晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則

關(guān)于晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則第1頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月一、原子和離子半徑在晶體結(jié)構(gòu)中，原子和離子的大小，特別是相對(duì)大小具有重要的幾何意義。原子和離子是由原子核和核外電子所組成的。它們能占據(jù)一定的空間（體積）。如果將這個(gè)空間視為球形的話，球的半徑應(yīng)為原子或離子的半徑。第2頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月絕對(duì)半徑和有效半徑絕對(duì)半徑：按量子力學(xué)的觀點(diǎn)，選出一個(gè)人為的電子云界面，從而可以計(jì)算出各種原子或離子的半徑，此值稱(chēng)為原子或離子的絕對(duì)半徑（理論半徑）。有效半徑：由實(shí)驗(yàn)方法得到的原子或離子半徑稱(chēng)為原子或離子的有效半徑。可理解為原子或離子鍵合時(shí)它們之間各自存在的其他原子或離子不能入侵的作用力范圍。第3頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月類(lèi)型：共價(jià)半徑：同種元素的兩個(gè)原子以共價(jià)單鍵結(jié)合時(shí)，其核間距的一半稱(chēng)為該原子的共價(jià)半徑。金屬半徑：金屬單質(zhì)晶格中，兩相鄰原子核間距離的一半稱(chēng)為該原子的金屬半徑。范德華半徑：當(dāng)兩原子間未形成其他化學(xué)鍵而僅存在范德華作用時(shí)，相鄰兩原子核間距的一半稱(chēng)為范德華半徑。第4頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月規(guī)律對(duì)于同種元素的原子半徑而言，共價(jià)半徑總小于金屬半徑和范德華半徑，且范德華半徑存在較大的可能變化的范圍。對(duì)于同種元素的離子半徑而言，陽(yáng)離子半徑小于原子半徑，陰離子半徑大于原子半徑。第5頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月同一周期的元素中，在周期表的水平方向上，原子和離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小。同一族元素，即周期表垂直方向上，原子、離子半徑隨元素周期表的增大而增大。從周期表的左上方到右下方的對(duì)角線方向上，原子和離子的半徑相近。第6頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月鑭系和錒系元素中，其原子和離子半徑在總的趨勢(shì)上，隨原子序數(shù)的增加而逐漸縮小，這種現(xiàn)象稱(chēng)為鑭系、錒系收縮。同種元素，電價(jià)相同的情況下，原子和離子半徑隨配位數(shù)的增高而增大。第7頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月二、緊密堆積原理

構(gòu)成晶體的質(zhì)點(diǎn)（原子和離子）都被看成球狀。這些球狀質(zhì)點(diǎn)按一定規(guī)律排列形成晶體。在晶體結(jié)構(gòu)中，質(zhì)點(diǎn)之間趨向于盡可能的相互靠近以占有最小空間及達(dá)到內(nèi)能最小。由于離子鍵、金屬鍵無(wú)方向性和無(wú)飽和性，金屬原子或離子之間的相互結(jié)合，可視為球體的緊密堆積，從而可用球體的緊密堆積原理對(duì)其進(jìn)行分析。第8頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

1、等大球體的最緊密堆積等大球體在一個(gè)平面內(nèi)的最緊密堆積只有一種方式。此時(shí)每個(gè)球體周?chē)辛鶄€(gè)球圍繞，并在球體之間形成兩套數(shù)目相等、指向相反（向上記做U，向下記做D）的弧線三角形空隙，兩種空隙相間分布。為了獲得最緊密堆積，堆積第二層時(shí)只有一種方式：第二層球體堆積于第一層空隙U或D之上（這兩種方式是等價(jià)的），但只能占據(jù)一半空隙位。第9頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第10頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第三層堆積有兩種方式：第一種方式：第三層球的位置重復(fù)第一層球的位置，形成ABABAB……的堆積方式；反復(fù)按U-D-U-D-U-D空隙的規(guī)律堆積球?qū)拥?1頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第二種方式：第三層球堆積在既不重復(fù)第一層也不重復(fù)第二層球的位置上，ABCABCABC……的交錯(cuò)堆積；反復(fù)按U-U-U-U-U-U空隙的規(guī)律堆積球?qū)拥?2頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月由上述規(guī)律可知，若按ABABAB……兩層重復(fù)一次的規(guī)律重復(fù)堆積，此時(shí)球體在空間的分布恰好與空間格子中的六方格子一致，故這種方式的堆積稱(chēng)為六方最緊密堆積（HCP）。第13頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月若按照ABCABCABC……三層重復(fù)一次的規(guī)律堆積，則球體在空間的分布與空間格子中的面心立方格子一致。此種堆積方式稱(chēng)為立方最緊密堆積（CCP）。第14頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月15非最緊密堆積方式：體心立方Chapter2StructureofMaterials六方最緊密堆積和立方最緊密堆積這兩種堆積方式是最常見(jiàn)的最緊密堆積方式。第15頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四面體空隙：由四個(gè)球圍成的八面體空隙：由六個(gè)球圍成的2、兩種空隙在六方最緊密堆積及面方最緊密堆積中，球體之間仍有空隙，空隙占整個(gè)空間的25.95%。第16頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月17fccn=4Chapter2StructureofMaterials空間利用率的計(jì)算（立方最緊密堆積為例）（100）面對(duì)角線方向上三個(gè)球緊密接觸，假設(shè)球的半徑為R第17頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月18hcpn=6Chapter2StructureofMaterials空間利用率的計(jì)算（六方最緊密堆積為例）第18頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四面體空隙和八面體空隙的數(shù)目與球體數(shù)目之間的關(guān)系（如圖）四面體空隙：Q與位于其下層的三個(gè)球；1-2-Q與下層的等大球；3-4-Q與下層的等大球；5-6-Q與下層的等大球；共形成4個(gè)四面體空隙。如在第三層上再放一層，則總共是8個(gè)四面體空隙。六方最緊密堆積--ABABAB第19頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月面心立方最緊密堆積--ABCABC四面體空隙：Q與位于其下層的三個(gè)球；1-6-Q與下層的等大球；5-4-Q與下層的等大球；2-3-Q與下層的等大球；共形成4個(gè)四面體空隙。如在第三層上再放一層，則總共是8個(gè)四面體空隙。第20頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四面體空隙和八面體空隙的數(shù)目與球體的數(shù)目之間的關(guān)系（如圖）八面體空隙：構(gòu)成D空隙的三個(gè)球與其下層的三個(gè)球一起分別形成3個(gè)八面體空隙，如在第三層上再放一層，則總共是6個(gè)八面體空隙。六方最緊密堆積--ABABAB第21頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月面心立方最緊密堆積--ABCABC八面體空隙：構(gòu)成U空隙的三個(gè)球與其下層的三個(gè)球一起分別形成3個(gè)八面體空隙，如在第三層上再放一層，則總共是6個(gè)八面體空隙。第22頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月結(jié)論：兩種最緊密堆積方式中，每個(gè)球體周?chē)?個(gè)八面體空隙和8個(gè)四面體空隙。由于每個(gè)四面體空隙由4個(gè)球構(gòu)成，每個(gè)八面體空隙由6個(gè)球構(gòu)成，平均1個(gè)球有1個(gè)八面體空隙，2個(gè)四面體空隙，所以n個(gè)球有n個(gè)八面體空隙，2n個(gè)四面體空隙第23頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月最緊密堆積適用于金屬晶格和離子晶格共價(jià)鍵有方向性和飽和性，其組成原子不能作最緊密堆積某些金屬晶格和離子晶格中也可不呈最緊密堆積。(等徑球立方體心密堆積及簡(jiǎn)單立方堆積)當(dāng)?shù)却笄蜃罹o密堆積體中的八面體和四面體空隙被大小相當(dāng)?shù)男∏蛱畛鋾r(shí)，就構(gòu)成了非等大球的最緊密堆積，此時(shí)空隙率大大降低，密度大大增加。體心立方密堆積68%第24頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第25頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月例、單質(zhì)Mn有一種同素異構(gòu)體為立方結(jié)構(gòu)，其晶胞參數(shù)為632pm，密度ρ=7.26g/cm3，原子半徑r=112pm，計(jì)算Mn晶胞中有幾個(gè)原子，其空間占有率為多少？第26頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三、配位多面體規(guī)則1、概念配位數(shù)——每個(gè)原子或離子周?chē)c之最為鄰近（呈配位關(guān)系）的原子或異號(hào)離子的數(shù)目稱(chēng)為該原子或離子的配位數(shù)。配位多面體——以任一原子或離子為中心，將其周?chē)c之呈配位關(guān)系的原子或離子的中心聯(lián)線所形成的幾何圖形稱(chēng)為配位多面體。

第27頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2、各種晶體與配位數(shù)的關(guān)系等大球體的最緊密堆積：配位數(shù)12（Cu）非等大球體的堆積：離子的配位數(shù)取決于離子的相對(duì)大小。表列出了陽(yáng)離子半徑和陰離子半徑的比值與相應(yīng)的陽(yáng)離子的配位數(shù)。第28頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月正負(fù)離子半徑比配位數(shù)堆積結(jié)構(gòu)<0.15520.155～0.22530.225～0.41440.414～0.73260.732～1.0008~1.0001229正負(fù)離子半徑比與配位數(shù)及負(fù)離子堆積結(jié)構(gòu)的關(guān)系第29頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月共價(jià)鍵晶體的配位數(shù)與配位形式取決于共價(jià)鍵的方向性和飽和性，而與元素的原子或離子的半徑大小及其比值無(wú)直接關(guān)系。同一元素的離子，在不同的外界條件（溫度、壓力、介質(zhì)條件等）下形成的晶體也可具有不同的配位數(shù)。溫度增高，陽(yáng)離子配位數(shù)減小，壓力增大，配位數(shù)增高。第30頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3、晶體結(jié)構(gòu)中一些配位多面體的形態(tài)晶體結(jié)構(gòu)可視為由配位多面體相互聯(lián)結(jié)而成的體系。配位多面體的聯(lián)結(jié)方式有共角頂（共用一個(gè)原子或離子）、共棱（共用兩個(gè)原子或離子）、共面（共用三個(gè)以上的原子或離子）等三種。第31頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四、哥希密德結(jié)晶化學(xué)定律哥希密德指出：晶體的結(jié)構(gòu)取決于其組成質(zhì)點(diǎn)的數(shù)量關(guān)系、大小關(guān)系與極化性能。此即哥希密德結(jié)晶化學(xué)定律。第32頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月結(jié)晶化學(xué)定律定性地概括了影響晶體結(jié)構(gòu)的三個(gè)主要因素。對(duì)于離子晶體：（1）物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)可按化學(xué)式的類(lèi)型分別進(jìn)行討論，如AX、AX2、A2X3。化學(xué)式類(lèi)型不同，則組成晶體的質(zhì)點(diǎn)之間的數(shù)量關(guān)系不同，晶體結(jié)構(gòu)也不同。如TiO2和Ti2O3，前者為AX2型化合物，具有金紅石結(jié)構(gòu)，后者為A2X3型化合物，具有剛玉型結(jié)構(gòu)。第33頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月（2）晶體中組成質(zhì)點(diǎn)大小不同，反映了離子半徑比值r+/r-不同，因而配位數(shù)和晶體結(jié)構(gòu)也不同。第34頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月（3）晶體中組成質(zhì)點(diǎn)大的極化性能不同，反映了各離子的極化率不同，則晶體的結(jié)構(gòu)也不相同。第35頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月離子的極化離子極化------離子晶體中，每個(gè)離子都處在周?chē)x子所形成的電場(chǎng)作用下。在周?chē)妶?chǎng)作用下，離子的電子云發(fā)生變形，這一現(xiàn)象稱(chēng)為離子極化。第36頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月未極化的負(fù)離子極化的負(fù)離子離子極化的強(qiáng)弱決定于離子的兩方面性質(zhì)：離子的極化率和離子的極化力。第37頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月極化率α是指離子在單位強(qiáng)度的電場(chǎng)下所產(chǎn)生的偶極矩。極化率反映離子被極化的難易程度，即變形的大小，極化率大的離子在電場(chǎng)作用下電子云易變形。第38頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月極化率大小主要取決于：①離子半徑越大，變形性越大；②負(fù)離子電荷越高（離子半徑大），變形性越大，正離子電荷越高（離子半徑小），變形性越??；③18電子構(gòu)型、9～17電子構(gòu)型>8電子構(gòu)型。

第39頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月極化力是指一個(gè)離子對(duì)它周?chē)x子所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度，它反映了離子極化其它離子的能力。第40頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月離子極化力大小主要取決于：①離子的半徑越小，極化力越大；②離子的電荷高，極化力大；③在半徑和電荷相近時(shí)，離子的電子構(gòu)型也影響極化力，其大小次序是：

18，18+2電子>9～17電子>8電子構(gòu)型。第41頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月離子極化對(duì)晶體結(jié)構(gòu)有明顯影響，可引起晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型改變。AgClAgBrAgIAg+和X-的半徑之和1.23+1.72=2.951.23+1.88=3.111.23+2.13=3.36Ag+和X-的實(shí)測(cè)距離2.772.882.99極化靠近值0.180.230.37r+/r-值0.7150.6540.577理論結(jié)構(gòu)類(lèi)型NaClNaClNaCl實(shí)際結(jié)構(gòu)類(lèi)型NaClNaCl立方ZnS實(shí)際配位數(shù)6640.225～0.414，4配位0.414～0.732，6配位第42頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月五、鮑林法則（Pauling`srules）

1928年，鮑林在總結(jié)大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上，歸納和推引了關(guān)于離子晶格的五條規(guī)則。這些規(guī)則在晶體化學(xué)中具有重要的指導(dǎo)意義，人們稱(chēng)這些規(guī)則為鮑林法則。第43頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月鮑林第一規(guī)則──在離子晶體中，正離子周?chē)纬梢粋€(gè)負(fù)離子多面體，正負(fù)離子之間的距離取決于離子半徑之和，正離子的配位數(shù)取決于正負(fù)離子半徑比。（a）穩(wěn)定結(jié)構(gòu)（b）穩(wěn)定結(jié)構(gòu)（c）不穩(wěn)定結(jié)構(gòu)第44頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月正負(fù)離子半徑比配位數(shù)堆積結(jié)構(gòu)<0.15520.155～0.22530.225～0.41440.414～0.73260.732～1.0008~1.0001245正負(fù)離子半徑比與配位數(shù)及負(fù)離子堆積結(jié)構(gòu)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials第45頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月46負(fù)離子八面體空隙容納正離子時(shí)的半徑比計(jì)算6配位第46頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2r++2r-a=2r++2r-a=2r-r+/r-=0.7328配位第47頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月例：已知K+和Cl-的半徑分別為0.133nm和0.181nm，試分析KCl的晶體結(jié)構(gòu)，并計(jì)算堆積系數(shù)。解：晶體結(jié)構(gòu)：因?yàn)閞+/r-=0.133/0.181=0.735，其值處于0.732和1.000之間，所以正離子配位數(shù)應(yīng)為8，處于負(fù)離子立方體的中心（見(jiàn)表2-6）。也就是屬于下面提到的CsCl型結(jié)構(gòu)。堆積系數(shù)計(jì)算：每個(gè)晶胞含有一個(gè)正離子和一個(gè)負(fù)離子Cl-，晶格參數(shù)a0可通過(guò)如下計(jì)算得到：a0=2r++2r-=2(0.133)+2(0.181)=0.628nma0=0.363nm2r++2r-48第48頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月靜電鍵強(qiáng)：正離子的形式電荷與其配位數(shù)的比值。為保持電中性，負(fù)離子所獲總鍵強(qiáng)應(yīng)與負(fù)離子的電荷數(shù)相等。例：在CaF2結(jié)構(gòu)中，Ca2+離子的配位數(shù)為8。Ca2+離子的靜電鍵強(qiáng)為2/8=1/4，F(xiàn)-離子是一價(jià)負(fù)離子，則每個(gè)F-同時(shí)與四個(gè)Ca2+形成靜電鍵，F(xiàn)-在Ca2+的四面體中心49鮑林第二規(guī)則——在離子的堆積結(jié)構(gòu)中必須保持局域的電中性。

(Localelectricalneutralityismaintained)Chapter2StructureofMaterials第49頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月50鮑林第三規(guī)則——穩(wěn)定結(jié)構(gòu)傾向于共頂連接

(Corners,ratherthanfacesoredges,tendtobesharedinstablestructures)在一個(gè)配位結(jié)構(gòu)中，共用棱，特別是共用面的存在會(huì)降低這個(gè)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。其中高電價(jià)，低配位的正離子的這種效應(yīng)更為明顯。當(dāng)采取共棱和共面聯(lián)連接，正離子的距離縮短，增大了正離子之間的排斥，從而導(dǎo)致不穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。例如兩個(gè)四面體，當(dāng)共棱、共面連接時(shí)其中心距離分別為共頂連接的58%和33%Chapter2StructureofMaterials第50頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月例：在鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中，有[SiO4]四面體和[MgO6]八面體兩種配位多面體，但Si4+電價(jià)高、配位數(shù)低，所以[SiO4]四面體之間彼此無(wú)連接，它們之間由[MgO6]八面體所隔開(kāi)。51鮑林第四規(guī)則──若晶體結(jié)構(gòu)中含有一種以上的正離子，則高電價(jià)、低配位的多面體之間有盡可能彼此互不連接的趨勢(shì)Chapter2StructureofMaterials第51頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月例如，在硅酸鹽晶體中，不會(huì)同時(shí)出現(xiàn)[SiO4]四面體和[Si2O7]雙四面體結(jié)構(gòu)基元，盡管它們之間符合鮑林其它規(guī)則。如果組成不同的結(jié)構(gòu)基元較多，每一種基元要形成各自的周期性、規(guī)則性，則它們之間會(huì)相互干擾，不利于形成晶體結(jié)構(gòu)。52鮑林第五規(guī)則──同一結(jié)構(gòu)中傾向于較少的組分差異，也就是說(shuō)，晶體中配位多面體類(lèi)型傾向于最少。第52頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第三節(jié)典型晶體結(jié)構(gòu)一、單質(zhì)材料結(jié)構(gòu)二、二元化合物結(jié)構(gòu)三、多元化合物結(jié)構(gòu)四、硅酸鹽結(jié)構(gòu)第53頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月金剛石（C）結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：等軸晶系，點(diǎn)群m3m。所有碳原子以非極性共價(jià)鍵相結(jié)合成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。每個(gè)碳原子與和它緊鄰的4個(gè)碳原子相連，鍵角109°28，即碳的配位數(shù)為4，配位多面體是四面體。碳碳配位四面體在三維空間共角頂相連。也可看做一部分C做立方最緊密堆積，另一部分C相間地充填在其中的四面體空隙而構(gòu)成。一、單質(zhì)材料結(jié)構(gòu)

第54頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第55頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月二、二元化合物結(jié)構(gòu)第56頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月CsCl型結(jié)構(gòu)rCs/rCl=0.170nm/0.181nm=0.94 （0.732～1.000）負(fù)離子按簡(jiǎn)單立方排列；正離子處于立方體的中心，同樣形成正離子的簡(jiǎn)單立方陣列；正負(fù)離子的配位數(shù)都是8；每個(gè)晶胞中有1個(gè)負(fù)離子和1個(gè)正離子。實(shí)例：CsCl,CsBr,CsI57Chapter2StructureofMaterials第57頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月巖鹽型結(jié)構(gòu)（RocksaltStructure）rNa/rCl=0.102/0.181=0.56 （0.414~0.732）負(fù)離子按面心立方排列；正離子占據(jù)全部八面體間隙位，同樣形成正離子的面心立方陣列；每個(gè)晶胞中有4個(gè)”NaCl”分子正負(fù)離子的配位數(shù)都是6。

也稱(chēng)為NaCl型結(jié)構(gòu)實(shí)例：NaCl,KCl,LiF,KBr,MgO,CaO,SrO,BaO,CdO,VO,MnO,FeO,CoO,NiO58Chapter2StructureofMaterials第58頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月閃鋅礦型結(jié)構(gòu)（ZincBlendeStructure）也稱(chēng)為立方ZnS型結(jié)構(gòu)。正負(fù)離子配位數(shù)均為4，負(fù)離子按面心立方排列，正離子填入半數(shù)的四面體間隙位（面心立方晶格有8個(gè)四面體空隙，其中4個(gè)填入正離子），同樣形成正離子的面心立方陣列，正負(fù)離子的面心立方沿體對(duì)角線互相穿插。其結(jié)果是每個(gè)離子與相鄰的4個(gè)異號(hào)離子構(gòu)成正四面體實(shí)例：ZnS,BeO,SiCr+/r-=0.3359Chapter2StructureofMaterials第59頁(yè)，課件共64頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月螢石和反螢石型結(jié)構(gòu)

（FluoriteandAntifluoriteStructures）反螢石型結(jié)構(gòu)：負(fù)離子按面心立方排列，