


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文檔簡(jiǎn)介
電容和電場(chǎng)能量第一頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一2、電容器電容的概念可推廣到一個(gè)導(dǎo)體系統(tǒng)上。讓我們考慮電荷各為+Q和-Q的二個(gè)導(dǎo)
+Q-QU2U1如果U1和U2分別為它們的電勢(shì),則該系統(tǒng)的電容定義為
C=Q/(U1-U2)這種安排就構(gòu)成了一個(gè)所謂電容器。第二頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一例:無(wú)限大平行平面所構(gòu)成的電容器介質(zhì)中的電位移和電場(chǎng)分別為:
D=σ,E=σ/ε
兩平面導(dǎo)體之間的電勢(shì)差為:
U1-U2=Ed=σd/ε
如果S是金屬片的面積,可得Q=σS。則平板電容為:
C=Q/(U1-U2)=σS/σd/εC=εS/d+++++++++++Dεdσσ++σ高斯面第三頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一材料介電常數(shù)ε實(shí)用測(cè)量方法:先測(cè)量沒(méi)有介電材料時(shí)電容器的電容
Co=εoS/d再在兩平板之間填滿被測(cè)介質(zhì)而重測(cè)電容
C=εS/d于是得:C/Co=ε/εo=εr
所以兩電容之比就是放在兩平板之間材料的相對(duì)介電常數(shù)。根據(jù)電容的定義和串并聯(lián)的特點(diǎn),同學(xué)們可證明電容器串聯(lián)和并聯(lián)公式:串聯(lián)公式:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+…并聯(lián)公式:C=C1+C2+C3+…
第四頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一例7-8試求同心球形電容器的電容
(介質(zhì)為真空)解:兩導(dǎo)體之間的電場(chǎng)為
E=Q/4πεor2
ro
電極A、B之間電勢(shì)差為UA-UB=∫AB
E·dl
=∫RARBQ/4πεor2dr=Q(RB-RA)/4πεoRARB電容:C=Q/(UA-UB)
=4πεoRARB/(RB-RA)
若RB→∞,則C=4πεoRA,即為孤立導(dǎo)體球的電容。RARBAB+ε0QQ第五頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一EDUUABC討論;
1.電容計(jì)算之步驟:2.電容器之電容和電容器之結(jié)構(gòu),幾何形狀、尺寸及介質(zhì)有關(guān)。
3.電容器是構(gòu)成各種電子電路的重要器件,也是電力工業(yè)中的一個(gè)重要設(shè)備。它的作用有整流、隔直、延時(shí)、濾波、分頻及提高功率因數(shù)等。第六頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一3.求此電容器之電容。1.用高斯定理求:2.求:UUAB;UUAB;[練習(xí)]一平行板電容器,其中填充了一層介質(zhì),尺寸如圖,介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為D1D2,,+dd12ε0εrBCA+++++D1D2EE12σσεr。EE12,;第七頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一dd12ε0εrBCA+++++D1++++σσS第八頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一dd12ε0εrBCA+++++D1++++σσSsD=EdSσs.DdS上.DdS下.DdS側(cè).+++=+00DS=SD==σD111ε0
第九頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一εεdd1ε0εrBCA+++++D2++++σσSsD=EdSσs.DdS上.DdS下.DdS側(cè).+++=+00DS=SD==σD2220r2DdS上.2cos180o=2
第十頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一εεεε=UUABdlE.AC1dlE.CB2+ε0S=ε0σσε0σdlACdlCB+0rσ=dd12+C=UUABσrε0=dd12+S+dd12ε0εrBCA+++++D1D2EE12σrσ
第十一頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一二、電場(chǎng)能量
充電過(guò)程:電量0→Qt時(shí)刻:電容C帶電q,電勢(shì)為
U=q/C。
dq:∞→導(dǎo)體上,外力作功:
dA=Udq
導(dǎo)體上能量的增量dEe:
dEe=Udq=qdq/C
當(dāng)導(dǎo)體上的電荷由0→Q時(shí),導(dǎo)體能量的總增量為:
Ee=∫oQqdq/C=Q2/2C=CU2/2=UQ/2第十二頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一Ee=Q2/2C=CU2/2=UQ/2
此式對(duì)電容器也成立,其中U改為電勢(shì)差U1-U2。對(duì)平板電容器:
C=εS/d,(U1-U2)=EdEe=C(U1-U2)2/2=(εS/d)(Ed)2/2=εE2Sd/2=εE2V/2
單位體積儲(chǔ)存在電場(chǎng)中的能量,即電場(chǎng)能量密度we
為
we=εE2/2=ED/2第十三頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一例7-9試證明半徑為R,帶電量為Q的球形導(dǎo)體在無(wú)限大介質(zhì)中(介電常數(shù)為ε)的電場(chǎng)能量為
Ee=∫εE2dV/2=Q2/8πεR。Rε++++++++++Q+證明:球形導(dǎo)體的電荷均勻分布在球體表面上,其電場(chǎng)分布為
E=0(r<R)E=Q/4πεr2(rR)在球體內(nèi):電場(chǎng)能量為零
(因?yàn)镋=0);第十四頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一在球體外:半徑為r,厚度為dr的薄層球殼中的能量為
dEe=E2dV/2=(Q/4r2)24r2dr/2=(Q2/8r2)
drdrrRε++++++++++Q因此,球形導(dǎo)體的電場(chǎng)能量為
Ee=∫dEe=∫R∞(Q2/8r2)
dr
=Q2/8R
根據(jù)電場(chǎng)在空間的分布,然而計(jì)算出空間中的總電場(chǎng)能量Ee,則可利用C=Q2/2Ee式來(lái)計(jì)算出電容器的電容值,這是計(jì)算電容的另一種方法。第十五頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一例7-10電子半徑的估計(jì)解:為了簡(jiǎn)化我們的計(jì)算起見(jiàn),我們假定電子是一個(gè)半徑為r的實(shí)心球體,帶有電荷-e,同時(shí)只是表面帶電。利用例7-9的結(jié)果,電子的電場(chǎng)能量(介質(zhì)為真空)為:
Ee=Q2/8or將這些能量看作是電子的靜能mec2,即:Q2/8or=mec2
因此,可求出電子的半徑為:
r=(1/2)(e2/4omec2)
第十六頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期一
但是如果我們對(duì)電子的電荷分布采取不同
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