中微公司研究報(bào)告刻蝕設(shè)備執(zhí)牛耳者M(jìn)OCVD再創(chuàng)佳績

中微公司研究報(bào)告-刻蝕設(shè)備執(zhí)牛耳者M(jìn)OCVD再創(chuàng)佳績一、國內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍者，國產(chǎn)刻蝕設(shè)備和MOCVD雙龍頭中微公司（688012）于2004年成立于上海，2019年7月登陸科創(chuàng)板。公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品為刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備，兩類產(chǎn)品均在海內(nèi)外具備優(yōu)良競爭力?？涛g設(shè)備為集成電路（IC）制造的關(guān)鍵設(shè)備，而MOCVD設(shè)備是LED芯片制造的最主要設(shè)備。截至2021年三季報(bào)末，中微公司第一大股東上海創(chuàng)投（實(shí)控人為上海市國資委）持股比例15.64%，第二大股東巽鑫投資

（大基金全資子公司）持股比例為15.15%，兩者持股比例接近。公司無實(shí)際控制人。受益于下游積極擴(kuò)產(chǎn)和國產(chǎn)替代，公司收入和利潤增長強(qiáng)勁，在手訂單飽滿。公司業(yè)績快報(bào)披露2021年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入31.08億元，同比增長36.7%，2017-2021年CAGR4為33.7%。公司2021年新簽訂單金額為41.3億元，同比增加約90.5%。公司歸母凈利潤增長強(qiáng)勁，2021年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤10.11億元，同比增長105.5%。刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備是公司主要的收入來源。根據(jù)公司業(yè)績快報(bào)，2021年公司專用設(shè)備收入25.07億元，占公司營業(yè)收入的81%；其中，刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備收入分別為20.04億元和5.03億元，占公司營業(yè)收入的65%和16%。備品備件與設(shè)備維護(hù)收入共計(jì)6.01億元，占2021年?duì)I業(yè)收入的19%。公司盈利能力和費(fèi)用控制能力良好，扣非歸母凈利潤波動(dòng)主要系股份支付和政府補(bǔ)助抵減研發(fā)費(fèi)用所致。公司扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤數(shù)據(jù)波動(dòng)較大，原因有二：一為股份支付項(xiàng)目影響。公司存在大規(guī)模股權(quán)激勵(lì)的傳統(tǒng)，2018、2020和2021年存在較大金額的股份支付，作為經(jīng)常性損益分別計(jì)入營業(yè)成本和三費(fèi)（特別是管理費(fèi)用）中，造成扣非凈利潤率的波動(dòng)。若將當(dāng)期股份支付費(fèi)用加回扣非凈利潤，剔除股份支付對(duì)核心凈利潤的影響，可看出公司盈利水平穩(wěn)中有升。二為政府補(bǔ)助影響。公司作為高新技術(shù)企業(yè)接受了金額較高的政府補(bǔ)助，計(jì)算扣非凈利潤時(shí)，研發(fā)費(fèi)用中使用政府補(bǔ)助抵減的金額作為非經(jīng)常性損益去除，影響扣非后歸母凈利潤的表現(xiàn)。為了反映公司正常經(jīng)營情況下的毛利率和費(fèi)用率變化趨勢，我們將股份支付和政府補(bǔ)助項(xiàng)目進(jìn)行了調(diào)整，在成本/費(fèi)用中減去股份支付費(fèi)用、加回政府補(bǔ)助抵減，可見公司銷售和管理費(fèi)用隨著營收規(guī)模增長逐漸攤薄，費(fèi)用控制能力良好，而扣非凈利潤表現(xiàn)主要受到較大幅度的研發(fā)投入影響。排除會(huì)計(jì)核算因素影響后，公司核心業(yè)務(wù)盈利能力和可持續(xù)性優(yōu)良。持續(xù)高水平研發(fā)投入，保持競爭優(yōu)勢和后續(xù)成長能力。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，具有產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)快、研發(fā)投入大、研發(fā)周期長、研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)高等特點(diǎn)。公司研發(fā)投入（含資本化投入）長期保持在營收20%以上的高水平，2021年前三季度研發(fā)投入（含資本化研發(fā)投入）4.55億元，占當(dāng)期營收的22.0%。高研發(fā)投入是公司保持技術(shù)與產(chǎn)品優(yōu)勢的保障，也為公司后續(xù)的持續(xù)增長提供動(dòng)力。股權(quán)激勵(lì)、全員持股制度提升人才粘性，保障團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定性。公司實(shí)施全員持股制度，持續(xù)加強(qiáng)人才激勵(lì)。2020年起，公司實(shí)施了限制性股票計(jì)劃和股票增值權(quán)計(jì)劃，其中限制性股票激勵(lì)計(jì)劃授予對(duì)象共700人，占公司職工人數(shù)的91.9%，包括核心技術(shù)人員等，合計(jì)擬授予800萬股限制性股票，占該草案公告時(shí)公司股本5.35億股的1.49%；

股票增值權(quán)計(jì)劃激勵(lì)對(duì)象6人，激勵(lì)對(duì)象為公司董事、高管。2022年3月，公司公布2022年限制性股票激勵(lì)計(jì)劃（草案），擬授予激勵(lì)對(duì)象1104人，占公司職工人數(shù)的99.4%。該計(jì)劃擬向激勵(lì)對(duì)象授予400萬股限制性股票，占草案公告時(shí)公司股本6.16億股的0.65%。公司所處的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，人才競爭激烈。全員持股的激勵(lì)制度有助于提高關(guān)鍵人員和研發(fā)團(tuán)隊(duì)的忠誠度和凝聚力，吸引和留住優(yōu)秀人才，保持團(tuán)隊(duì)的穩(wěn)定性。激勵(lì)計(jì)劃業(yè)績目標(biāo)彰顯發(fā)展信心。公司2020年限制性股票激勵(lì)計(jì)劃和期權(quán)激勵(lì)計(jì)劃具有相同的業(yè)績考核目標(biāo)，考核年度為2020-2023四個(gè)會(huì)計(jì)年度，考核目標(biāo)以2016-2018年?duì)I業(yè)收入均值（10.74億元）為基準(zhǔn)，2019-2020/2021/2022/2023年累計(jì)收入相對(duì)基準(zhǔn)值的增長率需分別達(dá)到255%/460%/700%/980%。2020、2021年業(yè)績目標(biāo)已經(jīng)滿足，后續(xù)完成壓力不大。2022年激勵(lì)計(jì)劃對(duì)應(yīng)的業(yè)績考核目標(biāo)要求公司2022-2025年?duì)I業(yè)收入相對(duì)于2021年（31.08億元）分別增長20%/45%/70%/100%。假如后續(xù)考核年份均達(dá)到100%歸屬的業(yè)績目標(biāo)，公司2022/2023/2024/2025年?duì)I收將分別不低于37.3/45.1/52.8/62.2億元。根據(jù)激勵(lì)計(jì)劃公告，預(yù)計(jì)2022/2023/2024年限制性股票激勵(lì)計(jì)劃成本分別為2.1/1.5/0.7億元，計(jì)入經(jīng)常性損益。二、刻蝕設(shè)備國產(chǎn)替代引領(lǐng)者，ICP緊隨CCP進(jìn)入爆發(fā)期2.1市場概況：刻蝕設(shè)備是前道制造關(guān)鍵設(shè)備，市場近200億美元，格局集中，國產(chǎn)替代空間大公司刻蝕設(shè)備屬于半導(dǎo)體制造的核心工藝設(shè)備。半導(dǎo)體制造最核心的三大工藝分別是光刻、刻蝕和薄膜沉積。光刻工序是在勻膠工序（把光刻膠涂抹在薄膜上）后，將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠的步驟；光刻后，經(jīng)過顯影工序，光罩未覆蓋部分的光刻膠被去除?？涛g是通過物理和/或化學(xué)方法對(duì)薄膜進(jìn)行精密加工，去除未被光刻膠覆蓋的部分，從而將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜的工藝，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。薄膜沉積即在晶圓上沉積一層待處理的薄膜。半導(dǎo)體制造需要此三大工藝循環(huán)往復(fù)數(shù)十次，將光罩上的設(shè)計(jì)圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。等離子體刻蝕是目前應(yīng)用的主要刻蝕方法?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種，其中干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。其各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等，應(yīng)用范圍相對(duì)較少；干法刻蝕主要采用等離子體刻蝕，是使用氣態(tài)等離子體與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊，以去除不需要的材料的過程。等離子體干法刻蝕的各向異性和選擇性均較好，是目前主流的刻蝕技術(shù)。等離子體刻蝕需使用專用的刻蝕設(shè)備。等離子體刻蝕設(shè)備一般由多個(gè)真空等離子體反應(yīng)腔和主機(jī)傳遞系統(tǒng)構(gòu)成，其主要利用等離子體中的離子或游離基轟擊晶圓，與表面的薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)物，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。刻蝕設(shè)備是最重要的晶圓制造設(shè)備之一，約占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量的24%。晶圓制造設(shè)備包括刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備占據(jù)價(jià)值量最高。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2020年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約24%、23%和22%?？涛g設(shè)備在不少先進(jìn)晶圓廠的設(shè)備投資中達(dá)到25%到30%，甚至在部分NAND閃存生產(chǎn)線上的投資接近50%。全球干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模近190億美元。根據(jù)Gartner2021年第四季度發(fā)布的最新預(yù)測數(shù)據(jù)，2021年全球干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模共計(jì)188.6億美元，同比增長38%；到2022年，預(yù)計(jì)這一市場規(guī)模將超過200億美元，刻蝕設(shè)備市場空間廣闊。全球刻蝕設(shè)備市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，前三大巨頭占據(jù)市場份額的91%。根據(jù)Gartner2019年統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料分別占據(jù)了全球44.7%、28.0%、18.1%的市場份額。國內(nèi)參與者包括中微公司、北方華創(chuàng)，市場份額分別排在第6和第7位，市占率分別為1.1%和0.8%。泛林半導(dǎo)體：全球刻蝕設(shè)備龍頭，成立于1980年，1984年在納斯達(dá)克上市。從設(shè)備營收規(guī)模來看，泛林是全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，可在薄膜沉積、等離子刻蝕、光阻去除、晶圓清洗等前道工藝以及后道封裝應(yīng)用方面提供市場領(lǐng)先的產(chǎn)品和方案組合。2020年，公司在中國大陸營收約41億美元。東京電子：成立于1963年，是日本第一大半導(dǎo)體設(shè)備廠商，設(shè)備產(chǎn)品線豐富，主要產(chǎn)品包括熱處理成膜設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、單晶圓沉積設(shè)備、表面處理設(shè)備、晶圓測試設(shè)備、涂膠機(jī)和顯影機(jī)等。應(yīng)用材料：成立于1967年，是全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備廠商。公司具備半導(dǎo)體材料工藝和設(shè)備制造方面的深厚積累，設(shè)備產(chǎn)品線豐富，可提供除光刻機(jī)外全部的設(shè)備產(chǎn)品。北方華創(chuàng)：成立于2001年，是國內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的綜合性半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，刻蝕設(shè)備產(chǎn)品主要為ICP設(shè)備。全球芯片短缺持續(xù)，半導(dǎo)體設(shè)備投資仍景氣，市場重心向中、韓為主的亞洲市場集中。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模881.5億美元。Gartner預(yù)測，繼2021年35%的高增長后，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將繼續(xù)增長10%，達(dá)到975億美元。值得注意的是，2021年中國大陸、中國臺(tái)灣和韓國合計(jì)占據(jù)了近70%的市場規(guī)模，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場向亞洲地區(qū)集中。國內(nèi)設(shè)備市場空間廣闊、國產(chǎn)滲透率低，設(shè)備國產(chǎn)替代是長期主題。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間逾200億美元，但設(shè)備國產(chǎn)率偏低。綜合考慮產(chǎn)業(yè)鏈安全、采購難度、售后服務(wù)響應(yīng)、設(shè)備性價(jià)比、政策支持等因素，設(shè)備國產(chǎn)替代是國內(nèi)設(shè)備廠商和晶圓廠商長期共同推進(jìn)的主題。2020年我國半導(dǎo)體清洗設(shè)備、CMP設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率分別為20%、10%、8%、7%，相比2016年有顯