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一一#-4、攙加雜質(zhì)將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體。具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡單的芯片可以只用一層,但復雜的芯片通常有很多層,這時候?qū)⑦@一流程不斷的重復,不同層可通過開啟窗口聯(lián)接起來。這一點類似所層PCB板的制作制作原理。更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復光刻以及上面流程來實現(xiàn),形成一個立體的結(jié)構(gòu)。5、晶圓測試經(jīng)過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的,組織一次針測試模式是非常復雜的過程,這要求了在生產(chǎn)的時候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對成本就會越低,這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。6、封裝將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如:DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環(huán)境、市場形式等外圍因素來決定的。7、芯片制造的最后一道工序為測試,其又可分為一般測試和特殊測試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性,如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù),從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片,做有針對性的專門測試,看是否能滿足客戶的特殊需求,以決定是否須為客戶設(shè)計專用芯片。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以
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