內(nèi)存故障維修演示文稿

內(nèi)存故障維修演示文稿目前一頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)優(yōu)選內(nèi)存故障維修目前二頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn):存儲(chǔ)器的分類內(nèi)存條的組成內(nèi)存條的主要技術(shù)性能目前三頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)7.1內(nèi)存的發(fā)展與類型目前四頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)DDRSDRAM（雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）DDR內(nèi)存在SDRAM基礎(chǔ)上改進(jìn)了技術(shù)。DDRSDRAM在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù)，在不提高時(shí)鐘頻率的情況下，使數(shù)據(jù)傳輸率提高了一倍。

目前五頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)·DDR內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期中可以存取2個(gè)數(shù)據(jù)；·DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率為200～400MHz；·DDR芯片容量為128Mbit～1Gbit；·DDR采用SSTL信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)，電壓為2.5V；·DDRII內(nèi)存增加到4個(gè)數(shù)據(jù)。·DDRII提高到400～800MHz。·DDRII芯片容量為256Mbit～2Gbit。·DDRII采用SSTL2信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)，電壓為1.8V。ROM的類型(1)EPROM：可以多次寫入數(shù)據(jù)，寫入數(shù)據(jù)時(shí)需要專用設(shè)備。(2)EEPROM：保存數(shù)據(jù)不需電池，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá)十年之久。(3)FlashROM：也稱為FlashMemory，可在不加電下長(zhǎng)期保存信息。FlashROM普遍用作BIOS芯片，存儲(chǔ)容量有1Mbit、2Mbit、4Mbit等類型。目前六頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)7.2內(nèi)存芯片工作原理存儲(chǔ)細(xì)胞由晶體管和電容組成，可以保存一位二進(jìn)制數(shù)。DRAM存儲(chǔ)細(xì)胞電路原理

目前七頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)·在DRAM存儲(chǔ)細(xì)胞電路中，晶體管M的作用是一個(gè)開關(guān)器件，它控制著數(shù)據(jù)輸入線D端到存儲(chǔ)電容CS之間的電流通斷。當(dāng)晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線D端到存儲(chǔ)電容CS之間是連通的。當(dāng)晶體管M處于斷開（OFF）狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線D端到存儲(chǔ)電容CS之間不能連通。可見晶體管開關(guān)M控制著電容CS的充電和放電。·電路中存儲(chǔ)電容CS的作用是保存數(shù)據(jù)，當(dāng)電容CS中充有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“1”狀態(tài)，當(dāng)電容CS中沒(méi)有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“0”狀態(tài)。·字線WL的作用是控制晶體管M的開關(guān)狀態(tài)，當(dāng)WL=1時(shí)，晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)，這時(shí)允許在數(shù)據(jù)線D端進(jìn)行寫或讀操作。當(dāng)WL=0時(shí)，晶體管M處于斷開（OFF）狀態(tài)，這時(shí)數(shù)據(jù)線D端的信號(hào)不能寫入或讀出，DRAM保持電路的原來(lái)狀態(tài)?！?shù)據(jù)線D也稱為“位線”，他是數(shù)據(jù)位寫入或讀出的端點(diǎn)。

目前八頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理SRAM存儲(chǔ)細(xì)胞（Cell）的工作原理類似于一個(gè)開關(guān)，當(dāng)接通開關(guān)時(shí)，相當(dāng)于“1”狀態(tài)，當(dāng)關(guān)閉開關(guān)時(shí)，相當(dāng)于“0”狀態(tài)。如果不去改變開關(guān)，它就保持上次的狀態(tài)。

靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM經(jīng)常用來(lái)設(shè)計(jì)高速緩存（Cache）存儲(chǔ)單元。

SRAM存儲(chǔ)細(xì)胞中的每一位，都是由4～6個(gè)CMOS晶體管構(gòu)成，因此保存一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，需要8個(gè)這樣的存儲(chǔ)單元，也就是說(shuō)需要32～48個(gè)CMOS晶體管。

目前九頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)7.3內(nèi)存條的基本組成內(nèi)存條由內(nèi)存顆粒芯片、內(nèi)存序列檢測(cè)芯片（SPD）、ECC校驗(yàn)芯片（部分內(nèi)存條有）、印刷電路板（PCB）、貼片電阻、貼片電容、金手指等部分組成。目前市場(chǎng)上主要有DDRSDRAM、RDRAM、SDRAM三種技術(shù)規(guī)范的內(nèi)存條，它們的工作方式不同，互相不能兼容，但是外觀形狀大同小異。

目前十頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)SPD芯片從PC100內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)開始，內(nèi)存條上就帶有SPD芯片。內(nèi)存條制造商將該內(nèi)存條的基本技術(shù)參數(shù)預(yù)先寫入這個(gè)SPD芯片。SPD芯片記錄了內(nèi)存芯片的速度、工作頻率、芯片容量、工作電壓、行、列地址、帶寬、CL、tRCD、tRP、tAC等參數(shù)。

內(nèi)存條插座目前十一頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)7.4內(nèi)存條主要技術(shù)性能內(nèi)存條技術(shù)規(guī)范內(nèi)存主要有JEDEC組織和英特爾公司兩種技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存規(guī)范有PC100～PC5300等。規(guī)范規(guī)定了內(nèi)存類型、工作頻率、傳輸帶寬等技術(shù)參數(shù)。內(nèi)存條速度技術(shù)指標(biāo)一是提高內(nèi)存工作的時(shí)鐘頻率，二是盡量減少各種內(nèi)存操作過(guò)程中的延時(shí)。內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫的延遲一般用“A-B-C-D”的形式表示，它們分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是：CL-tRCD-tRP-tRAS。例：“2-2-2-5”，第1個(gè)數(shù)字代表CL周期為2；第2個(gè)數(shù)字代表tRCD周期為2；第3個(gè)數(shù)字代表tRCD周期為2；第4個(gè)數(shù)字代表tRAS周期為5。

目前十二頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)(1)內(nèi)存時(shí)鐘周期（tCK）：值越小內(nèi)存數(shù)據(jù)存取速度越快。(2)數(shù)據(jù)存取時(shí)間（tAC）：值越小存取速度越快。(3)列地址選擇延遲（CL）：一般有CL2、CL2.5、CL3等。(4)RAS相對(duì)CAS的延遲（tRCD）：值越小內(nèi)存速度越快。(5)行預(yù)充電有效周期（tRP）：值越小內(nèi)存速度越快。(6)預(yù)充電最短周期（tRAS）：值越小內(nèi)存速度越快。(7)突發(fā)長(zhǎng)度（BL）：執(zhí)行一個(gè)尋址周期后，連續(xù)讀寫幾個(gè)數(shù)據(jù)，這就是突發(fā)周期。內(nèi)存突發(fā)長(zhǎng)度BL一般為4或8，對(duì)于顯存BL為128～256。

目前十三頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)內(nèi)存條帶寬技術(shù)指標(biāo)內(nèi)存帶寬是數(shù)據(jù)在內(nèi)存總線上的最大傳輸量，它與內(nèi)存時(shí)鐘頻率、總線寬度、一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)的次數(shù)有關(guān)，一般以GB/s為單位，內(nèi)存帶寬的計(jì)算下式如下：內(nèi)存帶寬＝內(nèi)存時(shí)鐘頻率×總線寬度/8×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包個(gè)數(shù)內(nèi)存條可靠性技術(shù)指標(biāo)奇偶校驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，但是它不能糾正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。ECC校驗(yàn)?zāi)軌蚣m正一個(gè)字節(jié)中的一位數(shù)據(jù)發(fā)生的錯(cuò)誤。例：

目前十四頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)7.5內(nèi)存故障案例分析目前十五頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)【案例7.1】：內(nèi)存質(zhì)量不佳，導(dǎo)致WindowsXP不能安裝。故障現(xiàn)象：一臺(tái)使用Windows98系統(tǒng)的微機(jī)，計(jì)劃升級(jí)成WindowsXP操作系統(tǒng)。開始安裝還比較順利，可是當(dāng)安裝程序檢查完硬盤以后，在復(fù)制文件時(shí)，系統(tǒng)提示找不到某一個(gè)安裝文件，就是按“Esc”鍵跳過(guò)這個(gè)文件，接下來(lái)安裝中還是提示有文件找不到，只能按F3鍵退出安裝。更換了光驅(qū)和WindowsXP的安裝光盤以后，故障依舊?！景咐?.2】：內(nèi)存質(zhì)量不佳，導(dǎo)致主機(jī)啟動(dòng)異常。故障現(xiàn)象：一臺(tái)兼容機(jī)，將內(nèi)存升級(jí)為PC133128MB后出現(xiàn)故障，表現(xiàn)為第一次開機(jī)無(wú)任何反應(yīng)，必須重新開機(jī)或復(fù)位后系統(tǒng)才能啟動(dòng)，此后系統(tǒng)正常工作，關(guān)機(jī)一段時(shí)間之后，下次重新開機(jī)故障依舊。

目前十六頁(yè)\總數(shù)十七頁(yè)\編于十八點(diǎn)內(nèi)存選購(gòu)：現(xiàn)代256MBDDRII533內(nèi)存類型：DD