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文檔簡介

2.45GHz低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計2.45GHz低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計目錄1 引言 11.1 課題研究目的與意義 11.2 射頻功率放大器概述 11.3 射頻功率放大器的發(fā)展現(xiàn)狀 21.4 本課題的研究方法及主要工作 32 射頻功率放大器理論綜述 52.1 史密斯圓圖 52.2 S參數(shù) 62.3 長線的阻抗匹配 72.3.1 微波源的共軛匹配 72.3.2 負(fù)載的匹配 82.3.3 匹配方法 82.4 微帶線簡介 82.5 偏置電路 93 射頻功率放大器的基本指標(biāo) 103.1 工作頻帶 103.2 帶寬 103.3 噪聲系數(shù) 113.4 增益 123.5 穩(wěn)定性 123.6 端口駐波比和反射損耗 134 射頻功率放大器設(shè)計仿真及優(yōu)化 154.1 設(shè)計指標(biāo)及設(shè)計流程 154.2 選取晶體管并仿真晶體管參數(shù) 154.3 晶體管S參數(shù)掃描 174.4 放大器的穩(wěn)定性分析 194.5 設(shè)計輸入匹配網(wǎng)絡(luò) 214.5.1 匹配原理 214.5.2 計算輸入阻抗 234.5.3 單支節(jié)匹配電路 234.6 設(shè)計并優(yōu)化輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò) 25結(jié)論 30參考文獻(xiàn) 32致謝 34第四章MACROBUTTONAcceptAllChangesInDoc[XXXX...]PAGE4引言課題研究目的與意義微波和射頻工程是一個令人振奮且充滿生機(jī)的領(lǐng)域,主要由于一方面,現(xiàn)代電子器件取得了最新的發(fā)展;另一方面,目前對語音、數(shù)據(jù)、圖像通信能力的需求急劇增長。在這一通信變革之前,微波技術(shù)幾乎是國防工業(yè)一統(tǒng)天下的領(lǐng)域,而近來對無線尋呼、移動電話、廣播視頻、有繩和無繩計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的通信系統(tǒng)需求的迅速擴(kuò)大正在徹底改變工業(yè)的格局。這些系統(tǒng)正在用于各種場合,包括機(jī)關(guān)團(tuán)體、生產(chǎn)制造工廠、市政基層設(shè)施,以及個人家庭等。應(yīng)用和工作環(huán)境的多樣性伴隨著大批量生產(chǎn),從而使微波和射頻產(chǎn)品的低成本制造能力大為提高。這又轉(zhuǎn)而降低了大批新型的低成本無線、有線射頻和微波業(yè)務(wù)的實現(xiàn)成本,其中包括廉價的手持GPS導(dǎo)航設(shè)備、汽車防撞雷達(dá),以及到處有售的寬帶數(shù)字服務(wù)入口等。通信技術(shù)在近幾年內(nèi)的發(fā)展可以說是日新月異,每年都會有大量的新技術(shù)誕生并被應(yīng)用到實踐當(dāng)中,而在這之中,無線通信技術(shù)的迅速成熟尤其引人注目。它不僅僅改變了我們的通信方式,更重要的是改變了我們的生活方式,最顯著的表現(xiàn)就是無處不在的手機(jī),它使人與人之間的聯(lián)系更為密切也更加方便,使我們的社會變得更加的緊密,大大提升了世界的一體化進(jìn)程,可以說手機(jī)已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分了。而隨著使用人群的快速增長與不斷壯大,整個無線通信產(chǎn)業(yè)也進(jìn)入了大規(guī)模高速率的發(fā)展階段,在國民經(jīng)濟(jì)中的比重越來越大,推動著社會經(jīng)濟(jì)持續(xù)向前跨步,甚至于對整個社會的發(fā)展都有著不可估量的影響力。功率放大器作為無線收發(fā)系統(tǒng)中的最后一級,它在整個系統(tǒng)中占有十分重要的地位,對于電池供電的功率放大器無線發(fā)射節(jié)點,對提高發(fā)射信號強度、延長系統(tǒng)使用時間、降低電源消耗、減小系統(tǒng)體積重量等起著關(guān)鍵性作用。射頻功率放大器概述射頻功率放大器的主要功能是放大射頻信號,并且以高效率輸出大功率為目的。它主要應(yīng)用于各種無線電發(fā)射機(jī)中。射頻功率放大器的輸出功率范圍,可以小到便攜式發(fā)射機(jī)的毫瓦級,大到無線電廣播電臺的幾十千瓦,甚至兆瓦級。射頻信號的功率放大,其實質(zhì)是在輸入射頻信號的控制下將電源功率轉(zhuǎn)換成高頻功率,因此除要求射頻功率放大器產(chǎn)生符合要求的高頻功率外,還應(yīng)要求具有盡可能高的轉(zhuǎn)換效率。射頻功率放大器的發(fā)展現(xiàn)狀射頻功率放大器由于尺寸小、線性度高、噪聲低等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用在衛(wèi)星通信、移動通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)以及各種工業(yè)裝備。隨著無線通信和軍事領(lǐng)域新標(biāo)準(zhǔn)新技術(shù)的發(fā)展,日益要求提高射頻功率放大器的性能,使之在更寬頻帶內(nèi),具有更高的輸出功率、效率和可靠性。例如為在有限的頻譜范圍內(nèi)容納更多的通信信道,獲得較高的碼片速率和頻帶利用率?,F(xiàn)在通信系統(tǒng)均采用了QPSK、等線性調(diào)制技術(shù),這些調(diào)制方法對功放的非線性特性非常敏感,因而對放大器有更高的線性要求,提高功率放大器的可靠傳輸,以避免對鄰近信道的干擾,保證調(diào)制的窄帶特性。這就要求射頻功率放大器具有良好的線性。在第三代移動通信系統(tǒng)(3G)中,要求數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到2Mbit/s,單個信號的帶寬達(dá)5MHz,這就需要射頻功率放大器具有寬帶特性;為了降低通信運營商的運營成本,減小冷卻成本、易于熱控制,要求提高射頻功率放大器的效率;為了減小功率放大的級數(shù),減小功率管的使用,以更低的功率進(jìn)行驅(qū)動,降低成本,這就要求提高射頻功率放大器的增益;為了增加通信基站的覆蓋范圍,減小固定區(qū)域內(nèi)所需要設(shè)置的基站以節(jié)約成本,同時減小電路的尺寸和重量,這就要求提高射頻功率放大器的輸出功率。為了滿足以上各種應(yīng)用需求,近50年來人們不斷推動射頻功率放大器的發(fā)展和進(jìn)步。在這50年的發(fā)展過程中,射頻器件及射頻技術(shù)的發(fā)展是推動射頻功率放大器發(fā)展的兩大因素。射頻器件的發(fā)展使射頻功率放大器的發(fā)展成為可能,射頻技術(shù)的發(fā)展使射頻功率放大器的性能得到提高。l、射頻器件方面:1948年Shockley.Bardeen等人發(fā)明雙極晶體管(BJT)及1952年提出結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)以后,硅雙極晶體管應(yīng)用于射頻微波領(lǐng)域,從而可以對從幾百兆赫(UHF)到Ka波段的信號進(jìn)行放大;70年代以后,GaAs單晶及其外延技術(shù)獲得突破,GaAs肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管(GaAsMESFET)研制成功。由于GaAs材料載流子遷移率高、禁帶寬度大,從而使射頻功率放大器具有高頻率、低噪聲和大功率等一系列優(yōu)點。進(jìn)入80年代,由于分子速外延技術(shù)和有機(jī)金屬化學(xué)沉積技術(shù)的發(fā)展,超薄外延層的厚度及雜質(zhì)濃度得以精確控制,使異質(zhì)結(jié)器件迅速發(fā)展,由ALGaAs/GaAs或InP/InGaAs組成的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)相繼研制成功,采用這些器件設(shè)計射頻功率放大晶體管,使射頻放大器的工作頻率達(dá)到毫米波頻段;到90年代,激增了多種新型固態(tài)器件,如高電子遷移管(HEMT),假同晶高電子遷移管(PHEMT),異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管(HFET)和異質(zhì)結(jié)雙極管(HBT),同時使用了多種新材料如Inp、Sic及CaN等。這些器件能夠?qū)?00GHz乃至更高頻率的信號進(jìn)行放大,而且在多數(shù)情況下可以運用MMIC技術(shù)。其中高電子遷移率晶體管(HEMT)的低噪聲性能比場效應(yīng)管更優(yōu)越,運用這種器件設(shè)計成低噪聲放大器,在C波段噪聲溫度可達(dá)250K左右,廣泛用于衛(wèi)星接收。而PHEMT則用一個InGaAs薄層來作為溝道材料,同時在AlGaAs/InGaAs異質(zhì)交界面上具有一個更大的不均勻?qū)?,使其比HEMT能容納更高的電流密度和跨導(dǎo),從而在較寬的工作電流范圍內(nèi)保持更低噪聲系數(shù)和更高增益,這激起了人們對設(shè)計高速、高頻、低噪聲和高增益的射頻功率放大器極大興趣。與此同時,單片集成(MMIC)微波器件也在快速發(fā)展,這是一種可以在幾平方毫米砷化稼(GaAs)基片上集成微波放大器電路的技術(shù)。其體積小,增益高,己越來越受到用戶的青睞。2、射頻技術(shù)方面:由于DSP技術(shù)和微處理控制技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,使得我們能夠廣泛的使用各種功率放大器線性技術(shù),如復(fù)雜的前潰技術(shù)和預(yù)失真技術(shù)來提高放大器的效率及線性度。國內(nèi)對功率放大器線性化技術(shù)研究已經(jīng)開始重視,東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)和華中科技大學(xué)等院校己經(jīng)開始了這方面的研究,華為、中興等通信設(shè)備公司也進(jìn)行了線性功放的研制并取得了一定的成果;功率合成技術(shù)的發(fā)展,使我們可以采用射頻固態(tài)器件在射頻頻段輸出高達(dá)幾十千瓦的功率;寬帶技術(shù)使我們可以利用射頻固態(tài)器件對帶寬達(dá)幾十個GHz以上的信號進(jìn)行放大如ITSElectronic公司推出的L波段倍頻程寬帶功放模塊提供15W的功率,同時產(chǎn)生1~2GHz的瞬時帶寬和12dB的小信號增益。此功放模塊工作于兩種狀態(tài):A狀態(tài)為線性放大器,輸出功率為10w;B狀態(tài)典型效率為55%,輸出功率為15W。。此功放輸入/輸出駐波比小于1.45,與此同時,效率增強技術(shù)為我們提高射頻功率放大器的效率提供了方便。功率放大器發(fā)展至今,己經(jīng)廣泛的應(yīng)用于軍用、民用通信領(lǐng)域?,F(xiàn)代通信的發(fā)展對帶寬、線性和效率等指標(biāo)提出了更高的要求。相應(yīng)的功放研究也成了未來的趨勢和熱點。隨著材料、計算機(jī)以及功放相關(guān)理論的進(jìn)一步發(fā)展,可以預(yù)見指標(biāo)更優(yōu)的功率放大器不久將會出現(xiàn),并服務(wù)于無線通信領(lǐng)域。本課題的研究方法及主要工作在課題期間,對射頻功率放大器的多種設(shè)計方法進(jìn)行研究,查閱了大量的資料,深入了解射頻功率放大器國內(nèi)外現(xiàn)狀和分析了射頻功率放大器有關(guān)概念,認(rèn)真學(xué)習(xí)了ADS仿真軟件,掌握了射頻功率放大器的一般設(shè)計方法。設(shè)計了一個在2.45GHz的頻率范圍內(nèi)滿足指標(biāo)要求的應(yīng)用于藍(lán)牙耳機(jī)的接收機(jī)末端的射頻功率放大器。全文可以分為五部分。具體內(nèi)容如下:第1部分為引言。首先簡要介紹課題研究目的與意義與射頻功率放大器的發(fā)展?fàn)顩r及研究趨勢,最后介紹本文的主要工作和章節(jié)安排。第2部分為射頻功率放大器理論綜述。介紹了史密斯圓圖、S參數(shù)、阻抗匹配、微帶線理論、偏置電路設(shè)計基礎(chǔ)知識。第3部分為射頻功率放大器的基本指標(biāo)。分析了射頻功率放大器設(shè)計需要注意的指標(biāo),為后面的具體設(shè)計提供理論依據(jù)。第4部分為具體的設(shè)計過程,對每一部分的設(shè)計都進(jìn)行了大量細(xì)致的工作,主要包括輸入輸出最佳阻抗的獲得和匹配網(wǎng)絡(luò)的具體實現(xiàn),并對每級電路整體性能的優(yōu)化實現(xiàn)給出了具體方法和步驟。第5部分為總結(jié)和研究前景的展望,分析了研究中的不足和思考,提出了一些有利于進(jìn)一步研究的問題。PAGE31射頻功率放大器理論綜述史密斯圓圖P.H.Simth開發(fā)了以保角映射原理為基礎(chǔ)的圖解。這種方法的優(yōu)點是有可能在同一個圖中簡單直觀地顯示出傳輸線阻抗以及反射系數(shù)。反射系數(shù)(reflectioncoefficient)能用下式的復(fù)數(shù)形式表達(dá)出來:(2-1)其中,是電路的負(fù)載值,是傳輸線的特性阻抗值,通常會使用50Ω。圖2-1等電阻圓和等電抗圓圖圖2-1是史密斯圓圖中的等電阻圓和等電抗圓圖。圖中的圓形線代表電阻抗力的實數(shù)值,即電阻值,中間的橫線與向上和向下散出的線則代表電阻抗力的虛數(shù)值,即由電容或電感在高頻下所產(chǎn)生的阻力,當(dāng)中向上的是正數(shù),向下的是負(fù)數(shù)。圖表最中間的點(1+j0)代表一個已匹配(matched)的電阻數(shù)值(),同時其反射系數(shù)的值會是零。圖表的邊緣代表其反射系數(shù)的長度是1,即100%反射。有一些圖表是以導(dǎo)納值(admittance)來表示,把上述的阻抗值版本旋轉(zhuǎn)180度即可。根據(jù)上面介紹的等電阻圓和等電抗圓圖,能過簡單有效的確定電路的阻抗,并進(jìn)行阻抗匹配。利用史密斯圓圖可以完成以下工作:(1)讀取阻抗、導(dǎo)納、反射系數(shù)等常用的射頻電路參數(shù);(2)進(jìn)行傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計;S參數(shù)在絕大多數(shù)涉及射頻系統(tǒng)的技術(shù)資料和數(shù)據(jù)手冊中,都用到散射參數(shù)(S參數(shù))。其原因在于實際射頻系統(tǒng)不再采用終端開路、導(dǎo)線形成短路的測量方法。采用導(dǎo)線形成短路的時候,導(dǎo)線本身存在電感,而且其電感量在高頻下非常之大,此外,開路情況也會在終端形成負(fù)載電容。另外,當(dāng)涉及電磁波傳播時也不希望反射系數(shù)的模等于1,在這種情況下,終端的不連續(xù)性將導(dǎo)致有害的電壓、電流反射,并產(chǎn)生可能造成器件損壞的振蕩。參數(shù)描述了兩端口入射功率和反射功率之間的關(guān)系,而不是電壓和電流的關(guān)系。應(yīng)用參數(shù)測量和校準(zhǔn)都變得容易。描述一個系統(tǒng)被和激勵,、和、分別表示輸入和輸出口的入射波、反射波功率。假定系統(tǒng)是線性的,參數(shù)定義為:[]圖2-[](2-2)式中稱為雙端口網(wǎng)絡(luò)的散射矩陣,簡稱為矩陣,它的各個參數(shù)的意義如下::表示2端口匹配,1端口的反射系數(shù);:表示2端口匹配,1端口到2端口的傳輸系數(shù);:表示1端口匹配,2端口到1端口的傳輸系數(shù);:表示1端口匹配,2端口的反射系數(shù);在射頻與微波頻段上,與端口的開路、短路條件相比,端口的匹配比較容實現(xiàn),在端口匹配條件下進(jìn)行測試也比較安全。長線的阻抗匹配在低噪聲放大器的設(shè)計中,阻抗匹配非常重要,它關(guān)系到系統(tǒng)的傳輸效率、功率容量與工作穩(wěn)定性,關(guān)系到低噪聲放大器的噪聲特性的好壞。因此,阻抗匹配問題極其重要。阻抗匹配的目的是使源傳遞給負(fù)載最大的射頻功率。一般而言,最佳的解決方案依賴于電路的要求,例如簡單易于實現(xiàn),頻帶寬度,最小的功率波動,設(shè)計的可實現(xiàn)性和可調(diào)節(jié)性,設(shè)定的工作條件,足夠的諧波抑制等。由此得到很多類型的匹配網(wǎng)絡(luò),包括集總元件和傳輸線。本文采用的是集總元件與傳輸線相結(jié)合的方法,并利用Smith圓圖軌跡法作為工具。匹配包含兩個方面的含義:一是微波源的匹配,要解決的問題是如何從微波源中取出最大功率;二是負(fù)載的匹配,要解決的問題是如何是負(fù)載吸收全部入射功率。這是兩個不同性質(zhì)的問題,前者要求信號源內(nèi)阻與長線輸入阻抗實現(xiàn)共軛匹配;后者要求負(fù)載與長線實現(xiàn)無反射匹配。微波源的共軛匹配阻抗匹配的目的是使源傳遞給負(fù)載最大的射頻功率。一般而言,最佳的解決方案依賴于電路的要求,例如簡單易于實現(xiàn),頻帶寬度,最小的功率波動,設(shè)計的可實現(xiàn)性和可調(diào)節(jié)性,設(shè)定的工作條件,足夠的諧波抑制等。由此得到很多類型的匹配網(wǎng)絡(luò),包括集總元件和傳輸線。本文采用的是集總元件與傳輸線相結(jié)合的方法,并利用Smith圓圖軌跡法作為工具。對于一個給定的微波源,其輸出最大功率的條件是:在同一參考面上負(fù)載的輸入阻抗與波源的內(nèi)阻抗互為共軛復(fù)數(shù),這個條件稱為“共軛匹配”。需強調(diào)的是與必須對同一參考面而言,其中為從參考面處向負(fù)載看去的輸入阻抗,為從參考面處向波源看去的輸入阻抗。負(fù)載的匹配在傳輸微波功率時一般都希望負(fù)載時匹配的,因為匹配負(fù)載無反射,傳輸線中為行波狀態(tài),這對于傳輸微波功率來說,主要有以下幾點好處:匹配負(fù)載可以從匹配源輸出功率中吸收最大功率。行波狀態(tài)時傳輸線的傳輸效率最高。因反射波帶回的能量和入射波一樣會在傳輸線中產(chǎn)生損耗,固有反射時的損耗功率增大,傳輸效率低。行波狀態(tài)時傳輸線功率容量最大。因在駐波狀態(tài)時,沿線的高頻電場分布出現(xiàn)波腹,波腹處的電場比傳輸同樣功率時的行波電場高得多,因此容易發(fā)生擊穿,從而限制了功率容量。匹配方法阻抗匹配的方法有二:一是在不匹配系統(tǒng)中適當(dāng)加入無功元件,稱為調(diào)配器,人為引入一個或多個反射并使之與原系統(tǒng)產(chǎn)生的反射相互抵消而達(dá)到匹配;二是兩不匹配系統(tǒng)間加接一個阻抗變換器,其作用是化原不匹配系統(tǒng)內(nèi)的大反射為多級的或漸變的小反射乃至最終過渡到匹配狀態(tài)。偏置電路在電路系統(tǒng)設(shè)計中,直流偏置電路系統(tǒng)是射頻功率放大器運轉(zhuǎn)的關(guān)鍵。偏置網(wǎng)絡(luò)有兩大類型:無源網(wǎng)絡(luò)和有源網(wǎng)絡(luò)。無源網(wǎng)絡(luò)(即自偏置)是最簡單的偏置電路,通常由電阻網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成,它為射頻晶體管提供合適的工作電壓和電流,但是這種電路的缺點就是對晶體管參數(shù)變化非常敏感,并且溫度穩(wěn)定較差。因為直流反饋總是要降低電壓提供的功率,考慮到現(xiàn)在是低壓工作,所以有效的反饋比較難。如果反饋根本不實用或不充分,就需要使用有源偏置,有源偏置網(wǎng)絡(luò)能改善靜態(tài)工作點的穩(wěn)定性,還能提高良好的溫度穩(wěn)定性,但它也存在一些問題,如增加了電路尺寸、增加了電路排版的難度以及增加了功率消耗。低噪聲放大器設(shè)計的第一步就是確定晶體管的靜態(tài)直流工作點,偏置的作用是在特定的工作條件下為有源器件提供適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點,并抑制晶體管的離散性以及溫度變化的影響從而保持恒定的工作特性。偏置網(wǎng)絡(luò)不僅要設(shè)定直流工作狀態(tài),還要通過高頻扼流線圈和隔直電容確保直流偏置與射頻信號相互隔離。微帶線簡介微帶線屬于敞開式部分填充介質(zhì)的雙導(dǎo)體傳輸線。它是由介質(zhì)基片上的導(dǎo)帶和基片底部的金屬接地板構(gòu)成的,整個微帶線用薄膜工藝制作而成,基片采用介電常數(shù)高、高頻損耗低的陶瓷、石英、藍(lán)寶石等介質(zhì)材料,導(dǎo)帶采用良導(dǎo)體材料。微帶線適合制作微波集成電路的平面結(jié)構(gòu)傳輸線,與金屬波導(dǎo)相比,其體積小、重量輕、使用頻帶寬、可靠性高和制造成本低等;但損耗稍大,功率容量小。60年代前期,由于微波低損耗介質(zhì)材料和微波半導(dǎo)體器件的發(fā)展,形成了微波集成電路,使微帶線得到廣泛應(yīng)用,于是相繼出現(xiàn)了各種類型的微帶線。微帶線的參數(shù)確定如下,微帶線特性阻抗的大小由導(dǎo)體帶寬度和介質(zhì)板的厚度h以及有效介電常數(shù)決定的,如下:(2-3)(2-4)式中為填充介電常數(shù)為的介質(zhì)時微帶線的特性阻抗;為填充空氣時的同一尺寸微帶線的特性阻抗;為微帶線的導(dǎo)帶寬度;為微帶線的介質(zhì)基片厚度。射頻功率放大器的基本指標(biāo)工作頻帶工作頻帶通常指放大器滿足其全部性能指標(biāo)的連續(xù)頻率范圍。放大器的實際工作頻率盡可能限制在所定的工作頻率范圍。考慮到噪聲系數(shù)是主要指標(biāo),在寬頻帶情況下難于獲得極低噪聲,所以低噪聲放大器的工作頻帶一般不太寬。放大器所能允許的工作頻率與晶體管的特征頻率有關(guān),由晶體管小信號模型可知,減小偏置電流的結(jié)果是晶體管的特征頻率降低。在集成電路中,增大晶體管的面積使極間電容增加也降低了特性頻率。帶寬為保證頻帶信號無失真地通過放大電路,要求其增益頻率響應(yīng)特性必須有與信號帶寬相適應(yīng)的平坦寬度。放大電路電壓增益頻率響應(yīng)特性為最大值下降3dB時,對應(yīng)的頻率寬度為放大器的通頻帶,通常以表示,即帶寬。而低噪聲放大器的帶寬不僅是指功率增益滿足平坦度要求的頻帶范圍,而且還要求全頻帶內(nèi)噪聲要滿足要求。帶寬又分為絕對帶寬和相對帶寬。絕對帶寬定義如下:QUOTE(3-1)采用絕對帶寬表示時,帶寬的量綱為Hz。相對帶寬常用的表示方法為百分比法。采用相對帶寬表示時,帶寬是無量綱的相對值。百分比法定義為絕對帶寬占中心頻率的百分?jǐn)?shù),用表示為:(3-2)其中為中心頻率。通常當(dāng)相對帶寬小于10%時稱為窄帶放大器,相對帶寬大于30%時稱為寬帶放大器,而相對帶寬大于100%時稱為超寬帶放大器,考慮到噪聲系數(shù)是主要指標(biāo),但是在寬頻帶情況下難于獲得極低噪聲,所以低噪聲放大器的工作頻帶一般不寬,較多為20%左右。噪聲系數(shù)在電路某一特定點上的信號功率與噪聲功率之比,稱為信號噪聲比,簡稱信噪比,用符號/(或/)表示。放大器噪聲系數(shù)是指放大器輸入端信號噪聲功率比/與輸出端信號噪聲功率比/的比值。噪聲系數(shù)的物理含義是:信號通過放大器之后,由于放大器產(chǎn)生噪聲,使信噪比變壞;信噪比下降的倍數(shù)就是噪聲系數(shù)。影響放大器噪聲系數(shù)的因素有很多,除了選用性能優(yōu)良的元器件外,電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是否合理也是非常重要的。放大器的噪聲系數(shù)和信號源的阻抗有關(guān),而與負(fù)載阻抗無關(guān)。當(dāng)一個晶體管的源端所接的信號源的阻抗等于它所要求的最佳信號源阻抗時,由該晶體管構(gòu)成的放大器的噪聲系數(shù)最小。實際應(yīng)用中放大器的噪聲系數(shù)可以表示為:(3-3)是當(dāng)源端為最佳源阻抗時放大器的最小噪聲系數(shù),是噪聲阻抗,是放大器按最小噪聲系數(shù)匹配時的最佳源反射系數(shù)。由此可見放大器的輸入匹配電路應(yīng)該按照噪聲最佳來進(jìn)行設(shè)計,也就是根據(jù)所選晶體管的來進(jìn)行設(shè)計。設(shè)計輸出匹配電路時采用共軛匹配,以獲得放大器較高的功率增益和較好的輸出駐波比[6]。輸出....RF放大RF放大RF放大RF放大輸入F1GF2GF3GFnGn圖3-1多級放大電路示意圖當(dāng)系統(tǒng)中有多級放大器相連時,其系統(tǒng)總噪聲系數(shù)和總增益表達(dá)式為:(3-4)式中QUOTE表示多級放大器總的噪聲系數(shù);QUOTE、QUOTE和QUOTE分別表第一、第二和第三級的噪聲系數(shù);G1QUOTE、G2和G3QUOTE分別表示第一、第二級和第三級放大器的功率增益。從上式知道,越后項分母越大,所以初級噪聲系數(shù)對總體噪聲系數(shù)的影響最大。只有盡量低,前級增益G1和G2足夠大,整機(jī)的噪聲性能才能足夠小。增益根據(jù)線型網(wǎng)絡(luò)輸入、輸出端阻抗的匹配情況,有三種放大器增益:工作功率增益、轉(zhuǎn)換功率增益、資用功率增益。對于實際的低噪聲放大器,功率增益通常是指信源與負(fù)載多為50Ω標(biāo)準(zhǔn)阻抗情況下實測的增益,一般用dB表示。其表達(dá)式為放大器輸出功率與輸入功率的比值:(3-5)低噪聲放大器的增益要適中,太大會使下級混頻器輸入太大,產(chǎn)生失真。但為了抑制后面各級的噪聲對系統(tǒng)的影響,其增益又不能太小。放大器的增益首先與管子跨導(dǎo)有關(guān),跨導(dǎo)直接由工作點的電流決定。其次放大器的增益還與負(fù)載有關(guān)。低噪聲放大器大都是按照噪聲最佳匹配進(jìn)行設(shè)計的。噪聲最佳匹配點并非最大增益點,以此增益G要下降。噪聲最佳匹配情況下的增益成為相關(guān)增益。通常,相關(guān)增益比最大增益大約低2~4dB。所以,一般來說低噪聲放大器的增益確定應(yīng)與系統(tǒng)的整機(jī)噪聲系數(shù)、接收機(jī)動態(tài)范圍等結(jié)合起來考慮。根據(jù)經(jīng)驗,一般取值在15~20dB較為合適。增益平坦度是指功率最大增益與最小增益之差,它用來描述工作頻帶內(nèi)功率增益的起伏,常用最高增益與最小增益之差,即△G(dB)表示。穩(wěn)定性放大器必須滿足的首要條件之一是其在工作頻段內(nèi)的穩(wěn)定性。這一點對于射頻電路是非常重要的,因為射頻電路在某些工作頻率和終端條件下有產(chǎn)生振蕩的趨勢??疾祀妷翰ㄑ貍鬏斁€的傳輸,可以理解這種振蕩現(xiàn)象。若傳輸線終端反射系數(shù)Γ0>1,則反射電壓的幅度變大(正反饋)并導(dǎo)致不穩(wěn)定的現(xiàn)象。反之,若Γ0<1,將導(dǎo)致反射電壓波的幅度變?。ㄘ?fù)反饋)。當(dāng)放大器的輸入和輸出端的反射系數(shù)的模都小于1,即<1,<1時,不管源阻抗和負(fù)載阻抗如何,網(wǎng)絡(luò)都是穩(wěn)定的,稱為絕對穩(wěn)定;當(dāng)輸入端或輸出端的反射系數(shù)的模大于1時,網(wǎng)絡(luò)是不穩(wěn)定的,稱為條件穩(wěn)定。對條件穩(wěn)定的放大器,其負(fù)載阻抗和源阻抗不能任意選擇,而是有一定的范圍,否則放大器不能穩(wěn)定工作,即使負(fù)載阻抗和源阻抗屬于標(biāo)準(zhǔn)的阻抗,但隨著溫度、濕度等環(huán)境的變化這些阻抗可能會發(fā)生變化,同時放大器的參數(shù)也會發(fā)生變化,而在設(shè)計基于有源兩端口網(wǎng)絡(luò)射頻放大電路時,絕對穩(wěn)定是非常有價值的。如果有源器件滿足絕對穩(wěn)定條件,可以簡化放大電路的設(shè)計,提高設(shè)計效率。而且只有在絕對穩(wěn)定的條件下晶體管才有可能達(dá)到最大增益,所以判斷一個晶體管的射頻是否絕對穩(wěn)定就相對變得重要。而一個晶體管的射頻穩(wěn)定條件是:(3-6)式中有:(3-7)為穩(wěn)定性判別系數(shù),只有當(dāng)式(3-6)中的3個條件都滿足時,才能保證放大器是絕對穩(wěn)定的。端口駐波比和反射損耗低噪聲放大器的輸入和輸出反射系數(shù)表征著輸入輸出信號的反射損耗,通常用輸入和輸出駐波比來表示,將低噪聲放大器看成標(biāo)準(zhǔn)兩端口網(wǎng)絡(luò),則輸入輸出駐波比如下:(3-8)(3-9)低噪聲放大器主要指標(biāo)是噪聲系數(shù)所以輸入匹配電路是按照噪聲最佳來設(shè)計的,其結(jié)果會偏離駐波比最佳的共扼匹配狀態(tài),因此駐波比不會很好。此外,由于微波場效應(yīng)晶體或雙極性晶體管,其增益特性大體上都是按每倍頻程以6dB規(guī)律隨頻率升高而下降,為了獲得工作頻帶內(nèi)平坦增益特性,在輸入匹配電路和輸出匹配電路都是無耗電抗性電路情況下,只能采用低頻段失配的方法來壓低增益,以保持帶內(nèi)增益平坦,因此端口駐波比必然是隨著頻率降低而升高。一般情況下,為了減小放大器輸入端失配所引起的端口反射對系統(tǒng)的影響,可用插損很小的隔離器等其他措施來解決。射頻功率放大器設(shè)計仿真及優(yōu)化設(shè)計指標(biāo)及設(shè)計流程工作頻帶:2.4GHz~2.5GHz;帶內(nèi)增益:大于15dB;噪聲系數(shù):小于2dB;輸入輸出駐波比:小于1.5;穩(wěn)定性:絕對穩(wěn)定;反向電壓增益:小于-10dB,大于-30dB;設(shè)計的默認(rèn)偏置環(huán)境是:Vce=2.7VIc=2mA;射頻功率放大器設(shè)計的一般流程:1)晶體管的選??;2)直流偏置設(shè)計;3)穩(wěn)定性設(shè)計;4)匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計;5)整體優(yōu)化仿真;6)版圖設(shè)計;選取晶體管并仿真晶體管參數(shù)本文選取晶體管AT32011,對其參數(shù)的仿真的原理圖如下:放大器的一個基本任務(wù)是將輸入信號進(jìn)行不失真的放大,這就要求晶體管放大器必須設(shè)置穩(wěn)定的靜態(tài)工作點。另外,靜態(tài)工作點決定著放大器的各種性能,如增益、噪聲系數(shù)、駐波比等。這些性能參數(shù)常常相互矛盾、彼此制約,因此,在考慮靜態(tài)工作點時,通常要在各種特定指標(biāo)之間作出平衡、折中的選擇。圖4-1晶體管工作點掃描的電路圖4-2BJT直流工作點掃描曲線由圖表可知,晶體管AT32011的靜態(tài)工作點為:VCE=3.000VICi=0.005IBB=0.000060圖4-3偏置電路原理圖圖4-4偏置電路晶體管S參數(shù)掃描圖4-5晶體管S參數(shù)掃描的電路圖4-6晶體管S參數(shù)仿真圖4-7噪聲系數(shù)nf(2)曲線從曲線可以看出當(dāng)頻率在2.45GHz的時候,S(1,1)=-6.375dBS(1,2)=-18.824dBS(2,1)=6.588dBS(2,2)=-5.352dBNf(2)=2.069由上述分析可以看出,晶體管參數(shù)指標(biāo)如下:(1)晶體管sp_hp_AT32011_5_1995105的頻率范圍為0.1到5.1GHz,滿足技術(shù)指標(biāo);(2)通帶內(nèi)的噪聲系數(shù)滿足技術(shù)指標(biāo);(3)通帶內(nèi)的增益不滿足技術(shù)指標(biāo);(4)通帶內(nèi)的輸入駐波比不滿足技術(shù)指標(biāo);(5)通帶內(nèi)的輸出駐波比不滿足技術(shù)指標(biāo);結(jié)論如下:(1)頻率范圍和噪聲系數(shù)滿足技術(shù)指標(biāo),可以選取晶體管;(2)通帶內(nèi)增益、輸入輸出駐波比不滿足技術(shù)指標(biāo),需要添加輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò),通過輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化實現(xiàn)該3項指標(biāo);放大器的穩(wěn)定性分析我們知道二端口網(wǎng)絡(luò)絕對穩(wěn)定的充分且必要條件為:(4-1)其中(4-2)為放大器的穩(wěn)定因子,越大,穩(wěn)定性越高。只有同時滿足上面三個條件時,放大器才能保證絕對穩(wěn)定,有任何一個條件不滿足,都將是潛在不穩(wěn)定的。對上面的三個條件作適當(dāng)?shù)淖儞Q,可得絕對穩(wěn)定判別準(zhǔn)則的另一種表達(dá)形式:(4-3)對于放大器的穩(wěn)定因子,有如下三個特性:(1)在網(wǎng)絡(luò)的兩個端口(或其中一個端口)上串聯(lián)或并聯(lián)相應(yīng)的電阻或電導(dǎo),則網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定系數(shù)會增大,網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性將得到提高。(2)在網(wǎng)絡(luò)的兩個端口(或其中一個端口)上串聯(lián)或并聯(lián)相應(yīng)的電抗或電納,則網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定系數(shù)不變,網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性不變。(3)在用任何電阻或電導(dǎo)改變網(wǎng)絡(luò)參量的歸一化時,穩(wěn)定系數(shù)不變。由此可見,增強電路穩(wěn)定性的兩種好方法是在漏極使用阻性負(fù)載和在源極與地之間加電感。(1)在每個源極引線和地之間加電感可引起串聯(lián)反饋,它所起的作用隨頻率不同而不同。在比較高的頻率,增加源極電感引起正反饋,使器件增益提高引起不穩(wěn)定;在較低頻率源極電感引起負(fù)反饋,使器件增益降低穩(wěn)定性提高。(2)在漏極串聯(lián)或并聯(lián)阻性負(fù)載是獲得寬帶穩(wěn)定性最簡單易行的方法,阻性負(fù)載能夠在很寬的頻段內(nèi)使器件產(chǎn)生等阻抗,其惟一的缺點是由于在阻性終端有一些能量消耗,降低了輸出功率。在設(shè)計電路之前,應(yīng)根據(jù)器件手冊提供的參數(shù)來判斷是否穩(wěn)定工作只有絕對穩(wěn)定,才能保證放大器的穩(wěn)定工作和雙端口共軛匹配。且在不穩(wěn)定情況下,匹配電路要特別注意,其負(fù)載反射系數(shù)有特殊的要求,這將在匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計中說明。對晶體管AT32011就K因子和△因子進(jìn)行仿真:圖4-8仿真原理圖圖4-9K因子圖4-10△因子由上面圖可知,>1△<1,晶體管處于絕對穩(wěn)定狀態(tài)。設(shè)計輸入匹配網(wǎng)絡(luò)匹配原理在設(shè)計放大器時,一般有以下幾種原則:一是以達(dá)到最大功率增益為目標(biāo);二是以達(dá)到最穩(wěn)定增益為目標(biāo);三是要達(dá)到某一確定的增益值(小于最大增益);四是以達(dá)到最小噪聲系數(shù)為目標(biāo)。更多的時候,是要綜合考慮以上的目標(biāo)。對于低噪聲放大器,注重的是要求放大器有極低的噪聲系數(shù)同時又能得到一定的增益,這樣就必須在噪聲和增益之間取折中方案。所有這些設(shè)計目標(biāo)均可以按照網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)導(dǎo)出相應(yīng)的公式。對于不同的設(shè)計原則,相應(yīng)的匹配網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)也就不一樣。實際的應(yīng)用中三極管的輸入共軛匹配的源反射系數(shù)()和最小噪聲源反射系數(shù)()很少一致。因此,必須找到一種折中的輸入匹配方法來滿足最佳噪聲系數(shù)和最佳輸入反射回?fù)p的性能。當(dāng)由一個給定的噪聲系數(shù)=來設(shè)計時,可以推出等噪聲系數(shù)圓方程,其方程如下:

(4-4)圓心為(4-5)半徑為(4-6)其中(4-7)得到等噪聲系數(shù)圓后,按照要求的噪聲系數(shù)設(shè)計放大器的問題就演變?yōu)閺脑摰仍肼曄禂?shù)圓中確定一個合適的值。利用(4-7)式可以在平面上畫出一組等噪聲系數(shù)圓。當(dāng)r=0時,即達(dá)其最小值,這時的=。畫出圖來我們還能發(fā)現(xiàn),通過圓圖原點的等噪聲系數(shù)圓的噪聲系數(shù)就是信號源端匹配時(=0)的噪聲系數(shù),不包圍圓圖原點的等噪聲系數(shù)圓的噪聲系數(shù)將在下列范圍:,包圍圓圖原點的等噪聲系數(shù)圓的噪聲系數(shù)將在下列范圍:。匹配電路最核心的就是起個阻抗變換作用,把一個阻抗變換成為另外一個需要的阻抗,從而達(dá)到匹配的效果。在我們得到最小噪聲系數(shù)的源反射系數(shù)時,就可以來設(shè)計輸入匹配電路了。根據(jù)反射系數(shù)與阻抗的關(guān)系和放大器的輸入阻抗:,可以算出經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)向源看去的阻抗。這樣我們就可以通過阻抗變換的方法設(shè)計出需要的輸入匹配電路。利用smith圓圖和ADS軟件可以方便的實現(xiàn)型、型、π型等匹配電路,其中還涉及到帶寬及頻率響應(yīng)等問題,篇幅有限在這里不再贅述。

對于輸出匹配網(wǎng)絡(luò),在多級的情況下,為了達(dá)到更高的功率增益,其輸出匹配采用共軛匹配的形式。通過器件手冊可以得到其S參數(shù),求出穩(wěn)定因子就可以判斷放大器是否可以匹配。對于的放大器都是可以匹配的,當(dāng)時,理論上可以進(jìn)行匹配,但實際上不可行,因為由其反射系數(shù)可知,這是一種純電抗性匹配,而現(xiàn)實中的元件都是有電阻性分量的。當(dāng)<-1時,在理論上可以匹配,但已無使用意義,因為這時||=1。當(dāng)<-1時,無論是理論上還是在實際上都不能匹配成功。對于潛在不穩(wěn)定的匹配放大器而言,因為的取值較大時||有可能大于1,所以||的取值將受到限制,不能隨意取值。由于我們制作放大器已經(jīng)首先選擇了穩(wěn)定的參數(shù),所以其總是可以同時實現(xiàn)雙端口的匹配,在輸入口已經(jīng)進(jìn)行了最小噪聲系數(shù)的匹配,在輸出口我們可以利用下面的公式計算出輸出口的負(fù)載反射系數(shù):(4-8)其中;(4-9)得到負(fù)載反射系數(shù)后就可以按上面的方法進(jìn)行匹配電路的設(shè)計了計算輸入阻抗輸入阻抗數(shù)據(jù)如下圖4-11用實部和虛部表示的輸入阻抗數(shù)據(jù)由上圖可以看出,在中心頻率2.45GHz處,輸入阻抗Zin1=17.617+j2.488單支節(jié)匹配電路在SP模型的輸入端采用單支節(jié)匹配電路進(jìn)行匹配圖4-12單支節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)子電路圖4-13帶有單支節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)的原理圖對原理圖進(jìn)行仿真后,得到的數(shù)據(jù)曲線如下:圖4-14、、、和曲線由圖4-14可以看出,、、和曲線在中心頻率處的參數(shù)如下:(1)曲線在中心頻率處的值為-30.564dB,表明輸入匹配良好。(2)曲線在中心頻率處的值為-3.323dB,表明輸出匹配不好。(3)曲線在中心頻率處的值為7.701dB,表明增益沒有達(dá)到技術(shù)指標(biāo)。設(shè)計并優(yōu)化輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)1、從圖4-14可以看出,只添加輸入匹配網(wǎng)絡(luò)不能滿足技術(shù)指標(biāo),下面同時添加輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò),并對輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行優(yōu)化,以達(dá)到技術(shù)指標(biāo)。2、輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計如下:圖4-15輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)原理圖3、對設(shè)計好的原理進(jìn)行優(yōu)化和仿真。利用優(yōu)化控件Optim和目標(biāo)控件GOAL,如圖所示:圖4-16設(shè)置完成的優(yōu)化控件和目標(biāo)控件4、優(yōu)化后查看仿真圖4-17噪聲系數(shù)圖4-18反向電壓增益圖4-18K因子圖4-19增益圖4-20輸入和輸出駐波比VSWR1和VSWR2由仿真圖可以看出,在頻段2.40GHz~2.50GHz,K>1,說明系統(tǒng)處于絕對穩(wěn)定狀態(tài);-16.569dB<S12<-16.456dB,說明具有良好的輸入輸出隔離度;1.725<Nf(2)<1.760,說明噪聲系數(shù)達(dá)到指標(biāo);VSWE1<1.5,說明輸入駐波比達(dá)到指標(biāo);增益17.465dB<G<18.123dB,說明增益達(dá)到指標(biāo);VSWE2>1.5,說明輸出駐波比沒有達(dá)到指標(biāo);設(shè)計到目前為止,只有輸出駐波比沒有達(dá)到指標(biāo)。此文采用二級級聯(lián)的方法解決此問題,因為等到加上偏置網(wǎng)絡(luò)后增益也會有所下降,并且此方法也可以減小輸出駐波比。二級級聯(lián)的原理圖如下:圖4-21二級級聯(lián)放大器原理圖對此原理圖進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果如下所示:圖4-22噪聲系數(shù)圖4-23輸入駐波比圖4-24增益圖4-25輸出駐波比由仿真圖可以看出,在級聯(lián)后,輸出駐波比減小并且達(dá)到指標(biāo),增益增大,但是系統(tǒng)的噪聲系數(shù)增大,在輸出駐波比和噪聲系數(shù)之間,我選擇噪聲系數(shù),也就是沒有級聯(lián)的電路,因為該畢業(yè)設(shè)計的最重要的指標(biāo)就是噪聲系數(shù)。至此,放大器的目標(biāo)指標(biāo)都已經(jīng)實現(xiàn),設(shè)計工作完成。結(jié)論結(jié)論快速發(fā)展的無線通信對微波射頻電路如射頻功率放大器提出更高的性能。本文分析討論了射頻功率放大器的基本設(shè)計理論,并結(jié)合射頻功率放大器的性能指標(biāo),利用ADS仿真軟件設(shè)計了一個中心頻率為2.45GHz、帶寬為100MHz、輸入輸出駐波比小于1.5、噪聲系數(shù)小于2dB和增益大于15dB的射頻功率放大器。本文研究的主要工作和結(jié)論如下:(1)在認(rèn)真閱讀文獻(xiàn)、查找資料的基礎(chǔ)上,驗證了一種基于ADS仿真軟件設(shè)計射頻功率放大器的可行性,利用Smith圓圖對其輸入輸出阻抗匹配電路進(jìn)行了仿真優(yōu)化設(shè)計,ADS軟件提供了功能強大的射頻電路仿真,優(yōu)化了射頻電路設(shè)計環(huán)境,正是通過對軟件功能的充分應(yīng)用,替代了射頻放大器設(shè)計中許多原來需要人工進(jìn)行的運算設(shè)計工作,提高了工作效率。(2)系統(tǒng)分析了低噪聲放大器的設(shè)計理論,本文助傳輸線理論和雙端口網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),研究其功率關(guān)系,采用S參數(shù)方法,詳細(xì)分析了低噪聲放大器的增益和穩(wěn)定性。(3)分析了射頻功率放大器的偏置電路和匹配電路設(shè)計中的一些基本問題,討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設(shè)計的問題??傊?,基于ADS仿真軟件分析設(shè)計低噪聲放大器,從仿真結(jié)果來看,都達(dá)了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo)?,F(xiàn)在,盡管我們可以成功的設(shè)計出一個射頻的功耗較低的LNA,但是這僅僅是我們在射頻電路設(shè)計上的一個起步,我們未來需要進(jìn)一步研究的問題包括:(1)因為射頻功率放大器是發(fā)射機(jī)系統(tǒng)的最末端電路,輸入端的匹配我們考慮到了,但是作為負(fù)載的后級電路我們沒有涉及到,盡管我們在輸出匹配時留有了足夠大的余度,但是對輸出匹配我們?nèi)孕枰鲆徊糠止ぷ?,我們下一步工作會考慮將射頻功率放大器和混頻器作為一個模塊進(jìn)行設(shè)計。(2)因為條件有限,本文僅僅從理論上分析,使用EDA軟件ADS進(jìn)行仿真驗證,沒有將該設(shè)計實際制作出來。由于仿真軟件是理想化的,而射頻電路在設(shè)計時候還受工藝和具體操作的影響,因此實際的測量結(jié)果與仿真結(jié)果會有一定差距,這都有待于后續(xù)進(jìn)行深入的研究。(3)研究寬帶射頻功率放大器的設(shè)計以適應(yīng)無線通信寬帶化、多標(biāo)準(zhǔn)融合的趨勢。射頻移動通信技術(shù)的總趨勢是走向高速化、大帶寬,并最終實現(xiàn)整個無線終端的單片集成。目前,關(guān)于射頻功率放大器的研究已經(jīng)趨于成熟,未來的難點和熱點在于如何適應(yīng)3G以及未來的通信技術(shù)的要求,提高其低噪聲性能,增大工作帶寬,進(jìn)一步改進(jìn)線性度等。迄今為止,我國在RFIC方面與國外還存在很大的差距,所以射頻電路的設(shè)計對我們來說機(jī)遇與挑戰(zhàn)共存,其發(fā)展的前景一定是光明的!當(dāng)然,由于本人的水平和時間有限,論文有很多不足之處,有許多有待改進(jìn)的地方,對此深表歉意并期望以后能逐漸完善。天津大學(xué)碩士學(xué)位論文 MACROBUTTON

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