控電阻區(qū)（線性電阻區(qū)，非飽和區(qū)）條件是：VP<VGS<00<VDSVGS-VPUDS=UGS-UGD目前六十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管

在該狀態(tài)時(shí)導(dǎo)電溝道暢通，漏源之間呈線性電阻特性∴又稱線性電阻區(qū)

且該阻值大小與VGS有關(guān)：

VGS越大(越向0電壓逼近)，導(dǎo)電溝道越寬，溝道電阻越小，在相同的VDS值時(shí)，iD越大∴通過(guò)改變VGS的大小可控制漏源之間溝道電阻的大小，因而又稱壓控電阻區(qū)。目前六十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管(2)飽和區(qū)（恒流區(qū)，放大區(qū)）條件是：VP<VGS<0VDS>VGS-VP這時(shí)器件工作于所謂預(yù)夾斷區(qū)，iD主要受VGS控制，與VDS基本無(wú)關(guān)，呈恒流特性，作放大器時(shí)工作于該區(qū)域。目前六十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§1.3場(chǎng)效應(yīng)管(3)截止區(qū)條件是：VDS>0VGSVP這時(shí)漏源之間處于開(kāi)路狀態(tài)iD=0應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路(4)擊穿區(qū)為防器件損壞，工作時(shí)應(yīng)避免進(jìn)入該區(qū)須保證VDS<V(BR)DS

漏源之間的擊穿電壓目前六十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)（利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)）根據(jù)在VGS=0時(shí)漏源間是否存在導(dǎo)電溝道的情況MOSFET分

增強(qiáng)型：當(dāng)VGS=0時(shí)D.S間無(wú)導(dǎo)電溝道，iD=0

耗盡型:當(dāng)VGS=0時(shí)D.S間有導(dǎo)電溝道，iD=0符號(hào)N增N耗NMOS簡(jiǎn)化目前六十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)P耗P增PMOS簡(jiǎn)化一.N溝道增強(qiáng)型MOSFET的特性曲線對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOS管只有VGS>VT

才會(huì)形成導(dǎo)電溝道開(kāi)啟電壓iD=0時(shí)VGS的值

目前七十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)器件達(dá)到預(yù)夾斷的條件為VDSVGS-VT∴對(duì)N增MOS管

VGS>0VDS>0iD++0目前七十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)對(duì)P增MOS管VGS<0VDS<0iD0__對(duì)N耗MOS管VGS可+-0VDS>0

對(duì)P耗MOS管VGS可+-0VDS<0

二.轉(zhuǎn)移特性曲線的比較詳見(jiàn)P24表1-1各類場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性曲線目前七十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)判別：判溝道N溝道VDS>0，P溝道VDS<0耗盡型——當(dāng)VGS=0時(shí)，iD=0夾斷電壓VGS(off)顯然JFET也是耗盡型MOS——

VGS可+-0JFET要求VGS<0N要求VGS>0P(3)增強(qiáng)型——當(dāng)VGS=0時(shí)iD=0對(duì)轉(zhuǎn)移特性：結(jié)型不過(guò)零，過(guò)零是MOS目前七十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)三.場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)1.直流參數(shù)——VT、VP、IDSS

2.交流參數(shù)低頻跨導(dǎo)gm定義對(duì)耗盡型對(duì)增強(qiáng)型∴目前七十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)總結(jié)：本征半導(dǎo)體四價(jià)元素硅、鍺化合物砷化鎵共價(jià)鍵載流子（光、電、熱）P型半導(dǎo)體空穴＞電子多子少子N型半導(dǎo)體電子＞空穴多子少子摻入三價(jià)元素硼鋁銦等摻入五價(jià)元素砷磷銻等濃度差先多子擴(kuò)散電場(chǎng)力后少子漂移

電子空穴動(dòng)態(tài)平衡后形成

PN結(jié)本征激發(fā)目前七十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)總結(jié)：平衡后不存在載流子稱耗盡區(qū)正負(fù)離子形成內(nèi)建電場(chǎng)UB阻擋了擴(kuò)散稱阻擋區(qū)或勢(shì)壘區(qū)PN結(jié)反偏內(nèi)電場(chǎng)增加為PN結(jié)正偏內(nèi)電場(chǎng)下降為多子推離耗盡區(qū)使之變寬利多子擴(kuò)散耗盡區(qū)變窄利少子漂移形成小的IR

小電壓引起大的IF

外加電壓對(duì)結(jié)的調(diào)寬效應(yīng)勢(shì)壘電容CT

擴(kuò)散電容CDPN結(jié)結(jié)電容目前七十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)總結(jié)：PN結(jié)的V-A特性正向特性反向特性u(píng):外加正向電壓=Is:反向飽和電流常溫下：，UBR反向擊穿電壓反向擊穿目前七十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)總結(jié)：

輕摻雜耗盡區(qū)寬

雪崩擊穿

反向電壓使少子加速

撞出區(qū)內(nèi)中性原子的電子

形成新的電子－空穴對(duì)

再加速撞出更多

連鎖反應(yīng)

雪崩現(xiàn)象

反向電流IR激增

重?fù)诫s耗盡區(qū)窄齊納擊穿不大的反向電壓區(qū)內(nèi)中性原子的

引起電子－空穴對(duì)激增反向擊穿電子－空穴對(duì)形成大的耗盡區(qū)電場(chǎng)價(jià)電子拉出鍵反向電流IR激增目前七十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)總結(jié)：硅材料PN結(jié)

雪崩擊穿雪崩加齊納擊穿齊納擊穿Theend.return目前七十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路§2.1晶體二極管電路§2.2晶體三極管放大電路二極管電路例題§2.4場(chǎng)效應(yīng)管放大器范例分析目前八十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路§2.1晶體二極管電路一、二極管的基本應(yīng)用電路1.二極管整流電路

a.半波整流若二極管視為理想，正半周D導(dǎo)通

uo=ui負(fù)半周時(shí)D截止uo=0電路輸入輸出目前八十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路b.全波整流利用四個(gè)二極管構(gòu)成的橋堆可實(shí)現(xiàn)全波整流電路電路堆棧簡(jiǎn)化電路輸入輸出波形§2.1晶體二極管電路目前八十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)當(dāng)時(shí)V導(dǎo)通第二章基本電路2.二極管限幅電路

二極管上限幅電路及波形當(dāng)時(shí),V截止

E、V倒置可得下限幅輸入輸出§2.1晶體二極管電路目前八十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路雙向限幅器輸入、輸出波形上圖是一簡(jiǎn)單雙向限幅電路選擇不同的D，可得不同的限幅電平輸入輸出波形雙向限幅器§2.1晶體二極管電路目前八十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路二穩(wěn)壓二極管及穩(wěn)壓電路利用PN結(jié)反向擊穿時(shí)，具有穩(wěn)壓特性而制作成穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管及其特性曲線穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路§2.1晶體二極管電路目前八十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路特點(diǎn):反向工作(具有穩(wěn)壓作用)

電路中需加限流電阻(防止熱擊穿)1.穩(wěn)壓二極管的參數(shù)穩(wěn)定電壓Uz--流過(guò)二極管電流為規(guī)定值時(shí)穩(wěn)壓管二端的電壓額定功耗Pz--由管子溫升所限穩(wěn)定電流Iz--正常工作時(shí)的參考電流,電流小于其,穩(wěn)定效果差，反之好,但受限制最大電流§2.1晶體二極管電路目前八十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路動(dòng)態(tài)電阻rz--

擊穿特性,工作點(diǎn)上切線斜率之倒數(shù)，工作電流越大其愈小。溫度系數(shù)

--溫度變化1℃時(shí)穩(wěn)定電壓的變化量硅穩(wěn)壓管時(shí)為負(fù)溫系數(shù)（齊納）時(shí)為正溫系數(shù)（雪崩）時(shí)溫度系數(shù)很小而在左右的穩(wěn)壓管有廣泛應(yīng)用∴§2.1晶體二極管電路目前八十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路2.穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路

電路如圖R為限流電阻RL為負(fù)載穩(wěn)壓是指Ui,RL變化時(shí)，Uo保持不變基本不變，需使Iz在IZMIN和IZMAX之間為使§2.1晶體二極管電路目前八十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路考慮Ui在（Uimin，Uimax）內(nèi)

IL在（Ilmin，ILmax）內(nèi)確定限流電阻R的取值范圍所謂電路設(shè)計(jì)時(shí)，Iz最小當(dāng)要使必須即§2.1晶體二極管電路目前八十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)第二章基本電路，Iz最大當(dāng)必須即可見(jiàn)R的取值范圍是在Rmin與Rmax之間若計(jì)算結(jié)果出現(xiàn)說(shuō)明給定條件下Uz已超出了的穩(wěn)壓工作范圍§2.1晶體二極管電路目前九十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)限幅電路例題（輸入波形：幅值為5V的正弦波）2V2VＶｉ＞－２ＶD導(dǎo)通：Vo=－２ＶＶｉ＜－２ＶD截止：Ｖｏ＝ＶｉＶｉ＞２ＶＤ通：Ｖｏ＝－２Ｖ＋ＶｉＶｉ＜２ＶＤ止：Ｖｏ＝０Ｖ目前九十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)限幅電路例題－２ＶＶｉ＞－２ＶＤ導(dǎo)通：Ｖｏ＝Ｖｉ＋２ＶＶｉ＜－２ＶＤ截止：Ｖｏ＝０Ｖ－２ＶＶｉ＞－２ＶＤ通：Ｖｏ＝ＶｉＶｉ＜－２ＶＤ止：Ｖｏ＝－２Ｖ目前九十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)限幅電路例題Ｖｉ＞３Ｖ時(shí)Ｄ１通，Ｄ２止Ｖｏ＝３ＶＶｉ＜－２Ｖ時(shí)Ｄ１止，Ｄ２通Ｖｏ＝－２Ｖ－２Ｖ＜Ｖｉ＜３Ｖ時(shí)Ｄ１止，Ｄ２通Ｖｏ＝Ｖｉ３Ｖ－２Ｖ目前九十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2

三極管放大電路主要功能：不失真地放大電信號(hào)一.基本放大器電路組成及其工作原理(以NPN型共發(fā)射極放大電路為例)輸入回路與輸出回路電流、電壓的關(guān)系大小靜態(tài) 動(dòng)態(tài)結(jié)合大寫(xiě) 小寫(xiě)（瞬時(shí)值）

輸入回路（瞬時(shí)值）輸出回路書(shū)寫(xiě)格式1.電路的組成及各節(jié)點(diǎn)信號(hào)目前九十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2

三極管放大電路習(xí)慣畫(huà)法iBiC目前九十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路晶體管：電路的核心無(wú)件，工作在放大狀態(tài)?？刂颇芰康霓D(zhuǎn)換，將直流供電電源

UCC轉(zhuǎn)換成輸出信號(hào)的能量VBB:

基極直流電源，保證e結(jié)在整個(gè)信號(hào)周期內(nèi)均處于正偏狀態(tài)

(不加VBB時(shí)，NPN管只有在正半周導(dǎo)通而負(fù)半周截止，輸出信號(hào)失真了)RB:(幾十幾百K)基極偏置電阻，防止交流短路。由VBB和RB供給基極一個(gè)合適的基極電流IBQ目前九十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路VCC:集電極直流電源（1.保證C結(jié)處于反向偏置狀態(tài)

2.提供了整個(gè)放大器的能源）

∴放大電路實(shí)質(zhì)上是一種能量轉(zhuǎn)換器作用是將直流能量轉(zhuǎn)化為所需的交流能量RC:

(幾幾十K)集電極電阻將電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓變化，從而獲得電壓放大作用C1,C2:(幾u(yù)f幾十uf)隔斷直流，耦合交流信號(hào)

(1.對(duì)直流相當(dāng)于開(kāi)路2.對(duì)交流相當(dāng)于短路)

目前九十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路2.放大原理及電流電壓波形<1>待放大的信號(hào)須加在b－e回路由公式可知：當(dāng)VBE>VBE(ON)后VBE對(duì)iC有敏感的控制作用而VCE對(duì)iC的影響十分微弱所以待放大的信號(hào)加在b或e極能有效的得到放大，而不能加在c極。目前九十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路<2>須設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)直流工作狀態(tài)：

（靜態(tài)）當(dāng)vi＝0時(shí)電路中各處的電壓電流都是不變的直流對(duì)應(yīng)的電流，電壓為IBQ、ICQ、VCEQ、VBEQ他們代表了輸入輸出特性上的一個(gè)點(diǎn)——習(xí)慣上稱靜態(tài)工作點(diǎn)即Q點(diǎn)交流工作狀態(tài)：（動(dòng)態(tài)）當(dāng)vi≠0時(shí)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置是否合適對(duì)放大器的性能有很大影響即要保證輸出電壓要不失真地放大

目前九十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路如圖若Q點(diǎn)選得很小則產(chǎn)生了截止失真這種由于器件非線性而引起的畸變稱為

——非線性失真為了防止非線性失真，在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)Q點(diǎn)也不能為0而必須有合適的數(shù)值以保證在vi的整個(gè)變化過(guò)程中晶體管始終工作在放大區(qū)

若Q點(diǎn)過(guò)大<飽和>措施是Q點(diǎn)下移使IB變小若Q點(diǎn)過(guò)小<截止>措施是Q點(diǎn)上移使IB變大目前一百頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路<3>放大狀態(tài)下管子的電壓，電流波形晶體管上各端電壓，端電流為直流+交流且交流分量的幅值<

直流分量的幅值，所以在任一時(shí)刻e結(jié)正偏c結(jié)反偏可見(jiàn)放大作用是指輸出交流分量與輸入信號(hào)的關(guān)系，因?yàn)橹挥薪涣鞣至坎拍芊从齿斎胄盘?hào)的變化

vO與vi反相

目前一百零一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路二.放大器的主要性能指標(biāo)對(duì)信號(hào)源而言，放大器相當(dāng)于它的負(fù)載。∴放大器的輸入特性用輸入電阻Ri表示1.放大器的二端口模型對(duì)負(fù)載而言，放大器相當(dāng)于負(fù)載的信號(hào)源。∴放大器的特性用輸出電阻RO和一個(gè)受控電壓源（電流源）來(lái)表示目前一百零二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路<1>放大倍數(shù)或增益

2.主要指標(biāo)定義為放大器輸出量和輸入量之比值根據(jù)二端口模型中輸入量（Ui，Ii）和輸出量（Uo，Io）的不同，有四種不同定義的放大倍數(shù)電壓增益：電流增益：互導(dǎo)增益:互阻增益：目前一百零三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路為方便，Au,Ai有時(shí)用分貝dB來(lái)表示Au,Ai之積稱放大器的功率增益

<2>輸入電阻Ri

——

用來(lái)衡量放大電路對(duì)信號(hào)源的影響

目前一百零四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路

當(dāng)Ri>>Rs時(shí)

Vi＝Vs，Ri越大得到的輸入信號(hào)電壓較大信號(hào)源采用電壓源即輸入電阻越大--信號(hào)源電壓Vs更有效地加到放大器的輸入端

反之（Ri<<Rs）Ri越小得到的輸入信號(hào)電流較大信號(hào)源采用電流源<3>輸出電阻Ro（計(jì)算方法與電路分析一致）——反映放大電路帶負(fù)載能力目前一百零五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路當(dāng)Ro越小則RL變化對(duì)輸出電壓的影響越小Vo＝Vo’

即輸出電壓Vo越穩(wěn)定帶負(fù)載能力強(qiáng)反之，若想在負(fù)載上得到電流較穩(wěn)定則應(yīng)使Ro大<4>非線性失真系數(shù)THD

由于放大管輸入輸出特性的非線性，不可避免地要產(chǎn)生非線性失真，即放大器非線性失真的大小與工作點(diǎn)位置，信號(hào)大小有關(guān)

但如果放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在放大區(qū)且輸入信號(hào)足夠小，則非線性失真系數(shù)將很小目前一百零六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路∴一般只有在大信號(hào)工作時(shí)才考慮非線性失真問(wèn)題非線性失真產(chǎn)生了新的頻率分量<5>頻率失真(線性失真)輸入信號(hào)由許多頻率分量組成，由于放大器對(duì)不同頻率信號(hào)的增益產(chǎn)生不同的放大而造成的失真。(此時(shí)輸出信號(hào)中并未增加新的頻率分量)

目前一百零七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路三.直流工作狀態(tài)的分析--估算法1.固定偏置電路直流通路注意:在直流通路中只有直流分量注意：只有在放大區(qū)才是正確的。目前一百零八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路討論：1)若基極接地或負(fù)電壓，則偏置電流為0。管子截止，此時(shí)VCEQ=Vcc(2)若RB

變小，則IBQICQVCEQ

，

當(dāng)VCEQ<VCES

則放大器工作在飽和狀態(tài)設(shè)當(dāng)時(shí)，則∴ICQ=βIBQ不再成立而Ic最大時(shí)為目前一百零九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路∴當(dāng)時(shí)是飽和,若則仍在放大區(qū)。ICQM為最大飽和電流此電路簡(jiǎn)單，但它的工作點(diǎn)穩(wěn)定性不夠理想。如為此提出各種穩(wěn)定偏置電路2.分壓式偏置電路(提高Q點(diǎn)穩(wěn)定性)直流通路目前一百一十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路當(dāng)I1>>IB

時(shí)有穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用目前一百一十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路*在此電路中RB1,RB2,RE如何選擇？為確保UB固定，則I1>>IBQ

所以RB1,RB2選小些，

但太小時(shí)將增大電源Vcc的損耗，且會(huì)使放大器的輸入電阻減小∴設(shè)計(jì)電路時(shí)使發(fā)射極電阻RE越大,穩(wěn)定性越好，但直流壓降(IEQRE)越大，使VCEQ減小∴一般選目前一百一十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路3.其他偏置電路分析法：a.目前一百一十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路*反之，若式改為則RB對(duì)IE的影響是RE的

倍∴將RB折合到發(fā)射極時(shí)要乘目前一百一十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路b.目前一百一十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路管子截止時(shí)：VCEQ=VCC飽和時(shí)：VCEQ=VCES≈0二.交流通路（在交流通路中只有交流分量）在畫(huà)交流通路時(shí)，電源相當(dāng)于短路即接地電容----隔直通交目前一百一十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)§2.2三極管放大電路目前一百一十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法放大器的分析方法有二種：圖解分析法：形象、直觀，但難以準(zhǔn)確定量分析等效電路法：對(duì)器件建模進(jìn)行電路分析，運(yùn)算簡(jiǎn)便，結(jié)果誤差小一.直流圖解分析法（以共射極放大器為例）由前述方法，估算出IBQ，UCEQ，ICQ。在晶體管的輸出特性上找出二個(gè)特殊的點(diǎn)M（0,UCC/RC）N（UCC,0），用直線連接MN，其斜率為-1/RC稱直流負(fù)載線

目前一百一十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法它和IBQ線的交點(diǎn)Q稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱座標(biāo)值為ICQ

橫座標(biāo)值為UCEO

Ucc/Rc?

M?

NiB=iBQICQUCEOUcc當(dāng)RC不變，RB↓,IBQ↑，Q點(diǎn)沿負(fù)載線上移，極限位置為Q2，對(duì)應(yīng)的橫座標(biāo)值為UCE(sat)，表明靜態(tài)時(shí)晶體管已在飽和狀態(tài)。反之RB↑,IBQ↓，Q點(diǎn)沿負(fù)載線下移至Q1，極限位置N，對(duì)應(yīng)的橫座標(biāo)值為UCC，表示晶體管已工作在截止?fàn)顟B(tài)了。QRB

Q2RBQ1QQ3Q4RCRC目前一百一十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法上述兩種狀態(tài)下晶體管都不能正常放大信號(hào)正確方法是Q點(diǎn)應(yīng)偏置在負(fù)載線的中點(diǎn)當(dāng)IBQ不變時(shí)，RC↑，負(fù)載線斜率變小，Q點(diǎn)移至Q3反之，RC↓，負(fù)載線斜率增大，Q點(diǎn)移至Q4Q點(diǎn)都不在負(fù)載線中點(diǎn)，將影響正常放大這時(shí)應(yīng)重新設(shè)置IBQ值一.交流圖解分析法交流負(fù)載線

--是一條通過(guò)Q點(diǎn)斜率為

-1/RL

'的一條線,其中RL'=Rc/RL目前一百二十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法原因:交直流負(fù)載線必然在Q點(diǎn)相交,因?yàn)樵诰€性工作范圍內(nèi),Vi在變化過(guò)程中一定經(jīng)過(guò)O點(diǎn)即Vi=0,而這一時(shí)刻既是動(dòng)態(tài)過(guò)程中的一個(gè)點(diǎn),

又與靜態(tài)工作情況相符.根據(jù)ΔVce=Δic*RL'

設(shè)Δic為由Q點(diǎn)減小到0,

即Δic=ICQ

∴ΔVce=ICQ*RL'方法:目前一百二十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法三.直流工作點(diǎn)與放大器非線性失真良好設(shè)計(jì)的放大器工作點(diǎn)應(yīng)位于交流負(fù)載線的中點(diǎn)。不然當(dāng)工作點(diǎn)過(guò)低，在信號(hào)負(fù)半周時(shí)會(huì)進(jìn)入截止區(qū)。所以，因受截止失真限制，最大不失真輸出電壓幅度為截止失真目前一百二十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的圖解分析法當(dāng)工作點(diǎn)過(guò)高在信號(hào)正半周時(shí)會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)，因飽和失真限制，最大不失真輸出電壓幅度為飽和失真工作點(diǎn)在負(fù)載線中點(diǎn)時(shí)，上二式是近似相等的工作點(diǎn)不在中點(diǎn)時(shí)，則取小的一個(gè)作為Vom，最大不失真信號(hào)的峰峰值即為該值的兩倍目前一百二十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法一.晶體管交流小信號(hào)模型（共射為例）

應(yīng)用條件：①靜態(tài)工作點(diǎn)選擇恰當(dāng)，晶體管工作在放大區(qū)②輸入信號(hào)較小，非線性失真可忽略1.混合π型電路模型共發(fā)射極晶體管電路模型目前一百二十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法ube對(duì)ib的控制，等效為b-e間交流結(jié)電阻rbe，其值：

ube通過(guò)ib對(duì)ic的控制可等效為一個(gè)流控電流源

目前一百二十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法或直接用一個(gè)壓控電流源來(lái)表示其中跨導(dǎo)——輸出特性上Q點(diǎn)處切線斜率之倒數(shù)，表明了對(duì)的影響

幾百KΩ數(shù)量級(jí)

——輸入特性上Q點(diǎn)處對(duì)的影響

極大，可忽略目前一百二十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法真正的晶體管還有寄生效應(yīng)的影響，它們是三個(gè)摻雜區(qū)的體電阻,其中基區(qū)體電阻因該區(qū)很窄，數(shù)值較大，一般高頻管數(shù)十Ω，低頻管數(shù)百Ω。另二個(gè)較小，可忽略。還有二個(gè)結(jié)的結(jié)電容：發(fā)射結(jié)電容（正偏勢(shì)壘）集電結(jié)電容（反偏擴(kuò)散）低頻工作時(shí)可忽略。

完整的混合π型電路模型（a）高頻時(shí)的電路模型；（b）低頻時(shí)的電路模型

目前一百二十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法2.低頻H參數(shù)電路模型將晶體管視為一個(gè)雙端口回路時(shí)，可將其看成一個(gè)黑匣子，僅根據(jù)其輸入，輸出回路的電流、電壓關(guān)系及黑匣子的參數(shù)來(lái)求解電路。若取iB和uCE為自變量，則輸入輸出回路有函數(shù)在工作點(diǎn)Q處對(duì)上二式取全微分有

目前一百二十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法當(dāng)輸入為正弦量，并用有效值表示上二式為用矩陣式可表示為

共發(fā)射極晶體管H參數(shù)電路模型目前一百二十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法實(shí)用的低頻H參數(shù)電路模型其中：（令Uce=0表示輸出短路；Ib=0表示輸入開(kāi)路）交流輸入電阻反向電壓傳輸系數(shù)目前一百三十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法交流輸出電導(dǎo)H參數(shù)與混合π型電路參數(shù)之關(guān)系為：正向電流放大系數(shù)目前一百三十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法2.共射極放大器的交流等效電路分析法分析步驟有三：L

估算直流工作點(diǎn)l

確定放大器交流通路(晶體管用小信號(hào)交流模型表示)

根據(jù)交流等效電路計(jì)算放大器的各項(xiàng)交流指標(biāo)目前一百三十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法目前一百三十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法目前一百三十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法

輸入交流電壓Ui=Ibrbe

輸出交流電壓U0=－Ic(Rc//RL)=－βIb(RC//RL)交流性能1).電壓增益Au電壓放大倍數(shù)式中2).輸入電阻放大器的輸入電阻:目前一百三十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法晶體管的輸入電阻：3).輸出電阻：4).源電壓放大倍數(shù)：原因：Ui是信號(hào)源內(nèi)阻與放大器輸入電阻分壓的結(jié)果當(dāng)Ri>>Rs時(shí)Aus≈Au

目前一百三十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法3.接有Re的共發(fā)電路小信號(hào)交流等效電路交流分析:目前一百三十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法討論:1.直流工作點(diǎn)對(duì)放大器性能的影響，是通過(guò)ICQ,rbe起作用的。所以，當(dāng)Q點(diǎn)過(guò)低使管子到截止區(qū)時(shí)，可調(diào)節(jié)RB2

,脫離截止區(qū)即當(dāng)調(diào)節(jié)目前一百三十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)放大器的交流等效電路分析法反之當(dāng)Q點(diǎn)過(guò)高時(shí),管子到了飽和區(qū)，這時(shí)可調(diào)節(jié)脫離飽和區(qū)。也可調(diào)節(jié)RE來(lái)改變。Rc增加對(duì)ICQ基本無(wú)影響,但注意：若Rc太大時(shí)使VCEQ太小易進(jìn)入飽和區(qū)。目前一百三十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器一.共集電極放大器采用分壓式偏置的共集電極電路及其交流等效圖如圖（注意：集電極交流接地）利用晶體管的交流模型可分析其交流性能指標(biāo)共集電極放大器電路交流等效電路目前一百四十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器1.Au

共集電極輸入和輸出電壓同相，增益近似為1似輸出跟隨輸入變化而變化，故又稱射極跟隨器簡(jiǎn)稱射隨器

目前一百四十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器2.Ai

(Ie-Io)RE=IoRL

當(dāng)忽略RB1、RB2分流作用時(shí)，Ib=Ii

故功率增益

目前一百四十二頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器3．Ri

從b極看進(jìn)去Ri’=rbe+(1+β)RL’

第二項(xiàng)是射極支路電阻折合到基極的值Ri=RB1//RB2//Ri’

與共射電路相比，由于Ri’顯著提高共集電路的輸入電阻大大提高了目前一百四十三頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)為看得清楚重畫(huà)等效電路并按Ro定義,短路US

則從e極看進(jìn)去電阻為故輸出電阻

是基極支路總電阻折合到射極的值，Ro是該值與RE之并聯(lián),故Ro很小而共集電極和共基極放大器4.Ro目前一百四十四頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器通過(guò)以上分析可知射隨器的特點(diǎn)：

Au近似為1

Ai很大

Ri很大

Ro很小

可見(jiàn)輸出電阻Ro很小,這就意味著負(fù)載變化時(shí)輸出電壓穩(wěn)定---即帶負(fù)載的能力強(qiáng),是共集組態(tài)的又一大優(yōu)點(diǎn)∴共集電路Ri大、Ro小，利用這一特性可制作緩沖極、隔離極。目前一百四十五頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器二．進(jìn)一步提高輸入阻抗的措施利用復(fù)合管來(lái)提高輸入阻抗

----使β上升T2管對(duì)T1管的影響相當(dāng)于T2是T1的負(fù)載目前一百四十六頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器∴可用輸入電阻Ri''來(lái)表示它對(duì)T1的負(fù)載作用可見(jiàn)復(fù)合管的輸入電阻增大了.

復(fù)合管可等效成一個(gè)β值為兩管β相乘的晶體管。目前一百四十七頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器采用復(fù)合管可使Ri'很大但總的輸入電阻Ri=RB1//RB2//Ri'2.自舉電路若RB1,RB2不能增大，Ri'再大也無(wú)用，而實(shí)際中為保證偏置穩(wěn)定，RB1,RB2的取值是不能太大的所以由自舉電路來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題增加了RB3

和C3C3---對(duì)交流短路，它將輸出電壓耦合到RB3

的下端目前一百四十八頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)共集電極和共基極放大器從而提高了A點(diǎn)的電位，所以稱自舉電路使RB3

兩端電壓→0，即流過(guò)RB3

的電流→0∴該支路的等效阻抗→∞Ri=RB3'//Ri'

RB3支路的等效電阻很大三.三種基本組態(tài)放大器的比較：（P57表2-1)目前一百四十九頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)多級(jí)放大器在要求有較大的放大倍數(shù)時(shí)，若單級(jí)不能實(shí)現(xiàn)，可用幾個(gè)單級(jí)放大器級(jí)聯(lián)起來(lái)。多級(jí)放大器有許多不同的組合方式，按總的技術(shù)要求，來(lái)設(shè)計(jì)組合一.級(jí)間耦合方式各級(jí)之間的連接方式稱級(jí)間耦合方式

耦合時(shí)注意要點(diǎn)：確保各級(jí)直流工作點(diǎn)不受影響應(yīng)使前級(jí)信號(hào)盡可能不衰減地輸至下級(jí)常用耦合方式及其優(yōu)缺點(diǎn)直接耦合

優(yōu)點(diǎn)：可放大緩變的信號(hào)、便于電路集成化目前一百五十頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)多級(jí)放大器

缺點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)要根據(jù)要求統(tǒng)一考慮，不能獨(dú)立計(jì)算，即所謂電平配置，溫度變化會(huì)引起各極工作點(diǎn)漂移變壓器耦合

優(yōu)點(diǎn)：易實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。原、副邊可以不共地。輸出電壓的極性可隨意改變?nèi)秉c(diǎn)：體積大，尤其是低頻工作時(shí)

阻容耦合

優(yōu)點(diǎn)：容易實(shí)現(xiàn)，工作點(diǎn)可以獨(dú)立計(jì)算。缺點(diǎn)：低頻工作時(shí)，信號(hào)較難通過(guò)耦合電容

目前一百五十一頁(yè)\總數(shù)四百頁(yè)\編于十一點(diǎn)多級(jí)放大器二.組合放大器實(shí)際應(yīng)用的放大器有電壓增益，輸入電阻，輸出電阻等具體的技術(shù)要求，根據(jù)三種基本組態(tài)放大器特點(diǎn)將其合理級(jí)聯(lián)起