1+X集成電路理論?？荚囶}（含答案）

1+X集成電路理論?？荚囶}（含答案）1、打開安裝好的keil軟件，點(diǎn)擊工具欄“魔術(shù)棒”按鈕，點(diǎn)擊（）選項，選擇目標(biāo)芯片。A、C/C++B、TargetC、DebugD、Device答案：D2、以全自動探針臺為例，上片過程中，當(dāng)承重臺下降到指定位置時，()。A、紅色指示燈亮B、紅色指示燈滅C、綠色指示燈亮D、綠色指示燈滅答案：B以全自動探針臺為例，承重臺前的兩個按鈕指示燈：綠色表示上升，紅色表示下降。承重臺下降到指定位置后，下降指示燈滅，即紅色指示燈滅。3、在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是()。A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸B、防止晶圓之間的接觸C、防止晶圓在搬運(yùn)過程中發(fā)生移動D、美觀答案：A在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。4、下列選項中，（）工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。A、引線鍵合B、第二道光檢C、芯片粘接D、第三道光檢答案：D第三道光檢通過的合格品，進(jìn)入封裝的后段工序，后段工藝包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型、第四道光檢等工序。5、下列關(guān)于平移式分選機(jī)描述錯誤的是（）。A、傳送帶將料架上層的料盤輸送至待測區(qū)料盤放置的指定區(qū)域B、料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤上真空吸取芯片，然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”C、等待芯片傳輸裝置移動到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)D、當(dāng)待測區(qū)料盤上的芯片全部轉(zhuǎn)移后，需要更換料盤，繼續(xù)進(jìn)行上料答案：A6、在使用J-link驅(qū)動連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的（）中設(shè)置（）。A、Debug；地址范圍B、Output；工作頻率C、Debug；工作頻率D、Output；地址范圍答案：A7、清潔車間內(nèi)的墻面時要求使用（）進(jìn)行清潔。A、麻布B、不掉屑餐巾紙C、無塵布D、棉答案：C一周擦一次墻面，清潔車間內(nèi)的墻時應(yīng)使用無塵布。無塵布由100%聚酯纖維雙面編織而成，表面柔軟，易于擦拭敏感表面，摩擦不脫纖維，具有良好的吸水性及清潔效率。8、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)日常維護(hù)包括（）。A、緊固螺絲，電氣電路的檢查B、更換磨損部件C、ABC選項都包括D、不易保養(yǎng)的部位進(jìn)行拆卸檢查答案：C9、裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃Υ娴闹饕康氖?)。A、防氧化B、合理利用生產(chǎn)車間的空間C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站D、防塵答案：A氮?dú)夤裰饕抢玫獨(dú)鈦斫档蜐穸群脱鹾?。將裝有晶圓的花籃放在氮?dú)夤裰械闹饕康氖欠姥趸?0、在電子電路方案設(shè)計中最簡單的顯示平臺是（）。A、LEDB、OLEDC、LCDD、數(shù)碼管答案：A11、載帶的預(yù)留長度一般是()。A、10-30cmB、30-50cmC、70-90cmD、50-70cm答案：D12、若采用全自動探針臺對晶圓進(jìn)行扎針測試，需把承載的晶圓花籃放到探針臺相應(yīng)位置等待檢測，假如位置放置不正確，會造成（）后果。A、晶圓探針錯位、破片B、晶圓撞擊探針測試卡C、探針臺死機(jī)D、位置指示燈異常答案：A13、完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到()量級。A、10-2~10-5B、10-5~10-7C、10-7~10-10D、10-17~10-20答案：C提純四氯化硅通常使用精餾法。完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到10-7~10-10量級。14、利用編帶機(jī)進(jìn)行編帶的過程中，在完成熱封處理后，需要進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A、密封B、編帶收料C、將芯片放入載帶中D、光檢答案：B15、解決鋁尖刺的方法有（）。A、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑鱼~B、采用三層夾心結(jié)構(gòu)C、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸鐳、采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)答案：C解決鋁尖刺的方法有在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸琛?6、單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗，其中四探針法可以測量單晶硅的（）參數(shù)。A、導(dǎo)電類型B、電阻率C、少數(shù)載流子壽命D、直徑答案：B17、重力式分選機(jī)進(jìn)行自動上料時，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯片位置()要求：()。A、有；芯片印章在上面B、有；芯片印章在下面C、無；需要等待料管篩選D、無；進(jìn)入上料的芯片位置沒有要求答案：A重力式分選機(jī)進(jìn)行上料時，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。18、去飛邊的目的是（）。A、去除激光打字后標(biāo)識打印有瑕疵的部分B、去除引腳周圍長出的晶須C、去除電鍍后引腳鍍層外圍多余的鍍料D、去除注塑工序塑封周圍、引線之間的多余溢料答案：D19、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行外檢之前，需要進(jìn)行的操作是()。A、扎針測試B、烘烤C、打點(diǎn)D、真空入庫答案：B晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。20、下列選項中不屬于芯片外觀不良的是（）。A、電源電流過大B、印章不良C、管腳壓傷D、塑封體開裂答案：A21、模擬芯片常見參數(shù)測試輸入失調(diào)電壓，指在差分放大器或差分輸入的運(yùn)算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需（）。A、在兩個輸入端所加的直流電壓之和B、在兩個輸入端所加的直流電壓之積C、在兩個輸入端所加的交流電壓之差D、在兩個輸入端所加的直流電壓之差答案：D22、以全自動探針臺為例，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是：()。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子答案：D以全自動探針臺為例，上片的步驟為：打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子。23、避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點(diǎn)位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用()遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)行測試。A、氣泡膜B、不透明袋C、黑布D、白布答案：C避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點(diǎn)位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用一塊黑布遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)行測試。24、在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中測試環(huán)境是指（）。A、硬件環(huán)境（硬件配置一致）B、軟件環(huán)境（軟件版本一致）C、使用環(huán)境（周圍環(huán)境對測試的影響）D、以上都是答案：D25、模塊電路外觀檢查時如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路，要用()進(jìn)行驗證。A、通止規(guī)B、游標(biāo)卡尺C、基準(zhǔn)塊D、直尺答案：A模塊電路外觀檢查時如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路，通常要用通止規(guī)進(jìn)行驗證。26、離子注入過程中需要遵守三大方向，其中一個是摻雜物類型是由（）材料決定的。A、離子電流B、離子電流與注入時間相乘C、離子轟擊注入的能量D、離子源材料答案：D27、料盤外觀全部檢查完后，對合格的料盤需要進(jìn)行臨時捆扎，臨時捆扎時將()盒料盤（不含空料盤）捆扎在一起。A、9B、10C、11D、12答案：B料盤外觀全部檢查完后，對合格的料盤需要進(jìn)行臨時捆扎，臨時捆扎時將10盒料盤（不含空料盤）捆扎在一起。28、{以串行測試為例，假設(shè)A,B軌道測試合格，C軌道測試不合格，芯片移動的路線是（）。}A、A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C測試軌道→分選梭3→D合格軌道→分選梭4→不良品料管；B、A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C不合格軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管；C、A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C不合格軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管D、A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C測試軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管答案：D重力式分選機(jī)進(jìn)行串行測試時，A,B軌道測試合格，C軌道測試不合格，芯片移動的路線是：分選梭1將A軌道測試合格的芯片送入B測試軌道，B軌道測試合格后，分選梭2將芯片送人C測試軌道，C軌道測試不合格后，分選梭3將芯片送入D不合格軌道，分選梭4將芯片放入不良品料管中。29、在版圖設(shè)計過程中，NMOS管的源極接（），漏極接（），PMOS管的源極接（），漏極接（）。A、地、高電位、GND、高電位B、地、高電位、電源、低電位C、電源、高電位、GND、低電位D、地、高電位、GND、低電位答案：D30、單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗，其中熱探針法可以測量單晶硅的（）參數(shù)。A、直徑B、電阻率C、導(dǎo)電類型D、少數(shù)載流子壽命答案：C31、在刻蝕工藝中，有幾個非常重要的參數(shù)，其中（）定義為當(dāng)刻蝕線條時，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量ΔX的比值V/ΔX，比值越大，說明橫向刻蝕速率小，刻蝕圖形的保真度好。A、刻蝕因子B、刻蝕速率C、選擇比D、均勻性答案：A32、SOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用()。A、料盤包裝B、編帶包裝C、料管包裝D、散裝答案：BSOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝。33、芯片檢測工藝中，在外觀檢查時發(fā)現(xiàn)料管破損，應(yīng)（）。A、及時更換B、對破損部位進(jìn)行修補(bǔ)C、視情況而定D、繼續(xù)使用答案：A34、下列描述錯誤的是（）。A、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等B、一般轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)都需要配合編帶機(jī)使用C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)旋轉(zhuǎn)臺每轉(zhuǎn)動一格，都會將產(chǎn)品送到各個工位D、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行答案：B35、打點(diǎn)過程中，在顯微鏡下看到有墨點(diǎn)偏大出現(xiàn)時需要進(jìn)行的操作是：()。A、調(diào)節(jié)打點(diǎn)器的旋鈕B、調(diào)節(jié)打點(diǎn)的步進(jìn)C、更換墨管D、更換晶圓答案：C出現(xiàn)墨點(diǎn)大小點(diǎn)等情況時需更換墨管。36、裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃Υ娴闹饕康氖牵ǎ?。A、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站B、防氧化C、防塵D、合理利用生產(chǎn)車間的空間答案：B37、激光打標(biāo)文本內(nèi)容和格式設(shè)置好之后，需要（）。A、選擇打標(biāo)文檔B、點(diǎn)擊保存按鈕C、點(diǎn)擊開始打標(biāo)按鈕D、調(diào)整光具位置答案：B打標(biāo)文本內(nèi)容編輯好后點(diǎn)擊“保存”即可，然后開始調(diào)整光具位置準(zhǔn)備打標(biāo)。38、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進(jìn)行初步的清理。A、不良晶粒B、切割時產(chǎn)生的火花C、晶圓碎片D、去離子水答案：D39、有關(guān)開路測試不正確的是（）。A、管腳正常連接：pin1和地之間會存在一個壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二極管的導(dǎo)通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，V1電壓的測量結(jié)果大約為-0.6~-0.7V左右B、管腳出現(xiàn)開路：ESD二極管被斷開，pin1和地之間的電阻會無限大，在管腳施加負(fù)電流時，V1的電壓會無限小（負(fù)壓）。在實(shí)際情況中，電壓會受測試源本身存在的鉗位電壓，或者受電壓量程擋位限制達(dá)到一個極限值C、管腳出現(xiàn)短路：ESD二極管被短路，pin1和地之間的電阻接近為0歐姆，此時不管施加多少電流，V1都接近于0VD、測量Pin1和VDD之間的通斷情況，則可以將VDD通過測試源加到0V，利用I2電流和二極管D2的正向?qū)▔航颠M(jìn)行測量和判斷。此時I2的電流方向和I1的電流方向相同，此時V1的電壓為正電壓答案：D40、若防靜電點(diǎn)檢未通過則需要（）。A、重新啟動檢測儀器，再次檢測B、請其他員工檢測，門開啟后一同進(jìn)入C、找管理部門手動打開D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測答案：D防靜電點(diǎn)檢未通過時，應(yīng)該檢查自身著裝并消除靜電，然后重新檢測。不可隨其他檢測通過的人員一起進(jìn)入，否則自身超標(biāo)的靜電會對對車間內(nèi)的芯片造成損害。41、5mil的墨管常用于()的晶圓。A、5英寸B、6英寸C、8英寸D、12英寸答案：AB5mil的墨管常用于5英寸、6英寸的晶圓，30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。42、管裝真空包裝時，將裝有料盤的防靜電鋁箔袋放到()上，并把()插入防靜電鋁箔袋封口中，盡量保證鋁箔袋的封口平整。A、真空包裝機(jī)的擱板B、真空包裝機(jī)的控制面板C、抽嘴D、吸嘴答案：AC管裝真空包裝時，將裝有料盤的防靜電鋁箔袋放到真空包裝機(jī)的擱板上，并把抽嘴插入防靜電鋁箔袋封口中，盡量保證鋁箔袋的封口平整。43、屬于濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)的是（）。A、各向同性B、各向異性C、提高刻蝕的選擇比D、不產(chǎn)生襯底損傷答案：CD濕法刻蝕可以控制刻蝕液的化學(xué)成分，使得刻蝕液對特定薄膜材料的刻蝕速率遠(yuǎn)大于其他材料的刻蝕速率，從而提高刻蝕的選擇比，同時也不產(chǎn)生襯底損傷。濕法刻蝕的效果是各向同性的，這導(dǎo)致刻蝕后的線寬難以控制，是濕法刻蝕的缺點(diǎn)。44、在AltiumDesigner中，當(dāng)項目被編譯后，將顯示那些面板（）。A、Messages面板B、Navigator面板C、Design面板D、Project面板答案：AB45、管裝外觀檢查時，需要檢查的內(nèi)容有（）。A、印章是否錯誤或損壞B、料管內(nèi)的芯片方向是否正確C、芯片數(shù)量是否與隨件單一致D、芯片管腳是否彎曲答案：ABCD46、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由()和()組成。A、振動料斗B、吸嘴C、氣軌D、主轉(zhuǎn)塔答案：AC轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由振動料斗和氣軌組成。47、以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的是()。（多選題）A、防靜電鋁箔袋破損B、防靜電鋁箔袋褶皺C(jī)、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留D、防靜電鋁箔袋外形整齊答案：ABC如果發(fā)現(xiàn)真空包裝好的卷盤不整齊或不光滑，有彎曲、變形現(xiàn)象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現(xiàn)象，需要重新抽真空。48、以下是晶圓扎針測試完成后，對于不合格的管芯完成的打點(diǎn)圖，請選擇合格打點(diǎn)的管芯（）。A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片答案：BD49、襯底接觸的設(shè)計要盡量保證包圍住整個差分對管，這樣做的目的是（）。A、避免閂鎖效應(yīng)B、提高差分的匹配度C、減小柵極上的寄生電阻D、保證差分對管的對稱性答案：AD50、影響CMP質(zhì)量的因素有()。A、拋光壓力B、拋光液pH值C、轉(zhuǎn)速D、拋光區(qū)域溫度值答案：ABCD拋光質(zhì)量的影響因素有很多，例如地光的壓力拋光液的PH值拋光液粘度轉(zhuǎn)速光區(qū)域溫度、磨粒尺寸濃度與硬度等。51、電子產(chǎn)品性能測試包括（）。A、功能性測試B、幾何性能測試C、物理性能測試D、穩(wěn)定性測試答案：ABC52、單晶硅生長是將電子級純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個條件：A、原子具有一定的動能B、要有一個排列標(biāo)準(zhǔn)C、排列好的原子能穩(wěn)定下來D、不能含有任何雜質(zhì)答案：ABC單晶硅生長是把電子級純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件必須滿足：①原子具有一定的動能，以便重新排列；②要有一個排列標(biāo)準(zhǔn)；③排列好的原子能穩(wěn)定下來。53、通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。A、SOP封裝B、QFN封裝C、LGA封裝D、DIP封裝答案：AD通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。54、直徑大于8英寸的單晶硅錠可以用()方法制備出來。A、FZ法B、CZ法C、直拉法D、懸浮區(qū)熔法答案：BC只有直拉法能制造處直徑大于200mm的單晶硅錠，直拉法又稱CZ法，其中8英寸的晶圓直徑為200mm。55、單片機(jī)最小系統(tǒng)電路包括（）等部分。A、時鐘信號電路B、電源電路C、程序下載電路D、復(fù)位電路答案：ABCD56、第四道光檢主要是針對哪些工藝的檢查？A、激光打字B、芯片粘接C、切筋成型D、塑封E、引線鍵合F、去飛邊及電鍍答案：ACDF切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢，針對后段工序的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過第三道光檢進(jìn)行檢查57、編帶前光檢的目的是檢查()。A、芯片的數(shù)量是否正確B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管腳是否出現(xiàn)扭曲、斷裂D、芯片的電氣參數(shù)答案：BC編帶前進(jìn)行光檢是為了確保進(jìn)入編帶的芯片印章和管腳都是合格的。芯片數(shù)量在上料前進(jìn)行核對，電氣參數(shù)的檢測是在測試環(huán)節(jié)進(jìn)行的。58、影響顯影工藝的因素有（）。A、曝光度B、顯影液濃度C、顯影方法D、工序的溫度和時間答案：ABCD影響顯影工藝的因素有：軟烘焙時間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時間、溫度以及顯影方法。59、扎針測試時，在MAP圖上可能會看到()區(qū)域。A、沿邊直接剔除區(qū)域B、故障區(qū)域C、待測區(qū)域D、測試合格區(qū)域答案：ABCD扎針測試過程中，在MAP圖上會出現(xiàn)不同的標(biāo)記，含有沿邊直接剔除區(qū)域、測試區(qū)域、待測扎針、故障區(qū)域、待測區(qū)域。60、一般情況下，30mil的墨管適用于直徑是()的晶圓。A、120mmB、125mmC、200mmD、300mm答案：CD30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。其中直徑為125mm的是5英寸，直徑為150mm的是6英寸，直徑為200mm的是8英寸，直徑為300mm的是12英寸。61、重力式分選機(jī)進(jìn)行并行測試時只能選擇2sites進(jìn)行測試。A、正確B、錯誤答案：B重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時，可根據(jù)測試卡的數(shù)量進(jìn)行1site/2sites/4sites測試。62、“5s”管理中，“整理”的含義是把要用的東西，按規(guī)定位置擺放整齊，并做好標(biāo)識進(jìn)行管理。A、正確B、錯誤答案：B整理是指整理工作現(xiàn)場，只保留有用的東西，撤出不需要的東西；整頓是指把要用的東西，按規(guī)定位置擺放整齊，并做好標(biāo)識進(jìn)行管理。63、在版圖設(shè)計過程中需要注意，NMOS管和PMOS管的襯底是分開的，NMOS管的襯底接VCC。A、正確B、錯誤答案：B64、比色法常用于精確測量淀積后的薄膜厚度。A、正確B、錯誤答案：B65、重力式分選機(jī)進(jìn)行手動裝料時無需注意芯片管腳方向。A、正確B、錯誤答案：B重力式分選機(jī)進(jìn)行手動裝料時，要求芯片引腳朝下，從而保證后續(xù)測試順利進(jìn)行。66、編帶機(jī)的上料方式與轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)相似，都是將待裝有測芯片料管推出，上料夾具夾起料管，芯片根據(jù)自身重力沿軌道下滑。（）A、正確B、錯誤答案：B67、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的測試分選工序主要依靠旋轉(zhuǎn)臺來執(zhí)行，旋轉(zhuǎn)臺上搭載機(jī)械手，機(jī)械手上的吸嘴只能實(shí)現(xiàn)待測芯片的取環(huán)節(jié)。（）A、正確B、錯誤答案：B68、一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕具有較高的選擇比。A、正確B、錯誤答案：B一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕的選擇比不高。69、戴發(fā)罩時，短發(fā)的人員需要把頭發(fā)全部包住，長發(fā)的人員發(fā)尾可露出部分。A、正確B、錯誤答案：B戴發(fā)罩時要將頭發(fā)全部塞入發(fā)罩內(nèi)。70、晶圓檢測工藝中，利用全自