納米集成電路制造工藝（第2版）

讀書筆記模板納米集成電路制造工藝（第2版）01思維導(dǎo)圖讀書筆記目錄分析內(nèi)容摘要精彩摘錄作者介紹目錄0305020406思維導(dǎo)圖制造工藝集成電路工藝電路內(nèi)容器件刻蝕參考文獻(xiàn)工藝技術(shù)第章效應(yīng)器件晶體管參數(shù)小結(jié)清洗方法本書關(guān)鍵字分析思維導(dǎo)圖內(nèi)容摘要內(nèi)容摘要本書共19章，涵蓋先進(jìn)集成電路工藝的發(fā)展史，集成電路制造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、表面清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學(xué)機(jī)械平坦化，器件參數(shù)與工藝相關(guān)性，DFM（DesignforManufacturing），集成電路檢測(cè)與分析、集成電路的可靠性，生產(chǎn)控制，良率提升，芯片測(cè)試與芯片封裝等內(nèi)容。再版時(shí)加強(qiáng)了半導(dǎo)體器件方面的內(nèi)容，增加了先進(jìn)的FinFET、3DNAND存儲(chǔ)器、CMOS圖像傳感器以及無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件與工藝等內(nèi)容。讀書筆記讀書筆記該書詳細(xì)全面深入地介紹了集成電路制造的發(fā)展歷程。模擬電路工程師，來了解一些工藝和量產(chǎn)導(dǎo)入的知識(shí)。五十余門學(xué)科匯集行程如此的著作，可以稱之為半導(dǎo)體行業(yè)的奠基書籍。哪位大佬能推薦一本非ic專業(yè)人士也能看懂的關(guān)于集成電路制造工藝的書，感激不盡。通讀此書，對(duì)納米集成電路有了更深的了解。雖然不知道此書產(chǎn)生的實(shí)際背景，但是瀏覽之后發(fā)現(xiàn)確實(shí)是一本難得的好書。對(duì)于非IC專業(yè)的讀者來說讀起來比較吃力，如果只是作為簡(jiǎn)單了解CMOS相關(guān)原理及工藝的可以“淺嘗輒止”，沒必要對(duì)模型及公式深入研究，跳過即可。沖著張汝京張總的半導(dǎo)體行業(yè)頂級(jí)履歷來的，作者班底也大多來自中芯國(guó)際，所以實(shí)操性非常強(qiáng)，對(duì)各種工藝參數(shù)、窗口及相關(guān)性的介紹也極其細(xì)致，只不過如果配圖的英文翻譯下就更好了。精彩摘錄精彩摘錄摻雜的雜質(zhì)濃度越高，半導(dǎo)體導(dǎo)電性越好，電阻率越低。在硅晶體中摻入微量的ⅤA族雜質(zhì)原子（如磷、砷、銻等），可形成N型半導(dǎo)體，電子（帶負(fù)電）是其導(dǎo)電的主要載流子在硅晶體中摻入微量的ⅢA族雜質(zhì)原子（如硼、銦等），將形成P型半導(dǎo)體，空穴（帶正電）是其導(dǎo)電的主要載流子超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體，基本上不導(dǎo)電。一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻的現(xiàn)象稱為場(chǎng)效應(yīng)在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)方向由N區(qū)指向P區(qū)。在空間電荷區(qū)，由于缺少可移動(dòng)載流子，所以也稱之為耗盡區(qū)。兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域稱為PN結(jié)。MOS電容的大小與氧化層的介電常數(shù)和面積成正比，與氧化層厚度成反比。使用越高介電常數(shù)的材料，越大的電容面積和越薄的介電層厚度，將得到越大的MOS電容。目錄分析1.1N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體1.2PN結(jié)二極管1.3雙極型晶體管1.4金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.5CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)12345第1章半導(dǎo)體器件1.6結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.7肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.8高電子遷移率晶體管1.9無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.10量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管12345第1章半導(dǎo)體器件參考文獻(xiàn)1.11小結(jié)第1章半導(dǎo)體器件2.1引言2.2橫向微縮所推動(dòng)的工藝發(fā)展趨勢(shì)2.3縱向微縮所推動(dòng)的工藝發(fā)展趨勢(shì)2.4彌補(bǔ)幾何微縮的等效擴(kuò)充第2章集成電路制造工藝發(fā)展趨勢(shì)參考文獻(xiàn)2.5展望第2章集成電路制造工藝發(fā)展趨勢(shì)3.1邏輯技術(shù)及工藝流程3.2存儲(chǔ)器技術(shù)和制造工藝3.3無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝參考文獻(xiàn)第3章CMOS邏輯電路及存儲(chǔ)器制造流程4.1前言4.2氧化膜/氮化膜工藝4.3柵極電介質(zhì)薄膜4.4半導(dǎo)體絕緣介質(zhì)的填充第4章電介質(zhì)薄膜沉積工藝參考文獻(xiàn)4.5超低介電常數(shù)薄膜第4章電介質(zhì)薄膜沉積工藝5.1簡(jiǎn)介5.2源漏區(qū)嵌入技術(shù)5.3應(yīng)力記憶技術(shù)5.4雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層5.5應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù)參考文獻(xiàn)010302040506第5章應(yīng)力工程6.1金屬柵6.2自對(duì)準(zhǔn)硅化物6.3接觸窗薄膜工藝6.4金屬互連第6章金屬薄膜沉積工藝及金屬化參考文獻(xiàn)6.5小結(jié)第6章金屬薄膜沉積工藝及金屬化7.1光刻技術(shù)簡(jiǎn)介7.2光刻的系統(tǒng)參數(shù)7.3光刻工藝流程7.4光刻工藝窗口以及圖形完整性評(píng)價(jià)方法7.5相干和部分相干成像7.6光刻設(shè)備和材料010302040506第7章光刻技術(shù)參考文獻(xiàn)7.7與分辨率相關(guān)工藝窗口增強(qiáng)方法第7章光刻技術(shù)8.1引言8.2干法刻蝕建模8.3先進(jìn)的干法刻蝕反應(yīng)器8.4干法刻蝕應(yīng)用第8章干法刻蝕參考文獻(xiàn)8.5先進(jìn)的刻蝕工藝控制第8章干法刻蝕9.1IC制造過程中的污染源9.2IC污染對(duì)器件的影響9.3晶片的濕法處理概述9.4晶片表面顆粒去除方法9.5制程沉積膜前/后清洗9.6制程光阻清洗010302040506第9章集成電路制造中的污染和清洗技術(shù)9.7晶片濕法刻蝕技術(shù)9.8晶背/邊緣清洗和膜層去除9.965nm和45nm以下濕法處理難點(diǎn)以及HKMG濕法應(yīng)用9.10濕法清洗機(jī)臺(tái)及其沖洗和干燥技術(shù)9.11污染清洗中的測(cè)量與表征參考文獻(xiàn)010302040506第9章集成電路制造中的污染和清洗技術(shù)10.1簡(jiǎn)介10.2離子注入10.3快速熱處理工藝參考文獻(xiàn)第10章超淺結(jié)技術(shù)11.1引言11.2淺槽隔離拋光11.3銅拋光11.4高k金屬柵拋光的挑戰(zhàn)第11章化學(xué)機(jī)械平坦化11.5GST拋光（GSTCMP）參考文獻(xiàn)11.6小結(jié)第11章化學(xué)機(jī)械平坦化12.1MOS電性參數(shù)12.2柵極氧化層制程對(duì)MOS電性參數(shù)的影響12.3柵極制程對(duì)MOS電性參數(shù)的影響12.4超淺結(jié)對(duì)MOS電性參數(shù)的影響12.5金屬硅化物對(duì)MOS電性參數(shù)的影響12.6多重連導(dǎo)線010302040506第12章器件參數(shù)和工藝相關(guān)性13.1介紹13.3CMPDFM13.2DFM技術(shù)和工作流程第13章可制造性設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)13.4DFM展望第13章可制造性設(shè)計(jì)14.1失效分析概論14.2失效分析技術(shù)14.3案例分析參考文獻(xiàn)第14章半導(dǎo)體器件失效分析15.1熱載流子效應(yīng)（HCI）15.2負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）15.3經(jīng)時(shí)介電層擊穿（TDDB）15.4電壓斜坡（V-ramp）和電流斜坡（J-ramp）測(cè)量技術(shù)15.5氧化層擊穿壽命預(yù)測(cè)15.6電遷移010302040506第15章集成電路可靠性介紹15.7應(yīng)力遷移15.9小結(jié)15.8集成電路可靠性面臨的挑戰(zhàn)第15章集成電路可靠性介紹16.1測(cè)量系統(tǒng)分析16.2原子力顯微鏡16.3掃描電子顯微鏡16.4橢圓偏振光譜儀第16章集成電路測(cè)量參考文獻(xiàn)16.5統(tǒng)計(jì)過程控制第16章集成電路測(cè)量17.2用于良率提高的分析方法17.1良率改善介紹第17章良率改善18.1測(cè)試硬件和程序18.2儲(chǔ)存器測(cè)試18.3IDDQ測(cè)試18.4數(shù)字邏輯測(cè)試第18章測(cè)試工程參考文獻(xiàn)18.5可測(cè)性設(shè)計(jì)第18章測(cè)試工程19.1傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝19.2大電流的功率器