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學(xué)必求其心得,業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得,業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得,業(yè)必貴于專精第2節(jié)原子結(jié)構(gòu)與元素周期表第1課時(shí)基態(tài)原子的核外電子排布[學(xué)習(xí)目標(biāo)定位]1.了解基態(tài)原子的核外電子在原子軌道上的排布順序。2.掌握基態(tài)原子的核外電子排布規(guī)律,會(huì)書(shū)寫(xiě)1~36號(hào)元素原子的核外電子排布式和軌道表示式。3.學(xué)會(huì)利用電子排布式、軌道表示式正確表示核外電子排布.一、基態(tài)原子的核外電子排布原則1.原子核外電子排布的軌道能量順序設(shè)想從氫原子開(kāi)始,隨著原子核電荷數(shù)的遞增,原子核每增加一個(gè)______,原子核外便增加一個(gè)______,這個(gè)電子大多是按下圖所示的軌道能量順序進(jìn)行填充:觀察分析上圖,討論回答下列問(wèn)題:(1)在多電子原子中,電子進(jìn)入能級(jí)的先后應(yīng)遵循的原則是什么?(2)多電子原子核外電子排布是否完全遵循電子層的順序?(3)軌道的能量高低主要是由哪些因素決定的?2.泡利不相容原理泡利不相容原理的內(nèi)容:一個(gè)原子軌道最多只能容納______個(gè)電子,而且這______個(gè)電子的自旋方向必須________(用“↓”“↑”表示)。例如,基態(tài)氦原子的軌道表示式為。根據(jù)泡利不相容原理,可以獲得以下幾個(gè)重要結(jié)論:(1)每一種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子只能有____個(gè)。(2)由于每一個(gè)原子軌道包括兩種運(yùn)動(dòng)狀態(tài),所以每一個(gè)原子軌道最多只能容納______自旋方向______的電子。(3)因?yàn)閟,p,d,f能級(jí)的原子軌道數(shù)分別為_(kāi)___,____,____,____個(gè),所以s,p,d,f各原子軌道分別最多能容納____,____,____,____個(gè)電子.(4)每個(gè)電子層中原子軌道的總數(shù)為_(kāi)_____個(gè),因此,每個(gè)電子層最多能容納______個(gè)電子。3.洪特規(guī)則(1)對(duì)于基態(tài)原子,電子在能量相同的軌道上排布時(shí),應(yīng)盡可能分占______并且自旋方向______.這就是洪特規(guī)則.如碳原子的軌道表示式不是,而是__________________。(2)能量相同的原子軌道在________(如p6和d10)、________(如p3和d5)和______(如p0和d0)狀態(tài)時(shí),體系的能量較低,原子較穩(wěn)定。這稱為洪特規(guī)則特例。如下列基態(tài)原子的電子排布式的書(shū)寫(xiě):錯(cuò)誤正確鉻原子1s22s22p63s23p63d44s2________________銅原子1s22s22p63s23p63d94s2________________原子核外電子排布要遵循三個(gè)原則(1)能量最低原則:電子在原子軌道上的排布要__________________最低。(2)泡利不相容原理:每個(gè)原子軌道中最多只能容納__________且這兩個(gè)電子的自旋方向必須______(同一原子中不可能有運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子)。(3)洪特規(guī)則:當(dāng)電子排布在相同能量的不同軌道時(shí),總是優(yōu)先____________,而且自旋方向______。提醒基態(tài)原子核外電子排布必須同時(shí)遵循核外電子排布三原則。1.在能量相同的d軌道中電子排布成,而不排布成,最直接的依據(jù)是()A.能量最低原則 B.泡利不相容原理C.原子軌道能級(jí)圖 D.洪特規(guī)則2.下列原子的價(jià)電子排布式(或價(jià)電子軌道表示式)中,①②兩種狀態(tài)的能量符合①>②的是()A.氮原子:①②B.鈉原子:①3s1②3p1C.鉻原子:①3d54s1②3d44s2D.碳原子:①②二、原子核外電子排布的表示方法1.電子排布式(1)價(jià)電子①定義:與元素的________密切相關(guān)的______軌道上的電子,稱為價(jià)電子.②規(guī)律:主族元素價(jià)電子數(shù)______主族族序數(shù)。(2)按要求填表:電子排布式價(jià)電子排布式SCaFeCuGe2.軌道表示式(1)用一個(gè)小圓圈(或方框)表示一個(gè)原子軌道,在圓圈(或方框)內(nèi)用箭頭“↑”或“↓”標(biāo)明原子核外電子排布的式子稱為軌道表示式。以鋁原子為例,軌道表示式中各符號(hào)、數(shù)字的意義為(2)寫(xiě)出下列原子的軌道表示式:①O:__________________;②Na:__________________。(3)在軌道表示式中也可以用方框表示一個(gè)原子軌道,如Na:。3.原子結(jié)構(gòu)示意圖(1)原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)(示意)圖:圓圈內(nèi)數(shù)字表示質(zhì)子數(shù),弧線表示電子層,弧線內(nèi)數(shù)字表示該電子層中的電子數(shù).(2)寫(xiě)出下列原子或離子的結(jié)構(gòu)示意圖:①K:__________________;②Fe:______________________;③Mg2+:______________;④Cl-:_______________________。1.主族元素原子的最外層電子稱為價(jià)電子。過(guò)渡元素原子的價(jià)電子一般包括最外層的s電子和次外層的d電子,有的還包括倒數(shù)第三層的f電子。2.電子排布式書(shū)寫(xiě)注意問(wèn)題(1)雖然電子排布是遵循能量最低原則的,但書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí)應(yīng)按照電子層的順序書(shū)寫(xiě).如鐵原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d64s2,而不寫(xiě)作1s22s22p63s23p64s23d6。(2)簡(jiǎn)化電子排布式為避免電子排布式書(shū)寫(xiě)繁瑣,可把內(nèi)層電子排布達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分用相應(yīng)稀有氣體的元素符號(hào)外加“[]"表示。如S:[Ne]3s23p4,Ca:[Ar]4s2,F(xiàn)e:[Ar]3d64s2,Ge:[Ar]3d104s24p2。(3)離子的電子排布式原子轉(zhuǎn)化為離子有兩種情況:一是由原子失去電子轉(zhuǎn)化為陽(yáng)離子,失電子的順序與電子填入的順序有所不同,失電子時(shí),首先失去的是最外電子層上的電子,同層則按能級(jí)由高到低失電子;二是由原子得到電子轉(zhuǎn)化為陰離子,得到的電子填入原子軌道的順序與基態(tài)原子電子的排布順序相同.(4)特殊原子的電子排布式有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有1個(gè)電子的偏差。因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M(如p6和d10)、半充滿(如p3和d5)和全空(如p0和d0)狀態(tài)時(shí),體系的能量較低,原子較穩(wěn)定。提醒元素原子的價(jià)電子排布式不一定是最外層的電子排布式,主族元素的價(jià)電子排布式是最外層電子排布式,過(guò)渡元素的最外層是價(jià)電子,但有的內(nèi)層電子也是價(jià)電子,如Fe原子價(jià)電子排布式為3d64s2。3.按要求寫(xiě)出電子排布式、原子結(jié)構(gòu)示意圖或軌道表示式。(1)基態(tài)Ni原子的電子排布式:__________________________________________________。(2)基態(tài)Cu+的電子排布式:______________________________________________________。(3)基態(tài)P原子的價(jià)電子排布式:___________________________________________________。(4)Zn原子結(jié)構(gòu)示意圖:____________________________________________________。(5)17Cl的軌道表示式:__________________________________________________________.(6)第4周期中最外層僅有1個(gè)電子的所有基態(tài)原子的電子排布式:_____________________。4.下列基態(tài)原子的價(jià)電子排布式中,正確的是()A.3d94s2 B.3d44s2C.4s25p3 D.3d74s21.某基態(tài)原子核外共有6個(gè)電子,分布在K與L電子層上,在下列L層分布中正確的是()2.下列各原子或離子的電子排布式或軌道表示式表示正確的是()A.Ca2+:1s22s22p63s23p6B.F-:1s22s23p6C.P:最外層電子軌道表示式為D.Cr:1s22s22p63s23p63d44s23.下列微粒的核外電子的表示方法中正確的是()A.碳原子的軌道表示式:B.磷原子價(jià)電子軌道表示式:C.鉻原子的價(jià)電子排布式:3d44s2D.Fe2+的電子排布式:1s22s22p63s23p63d44s24.已知元素X的原子最外層電子排布式為nsn-1npn+2,則X元素的原子序數(shù)為()A.9 B.10C.17 D.185.下列軌道表示式所表示的元素原子中,能量處于最低狀態(tài)的是()6.按要求填空。(1)寫(xiě)出下列基態(tài)原子或基態(tài)離子的電子排布式:B:__________;N3-:__________;Ni2+:__________;Ga:__________;Mn2+:__________;Ge:____________。(2)2p軌道上最多只能排布6個(gè)電子,其依據(jù)的規(guī)律是______________________。(3)氧元素基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)_____個(gè),寫(xiě)出3p軌道上只有兩個(gè)未成對(duì)電子的元素符號(hào)__________,M層上有兩對(duì)成對(duì)電子的原子最外層共有_______種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。(4)1~36號(hào)元素原子中未成對(duì)電子數(shù)為2的元素符號(hào)及價(jià)電子排布式:__________________。(5)X元素的價(jià)電子排布式是4s24p5,X元素的符號(hào)是______。(6)某元素的原子序數(shù)為33,該元素原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)_________,該元素原子核外有________個(gè)電子層,________個(gè)能級(jí),________個(gè)原子軌道。(7)基態(tài)Fe原子有________個(gè)未成對(duì)電子,F(xiàn)e3+電子排布式為_(kāi)_________。
答案精析新知導(dǎo)學(xué)一、1.質(zhì)子電子(1)能量最低原則.電子最先排布在能量低的軌道上,然后依次排布在能量較高的軌道上。(2)從第三電子層開(kāi)始各軌道不完全遵循電子層順序,產(chǎn)生了軌道能量交錯(cuò)排列,即產(chǎn)生“能級(jí)交錯(cuò)”現(xiàn)象.(3)各軌道的能量由電子層序數(shù)和軌道類型共同決定,各軌道的能量高低順序,符合ns〈(n-2)f<(n-1)d〈np(n表示電子層序數(shù))。2.兩兩相反(1)一(2)兩個(gè)相反(3)1357261014(4)n22n23.(1)不同的軌道相同(2)全充滿半充滿全空1s22s22p63s23p63d54s11s22s22p63s23p63d104s1歸納總結(jié)(1)盡可能地使原子的能量(2)兩個(gè)電子相反(3)單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道相同活學(xué)活用1.D[洪特規(guī)則是指當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋方向相同。]2.A[A項(xiàng),據(jù)洪特規(guī)則,對(duì)于基態(tài)原子,電子在能量相同的軌道上排布時(shí)盡可能分占不同的軌道,且自旋方向相同,故能量①〉②;B項(xiàng),由于3s軌道能量低于3p軌道,故能量①〈②;C項(xiàng),d5為半充滿狀態(tài),為相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài),故能量①〈②;D項(xiàng),據(jù)洪特規(guī)則,對(duì)于基態(tài)原子,電子在能量相同的軌道上排布時(shí),應(yīng)盡可能分占不同的軌道,且自旋方向相同,故能量①<②。]二、1.(1)①化學(xué)性質(zhì)外層②等于(2)(從左到右,從上到下)1s22s22p63s23p43s23p41s22s22p63s23p64s24s21s22s22p63s23p63d64s23d64s21s22s22p63s23p63d104s13d104s11s22s22p63s23p63d104s24p24s24p22.(2)①②3.(2)①②③④活學(xué)活用3.(1)1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s2(2)1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10(3)3s23p3(4)(5)(6)[Ar]4s1、[Ar]3d54s1、[Ar]3d104s14.D[根據(jù)電子填入軌道的順序和核外電子的排布規(guī)律,A項(xiàng)應(yīng)為3d104s1;B項(xiàng)應(yīng)為3d54s1;C項(xiàng)應(yīng)為4s24p3;D項(xiàng)正確.]達(dá)標(biāo)檢測(cè)1.D[A項(xiàng)錯(cuò)誤,2s軌道應(yīng)排滿兩個(gè)電子,且自旋方向相反;B項(xiàng)錯(cuò)誤,2p軌道的兩個(gè)電子自旋方向要相同;C項(xiàng)錯(cuò)誤,2p軌道的兩個(gè)電子應(yīng)分占兩個(gè)軌道,且自旋方向相同;D項(xiàng)正確,2p的3個(gè)軌道能量是相同的.]2.A[A項(xiàng)正確,符合核外電子排布規(guī)律;B項(xiàng)錯(cuò)誤,由核外電子排布規(guī)律,電子排完2s后應(yīng)排2p軌道而不是3p軌道,正確的應(yīng)為1s22s22p6;C項(xiàng)錯(cuò)誤,沒(méi)有遵循洪特規(guī)則——電子在能量相同的原子軌道上排布時(shí),應(yīng)盡可能分占不同的原子軌道且自旋方向相同,正確的應(yīng)為;D項(xiàng)錯(cuò)誤,忽略了能量相同的原子軌道在半充滿狀態(tài)時(shí),體系的能量較低,原子較穩(wěn)定,正確的應(yīng)為1s22s22p63s23p63d54s1。]3.A[A項(xiàng)表示C原子的軌道表示式,正確;B項(xiàng)不符合洪特規(guī)則;C項(xiàng)不符合洪特規(guī)則特例,應(yīng)為3d54s1;D項(xiàng)Fe2+應(yīng)為Fe原子失去4s上的兩個(gè)電子,而不是失去3d上的兩個(gè)電子,應(yīng)為1s22s22p63s23p63d6.]4.C5.C[要使各原子能量處于最低狀態(tài)(即基態(tài)),核外電子必須遵循三大原則進(jìn)行排布。A項(xiàng)中2s軌道沒(méi)有排滿電子就排在了2p軌道上,顯然能量不是最低的;B項(xiàng)中2p軌道上的電子排布不符合洪特規(guī)則,三個(gè)電子各占一個(gè)p軌道且自旋狀態(tài)相同時(shí),能量最低;C項(xiàng)中2p3為半充滿狀態(tài),能量最低;D項(xiàng)中2p軌道未排滿就排3s軌道,能量不是最低的。故正確答案為C。]6.(1)1s22s22p11s22s22p6[Ar]3d8[Ar]3d104s24p1[Ar]3d5[Ar]3d104s24p2(2)泡利不相容原理(3)2Si或S6(4)C:2s22p2;Si:3s23p2;Ge:4s24p2;O:2s22p4;S:3s23p4;Se:4s24p4;Ti:3d24s2;Ni:3d84s2(5)Br(6)4s24p34818(7)4[Ar]3d5解析(1)B的核外有5個(gè)電子,電子排布式為1s22s22p1;N原子電子排布式為1s22s22p3,N原子得到3個(gè)電子所得N3-的電子排布式為1s22s22p6;Ni的原子序數(shù)為28,基態(tài)Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s2,所以Ni2+的電子排布式為[Ar]3d8;Ga位于第4周期ⅢA族,Ga的價(jià)電子排布式為4s24p1,故Ga的電子排布式為[Ar]3d104s24p1;Mn的原子序數(shù)為25,Mn原子的電子排布式為[Ar]3d54s2,故Mn2+的電子排布式為[Ar]3d5;Ge位于第4周期ⅣA族,Ge的價(jià)電子排布式為4s24p2,所以Ge的電子排布式為[Ar]3d104s24p2.(2)泡利不相容原理是指每個(gè)原子軌道最多容納兩個(gè)電子,且自旋方向相反,2p有3個(gè)軌道,最多容納6個(gè)電子。(3
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