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3/19Distinctelectrophysiologicalindicesofmaintenanceinauditoryandvisualshort-termmemory閱讀報(bào)告1研究背景及實(shí)驗(yàn)的提出1.1短時(shí)記憶的記憶模型短時(shí)記憶(STM)的研究是整個(gè)認(rèn)知活動(dòng)的研究中心。短時(shí)記憶這一概念,被反復(fù)定義、完善,而其中,對(duì)言語(yǔ)材料的短時(shí)記憶研究更是相當(dāng)?shù)耐笍?,言語(yǔ)材料是指有一定意義或規(guī)律的聽覺資料,研究者使用不同的言語(yǔ)材料進(jìn)行各種探究,對(duì)其原理及生理基礎(chǔ)都有了較多理解。例如針對(duì)言語(yǔ)材料的短時(shí)記憶提出的Baddeley工作記憶模型,該模型由中心執(zhí)行器(centralexecutive)和情景緩沖區(qū)構(gòu)成,前者包括負(fù)責(zé)空間和視覺信息的暫時(shí)存儲(chǔ)的視空間模板(visuospatialsketchpad)和負(fù)責(zé)維持語(yǔ)言材料可記錄的語(yǔ)音回路(phonologicalloop),后者負(fù)責(zé)多維解碼的儲(chǔ)存。用該模型分析非言語(yǔ)聽覺材料的加工,如記憶一個(gè)音節(jié),則認(rèn)為會(huì)在語(yǔ)音回路中得到維持。但是,有研究卻發(fā)現(xiàn)言語(yǔ)和非言語(yǔ)的記憶過程是不一樣的。確切的說,對(duì)詞語(yǔ)、數(shù)字、音調(diào)、音品等聲音的不同性質(zhì)的加工是獨(dú)立的。Deutsch(1970)發(fā)現(xiàn)聽數(shù)字和聽音調(diào)不存在相互干擾,也就是說不同類型材料的記憶加工結(jié)構(gòu)可能是不同的。Williamson(2010)等人也發(fā)現(xiàn)類似的結(jié)果:言語(yǔ)材料與純音調(diào)的記憶加工是分離的。因此,有必要對(duì)非言語(yǔ)的聽覺記憶進(jìn)行單獨(dú)的研究,這是本研究所關(guān)注的一個(gè)重要方向。此外,既然音調(diào)可能與言語(yǔ)有獨(dú)立的模式,那么音品、響度會(huì)不會(huì)也有獨(dú)立的模式呢?因此,Postle(2007)建議對(duì)Baddeley工作記憶模型完善為一個(gè)多儲(chǔ)存模式的模型。前額葉皮層(PFC)是與短時(shí)記憶有密切聯(lián)系的腦區(qū),Postle認(rèn)為PFC的作用不是處理儲(chǔ)存信息,PFC能使與刺激相關(guān)的先前記憶激活,從而使自上而下的加工取代自下而上的加工,通過這種機(jī)制PFC控制哪個(gè)系統(tǒng)模式在刺激過后能保持激活,例如,一個(gè)音調(diào)刺激就激活了音調(diào)刺激有關(guān)區(qū)域,使新刺激得到合適的記憶加工。1.2視覺短時(shí)記憶對(duì)視覺短時(shí)記憶(VSTM)的研究結(jié)果也支持了上述觀點(diǎn),Vogel和Machizawa(2004)發(fā)現(xiàn)對(duì)材料的記憶引起了后腦區(qū)域的腦電激活,而后腦區(qū)域是與PFC分離的,因此PFC可能沒有處理儲(chǔ)存信息的功能。另外,腦電刺激強(qiáng)度隨著記憶負(fù)荷的增加而增加,當(dāng)超過最大負(fù)荷時(shí),負(fù)荷再高腦電激活也不再變強(qiáng)。Perron等(2009)進(jìn)一步發(fā)現(xiàn),當(dāng)記憶材料的保持時(shí)間很短時(shí),與記憶相關(guān)的腦電激活會(huì)更快的回到0值,這種腦電模式為SustainedPosteriorContralateralNegativity(SPCN),它可作為短時(shí)記憶中視覺材料維持度(maintenance)的指標(biāo)。在視覺短時(shí)記憶的相關(guān)腦區(qū)研究上,Todd和Marois(2004)使用fMRI研究發(fā)現(xiàn),頂內(nèi)溝和枕內(nèi)溝的激活與SPCN模式有聯(lián)系;此外腦磁圖(MEG)研究也發(fā)現(xiàn)雙側(cè)的后腦區(qū)域在視覺短時(shí)記憶中起作用。1.3聽覺短時(shí)記憶那么,視覺短時(shí)記憶和聽覺短時(shí)記憶又有什么差別呢?從上述探討中發(fā)現(xiàn)它們可能有不同的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。作者假設(shè)依賴不同結(jié)構(gòu)的兩種加工所產(chǎn)生的腦電模式也是不一樣的。對(duì)聽覺短時(shí)記憶的腦電研究還很少,而比較非言語(yǔ)聽覺短時(shí)記憶在聽覺和視覺之間區(qū)別的研究更少。本文旨在研究對(duì)音節(jié)順序的短時(shí)記憶的維持,以及通過使用相似的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)比較聽覺和視覺刺激呈現(xiàn)順序記憶的腦電差異。對(duì)于聽覺短時(shí)記憶,本文是指對(duì)無意義的純音節(jié)的呈現(xiàn)順序的記憶,為了更好研究這種短時(shí)記憶的機(jī)制,作者希望使用ERP技術(shù)來測(cè)量,并把SustainedAnteriorNegativity(SAN)作為測(cè)量指標(biāo)。由于人們認(rèn)為聽覺短時(shí)記憶可用言語(yǔ)材料來研究,對(duì)它的神經(jīng)生理研究較為單薄,排除言語(yǔ)或音韻干擾的研究就更少。Pratt等(1989)使用Sternbergtask分別對(duì)視覺、聽覺和音符的記憶進(jìn)行了研究,但由于實(shí)驗(yàn)任務(wù)和設(shè)計(jì)的局限,無法確定所測(cè)量的是否是短時(shí)記憶。在更多的前人研究中,把短時(shí)記憶從多種加工過程中分離成為了研究的一個(gè)難點(diǎn)。Lang等(1992)采用了一種延時(shí)樣本匹配任務(wù)的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來避免這個(gè)問題,他們先讓被試記憶一系列項(xiàng)目的出現(xiàn)順序,在一定時(shí)間間隔后呈現(xiàn)第二組項(xiàng)目出現(xiàn)順序,被試的任務(wù)是判斷這兩組順序是否一致,以此確保反應(yīng)不受刺激干擾及做出反應(yīng)所帶來的影響等,較好地記錄了短時(shí)記憶。Lang的研究以聽覺數(shù)字、視覺數(shù)字和音調(diào)作為材料,發(fā)現(xiàn)對(duì)數(shù)字的短時(shí)記憶聽覺和視覺存在差別,此外也在前額葉電位,F(xiàn)3和F4,發(fā)現(xiàn)音調(diào)比數(shù)字在回憶初期有更強(qiáng)的負(fù)性電位。不過這個(gè)研究并沒有把記憶的負(fù)荷作為研究的變量,不能排除知覺在實(shí)驗(yàn)過程的影響。總的來說,受到方法上的限制,研究者沒能準(zhǔn)確的測(cè)量短時(shí)記憶。許多研究同時(shí)使用言語(yǔ)材料和音律材料,以區(qū)分高級(jí)的言語(yǔ)加工和音節(jié)加工。這些研究都試圖解決短時(shí)記憶某一方面的問題,但對(duì)聽覺短時(shí)記憶的基本機(jī)制還沒有一個(gè)有力的說法。1.4實(shí)驗(yàn)的提出與假設(shè)本研究的第一個(gè)實(shí)驗(yàn)希望把先前對(duì)聽覺短時(shí)記憶研究所存在的問題最小化,為了確保能準(zhǔn)確測(cè)量變量,研究設(shè)計(jì)遵循4個(gè)要點(diǎn):第一,測(cè)量?jī)纱斡洃涢g的腦電活動(dòng),即記錄延時(shí)間隔期間的腦電。作者這樣做的原因很明顯,在該段間隔內(nèi)被試沒有其他刺激的干擾,能最為準(zhǔn)確的測(cè)量出其記憶維持過程的腦電活動(dòng)。當(dāng)然這樣也不是沒有問題,由于在該間隔中沒有其他刺激,被試可能會(huì)產(chǎn)生一些與任務(wù)相關(guān)的事件的期待和猜測(cè),這種思考會(huì)對(duì)腦電數(shù)據(jù)產(chǎn)生一種稱為關(guān)聯(lián)性負(fù)變(CNV)的影響。本實(shí)驗(yàn)通過增加記憶負(fù)荷這一變量來排除這種影響,使被試在延時(shí)間隔中只產(chǎn)生于記憶負(fù)荷有關(guān)的活動(dòng),而其他腦部活動(dòng)保持不變。因此,本研究的第二個(gè)要點(diǎn)就是分離并記錄與記憶負(fù)荷有關(guān)的腦區(qū)的電位。第三個(gè)要點(diǎn)是本研究定義了記錄個(gè)體記憶能力差異的指標(biāo)。本研究假設(shè)聽覺短時(shí)記憶有這樣的機(jī)制:隨著記憶負(fù)荷的增加,腦部激活也增加。因此我們作出預(yù)測(cè),當(dāng)記憶負(fù)荷增加時(shí),大腦控制負(fù)荷的區(qū)域激活也增加,當(dāng)負(fù)荷到達(dá)個(gè)人的最大值時(shí),負(fù)荷再增加,激活的增加也會(huì)停止。也就是說,研究測(cè)量的腦激活與個(gè)體記憶負(fù)荷有關(guān)而不是感知覺的負(fù)荷量。進(jìn)一步推測(cè)可知,低視覺短時(shí)記憶負(fù)荷的人大腦激活更快到達(dá)最高水平。為此作者根據(jù)記憶負(fù)荷下腦部激活的變化定義了個(gè)體聽覺短時(shí)記憶能力的指標(biāo)——k值。第四個(gè)要點(diǎn)是本研究使用的刺激為非音律音調(diào)(non-musicaltones),與言語(yǔ)材料和音律材料不同,非音律音調(diào)更好的控制了言語(yǔ)加工過程,減少了其他加工的干擾。這些原則第一次被用在聽覺短時(shí)記憶的研究中。本實(shí)驗(yàn)流程簡(jiǎn)述如下:被試記憶負(fù)荷為2、4、6個(gè)非音律音節(jié)的來自雙耳的刺激,在2秒的延時(shí)間隔后,同樣的呈現(xiàn)2、4、6個(gè)非音律音節(jié),被試需要判斷兩組音節(jié)順序是否一致。此外,研究還使用一個(gè)控制任務(wù),在此任務(wù)中要求被試忽略第一組刺激,只判斷第二組最后兩個(gè)音節(jié)高低順序,也就是在延時(shí)間隔期間被試不需要進(jìn)行記憶過程,刺激過程與材料與記憶任務(wù)一致。最后,記憶任務(wù)的結(jié)果會(huì)與控制任務(wù)進(jìn)行比較。這個(gè)設(shè)計(jì)確保了在延時(shí)間隔期間被試記憶的是非言語(yǔ)信息,而且控制組是沒有記憶負(fù)荷的,因此在任何與聽覺短時(shí)記憶有關(guān)的激活都會(huì)在記憶任務(wù)中出現(xiàn)而在控制組中不存在。本研究假設(shè)與短時(shí)記憶維持有關(guān)的腦電活動(dòng)隨著記憶負(fù)荷增加而增加。此外,作者通過測(cè)量任務(wù)判斷的準(zhǔn)確率來確定腦電激活和負(fù)荷量的相關(guān)改變,證明激活增加的程度能反映個(gè)人在記憶能力的差異(因?yàn)樨?fù)荷達(dá)峰值,激活不再隨負(fù)荷增加而增加)。2實(shí)驗(yàn)12.1方法2.1.1被試39個(gè)被試參與了實(shí)驗(yàn),其中一位的數(shù)據(jù)被刪除了,因?yàn)樗趯?shí)驗(yàn)之后受到了耳鳴的困擾。被試平均年齡為24.6歲(范圍20~33)。在被試中,19位女性,20位男性。所有被試均報(bào)告自己有正常的聽力并且沒有神經(jīng)方面的問題。2.1.2材料刺激包括一種白噪音以及十四種沒有音律的音色。我們定義“沒有音律的音色”為一個(gè)純粹的、與十二平均律不符的高音。這14種音色從380~1375Hz,它們的準(zhǔn)確頻率(380,419,463,511,564,623,688,759,838,925,1022,1128,1245,and1375Hz)是由開始時(shí)的頻率還有每一個(gè)結(jié)束頻率與2的七分之一次方相乘得到的。所以,在一個(gè)每個(gè)八度音階都劃分到七個(gè)相等的步調(diào)上的對(duì)數(shù)標(biāo)尺上,這些音色之間的差異是相等的。所有聲音都以16比特的分辨率、一個(gè)取樣為44.1kHz以及持續(xù)期為100ms(包括10-ms的聲音變化時(shí)間)的情況下呈現(xiàn)的。聲音通過雙聲道65dBSPLviaetymoticsER-1耳機(jī)以及軟塑料耳塞播放的。2.1.3設(shè)計(jì)與過程這個(gè)2x3的被是內(nèi)設(shè)計(jì)有2個(gè)重復(fù)計(jì)量的因素:任務(wù)(記憶組vs.控制組)和負(fù)載(2,4,6)。在兩個(gè)任務(wù)被遮擋時(shí),負(fù)載變量隨機(jī)在每個(gè)試驗(yàn)中變化。被試會(huì)面對(duì)一個(gè)單純的部分,由600個(gè)試驗(yàn)組成,分散在十組,各60個(gè)試驗(yàn)中。 在每個(gè)任務(wù)中,當(dāng)被試完成五個(gè)組(每個(gè)任務(wù)300次試驗(yàn)),其將會(huì)被記憶任務(wù)或者控制任務(wù)所替代。這個(gè)在第一個(gè)組的任務(wù)將會(huì)在被試之間抵消掉。在開始任務(wù)之前會(huì)有2組練習(xí)組供被試學(xué)習(xí)。圖1不同負(fù)荷下的記憶任務(wù)2.1.3.1.記憶任務(wù)。(見圖1)被試通過按壓空格鍵來啟動(dòng)每個(gè)試驗(yàn)。在平均500ms的延遲之后(會(huì)有上下100ms的浮動(dòng)),一個(gè)固定的十字呈現(xiàn)在顯示屏中央。被試被要求持續(xù)注意在這個(gè)十字上,并且避免在剩余的試驗(yàn)中眨眼。這個(gè)固定的十字一直在屏幕中持續(xù)直到第二個(gè)序列結(jié)束500毫秒以后。第一個(gè)含有七個(gè)聲音的序列會(huì)在固定的十字出現(xiàn)后的500毫秒時(shí)呈現(xiàn)。呈現(xiàn)在最后的2,4,6個(gè)聲音是在5,3,1這3種白噪音填充音節(jié)后面出現(xiàn)的,提高了音階的,各自隨機(jī)的“沒有音律的音節(jié)”。這些音階在每個(gè)試驗(yàn)中是隨機(jī)選取的,并且不會(huì)在一個(gè)獨(dú)立的序列中重復(fù)出現(xiàn)。每個(gè)刺激間有100毫秒的間隔。被試會(huì)被告知他們需要忽略那些白噪音填充音節(jié)與記憶那些“沒有音律的音節(jié)”。第一個(gè)聲音序列是在一個(gè)2000毫秒安靜的停滯后呈現(xiàn)的。在一段間隔過后,由與第一個(gè)聲音序列具有相同數(shù)目的純凈音節(jié)組成的第二個(gè)聲音序列會(huì)呈現(xiàn),在這個(gè)聲音序列中并沒有白噪音填充音節(jié)。這能夠保證不會(huì)鼓勵(lì)被試去編碼那些填充音節(jié)。示例實(shí)驗(yàn)在圖一呈現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)音節(jié)是相同的并且在一半的實(shí)驗(yàn)中都是在停滯間隔之前呈現(xiàn)的。在另一半實(shí)驗(yàn)中,兩個(gè)臨近的音節(jié)在實(shí)驗(yàn)組序列中會(huì)被反過來呈現(xiàn)。被試只能通過按一次或兩次按鍵來指出兩個(gè)序列是否一致。在刺激結(jié)束500毫秒之后,一個(gè)空的,白色的圓圈替代了固定的十字。這意味著被試現(xiàn)在可以進(jìn)行反應(yīng)并且隨意地眨眼。被試會(huì)被請(qǐng)求在白色圓圈出現(xiàn)的300毫秒之內(nèi)盡可能準(zhǔn)確地去反應(yīng)。其中一半的被試,他們代表“相同”的反應(yīng)鍵是鍵盤上的C,代表“不同的“的反應(yīng)時(shí)鍵盤上的M。另外的一般被試則剛好相反。反饋會(huì)在反應(yīng)后的500毫秒時(shí)給出。白色圓圈變成綠色則被試之前的反應(yīng)正確,轉(zhuǎn)成亮紅色則為錯(cuò)誤,如果轉(zhuǎn)為深紅色則是被試之前在300毫秒內(nèi)無反應(yīng)。反饋將在屏幕上一直呈現(xiàn)知道被試進(jìn)入下一個(gè)試驗(yàn)。2.1.3.2控制組任務(wù)。在實(shí)驗(yàn)任務(wù)中,刺激序列的整體結(jié)構(gòu)是與記憶任務(wù)中相同的。然而,被試會(huì)被告知,他們需要忽視第一個(gè)聲音序列,并且指出第二聲音序列中的最后一個(gè)音節(jié)的音高是高于還是低于倒數(shù)第二個(gè)音節(jié)。與實(shí)驗(yàn)組任務(wù)相反,兩個(gè)刺激序列是獨(dú)立的隨機(jī)建立的序列,因此,測(cè)試序列將與最初的聲音序列沒有聯(lián)系。于是,對(duì)于正確的反應(yīng),第一個(gè)聲音序列將不會(huì)提供任何的指引,并且不存在任務(wù)之間的聯(lián)系。一半的被試通過按C鍵來表示“更低”(音高降低),以及按鍵M來表示“更高”(音高升高)。另一半被試的按鍵相反。當(dāng)一個(gè)被試在控制組任務(wù)中,低于70%的準(zhǔn)確率時(shí),他/她將在數(shù)據(jù)分析中被剔除。這個(gè)剔除標(biāo)準(zhǔn)的原因是,在記憶任務(wù)中,要求編碼的聲音刺激是一個(gè)特別的順序。當(dāng)兩個(gè)刺激序列不同的時(shí)候,兩個(gè)刺激序列的排列就會(huì)改變。因此,如果一個(gè)被試不能夠在控制實(shí)驗(yàn)中音高排序的基礎(chǔ)上,區(qū)分兩個(gè)刺激的不同,至少是在這個(gè)實(shí)驗(yàn)的速度限制下無法做到,那么這個(gè)被試將不大可能成功地完成記憶任務(wù)。更重要的是,錯(cuò)誤率不僅會(huì)影響個(gè)體主觀上再記憶能力上的限制,更會(huì)影響到正確的數(shù)字。但錯(cuò)誤的刺激排序會(huì)一直維持,添加一些不需要的變量進(jìn)到我們的數(shù)據(jù)之中,表現(xiàn)為記錄激活的振幅會(huì)高于在準(zhǔn)確水平上能夠預(yù)測(cè)到的。十三名被試因此被排除在更深地分析中,因?yàn)樗麄冊(cè)诳刂迫蝿?wù)中沒有達(dá)到要求的水平。鑒于SemalandDemany(2006)andWarren,Obusek,Farmer,andWarren(1969)發(fā)表的,在后面的實(shí)例會(huì)表現(xiàn)出來的:編碼一個(gè)“緊接”刺激的序列是非常困難的。前者,將會(huì)決定連續(xù)的,緊接其后的刺激在音高上是上升或下降是非常苦難的(這也是被我們的實(shí)驗(yàn)證實(shí)了的)。實(shí)驗(yàn)者認(rèn)為并不應(yīng)該對(duì)這個(gè)排除率感到驚訝。2.1.4.EEG的記錄與分析EEG信號(hào)是用BSAT系統(tǒng)記錄的,取樣頻率為512Hz,但降低取樣到256Hz以加快分析的速度。每個(gè)銀/氯化銀電極在64-電極上的位置按10-10系統(tǒng)來分布。表面的電極同樣也放到了左右眼角,左右眼下以及左右乳突處。水平眼電圖(HEOG),界定為兩眼角電極之間的電壓差,用來測(cè)定水平方向上的眼動(dòng)。同時(shí),垂直眼電圖(VEOG)界定為左眼上下兩端電壓之間的差異,用來探測(cè)是否眨眼。這些信號(hào)用來在兩個(gè)乳突之間離線地引用的。一個(gè)0.05-Hz,12-dB/octave—20-Hz,24dB/octave的帶通濾波器用來離線那些信號(hào)并去除從慢的份額到高頻噪音。一個(gè)5-Hz,48-dB/octave的低通濾波器只用在HEOG和VEOG上,以使他們更好地令EOG加工整個(gè)過程。當(dāng)HEOG信號(hào)變化大于35mV超過200ms,或者VEOG信號(hào)上下浮動(dòng)多余50mV超過150ms時(shí),來自所有頻道的信號(hào)會(huì)踢出到電極。當(dāng)100微伏的變化被觀察到出現(xiàn)超過50ms時(shí),或者在500ms內(nèi)變化大于200mV,數(shù)據(jù)會(huì)被剔除。一些被試在長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)中多次眨眼(超過5秒)。為了避免因?yàn)檎Q鄱蕹鄶?shù)據(jù),獨(dú)立組成分析(ICA)用在數(shù)據(jù)中以應(yīng)對(duì)眼睛上的問題。與眼睛上的問題相關(guān)的組成部分是用這種方法來剔除的:用ICA來比較組成部分是否一致,以標(biāo)記波幅然后通過驗(yàn)證位置上的組成部分來剔除。ICA呈現(xiàn)在帶通濾波器的應(yīng)用之后。誤差的排除在ICA與反向轉(zhuǎn)換之后,以保證ICA的過程成功完成。有兩個(gè)被試ICA的過程失敗了,因?yàn)橛刑嗟钠渌`差。總的來說最后有23名被試的數(shù)據(jù)成功進(jìn)行了分析。2.2.結(jié)果2.2.1行為數(shù)據(jù)負(fù)荷條件2,4,6在記憶任務(wù)和控制任務(wù)中,平均正確率分別是98%,92%,82%和91%,88%,87%。2(任務(wù)類型:記憶VS控制)乘3(負(fù)荷條件:2,4或6)的重復(fù)測(cè)量方差分析結(jié)果顯示,任務(wù)類型和負(fù)荷條件之間的交互作用顯著,F(xiàn)(2,44)=32.91,MSE=0.01,p<0.0001。對(duì)這個(gè)交互作用的事后分析結(jié)果顯示,負(fù)荷條件會(huì)影響記憶任務(wù),F(xiàn)(2,44)=58.36,MSE=0.01,p<0.0001,但是負(fù)荷條件卻對(duì)控制條件只有相對(duì)較小的影響,F(xiàn)(2,44)=6.98,MSE=0.01,p=0.0024。當(dāng)最后兩個(gè)目標(biāo)聲調(diào)在其他更多的聲調(diào)之前,是相對(duì)較難集中注意力于最后兩個(gè)目標(biāo)聲調(diào),因而導(dǎo)致了這種在控制任務(wù)中顯著的“負(fù)荷”效應(yīng)。確實(shí),有證據(jù)表明,當(dāng)目標(biāo)聲調(diào)的呈現(xiàn)伴隨這相似而不相關(guān)的聲調(diào)時(shí),命令的知覺將會(huì)受到干擾(如:Bregman&Rudnicky,1975;Warrenetal.,1969)。然而,更重要的是,我們的負(fù)載操控是有利于記憶任務(wù)的,而且在控制任務(wù)中能夠保證被試在第二個(gè)序列中,而不是第一個(gè)。2.2.2EEG數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)根據(jù)試驗(yàn)已3600毫秒分割,每個(gè)分割都會(huì)在刺激呈現(xiàn)前200毫秒開始,第二聲音序列開始后100毫秒結(jié)束。所以只有第一個(gè)聲音序列會(huì)包含在分割里面。數(shù)據(jù)通過刺激呈現(xiàn)200到0毫秒的基線矯正。自由人工數(shù)據(jù)已經(jīng)平均地在任務(wù)和負(fù)荷條件中分離。為了具體了解荷載效應(yīng)在整個(gè)頭皮腦電分布,我們?cè)诿總€(gè)電極以及每個(gè)任務(wù)產(chǎn)生的腦電圖中,將負(fù)荷條件為6平均電壓減去在負(fù)荷條件為2的平均電壓(見圖2)。記憶任務(wù)中,最強(qiáng)烈的與負(fù)荷相關(guān)的反應(yīng)集中于中央額AFz電極區(qū),而且這里在控制任務(wù)只存在最小且是非系統(tǒng)性的變異。我們的數(shù)據(jù)分析主要集中于對(duì)中央額AFz 區(qū),以及周圍的8個(gè)負(fù)荷變化引起腦電變化最大的電極區(qū)。圖2實(shí)驗(yàn)1腦電結(jié)果(詳細(xì)分析見上文)圖3實(shí)驗(yàn)1腦電結(jié)果(詳細(xì)分析見下文)每種任務(wù)和負(fù)荷在AFz,Fp1,Fpz,Fp2,AF3,AF4,F1,Fz和F2聯(lián)合的平均波形見(圖3)。最初部分的波形表示的是第一個(gè)白噪音呈現(xiàn)時(shí)產(chǎn)生的感覺反應(yīng),在所有條件中,要么在更多的白噪音中產(chǎn)生更小的序列的反應(yīng),或者在純音中產(chǎn)生更大的反應(yīng)。例如,在負(fù)荷值為6的條件下的波形清晰顯示在6聲調(diào)陳述聽覺區(qū)N1會(huì)長(zhǎng)生額外的額中會(huì)電極??梢詮膱D2、圖3中看出,在記憶任務(wù)中,增加的記憶負(fù)載會(huì)對(duì)額中會(huì)的電極產(chǎn)生更大的消極影響,而且在控制任務(wù)中會(huì)有一個(gè)更弱的反應(yīng)。我們通過計(jì)算每個(gè)條件在900毫秒和1900毫秒之間的平均電極來量化記憶負(fù)載的反應(yīng)。我們更多地關(guān)注所保留時(shí)間間隔的后面部分,以致于確保沒有包含其他聲音呈現(xiàn)產(chǎn)生的感官活動(dòng),而且我們也排除了最后100毫秒的時(shí)間間隔以減少預(yù)期對(duì)第二序列的影響。整個(gè)頭皮的COI最鄰近峰值的AFz平均振幅(見表2,表3)服從以負(fù)荷水平(2,4,6)和實(shí)驗(yàn)任務(wù)(記憶,控制)作為因素的重復(fù)測(cè)量方差分析。我們發(fā)現(xiàn)負(fù)荷和任務(wù)之間存在顯著的交互作用,F(xiàn)(2,44)=3.37,MSE=7.98,P=0.043,而且在記憶任務(wù)中負(fù)荷水平反映出顯著顯著的效應(yīng),F(xiàn)(2,44)=4.90,MSE=6.30,P=0.012,但在控制條件中卻不存在顯著的效應(yīng)F(2,44)=0.32,MSE=10.38,P=0.71。任務(wù)的主效應(yīng)(也就是說記憶任務(wù)較控制任務(wù)較大的消極影響)也是顯著的,F(xiàn)(1,22)=4.62,MSE=12.27,P=0.043,但是對(duì)于負(fù)荷條件而言卻沒有顯著的效應(yīng),F(xiàn)(2,44)=0.84,MSE=8.71,P=0.42??偠灾?,更大的負(fù)荷值只會(huì)增加記憶任務(wù)中額中回AFz的消極反應(yīng)。為了證實(shí)這些模式并不只限于單一的電極AFz,我們也對(duì)AFz周圍8個(gè)相關(guān)的電極做了分析,對(duì)波形的方差分析結(jié)果見表2和表3。對(duì)于這些波形而言,有著與AFz相似的效應(yīng),只是這8個(gè)鄰近區(qū)域的振幅相對(duì)較低。對(duì)這8個(gè)區(qū)域的方差分析結(jié)果顯示,負(fù)荷值于任務(wù)類型之間的交互作用顯著,F(xiàn)(2,44)=2.94,MSE=5.73,P=0.064.任務(wù)類型也存在顯著的效應(yīng),F(xiàn)(1,22)=4.72,MSE=8.62,P=0.041,而且記憶任務(wù)較控制任務(wù)有一個(gè)更加消極的影響。另外,也沒有了其他的顯著的效應(yīng),所有Fs<0.78,所有ps>0.45。總而言之,更大的負(fù)荷值只會(huì)增加記憶任務(wù)中額中回AFz的消極反應(yīng)。為了檢驗(yàn)在記憶任務(wù)中發(fā)現(xiàn)的持續(xù)的消極反應(yīng)和個(gè)體記憶容量之間的關(guān)系,我們將負(fù)荷變化產(chǎn)生的電壓變化和ASTM能力行為測(cè)量指標(biāo)兩者做了一個(gè)相關(guān)分析。我們通過記憶容量指標(biāo)K(見Cowan,2001,adaptedfromPashler,1988)來計(jì)算每個(gè)被試的記憶能力。公式為K=S(H-F),S代表刺激數(shù),H代表?yè)糁斜嚷剩現(xiàn)代表錯(cuò)誤警報(bào)比率,K的平均值見圖4。重復(fù)測(cè)量方差分析結(jié)果顯示,在負(fù)荷條件2(均值1.9)和6(3.75)之間,記憶能力會(huì)顯著地增加,F(xiàn)(2,44)=60.80,P=0.0001.Tukey-A測(cè)試也證實(shí)了記憶能力在4(均值3.3)到6之間也會(huì)有顯著的增加,P<0.05。這些結(jié)果以及前面展示的波形,說明了我們的實(shí)驗(yàn)不會(huì)超過被試的最大記憶容量。圖4各記憶負(fù)荷下的K均值圖5電波變化和記憶能力之間關(guān)系散點(diǎn)圖個(gè)體最大的K值于負(fù)荷值6和2的平均振幅之間的差異相關(guān)。個(gè)體的記憶能力較差,就應(yīng)該有更小的K值和負(fù)荷值6及2更小的電波變化,反之,個(gè)體的記憶能力更好,將會(huì)有更大電波變化。反映電波變化和記憶能力之間的關(guān)系的散點(diǎn)圖見圖5。因?yàn)槲覀冾A(yù)期結(jié)果是根據(jù)更大的記憶能力會(huì)增加消極性為方向,所以我們運(yùn)用one-tailedp值。當(dāng)記憶能力(K)增加,負(fù)荷6和2之間的電波差異會(huì)變得更加消極,在電波AFz上存在一個(gè)顯著的負(fù)相關(guān),r=-0.4,t(21)=-2.00,p=0.029,在Fp1,Fpz,Fp2,AF3,AFz,AF4,F1,Fz,andF2上也存在顯著的負(fù)相關(guān),r=-0.52,t(21)=-2.80,p=0.009。這些發(fā)現(xiàn)為我們觀察到最小的ASTM反映持續(xù)負(fù)性ERP電波的結(jié)論提供了強(qiáng)有力的證據(jù)。2.3實(shí)驗(yàn)1討論實(shí)驗(yàn)1的目的是探究聽覺短時(shí)記憶的神經(jīng)活動(dòng)模式。作者使用一個(gè)新的實(shí)驗(yàn)范式來準(zhǔn)確地測(cè)量被試對(duì)非言語(yǔ)音節(jié)材料的短時(shí)記憶過程。通過記錄任務(wù)中延時(shí)間隔期間的腦電活動(dòng)來研究該過程的神經(jīng)特性。結(jié)果研究者發(fā)現(xiàn)了一個(gè)聽覺短時(shí)記憶過程特有的腦電成分,在額中區(qū)域找到了一個(gè)稱為SAN的成分。在一系列前文所提及的控制方法下,SAN能較好地反應(yīng)了聽覺短時(shí)記憶的特性,實(shí)驗(yàn)1結(jié)果表明,隨著記憶負(fù)荷的增加,SAN的激活也隨之增強(qiáng)。另一個(gè)重要的發(fā)現(xiàn)是,SAN隨著記憶負(fù)荷的改變與被試個(gè)體間的短時(shí)記憶能力差異有關(guān)。記憶能力差的被試(記憶任務(wù)準(zhǔn)確率低)SAN激活模式也較低。例如一個(gè)記憶能力為4個(gè)負(fù)荷的被試,當(dāng)負(fù)荷由2增加到4時(shí),其SAN增加,但增加到6時(shí)SAN則不再增加。這個(gè)結(jié)果表明了SAN還可以反應(yīng)個(gè)體聽覺短時(shí)記憶能力的差異,進(jìn)一步證明SAN是聽覺短時(shí)記憶中一個(gè)重要的腦電活動(dòng)指標(biāo)。3實(shí)驗(yàn)2一個(gè)有趣的地方是,在實(shí)驗(yàn)一的記憶任務(wù)中分布在頭皮上的SAN被觀察到其是不同于在低水平視覺表征滯留時(shí)所表現(xiàn)的(如顏色或線段的方向)。后部對(duì)側(cè)持續(xù)負(fù)波(SPCN)在視覺實(shí)驗(yàn)中能夠觀察到,這證實(shí)了我們?cè)谇叭藢?shí)驗(yàn)中吸取的一些實(shí)驗(yàn)原理。(例如,Brisson&Jolic?ur,2008;Jolic?ur,Brisson,&Robitaille,2008;McCollough,Machizawa,&Vogel,2007;Prime&Jolic?ur,2010)這些在頭皮上分布的巨大差異說明了,潛在的神經(jīng)機(jī)制是更加不同的。因此,兩個(gè)記憶系統(tǒng)(ASTM以及VSTM)最少在一些產(chǎn)生機(jī)制上有特異性。最近的研究在研究VSTM更多地對(duì)單側(cè)電位如SPCN感興趣,他們常常會(huì)報(bào)告僅僅分析了這種數(shù)據(jù)。因?yàn)閷?duì)SPCN的這樣關(guān)注的記過,有可能,非單側(cè)并在額骨中心的負(fù)波會(huì)與負(fù)載增加有所聯(lián)系。我們?cè)趫D6呈現(xiàn)了,我們之前發(fā)表的,從VSTM實(shí)驗(yàn)中得到的頭皮上的電勢(shì)的結(jié)果(Perronetal,2009)。這個(gè)電勢(shì)地圖表明最低記憶負(fù)載(2顏色)的平均電壓減去最高記憶負(fù)載(3顏色)的電壓,并沒有關(guān)于刺激的視覺區(qū)域用以編碼方面的信息。盡管Perronetal,(2009)發(fā)現(xiàn),SPCN隨著裝置大小的增加而增加,在原本的文章中,我們可以看到,腹側(cè)持續(xù)負(fù)波是不會(huì)隨著裝置大小變化而變化的。這些結(jié)果說明了,實(shí)驗(yàn)1中觀測(cè)到的SAN可能反應(yīng)的神經(jīng)產(chǎn)生機(jī)制是與ASTM相關(guān)的,而不是其他。在Perronetal的實(shí)驗(yàn)中,他們提高了記憶任務(wù)的難度但是沒有發(fā)現(xiàn)SAN。Perronetal的再一次分析發(fā)現(xiàn),VSTM和ASTM是由不同機(jī)制引起的(圖6)圖6負(fù)荷3與負(fù)荷2區(qū)別的腦拓?fù)鋱D所以,在我們的ASTM任務(wù)與經(jīng)典的VSTM任務(wù)中的重要差異,如Perronetal用過的,可以解釋這些結(jié)果之間的差異。大部分VSTM任務(wù)刺激呈現(xiàn)地非常突然而獨(dú)立,但我們的ASTM任務(wù)中,刺激的呈現(xiàn)是連續(xù)的。這可能是構(gòu)成我們標(biāo)記了刺激的活動(dòng)持續(xù)列表或刺激序列,而忽略它們?cè)镜男问?;以及刺激能夠完成的以不同的類別記憶的原因。如果是這個(gè)原因,那么一個(gè)類似的任務(wù),通過不同的形式使用連續(xù)的刺激,也會(huì)得到相似的結(jié)果。想要去測(cè)試這個(gè)可能性,我們創(chuàng)造了一個(gè)等價(jià)于實(shí)驗(yàn)1的連續(xù)性的VSTM任務(wù)。通過顏色表格作為刺激而不是用音節(jié)。在其他的VSTM任務(wù)中,目標(biāo)刺激是在旁邊呈現(xiàn)的,因?yàn)槲覀兿胍y(cè)定SPCN的構(gòu)成。據(jù)我們所知,SPCN未曾在連續(xù)的刺激中被觀察到過。因此,我們會(huì)測(cè)定SPCN在VSTM任務(wù)中滯留間隔階段的數(shù)據(jù)并同樣測(cè)試額骨中心區(qū)域以核實(shí)我們是夠真的在視覺任務(wù)中觀察到了SPCN這個(gè)任務(wù)與實(shí)驗(yàn)1流程基本一樣,對(duì)于很多問題,這會(huì)提供一個(gè)令人滿意的答案。如果我們發(fā)現(xiàn)這個(gè)任務(wù)過于困難,可以改變刺激的形式而不影響到腦波探測(cè)。最終,如果我們能找到一個(gè)序列刺激的維持列表,那么我們應(yīng)該也可以觀察到類似與實(shí)驗(yàn)1的結(jié)果。即視覺刺激在這實(shí)驗(yàn)中也是連續(xù)地呈現(xiàn)的。3.1方法3.1.1被試35名大學(xué)生參與了實(shí)驗(yàn)。21名位女性,14名男性。其中25人為右利手。他們的平均年齡是21.53歲。最年輕的19歲,最老的28歲。都擁有正?;虺C正后正常的視力。3.1.2刺激實(shí)驗(yàn)用的刺激包括顏色圖表,與被試的座位呈2.1度視角傾斜并離57厘米遠(yuǎn)。刺激顏色是六種不同的顏色,分別為,粉紅,亮綠,亮藍(lán),深綠,淡紫還有輕灰。并且大致上亮度相同。空白的灰色圖表用來作為填充,與實(shí)驗(yàn)1中的白噪音充當(dāng)相同的角色。3.1.3設(shè)計(jì)與程序?qū)嶒?yàn)包括2個(gè)因素:負(fù)載(0,2,4)還有目標(biāo)位置(左或右)。在每60個(gè)試驗(yàn)為一組的十組實(shí)驗(yàn)中,兩個(gè)因素都是隨機(jī)變化的。在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)之前會(huì)有24個(gè)試驗(yàn)讓被試進(jìn)行聯(lián)系。被試通過按壓空格鍵來進(jìn)行反應(yīng)。上一個(gè)試驗(yàn)的反饋會(huì)被一個(gè)箭頭所替代。這個(gè)箭頭,將在屏幕中央呈現(xiàn)300毫秒,指明最近的刺激是呈現(xiàn)在左側(cè)或右側(cè)。這個(gè)箭頭很立刻被一個(gè)固定的十字所取代。大約300毫秒(有100ms的波動(dòng))之后,兩個(gè)含有5個(gè)刺激的序列會(huì)同時(shí)呈現(xiàn)在固定十字的左右兩側(cè)。其中一個(gè)序列是目標(biāo)序列,這取決于之前呈現(xiàn)的箭頭所指的方向,如Fig.7所示。另一個(gè)就是誘導(dǎo)序列用以平衡整個(gè)視覺表現(xiàn),以此來使刺激左右兩側(cè)平衡。兩個(gè)序列中,在一個(gè)100ms的黑屏之后,每個(gè)刺激都會(huì)呈現(xiàn)300ms,除了一個(gè)固定的點(diǎn),這個(gè)點(diǎn)在整個(gè)序列呈現(xiàn)的過程中是一直存在的。第一個(gè)序列往往回事灰色的圓環(huán)。在負(fù)載4的情況下,這個(gè)圓環(huán)會(huì)跟著4個(gè)上了色的表格。在負(fù)載2的情況下,這個(gè)圓環(huán)會(huì)跟著2個(gè)其他圓環(huán),然后再跟著兩個(gè)上了色的表格。最后在負(fù)載為0的情況下,所有5個(gè)刺激都是灰色的圓環(huán)。表格的顏色在誘導(dǎo)序列中是隨機(jī)選擇并且獨(dú)立于目標(biāo)序列中的顏色的。這些連續(xù)的序列出現(xiàn)在屏幕上固定十字呈現(xiàn)后將出現(xiàn)的2000ms的滯留間隔之后。然后,第二套兩個(gè)連續(xù)的序列將會(huì)被呈現(xiàn),兩者都出現(xiàn)在第一套兩個(gè)序列出現(xiàn)的位置。這時(shí),序列并不帶有圓環(huán)。在目標(biāo)序列那一邊,是與第一套時(shí)目標(biāo)序列一致的顏色,或者剛好順序調(diào)轉(zhuǎn)的顏色。當(dāng)5個(gè)圓環(huán)都呈現(xiàn)時(shí)(負(fù)載為0),間隔之后,一個(gè)獨(dú)立的帶有顏色的表格會(huì)出現(xiàn)在兩側(cè)(見圖7)。圖7實(shí)驗(yàn)2基本流程被試的任務(wù)是指出第二個(gè)序列的目標(biāo)序列與第一個(gè)序列中的目標(biāo)序列是否一致。由于沒有顏色的表格呈現(xiàn)在負(fù)載為0的情況下,并且第二個(gè)序列往往包含一個(gè)上了顏色的表格,所以在負(fù)載為0的情況下正確的回答常常應(yīng)該是“不一致”。簡(jiǎn)而言之,任務(wù)的結(jié)構(gòu)與聽覺任務(wù)相似,不過刺激是視覺的,顏色變化替代了音高變化,與實(shí)驗(yàn)1相比,在相似的負(fù)載中刺激呈現(xiàn)的時(shí)間更長(zhǎng)。使用了一個(gè)更長(zhǎng)的刺激呈現(xiàn)持續(xù)時(shí)間,因?yàn)轭A(yù)實(shí)驗(yàn)表示如果是用一個(gè)較短的呈現(xiàn)時(shí)間,任務(wù)對(duì)于大部分被試來說太難了。預(yù)實(shí)驗(yàn)同樣也告訴了我們負(fù)載的最大值應(yīng)該設(shè)置為4而不是6,用以達(dá)到與實(shí)驗(yàn)一中最大負(fù)載的準(zhǔn)確度相似的結(jié)果。3.2結(jié)果3.2.1行為數(shù)據(jù)為了呈現(xiàn)實(shí)驗(yàn)2與實(shí)驗(yàn)1的區(qū)別,我們首先關(guān)注實(shí)驗(yàn)2的準(zhǔn)確度。從load2的平均準(zhǔn)確度87%降到load4的72%,可以看出這一個(gè)任務(wù)被證明是普遍有難度的。在load0的時(shí)候準(zhǔn)確率幾乎完美(99%),原因是這一階段沒有特殊的視覺記憶任務(wù)。Load2和4準(zhǔn)確率的配對(duì)T檢驗(yàn),確認(rèn)了load2的準(zhǔn)確率顯著高與load4的時(shí)候,t(22)-9.36,p<0.0001。3.2.2電生理學(xué)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)用4200ms為間隔分段,從前2100ms開始到記憶間隔(記憶間隔的開始為時(shí)間0點(diǎn)),然后到下一刺激出現(xiàn)后100ms結(jié)束,在記憶間隔的2100ms后。每一個(gè)實(shí)驗(yàn)都以刺激出現(xiàn)前的200ms間隔為基線矯正。在圖8中,我們展示了每一個(gè)load中AFz的腦波。AFz的活動(dòng)與實(shí)驗(yàn)1中我們所看到的十分不同:在這里,我們觀察到了正性成分而非負(fù)波。重要的是,這一腦活動(dòng)并沒有隨記憶負(fù)荷改變而改變,這與實(shí)驗(yàn)1所發(fā)現(xiàn)的不同。在圖8中,左側(cè)的腦地形圖可以看到,負(fù)荷2的平均電壓與負(fù)荷4的平均電壓,表明了沒有呈現(xiàn)出與負(fù)荷相關(guān)的電壓變化。這一結(jié)果確認(rèn)了在Perronetal.(2009)中重新分析的數(shù)據(jù)(圖6)。為了確認(rèn)我們所觀察到的,我們對(duì)前方中央的9個(gè)電極,與負(fù)荷(load0,2和4)這一因素在900ms到1900ms這一區(qū)間的平均數(shù)據(jù),進(jìn)行了方差分析。正如期望一樣,在圖8中可以看到的是,負(fù)荷上沒有效應(yīng),F(xiàn)(2,44)-0.51,MSE-3.74,p-0.620。僅在實(shí)驗(yàn)1中出現(xiàn)峰值的AFz這一電極上,做同樣的方差分析,沒有驚喜地,負(fù)荷因素上也沒有效應(yīng)F(2,44)-0.58,p-0.563。圖8實(shí)驗(yàn)2各負(fù)荷中AFz的腦波然而,在一個(gè)STM實(shí)驗(yàn)中,持續(xù)序列的視覺刺激是否可以像同時(shí)呈現(xiàn)視覺刺激時(shí)一樣,在記憶間隔中產(chǎn)生SPCN呢?為了探討這一問題,我們通過平均測(cè)量身體同側(cè)的編碼刺激的電位(回憶目標(biāo)的編碼是雙側(cè)呈現(xiàn)的,然而,被試被要求只能從某一側(cè)或另一側(cè)編碼刺激),然后再?gòu)膶?duì)側(cè)位置的編碼刺激電位中減去他們。我們展示了一幅圖地形圖9呈現(xiàn)了負(fù)荷2—負(fù)荷4在記憶間隔結(jié)束時(shí)(900-19000ms)的差值。因?yàn)椋琒PCN的檢測(cè)呈現(xiàn)了一幅半測(cè)的圖像,通過測(cè)量我們得出了鏡像的玩真的圖。同樣的,因?yàn)镾PCN是從后測(cè)觀察到的,我們關(guān)注的是頭后部的地圖。圖9負(fù)荷2與負(fù)荷4的腦電差異這一幅圖在電極po7/po8上展現(xiàn)了一個(gè)更大的對(duì)側(cè)負(fù)波,表明SPCN隨著負(fù)荷增強(qiáng)。在圖9的右側(cè),我們展示了負(fù)荷0,2和4的SPCN在PO7/PO8上的腦波。這一SPCN大約在刺激出現(xiàn)后400ms開始,好不驚奇的,這時(shí)被試最有可能在開始維持他們編碼了的物體。這僅僅在負(fù)荷4的時(shí)候符合,在負(fù)荷2的時(shí)候知產(chǎn)生了一個(gè)非常小的SPCN。這一結(jié)果與實(shí)驗(yàn)1中觀察到的SAN相類似,在兩個(gè)音調(diào)中只產(chǎn)生了非常小的SAN成分。在記憶間隔期間,SPCN保持穩(wěn)定。我們用SPCN的值(對(duì)側(cè)減去同側(cè)),在記憶間隔開始后的900到1900ms之間取平均值,在每一記憶負(fù)荷,PO7/PO8上,采取重復(fù)測(cè)量方差檢驗(yàn)。這一方差檢驗(yàn),展示了一個(gè)負(fù)荷的顯著效應(yīng),F(xiàn)(2,44)-3.33,MSE-4.03,p-0.04,表明了SPCN隨著記憶負(fù)載增加。為了進(jìn)一步確認(rèn)這一增加與記憶物數(shù)量有關(guān),我們檢驗(yàn)了是否在個(gè)體記憶容量(K‘)與SPCN在負(fù)荷4與2上的區(qū)別有關(guān)。這一關(guān)聯(lián)顯著的,r-0.46,t(21)-2.37,p-0.014,一個(gè)測(cè)驗(yàn),展示了可以記住更多物體的被試比起其他的被試擁有增加更大的SPCN增幅。3.3實(shí)驗(yàn)2討論研究發(fā)現(xiàn),額中電極記錄點(diǎn)的負(fù)波沒有隨著記憶負(fù)荷的增加而增加,也就是說實(shí)驗(yàn)2并沒有發(fā)現(xiàn)SAN。不過,SPCN成分與視覺短時(shí)記憶的負(fù)荷量則存在聯(lián)系,這與前人使用同時(shí)刺激呈現(xiàn)的結(jié)果是一致的,也就表明了順序呈現(xiàn)并沒有影響被試的表現(xiàn)。從結(jié)果看來,視覺材料和聽覺材料在短時(shí)記憶里依賴于不同的記憶機(jī)制,即他們的神經(jīng)機(jī)制有所區(qū)別。4討論本研究發(fā)現(xiàn)了聽覺短時(shí)順序記憶的神經(jīng)生理關(guān)聯(lián)的證據(jù),并把聽覺短時(shí)記憶與視覺短時(shí)記憶的模式區(qū)分開來。在實(shí)驗(yàn)1中,我們發(fā)現(xiàn)前額葉的電信號(hào)隨著聽覺短時(shí)記憶負(fù)荷的提高而增加,而且這種增加可以反映被試的記憶能力。在實(shí)驗(yàn)2中,我們發(fā)現(xiàn)在視覺順序記憶的維持中并沒有出現(xiàn)SAN模式,而是產(chǎn)生了一個(gè)依賴于負(fù)荷量的SPCN模式。與使用相同的視覺材料的先前研究發(fā)現(xiàn)類似,隨著記憶負(fù)荷增加而增加的SPCN振幅與被試能回憶的刺激數(shù)相關(guān)聯(lián),有力地證明了SPCN與視覺短時(shí)記憶的項(xiàng)目維持有關(guān)。本研究的發(fā)現(xiàn)為支持了感覺刺激的短時(shí)記憶是分離的這一觀點(diǎn)。研究者發(fā)現(xiàn)額中頭皮電極記錄點(diǎn)的激活與額葉和顳葉激活一致,間接表明在知覺和記憶相同的記憶材料時(shí),兩個(gè)過程都發(fā)生在相同的區(qū)域上;另外,視覺材料和聽覺材料記憶維持有不同的腦電模式,直接證明了視覺短時(shí)記憶和聽覺短時(shí)記憶依賴不同的生理結(jié)構(gòu)。在實(shí)驗(yàn)1中發(fā)現(xiàn)在聽覺短時(shí)記憶維持中額中電極記錄的腦電激活與前人等使用MEG和fMRI所發(fā)現(xiàn)的腦區(qū)相符,如Grimault等使用與實(shí)驗(yàn)1相似的范式來研究聽覺短時(shí)記憶,結(jié)果同樣發(fā)現(xiàn)SAN與其密切相關(guān),同時(shí)他們?cè)陬~葉和顳葉皮層找到與個(gè)體記憶能力相關(guān)的腦區(qū)。盡管除這些外很少有其他研究有類似的結(jié)果,但這些研究更好地遵循了本研究的一些要點(diǎn),從而更能說明聽覺短時(shí)記憶的相關(guān)特性。結(jié)合實(shí)驗(yàn)1和實(shí)驗(yàn)2的結(jié)果,可以排除或解釋實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)所帶來的一些問題。首先作者證明了SAN不是因?yàn)榇碳r(shí)順序呈現(xiàn)造成的,它的出現(xiàn)與刺激呈現(xiàn)模式無關(guān)。盡管前人的研究使用的多為刺激同時(shí)呈現(xiàn)的模式,SAN的出現(xiàn)有可能是呈現(xiàn)模式造成的,但在

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