薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)品介紹及應(yīng)用陳鴻彬

漢能薄膜太陽(yáng)能產(chǎn)品介紹及應(yīng)用★密級(jí)目錄01光伏發(fā)電原理及系統(tǒng)組成02薄膜組件系列和優(yōu)勢(shì)03產(chǎn)品應(yīng)用介紹

第一部分光伏發(fā)電系統(tǒng)原理及組成PART0101光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏特效應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池經(jīng)過(guò)串并聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太陽(yáng)能電池組件，再配合上逆變器等部件就形成了光伏發(fā)電系統(tǒng)。光伏發(fā)電原理光伏發(fā)電系統(tǒng)示意圖薄膜組件并網(wǎng)逆變器匯流套件支架直流電纜壓塊螺栓數(shù)據(jù)采集器雙向電表光伏計(jì)量電表電表箱施工輔材混凝土配重交流配電箱漢能提供電網(wǎng)公司提供服務(wù)商提供光伏發(fā)電系統(tǒng)效率計(jì)算理論年發(fā)電量Q=P×R×ηs÷R0=5×1347×0.8÷1=5388kWh度（日發(fā)電量=14.76度）式中，P-系統(tǒng)直流總功率（裝機(jī)容量）5kW；R-年均太陽(yáng)總輻射量1347kWh/m2；ηs-光伏系統(tǒng)發(fā)電效率0.8；R0-標(biāo)準(zhǔn)日照輻射強(qiáng)度即1kW/m2。其中，ηs=K1×K2×K3×K4×K5K1-光電電池運(yùn)行性能修正系數(shù)；K2-灰塵引起光電板透明度的性能修正系數(shù)；K3-光電電池升溫導(dǎo)致功率下降修正系數(shù)；K4-導(dǎo)電損耗修正系數(shù)；K5-逆變器效率；光伏發(fā)電系統(tǒng)效率計(jì)算等級(jí)年均總輻照量

（kWh/m2)日均輻照量

（kWh/m2)最豐富帶≥1750≥4.8很豐富帶1400-17503.8-4.8較豐富帶1050-14002.9-3.8一般<1050<2.9廣州市緯度：23.12°，經(jīng)度113.28°年均日輻照量水平：1347kwh/m2等效日均標(biāo)準(zhǔn)輻照時(shí)長(zhǎng)：3.69h

第二部分薄膜組件產(chǎn)品系列和優(yōu)勢(shì)PART0202漢能產(chǎn)品生產(chǎn)基地及分布薄膜組件產(chǎn)品系列漢能產(chǎn)品CIGS銅銦鎵硒系列HNS-STXXHA鉑陽(yáng)Siliconbased硅基薄膜系列歐瑞康MiasoleGlobalSolarSinglecellAltaDevicesGaAs砷化鎵薄膜AltaDevicesHNS-SDXXSinglecellSolibroSL2&SL2-FFlex-01N/WGG-03/04Powerflex-2/4/6薄膜組件產(chǎn)品介紹鉑陽(yáng)組件（Apollo-經(jīng)典系列）HNS-BT63B透光組件電性能最大功率（W）63最大功率點(diǎn)電壓（V）70最大功率點(diǎn)電流（A）0.93開(kāi)路電壓（V）89短路電流（A）1.12功率公差（W）0/+3結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）1245*635厚（mm，不包括接線盒）7.5重量（kg）18.6組件面積（m2）0.79接線盒類型背接/側(cè)接玻璃類型

面板/背板浮法玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹歐瑞康組件（Oerlikon-雅致系列

）HNS-SD130透光組件電性能最大功率（W）130最大功率點(diǎn)電壓（V）54最大功率點(diǎn)電流（A）2.22開(kāi)路電壓（V）71短路電流（A）2.65功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）1300*1100厚（mm，不包括接線盒）6.8重量（kg）23.5組件面積（m2）1.43接線盒類型背接玻璃類型面板/背板浮法玻璃/半鋼化浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Solibro--旗艦系列（帶邊框/不帶邊框）SolibroSL2-（F）透光組件電性能最大功率（W）120/145最大功率點(diǎn)電壓（V）78.4/86.5最大功率點(diǎn)電流（A）1.53/1.62開(kāi)路電壓（V）98.7/106.7短路電流（A）1.74/1.79功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）1196.6*796/1190*789.5厚（mm，包括邊框）30mm/7.3重量（kg）18.1/16.5組件面積（m2）0.95/0.94接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Miasole組件MS150GG-04透光組件電性能最大功率（W）150-160W最大功率點(diǎn)電壓（V）19.2最大功率點(diǎn)電流（A）7.82開(kāi)路電壓（V）24.4短路電流（A）9.08功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）1611*665厚（mm，包括邊框）7.5mm重量（kg）18組件面積（m2）1.071接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/鋼化玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Miasole柔性組件FLEX-02W透光組件電性能最大功率（W）380最大功率點(diǎn)電壓（V）32.2最大功率點(diǎn)電流（A）11.49開(kāi)路電壓（V）39.6短路電流（A）13.04功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）2598*1000厚（mm，包括背膠）2.5/1.5mm重量（kg）6.2/5.1組件面積（m2）2.598

接線盒類型正接認(rèn)證

歐標(biāo)IEC61646/61730適用于非指定認(rèn)證其它區(qū)域

美標(biāo)UL1703薄膜組件產(chǎn)品介紹漢瓦HW-MQSG-01封裝材料高透光玻璃組件類型

采用美國(guó)先進(jìn)CIGS工藝制造，銅銦鎵硒組件優(yōu)勢(shì)1.三供曲面設(shè)計(jì)，外形美觀；2.可直接代替建材使用，綠色環(huán)保；3.防火、抗冰雹。透光組件電性能最大功率（W）30最大功率點(diǎn)電壓（V）8.6最大功率點(diǎn)電流（A）3.5開(kāi)路電壓（V）10.6短路電流（A）4功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長(zhǎng)（mm）*寬（mm）709*500厚（mm，包括邊框）14mm重量（kg）10組件面積（m2）0.355接線盒類型背接2薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢(shì)目

錄薄膜電池在應(yīng)用環(huán)節(jié)的優(yōu)勢(shì)設(shè)備比較

3工藝比較

其他方面優(yōu)勢(shì)

薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢(shì)

產(chǎn)業(yè)鏈比較生產(chǎn)環(huán)節(jié)4

薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢(shì)光伏發(fā)電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈比較薄膜光伏電池及組件系統(tǒng)光伏電站硅棒（錠）硅片系統(tǒng)組件電池片光伏電站晶體硅薄膜硅材料裕提純晶體硅天電池產(chǎn)鐮業(yè)鏈單晶被硅棒多晶硅仰錠切方切塊切片電池制你備電池識(shí)封裝H2、O2、HCl、Si等石英州坩堝石墨支拿架Si止C粉鋼絲5N2、O2、POC魄l3、Si絞H4、氨閥氣、Ar、NaO禍H、鹽裁酸、萌硝酸那、氫氟訪酸、TCA、異丙醇、銀槽漿、鋁移漿、銀鋁漿等玻璃議、EV律A、TPT、焊帶咬、接線盒薄膜朵電池都在生頭產(chǎn)環(huán)模節(jié)的某優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈爐環(huán)節(jié)較鉤多，整型合難度很較大Si污H4制備H2、O2、HCl、Si硅基薄剃膜電池N2、Ar、電富子清直洗液膽、Sn弓O2、ZnO2、Al6封裝玻璃繪、EVA、焊帶呆、接球線盒薄膜電悼池在生饒產(chǎn)環(huán)節(jié)予的優(yōu)勢(shì)硅基薄耕膜電池揀產(chǎn)業(yè)鏈TC陪O玻璃CIG按S薄膜印電池產(chǎn)拍業(yè)鏈濺射靶口材的制皂備富含C交u、In且、G于a等元素的磨礦石CIG倘S薄膜徐電池Ar竹、M嚷o、拍Cu沫、I坑n、新Ga詢、Se（頂或H2Se意）、勁Cd琴S（或Z株nS）拐、Zn死O、A老l、Mg旅F2封裝玻璃、各EVA蕩、焊帶荒、接僑線盒鈉鈣堤玻璃薄膜電挺池在生哭產(chǎn)環(huán)節(jié)伙的優(yōu)勢(shì)可實(shí)顛現(xiàn)全慘產(chǎn)業(yè)施鏈整爐合，藥電池們制造扭的整朗個(gè)過(guò)搞程在玩一個(gè)兇工廠粥內(nèi)即莊可完市成78設(shè)備比較薄膜綿電池礙在生蓬產(chǎn)環(huán)糟節(jié)的算優(yōu)勢(shì)硅基味薄膜蕩設(shè)備CI熔GS薄膜設(shè)餐備123單晶扇硅設(shè)際備流化床紅反應(yīng)器分餾渾塔熱解輕爐多晶硅沈設(shè)備流化綢床反意應(yīng)器分餾莫塔熱解諒爐456尾氣回各收系統(tǒng)單晶爐硅棒切才斷機(jī)尾氣殼回收肌系統(tǒng)多晶嗓硅澆關(guān)鑄爐破錠頃機(jī)磨邊辛機(jī)TC嫩O沉積磚爐激光核切割富機(jī)磨邊機(jī)激光渡切割仍機(jī)玻璃壤清洗邁機(jī)激光去挑邊機(jī)玻璃清纏洗機(jī)激光兇去邊犬機(jī)7891011滾圓機(jī)線鋸切鋸方線切片席機(jī)硅片供清洗硅片檢逮測(cè)與分釣類切方它機(jī)(多線切地割機(jī))線切亂片機(jī)硅片清脫洗硅片檢眉測(cè)與分決類12石英必坩堝凡制備石英荒坩堝濫制備13141516石墨制莊備硅片那清洗型與織音構(gòu)化等離子愁去邊機(jī)擴(kuò)散旁爐石墨雖制備硅片兇清洗閑與織難構(gòu)化等離襯子去鳥邊機(jī)擴(kuò)散爐17181920212223絲印機(jī)PEC叫VD設(shè)備燒結(jié)掩爐分選機(jī)自動(dòng)柏焊接株機(jī)層壓機(jī)測(cè)試短臺(tái)絲印稿機(jī)PE口CV撓D設(shè)備燒結(jié)爐分選機(jī)自動(dòng)焊啞接機(jī)層壓撿機(jī)測(cè)試臺(tái)PEC庫(kù)VD設(shè)備磁控待濺射皮系統(tǒng)退火術(shù)爐分選附機(jī)超聲焊浴機(jī)層壓機(jī)測(cè)試冊(cè)臺(tái)磁控濺藝射系統(tǒng)硒化爐化學(xué)歉浴制蜂備Cd訓(xùn)S分選機(jī)超聲焊荷機(jī)層壓窮機(jī)測(cè)試誘臺(tái)9工藝比較薄膜開(kāi)電池性在生蠟產(chǎn)環(huán)袖節(jié)的悶優(yōu)勢(shì)單晶嗓硅多晶各硅硅基秩薄膜CI崇GS（以仰濺射撐后硒償化為例）氫氯化哨工藝分餾岡工藝熱解(1任10緩0℃鞏)尾氣回縱收氫氯化匯工藝分餾工煮藝熱解(1爬10廁0℃暗)尾氣對(duì)回收拉單晶(14皆00℃斯)斷頭，態(tài)切方切片澆鑄（140區(qū)0℃）破錠切片RCA清洗RCA清洗玻璃欲清洗LP理CV宗D沉積TCO膜（20礦0℃）玻璃獻(xiàn)清洗濺射沉脈積Mo電極擴(kuò)散(85閱0℃)擴(kuò)散(85恐0℃)PEC打VD（3杜50烘℃）絲網(wǎng)鬼印刷等離子迫體刻蝕烘干具（X3：緩200喇℃）燒結(jié)（200仁~80綿0℃）分選焊接層壓榜（15殃0℃撲）測(cè)試PEC篇VD（45烤0℃）絲網(wǎng)印舅刷等離側(cè)子體汁刻蝕烘干淡（X3：辦200記℃）燒結(jié)悔（20千0~醫(yī)80騙0℃限）分選焊接層壓輩（150波℃）測(cè)試PE光CV擦D（1犁80這~2暗20檔℃）磁控濺缺射激光芬切割激光緣瑞去邊退火（180索℃）分選匯流責(zé)焊接層壓（150塑℃）測(cè)試磁控拆濺射硒化隸（50纖0℃）激光筑切割激光賞去邊分選匯流齒焊接層壓（15擊0℃降）測(cè)試電池尺軍寸：12存5x武12金5m借m、15涂6x悟15片6m銳m、200耕x20含0mm電池殼尺寸詢：0.7溫9m、1.4甩3m、1.糠54即m電池尺聾寸：0.7覆5m、0.9繭4m工藝比薄膜電團(tuán)池在生陽(yáng)產(chǎn)環(huán)節(jié)康的優(yōu)勢(shì)晶體硅辣組件4次溫度使超過(guò)80歲0o體C的高溫總過(guò)程硅基乏薄膜妻組件4次溫朗度低刑于250翅oC的低姿溫過(guò)嗚程CIG醉S薄膜組劑件1次500發(fā)℃的高溫拘過(guò)程5次溫拿度低賀于400默oC的低溫絮過(guò)程1次150壇℃的低鋒溫過(guò)劉程5次進(jìn)入燭真空系眉統(tǒng)3次進(jìn)入妹真空系鉛統(tǒng)2-渡3次進(jìn)纏入真哭空系么統(tǒng)3次硅片RC梅A清洗說(shuō)工藝3次玻璃渡清洗工傷藝3次玻璃扣清洗工走藝22222222較晶體祥硅太她陽(yáng)能你電池推：耗恐電能讀高、啟耗水牧高、認(rèn)耗人做力高扣,尺套寸較配??；薄膜太港陽(yáng)能電鄙池：耗宮電能低淚、電池塞尺寸大1011磨邊一次囑清洗一次激血光二次挺清洗PE蟲CV怪D二次稅激光PVD三次獻(xiàn)激光激光講掃邊退火芯片清膜洗超聲焊EV膚A敷呼設(shè)層壓裝接線間盒組件乞測(cè)試外觀筋清潔檢查裝箱電池板反壓票測(cè)試組件薄膜電伸池在生孤產(chǎn)環(huán)節(jié)怖的優(yōu)勢(shì)硅基薄吳膜電池殃生產(chǎn)工邁藝流程12薄膜墳電池淺在生常產(chǎn)環(huán)瞧節(jié)的窩優(yōu)勢(shì)CI圣GS薄膜滲電池陰生產(chǎn)盜工藝應(yīng)流程多（以哀濺射+硒化閣法為骨例）磨邊基板清臟洗Mo鄭電極市沉積一次激吧光磁控級(jí)濺射廳銅銦愿鎵測(cè)試申與封嶄裝激光掃融邊三次諷激光磁控姜濺射峽背電響極二次激掠光化學(xué)浴雙法沉積歸CdS硒化其他優(yōu)勢(shì)薄膜井電池某在生被產(chǎn)環(huán)臣節(jié)的穴優(yōu)勢(shì)原材料子消耗：薄膜電態(tài)池的光灑敏層厚懶度一般住在0.5~3微米，皮相對(duì)于族厚度為150款~20責(zé)0微米登的硅旺片大很大節(jié)炕省了沉原材秩料。能源隊(duì)回收塊期：晶體硅雪組件的悉能源回章收期為托1.5鏡年，而蘭薄膜組暈件的能訴源回收期僅嬌為0.塊5~1選年。柔性么組件偏：薄膜電惹池可以昨采用聚膽酰亞胺羊、不銹笛鋼等柔輝性襯底墾制備輕散質(zhì)、可卷曲爛的柔性江組件。技術(shù)亡提升伙空間撒：晶揀體硅則電池壩接近繪極限缸效率番，效殼率提離升空寬間有料限；斧薄膜蓋電池的理論透效率為垃29%仆，提升幟空間較科大（C新IGS膝的實(shí)驗(yàn)綠室效率括已達(dá)到2袖0.絮8%迫，量愉產(chǎn)效報(bào)率與粥晶體難硅組刊件相嘴當(dāng)）吃。13應(yīng)用層環(huán)境薄膜燥電池固在應(yīng)趙用環(huán)醬節(jié)的誦優(yōu)勢(shì)發(fā)電性頭能應(yīng)用環(huán)節(jié)建筑美澡學(xué)14電薄膜贊電池規(guī)在應(yīng)努用環(huán)太節(jié)的辨優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性諸能薄膜電揭池的溫茄度系數(shù)蛙較小，寇高溫性鍛能佳發(fā)在散愚射光矮環(huán)境妹下，部性能傷較好性能陰影遮漿擋功率破損失較代小15技術(shù)參數(shù)對(duì)比硅基薄膜組件CIGS薄膜組件單晶硅組件多晶硅組件Pmax溫度系數(shù)-0.21%/℃-0.31%/℃-0.47%/℃-0.46%/℃最大系統(tǒng)電壓1000VDC1000VDC1000VDC1000VDC工作溫度-40~85℃-40~85℃-40~85℃-40~85℃使用壽命25年25年25年25年適宜安裝地區(qū)熱帶、溫帶、寒帶熱帶、溫帶、寒帶溫帶、寒帶溫帶、寒帶16薄膜電頌池在應(yīng)條用環(huán)節(jié)銷的優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性禍能溫度拘系數(shù)植小，豆高溫妄性能臟佳當(dāng)工材作溫盞度高露于2妖5℃持時(shí)，街溫度養(yǎng)每升巴高1煮℃，面硅基專薄膜好組件恐、單緩晶硅王組件擔(dān)和多嚷晶硅響組件佩的最炭大功姓率分包別降低戴0.廢21鳥%、吵0.傲31慕%、在0.膝47姨%和譽(yù)0.贈(zèng)46咬%。1000W太陽(yáng)能電池因溫度上升所引起的功率下降對(duì)比表硅基薄膜電池其他晶體硅電池溫度（℃）Pmax（W)Pmax(W)(SanyoHIT)Pmax(W)(Otherc-Si)509439138886092087884270897843798758868267758087480975217薄膜舍電池鉆在應(yīng)弊用環(huán)召節(jié)的擋優(yōu)勢(shì)-發(fā)電躺性能德國(guó)竿權(quán)威TU環(huán)V評(píng)測(cè)報(bào)手告顯示工作溫賽度大于敵25℃觸時(shí)，太冠陽(yáng)能電散池的最弦大功率招隨著溫園度的升預(yù)高而減慮小。由偽于硅基駁薄膜電池溫儀度系數(shù)間較小，困工作溫帝度在7宮5℃時(shí)娃，硅基覽薄膜電番池比晶墓體硅電任池多發(fā)森電(88墓6-7保75)/775=12.摟5%18薄膜明電池我在應(yīng)乘用環(huán)患節(jié)的項(xiàng)優(yōu)勢(shì)-發(fā)電非性能Pho乓ton測(cè)試加結(jié)果間：硅紫基薄熱膜組渡件（影非微露）與懸兩家拿晶硅威組件棋發(fā)電英量比較201場(chǎng)1年初睛至20帝12年援第一季度末堂，硅基由薄膜組取件的累計(jì)頸發(fā)電量稠比阿特小斯晶硅組秩件高8魚.1%炮；比夏普晶硅源組件高吵15.攔74%勵(lì)。測(cè)試地若點(diǎn):Aa濕ch悠en(德優(yōu)國(guó)西幟北部誦城市犯)緯度春:N50°年平均績(jī)溫度:11℃年平峰均輻滴照度型:100樣0kWh/m219薄膜電掠池在應(yīng)棒用環(huán)節(jié)長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性更能Pho歌ton測(cè)試虛結(jié)果題：硅隙基薄錘膜組決件（窯非微鉗）與Fir趁stSo煌la授r碲化斤鎘薄扭膜組科件發(fā)虜電功卡量比郊較201就1年初脖至20慨12年飯第一季踐度末，躲硅基薄刮膜組件休的累計(jì)描發(fā)電量渡比Fi碧rstSo蓮la勾r碲逗化鎘考薄膜嚇組件高貝4.膜15寺%。測(cè)試地會(huì)點(diǎn):Aac超hen(德治國(guó)西漲北部偽城市貢)緯度:N50°年平均寒溫度:11℃年平均筋輻照度雹:100鎖0kW立h/m220薄膜單電池羽在應(yīng)蒜用環(huán)飲節(jié)的久優(yōu)勢(shì)-發(fā)電丑性能位于汁Sa釀nt獻(xiàn)aCr驅(qū)uz獨(dú)的電能池組再件陣就列不同電創(chuàng)池組件淡在美國(guó)零加州S歲ant革aCr欣uz峽（37°N）發(fā)電賠量的比棍較[來(lái)齒源：猜Al施la侵nGr理eg犁g,Ter瞞enc依ePa備rk樸er曾,andRo車nSwe著nso涌n,A額rea奧lwo朋rl量dEx蛇am那in粉at畜io己nofPVSy丙st旱emDes競(jìng)ignan委dPe祝rf則or瘡ma州nc摔e.北]在同補(bǔ)一地丙點(diǎn)，億相同挎傾角融下，煩硅基擦薄膜款組件搜的年班發(fā)電躍量比繼晶硅蚊組件雜多達(dá)黎14足%。21薄膜電光池在應(yīng)獨(dú)用環(huán)節(jié)愿的優(yōu)勢(shì)-發(fā)電體性能CI本S電池與喜晶硅電撲池發(fā)電冒性能比較[來(lái)源件：So江lar玻-fr紅ont慘ier沸./Br全och逆ure遞]CI匯S薄糠膜電攤池比要晶體避硅電臟池年織發(fā)電呢量多求10海%！測(cè)試地棉點(diǎn)：日齡本厚木慎市（北她緯35倍度26來(lái)分）測(cè)試時(shí)偵間：2芳009接年7月捆~20松10年妖6月22薄膜宗電池頓在應(yīng)牧用環(huán)拖節(jié)的床優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性翻能[來(lái)母源：稱Ka濃iW.Jan諷sen陪,Sup刑arm恨aB.Kad流am,andJam涉esF.Gro樓eli棚nge奔r,“T醋heAd臂va網(wǎng)nt帳ag怒esofAm甘or侮ph右ou稍sSi挪li轎co嘴nPh徑ot衫ov怒ol紐奉ta琴icMo昏du松le觀sinGri瘡d-t摘iedsys擦tem娘s”]五種電灰池組件錫在西班田牙Mal身lor境ca（39°N）實(shí)涂測(cè)的周累計(jì)塔年發(fā)冰電量壺比較經(jīng)比較園：相同等標(biāo)稱功油率下，西5種太坡陽(yáng)能電藝池的依發(fā)電叨量依撇次為腫雙節(jié)化硅基地薄膜電池、染銅銦鎵庫(kù)硒電池餐、多晶玩硅電池?cái)y、單晶硅背電池、調(diào)碲化鎘策電池。23薄膜被電池民在應(yīng)瘋用環(huán)酒節(jié)的努優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性屠能弱光涉發(fā)電攔效果挽更佳散射光處條件下襯（早晨賄、傍晚橋及多云濤天氣）穴，薄膜糧組件發(fā)蜓電更有舞優(yōu)勢(shì)。當(dāng)光照沸強(qiáng)度減謹(jǐn)小時(shí)，膏非晶硅傾材料的馳轉(zhuǎn)換效工率與晶賭體硅材組料有愚明顯要的差腸別非晶硅莊隨光強(qiáng)債的減小欣先增大糾，在大暮約10和0W統(tǒng)/m2時(shí)，轉(zhuǎn)紗換效率救達(dá)到最裕大值；騰然后隨光垃強(qiáng)的標(biāo)減小租而減組小，絨但變雕化幅咸度在撥10善%的范屑圍。晶體硅穿隨光強(qiáng)妻的減小朗而減小妄，當(dāng)光況強(qiáng)從10問(wèn)00院W/慰m2減小業(yè)到1柔0W榜/m2時(shí)，段單晶頓硅的貪轉(zhuǎn)換效率減掃小43膨%，多系晶硅減皮小63遞%。24薄膜過(guò)電池賞在應(yīng)析用環(huán)郵節(jié)的放優(yōu)勢(shì)-發(fā)電性情能同功率請(qǐng)的硅基內(nèi)薄膜組須件與晶余體硅組差件發(fā)電量比值濾隨天悄氣的沿變化在兩嫌種測(cè)挖試條惑件下福硅基嫂薄膜卵組件程與晶朝體硅辮組件英發(fā)電磁量比檢值均盆大于孫10過(guò)0%科，平裁均多毀出1醋0%須以上府的發(fā)電量貨。多云毀天氣時(shí)村，硅基涉薄膜組僻件表現(xiàn)完更佳。[來(lái)源齊：Ro蛾nSw待en橫so僅n,Fl舟atRo太ofThi便n-f朝ilmPVCom體par槍edtoTi費(fèi)lt執(zhí)edTh蒸inFi確lmandCr燦ys體ta己ll輕in伏ePV不]測(cè)試紫條件地點(diǎn)撒：S增an灑taCru跪zPT樣C：扁日照參10兔00惑W/凝m2環(huán)境溫帝度20顯℃風(fēng)速干1m久/sSTC類：日照納100倍0W/梳m2電池元溫度匠25佩℃大氣副環(huán)境危AM貢1.斤5光伏建腳筑應(yīng)用儉中，遮木擋難以敲避免，研局部遮失擋對(duì)薄碼膜組件既和晶體僵硅組件水功率的影弊響有所丟不同：晶體慘硅組繩件：紛單電廊池片達(dá)被完濁全遮怨擋時(shí)印，整炸個(gè)組琴件的麻輸出農(nóng)功率嬌損失鑰75弊%；薄膜組譜件：遮然擋組件徐面積的蹦10%僚，整個(gè)巾組件功角率損失區(qū)僅10界%。此外強(qiáng)，晶模體硅科組件勒受安懷裝傾投角和鑒表面鹿灰塵星的影寸響比濕薄膜洽組件鏟大。[來(lái)源德：呂芳駱，江燕庭興，劉散莉敏，北曹志峰春，《太拔陽(yáng)能發(fā)避電》]25薄膜含電池富在應(yīng)殖用環(huán)趨節(jié)的蠢優(yōu)勢(shì)-發(fā)電禿性能陰影恐遮擋綿功率粘損失渴較小秘密-后-?2父017Han壁erg奴yTh圍inFi檔lmPo桌we凳rGr體ou校pLim卸ite拜d薄膜組潑件晶硅酒組件晶硅組露件玻璃繭采用毛吹邊玻璃且泊帶邊傷框，窯表面景不光滔滑，易積灰明、積雪吹，影響豪電池發(fā)電斗量。閱薄膜狀組件亮采用醉純平鋼化拼玻璃，歌表面光形滑，易清蜂理。薄膜組襖件跟晶片硅組件魯對(duì)比環(huán)境特點(diǎn)組件比較薄膜組件晶硅組件溫差大收縮系數(shù)收縮系數(shù)一致收縮系數(shù)不一致，易破損風(fēng)沙大封裝材料雙層玻璃堅(jiān)固耐用沙石對(duì)軟性TPT有損傷隱患紫外光線強(qiáng)EVA黃化位于電池片下方大部分紫外線被電池吸收，不易黃化位于電池片上方易黃化，功率下降組件壽命受EVA影響工作溫度高溫度系數(shù)溫度系數(shù)小，發(fā)電量受高溫影響小溫度系數(shù)大，高溫效果不佳26薄膜丙電池參在應(yīng)簡(jiǎn)用環(huán)侍節(jié)的糠優(yōu)勢(shì)-應(yīng)用環(huán)嘩境普通組回件--應(yīng)用沈環(huán)境腰廣泛浮法玻考璃薄膜電句池EV沾A層背板鉗玻璃鋼化搖玻璃EV喊A層晶體索硅電池EV橫A層TP類T背板薄膜組牽件Vs晶硅述組件秘密-江-?2討017Han江erg符yTh移inFil夠mPow倍erGro鄰upLi蝦mi碎te幼d22屋面通括風(fēng)改造后出現(xiàn)兆的電池恒隱裂問(wèn)頌題，降挎低功率拉損失。漢能犁組件茶的安抬全性1.可靠性癥優(yōu)勢(shì)-局機(jī)械性自能新增銜欄桿薄膜漁組件著采用握雙玻撞結(jié)構(gòu)盡封裝克，機(jī)獲械性財(cái)能出突眾。學(xué)可有沈效防來(lái)止晶名硅組見(jiàn)件因海載荷虧測(cè)試厭、運(yùn)輸、捏受力秘密師--新增堪欄桿漢能搭組件晨的安哨全性測(cè)試騾條件因組件葬工藝原嗽因，薄卻膜組件桑對(duì)陰影令遮擋（淡植被、茫建筑或纏鳥糞等孔）具有奧顯著地而抗熱斑佳效果析。免維護(hù)浪狀態(tài)下批，可有刺效避免顧組件故逃障?20方17Han制erg移yTh普inFil鵲mPo荒we銜r(shí)Gro聯(lián)upLim油ite俗d2.可靠性甩優(yōu)勢(shì)-壤耐熱斑連性能屋面赴通風(fēng)限改造秘密-冒-?2抱017Han戀erg牛yTh遍inFil段mPo判we致rGro簽up