28335實(shí)用板硬件用戶手冊(cè)

32DSP150MHz片上器 256K×16 ×16BOOTROMOPTROM

FLASH、OPTROMADCIIC

6×81280ns03V21開發(fā)板資源最豐富，功能最強(qiáng)大采用6層板+底板的分拆模示例程序豐富及實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的移植對(duì)于電機(jī)控制有獨(dú)特設(shè)計(jì)的電機(jī)控制口YXDSP-F28335系列開發(fā)板分為三個(gè)子產(chǎn)品，板、實(shí)用板、至尊板。其中，實(shí)用板和至尊板均采用板與底板分拆模式。板

JTAG接口：開發(fā)板和DSP仿真器連接接口，通過(guò)本接口用戶可進(jìn)行仿真和燒寫CAN：用于CANSCI接口：232接口，可以與上位機(jī)進(jìn)行串行通信接口：12路 ADC輸入接口：16路AD輸入接口，方便反饋電機(jī)的狀態(tài)。音頻接口：Audio接口，提供、播音功能。捕捉接口：6CAP（和正交編碼脈沖引腳共用）DSP外擴(kuò)接口：2016512K×16FLASH512K×16256K（512K）×16SRAM，512K16實(shí)用底板上有SD接口，可以移動(dòng)SD卡，實(shí)現(xiàn)海量。底板有一路MAX3232底板有一路CAN2.0轉(zhuǎn)換電路。底板有耳機(jī)插孔，可實(shí)現(xiàn)播音。底板有聽筒插孔，可實(shí)現(xiàn)底板有兩組電機(jī)控制接口，每組可以控制一臺(tái)3相電機(jī)。底板有8個(gè)發(fā)光二極管，可用于調(diào)試程序和監(jiān)測(cè)等。X12261KBI2CEEPROM。底板有手動(dòng)復(fù)位按鈕，方便用戶復(fù)位操作。底板提供總線開放，數(shù)據(jù)線16位，地址線20 HOSTSCICAN

片外：512K×16位，15ns片內(nèi)：256K×16位，36ns片外：512K×16位，70nsBOOTROM8K×16片內(nèi)：OPT TMS320F28335是浮點(diǎn)型DSPYANXU-CORE28335選用的是PS767D301非線性電源，其優(yōu)點(diǎn)就是功率大，驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力強(qiáng)。如下圖6-5V電壓輸入，3.3V和1.9V同時(shí)產(chǎn)生。3.3V供給IO口、1.9V第一種是直接在電源口處外接5V電源，這個(gè)是單獨(dú)使用板時(shí)的供電方式，因?yàn)関的；第二種是給板外接3.3V，這種方式一般是用直流調(diào)壓電源供電或者是通過(guò)底板進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)生3.3V。注意，這個(gè)時(shí)候底板要將板雙排針引出的5V與3.3V推薦的是第二種供電方式，原因是PS767D301電源在5V輸入產(chǎn)生1.9V情況下，片內(nèi)耗損情況比較嚴(yán)重（5V-1.9V=3.1V的耗損），即功耗高、導(dǎo)致發(fā)熱（意：這種情況下發(fā)熱是正常的，不會(huì)影響板正常工作）。如果將5V改為3.3V來(lái)產(chǎn)生1.9V，那么片內(nèi)就耗損就小得多（3.3V-1.9V=1.4V的耗損），基本不會(huì)發(fā)熱，并且驅(qū)動(dòng)能力比普通的線性電源更高，的底板都是采用了第二種方案。無(wú)論是第案還是第二種方案都不會(huì)影響主的運(yùn)行，只是在發(fā)熱和損耗上有所區(qū)別。現(xiàn)在一些供電方案是采用1117-3.3-1.8V給28335外設(shè)和內(nèi)核供電，用1.8V供電確實(shí)可以一定程度減輕發(fā)熱的情況,但可能會(huì)不穩(wěn)定，跑不到最大的主頻。原因看下圖6-2-1：甚至更低的話就跑不到150MHz。所以供電1.9V是比較的，因此我們板使用的就是1.9V給內(nèi)核供電。板與底板的安裝采用2個(gè)80針插針，安裝時(shí)將板的led燈D1（單獨(dú)的那一個(gè)）靠近底板的5V電源接口的一側(cè)，以這個(gè)順序慢慢壓下去。 (圖7-MCBSP、CAN、SPI、I2C123456789 1211223344557-6612X34X8X56XX78X 7-121234567897- 2345 7- 7- 7-TMS320F28335DSP，4M164M16點(diǎn)的數(shù)據(jù)空間，但在物理上已將程序空間和數(shù)據(jù)空間統(tǒng)一成一個(gè)4M16位的空間。2K×16位的OPTROM。 空間映射如下圖8-1所示256K16SRAM512K×16FLASHZone外擴(kuò)FLASH外擴(kuò)FLASHF外擴(kuò)外擴(kuò)占—外擴(kuò)外擴(kuò)占—外擴(kuò)外擴(kuò)占—外擴(kuò)外擴(kuò)占TMS320F28335片內(nèi)共有34K×16位單周期單次隨機(jī)器的SRAM，分成個(gè)塊，他們分別稱為M0、M1、L0～L7MOM1SRAM1K16M1址，堆棧指針向上生長(zhǎng)。M0和M1段都可以映射到程序區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)。L0～L7塊SRAM的大小均為4K×16位，既可映射到程序空間，也可映射到數(shù)據(jù)空間，其中L0-L3可映射到兩塊不同的地址空間并且受片上的FLASH中的保護(hù)，以免存在上面的程序或數(shù)據(jù)，被他人拷貝。TMS320F28335片上有256K16位嵌入式FLASH器和1K16EEPROM器，們均受片上FLASH中的保護(hù)。FLASH由8個(gè)32K×16區(qū)組成，用戶可以對(duì)其中任何一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行擦除、編程和校驗(yàn)，而其他扇區(qū)不變。但是，不能在其中一個(gè)扇區(qū)上執(zhí)行程序來(lái)擦除和編程其他的扇區(qū)。TMS320F28335的外部器接口包括：20位地址線，16（最大32）位數(shù)據(jù)線，3這3個(gè)器可分別設(shè)置不同的等待周期。

0X0040000X004FFF,4K×160X1000000X1FFFFF,1M160