電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分ch07

7模擬集成電路7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.2差分式放大電路*7.3帶有源負載的差分式放大電路7.4集成運算放大器電路簡介7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7.1.1MOSFET電流源7.1.2BJT電流源7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.1.1MOSFET電流源1.鏡像電流源T1、T2的參數(shù)全同只要滿足VGS>VTN

必有VDS1>VGS-VTN

T1一定工作在恒流區(qū)又因為VGS2=VGS1=VGST2漏極接負載構(gòu)成回路后，只要滿足VDS2>VGS-VTN

，就一定工作在恒流區(qū)，且有7.1.1MOSFET電流源再根據(jù)便可求出IO的電流值。IO的電流值與負載無關(guān)。

負載在一定范圍內(nèi)變化時（保證VDS2>VGS-VTN），IO的電流值將保持不變，反映出IO的恒流特性。1.鏡像電流源7.1.1MOSFET電流源QbiDbvDSbRd2RdVDDVDDvDSiDQIDQVGSQVDSQQaiDavGSavDSaQbiDbvGSbvDSbVDDvDSiDVGSQRdVDDQIDQVDSQQaiDavDSaRd1VDDMOS管分別處于放大和恒流狀態(tài)時的圖解放大時恒流時1.鏡像電流源7.1.1MOSFET電流源當器件具有不同的寬長比時（=0）動態(tài)電阻(交流電阻)輸出特性代表符號1.鏡像電流源7.1.1MOSFET電流源若用T3代替R，且T1~T3特性相同T1~T3便可工作在恒流區(qū)由于所以只要滿足輸出電流為若T2僅在寬長比上與T1和T3不同，則

1.鏡像電流源7.1.1MOSFET電流源2.多路電流源電路除寬長比外，T0~T3特性相同，T4、T5特性相同需保證所有管子工作在恒流區(qū)7.1.1MOSFET電流源是電流源嗎？注意：N溝道耗盡型管的夾斷電壓VPN<0需保證電流源內(nèi)阻7.1.1MOSFET電流源7.1.2BJT電流源7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)1.鏡像電流源7.1.2BJT電流源IO在一定范圍內(nèi)與負載無關(guān)。T1、T2的參數(shù)全同1.鏡像電流源7.1.2BJT電流源動態(tài)電阻一般ro在幾百千歐以上2.微電流源7.1.2BJT電流源由于很小，所以IC2也很小ro≈rce2（1＋）

（參考射極偏置共射放大電路的輸出電阻）3.多路電流源7.1.2BJT電流源T1、R1和T4支路產(chǎn)生基準電流IREFT1和T2、T4和T5構(gòu)成鏡像電流源T1和T3，T4和T6構(gòu)成了微電流源7模擬集成電路7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.2差分式放大電路*7.3帶有源負載的差分式放大電路7.4集成運算放大器電路簡介7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7.2.1MOSFET差分式放大電路7.2.2BJT差分式放大電路7.2.3差分式放大電路的傳輸特性7.2差分式放大電路7.2.1MOSFET差分式放大電路回顧差模輸入信號vid=vP－vN共模輸入信號vic=則有vP=vN=僅差模僅共模理想運放要能夠放大直流！7.2.1MOSFET差分式放大電路共源放大電路差分式放大電路方便調(diào)整Q點有穩(wěn)定Q點作用溫度穩(wěn)定性很好的電流源其動態(tài)電阻為ro但增益太小——直接耦合電路組成7.2.1MOSFET差分式放大電路電路組成兩個輸入端：vi1和vi2

兩個輸出端：vO1和vO2

工作方式：雙入雙出、雙入單出、單入雙出、單入單出輸入信號等效源極耦合差分式放大電路源極共用電流源支路vi1=vi2=兩輸入端中的共模信號大小相等，相位相同；兩輸入端中的差模信號大小相等，相位相反。7.2.1MOSFET差分式放大電路電路組成vi1=vi2=7.2.1MOSFET差分式放大電路直流通路靜態(tài)分析7.2.1MOSFET差分式放大電路靜態(tài)分析再由可求得VGSQ最后需要校驗是否工作在恒流區(qū)靜態(tài)時有vo＝VD1Q-

VD2Q＝0(Rd1=Rd2=Rd)

7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時交流通路7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時vi1和vi2大小相等，相位相反。is1的增加量等于is2的減小量，ro中無交流電流流過，vs=0，意味著源極相當于對地短路。

表明在差模信號作用下，源極公共支路相當于短路。差模信號作用情況7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時等效的交流通路7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時等效的交流通路

單邊就是標準的共源電路，但輸入信號是vid

。若

0，①單端輸出時的差模電壓增益只是相位相反(電路對稱)

單端輸出差模電壓增益（T1漏極輸出，Rd1=Rd2=Rd）若由T2漏極輸出，則7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時等效的交流通路若

0①單端輸出時的差模電壓增益帶RL時7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時等效的交流通路若

0，②雙端輸出時的差模電壓增益因vi1=-vi2，故vo1=-vo2

與共源放大電路的電壓增益相同增加的元器件貢獻在哪里？（Rd1=Rd2=Rd）7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入差模信號時等效的交流通路②雙端輸出時的差模電壓增益帶RL時若

07.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析單端輸入（不對稱輸入）時等效的輸入形式7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析單端輸入（不對稱輸入）時

結(jié)論：單端輸入時的差模情況等效于雙端輸入，差模增益指標的計算與雙端輸入時相同。單端輸入時，必定伴隨著共模信號的輸入。等效的輸入形式

當僅考慮差模信號輸入時，將兩個共模信號源置零，即vic=0，其結(jié)果與上述差模信號雙端輸入時完全相同。7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時交流通路7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時共模信號作用情況vi1和vi2大小相等，相位相同。is1和is2同時等量增加或等量減小，ro中流過雙倍的單邊交流電流，vs0。

將ro折算到T1和T2各自源極支路上，其阻值相當于原來的兩倍。7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時源極公共支路等效后的交流通路7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時③單端輸出時的共模電壓增益

電路左右兩邊完全對稱，可看作兩個獨立的共源放大電路，兩邊單端輸出完全相同。ro是電流源的動態(tài)電阻（內(nèi)阻）無論由哪個漏極輸出，共模輸出電壓總是與共模輸入電壓反相。遠小于差模增益共模時有單端輸入和雙端輸入之分嗎？7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析僅輸入共模信號時④雙端輸出時的共模電壓增益

共模信號的輸入使兩管漏極電壓有相同的變化理想情況下有共模增益7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析

溫度變化和電源電壓波動，都將使兩個漏極電流產(chǎn)生變化，且變化大小和趨勢相同。

其效果相當于在兩個輸入端加入了共模信號

當電路的共模增益為0或很小時，便可抑制由此產(chǎn)生的影響。抑制共模信號的意義何在？

所謂零點漂移是指當放大電路在輸入信號為零時，輸出還有緩慢變化的電壓產(chǎn)生，即輸出電壓偏離原來的起始點而上下飄動，簡稱零漂。7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析⑤共模抑制比增大靜態(tài)偏置電流源的內(nèi)阻提高電路的對稱性雙端輸出，理想情況單端輸出為有效提高差分式放大電路的共模抑制比，應如何設(shè)計電路參數(shù)？7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析⑥輸入電阻

由于MOS管的柵極是絕緣的，所以無論是差模信號的放大還是共模信號的放大，它們的輸入電阻都約等于無窮大。BJT則不同。差模輸入電阻共模輸入電阻輸出電阻無差模和共模之分⑦輸出電阻雙端輸出Ro=Rd1

+Rd2=2Rd

單端輸出Ro=Rd7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析⑧頻率響應7.2.1MOSFET差分式放大電路動態(tài)小信號分析由于是直接耦合放大電路，所以低頻區(qū)增益不會衰減差模電壓增益的高頻響應與共源電路類似共模電壓增益的高頻響應與源極電流源的輸出阻抗（內(nèi)阻）特性有直接關(guān)系共模抑制比的高頻響應由差模增益和共模增益的高頻響應共同決定7.2.1MOSFET差分式放大電路

為什么對差模信號放大和對共模信號放大不同？差模共模雙端輸出單端輸出

對兩類信號放大產(chǎn)生差異的關(guān)鍵點在哪兒？差分式放大電路的分析方法

靜態(tài)、動態(tài)等與之前放大電路分析方法相同動態(tài)分析時，利用疊加原理，將差模和共模分開分析是有效手段7.2.1MOSFET差分式放大電路差分式放大電路如圖所示。分析下列輸入和輸出的相位關(guān)系：反相vO1與vi1同相vO2與vi1同相vO1與vi2反相vO2與vi2反相vo與vi1同相vo與vi2？思考題7.2差分式放大電路7.2.1MOSFET差分式放大電路7.2.2BJT差分式放大電路7.2.3差分式放大電路的傳輸特性7.2.2BJT差分式放大電路電路分析與MOSFET類似差模電壓和共模電壓增益可由共射放大電路結(jié)論得到，兩者的差別僅在分母中是否包含電流源動態(tài)電阻。由于基極有電流，所以差模輸入電阻和共模輸入電阻都不是無窮大。7.2差分式放大電路7.2.1MOSFET差分式放大電路7.2.2BJT差分式放大電路7.2.3差分式放大電路的傳輸特性7.2.3MOSFET差分式放大電路的傳輸特性根據(jù)vid=vGS1-

vGS2可得傳輸特性曲線

iD1，iD2＝f（vid）縱軸歸一化傳輸特性7.2.3MOSFET差分式放大電路的傳輸特性7模擬集成電路7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.2差分式放大電路*7.3帶有源負載的差分式放大電路7.4集成運算放大器電路簡介7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題*7.3.1帶有源負載的MOSFET差分式放大電路1.基本電路2.靜態(tài)分析*7.3.1帶有源負載的MOSFET差分式放大電路3.動態(tài)指標輸入差模電壓時的交流通路id3=id1id1=

gmvid

/2id4=id1=gmvid

/2id2=-

gmvid

/2*7.3.1帶有源負載的MOSFET差分式放大電路3.動態(tài)指標

0時，可得T2、

T4支路的小信號等效電路id3=id1id1=

gmvid

/2id4=id1=gmvid

/2id2=-

gmvid

/23.動態(tài)指標*7.3.1帶有源負載的MOSFET差分式放大電路

0時，可得T2、

T4支路的小信號等效電路節(jié)點d2（d4）的KCL方程為若接負載

RL，則電壓增益為得差模電壓增益其中

帶有源負載的差分放大電路單端輸出的差模電壓增益不再是雙端輸出增益的一半，而是與雙端輸出電壓增益相同，即單端輸出等效于雙端輸出。3.動態(tài)指標*7.3.1帶有源負載的MOSFET差分式放大電路

0時，可得T2、

T4支路的小信號等效電路以上分析結(jié)果的前提條件是假設(shè)T1~T4的互導相同，即

Kn1＝Kn2＝Kp3＝Kp4＝Kgm1＝gm2＝gm3＝gm4＝gm電路的共模電壓增益仍然很小，共模抑制很高參數(shù)不同時，結(jié)果將有所變化7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.2差分式放大電路*7.3帶有源負載的差分式放大電路7.4集成運算放大器電路簡介7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7模擬集成電路7.4.1兩級CMOS運算放大器7.4.2全差分運算放大器7.4.3BJT型LM741集成運算放大器7.4.4電流反饋集成運算放大器7.4集成運算放大器電路簡介7.4.1兩級CMOS運算放大器1.電路結(jié)構(gòu)及工作原理7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標設(shè)

gm1=gm2=gm

則差分式輸入級電壓增益總電壓增益Av

=

Av1·Av2

Av2=vo/vgs7

=-gm7(rds7//rds8)

第二級電壓增益將參數(shù)代入計算得Av

=

40804（92.2dB）小信號差模電壓增益7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標共模抑制比

取決于差分式輸入級的共模抑制比。通常可以達到80dB以上。7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入電阻差模、共模輸入電阻均為無窮大7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸出電阻Ro=rds7//rds87.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入失調(diào)電壓vP=vN=0時應該有

vO=0實際常有vO0VIO是導致運放電路零點漂移的重要原因在輸入端加校正電壓VIO，使vO=0。VIO——失調(diào)電壓溫度也會影響VIO7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入偏置電流和失調(diào)電流

輸入端有電流嗎？為了防止靜電和過壓損壞MOS管的絕緣柵極，大多數(shù)CMOS運算放大器在輸入端都增加了保護二極管。7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入偏置電流和失調(diào)電流為了防止靜電和過壓損壞MOS管的絕緣柵極，大多數(shù)CMOS運算放大器在輸入端都增加了保護二極管。7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入偏置電流和失調(diào)電流vP=vN=0時，由于二極管的漏電流不完全相等，從而使兩輸入端有電流IBP和IBN。定義：IIB=(IBP+IBN)/2——偏置電流IIO=|IBP-IBN|——失調(diào)電流輸入端內(nèi)是BJT時必有電流7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸入偏置電流和失調(diào)電流

能正常工作嗎？

改進同相輸入端的直流通路是斷開的，MOS管的柵極沒有合適的偏置，電路無法建立合適的Q點。Ri輸入電阻會減小7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標共模輸入電壓范圍共模輸入電壓vic=(vP+vN)/2vP

vN

vi當vic增大，使T1、T2的源極電壓升高(因ID6恒定,ID1=

ID2,故VGS基本不變)，|vDS6|減小，導致T6工作點進入夾斷點軌跡時（|vDS6|min=|VGS6Q-VTP6|），vic達到最大值：Vicmax=VDD-|vDS6|min-|VGS1Q|=VDD-|VGS6Q-

VTP6|-|VGS1Q|

7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標共模輸入電壓范圍當vic減小，使T1、T2的源極電壓降低，|vDS1|和|vDS2|減小，導致T1和T2工作點進入夾斷點軌跡時，vic達到最小值。計算單邊即可。此時的T1有VDS1pop

=VGS1Q-VTP1則

VGD1min=VGS1Q-VDS1pop=VTP1由于iD3=ID3Q不變，所以vDS3=VDS3Q=VGS3Q也不變，則Vicmin=-VSS+VDS3Q+VGD1min=-VSS+VGS3Q+VTP17.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標輸出電壓擺幅Vomax=VDD-|VDS8pop|

VDD-|VGS8Q-VTP8|

Vomin=-VSS+VDS7pop

-VSS+

VGS7Q-VTN7

7.4.1兩級CMOS運算放大器2.電路性能指標頻率響應Cc會有較大的密勒等效電容，減小了帶寬。直接耦合電路低頻區(qū)的增益不會衰減，可以放大直流信號。早期產(chǎn)品MC145737.4.1兩級CMOS運算放大器7.4.2全差分運算放大器7.4.3BJT型LM741集成運算放大器7.4.4電流反饋集成運算放大器7.4集成運算放大器電路簡介7.4.2全差分型運算放大器與標準運放的差別有2個互逆的輸出端有1個輸出共模電壓控制端VOC(set)應用時需要兩條完全對稱的反饋通路7.4.1兩級CMOS運算放大器7.4.2全差分運算放大器7.4.3BJT型LM741集成運算放大器7.4.4電流反饋集成運算放大器7.4集成運算放大器電路簡介7.4.3BJT型LM741集成運算放大器外接調(diào)零電阻7.4.3BJT型LM741集成運算放大器簡化電路7.4.3BJT型LM741集成運算放大器7.4.1兩級CMOS運算放大器7.4.2全差分運算放大器7.4.3BJT型LM741集成運算放大器7.4.4電流反饋集成運算放大器7.4集成運算放大器電路簡介7.4.4電流反饋集成運算放大器簡化電路發(fā)射極作為反相輸入端，輸入電阻較小，不再具有虛斷特征。對地的等效電阻為reqvO=iqreq互阻增益vP=vN7.4.4電流反饋集成運算放大器簡化電路vO=iqreq互阻增益vP=vN7.4.4電流反饋集成運算放大器應用相比標準運放，電流反饋運放不遵循增益帶寬積為常數(shù)的規(guī)律。它特別適合高頻、寬帶信號的放大。當rin<<R1//Rf時，有又因為所以若Rf<<req，則7.1模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)7.2差分式放大電路*7.3帶有源負載的差分式放大電路7.4集成運算放大器電路簡介7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7模擬集成電路7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）7.5.2差模特性7.5.3共模特性7.5.4大信號動態(tài)特性7.5.5電源特性7.5.6運放在單電源下工作7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）1.輸入失調(diào)電壓VIO2.輸入偏置電流IIB3.輸入失調(diào)電流IIO（1）輸入失調(diào)電壓溫漂VIO/

T（2）輸入失調(diào)電流溫漂IIO/

T4.溫度漂移輸入信號為零時應有

但由于失調(diào)電壓、失調(diào)電流、偏置電流的存在使輸出電壓不為0。為什么需要這個電阻？為什么需要這個電阻？失調(diào)電壓VIO、失調(diào)電流IIO和偏置電流IIB帶來的誤差7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）失調(diào)電壓VIO、失調(diào)電流IIO和偏置電流IIB帶來的誤差輸入為零時的等效電路解得誤差電壓7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）失調(diào)電壓VIO、失調(diào)電流IIO和偏置電流IIB帶來的誤差當

R2=R1//Rf時，可以消除偏置電流IIB引起的誤差，此時引起的誤差仍存在。R2=R1//Rf常稱為輸入端電阻平衡條件（1＋Rf/R1）和Rf越大，VIO和IIO引起的輸出誤差電壓也越大。7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）關(guān)于調(diào)零調(diào)零補償調(diào)零電路7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）741中的調(diào)零電路調(diào)零補償由于目前高精度運放的VIO、

IIO

、IIB都非常小，所以大都不再提供調(diào)零端了。反相端加入補償電路7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）上述的調(diào)零方法都無法消除因溫度變化由ΔVIO/ΔT和ΔIIO/ΔT引起的輸出誤差。關(guān)于調(diào)零接入電阻R2有何作用？R2如何取值？7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）如果IIB(R1//Rf)在輸出誤差中所占比例無足輕重，就無需添加R2，否則反而會引入更多的噪聲。關(guān)于輸入端的平衡電阻VIO、IIO和IIB對積分電路的影響實際常用的積分電路換成電容C，則

時間越長，誤差越大，且易使輸出進入飽和狀態(tài)。7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）

對電容充電完成后等效于開環(huán)狀態(tài)，運放無法工作在線性區(qū)。有Rf時無Rf時

對電容充電完成后等效于反相放大電路，可以使運放工作在線性區(qū)。7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）VIO、IIO和IIB對積分電路的影響當然，接入Rf會帶來運算誤差7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）7.5.2差模特性7.5.3共模特性7.5.4大信號動態(tài)特性7.5.5電源特性7.5.6運放在單電源下工作7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7.5.2差模特性1.開環(huán)差模電壓增益Avo和帶寬BW

開環(huán)差模電壓增益Avo開環(huán)帶寬BW

(fH)單位增益帶寬BWG(fT)741型運放Avo的頻率響應目前高速運放要求fT>50MHz，如AD801的fT＝800MHz。寬帶運放如OPA657C（FET輸入級）Avo·fH＝1600MHz。

0dB以上斜線部分有增益帶寬積為常數(shù)，即APfP=fTP增益為AP頻率為fP7.5.2差模特性2.差模輸入電阻rid和輸出電阻ro

BJT輸入級的運放rid一般在幾百千歐到數(shù)兆歐MOSFET為輸入級的運放rid＞1011Ω超高輸入電阻運放rid＞1013Ω、IIB≤0.040pA一般運放的ro＜200Ω，而超高速AD9610的ro＝0.05Ω。3.最大差模輸入電壓Vidmax

指集成運放的反相和同相輸入端之間所能承受的最大電壓值。最大差模輸入電壓超出電源電壓零點幾伏7.5.2差模特性4.最大輸出電壓Vomax（輸出擺幅）

目前很多運放的最大輸出電壓可接近電源電壓，即RRO（Rail-to-RailOutput）輸出特性，可大幅提高電源效率，有利于低壓電源或電池供電的應用。

具有RRO特性的運放一般只適合于較大負載電阻的微功率電路。5.最大輸出電流Iomax

指在保證一定輸出電壓下的輸出端最大電流，包括拉電流和灌電流，常用正負號區(qū)別。

因為Iomax與輸出電壓有關(guān)，所以很多數(shù)據(jù)手冊中用輸出短路電流Isc代替。

一般運放的Isc在幾十至上百mA。7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）7.5.2差模特性7.5.3共模特性7.5.4大信號動態(tài)特性7.5.5電源特性7.5.6運放在單電源下工作7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題1.共模抑制比KCMR和共模輸入電阻ric7.5.3共模特性

一般通用型運放KCMR為80～120dB，高精度運放可達140dB，ric≥100MΩ。2.最大共模輸入電壓Vicmax

運放作為電壓跟隨器時，使輸出電壓產(chǎn)生1%跟隨誤差的共模輸入電壓幅值。有些運放可達到正、負電源電壓值，稱為RRI（Rail-to-RailInput）輸入特性，即

VicmaxV+，-VicmaxV－。具有RRO和RRI特性運放的優(yōu)勢低電源電壓下兩種運放的電壓擺幅軌到軌運放非軌到軌運放運放的飽和壓降運放的飽和壓降7.5.3共模特性vOvO7.5.1輸入直流誤差特性（輸入失調(diào)特性）7.5.2差模特性7.5.3共模特性7.5.4大信號動態(tài)特性7.5.5電源特性7.5.6運放在單電源下工作7.5運放主要參數(shù)和相關(guān)應用問題7.5.4大信號動態(tài)特性1.轉(zhuǎn)換速率SR（SlewRate）