光電子發(fā)射探測器

光電子發(fā)射探測器第1頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月真空光電器件光電管光電倍增管特點(diǎn)：靈敏度高、穩(wěn)定性好、響應(yīng)速度快和噪聲小缺點(diǎn)：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，工作電壓高，體積大第2頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月§3.2.1光電陰極一、光電陰極的主要參數(shù)1.靈敏度光照靈敏度:光譜靈敏度第3頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２.量子效率它表示一定波長的光子入射到光電陰極時，該陰極所發(fā)射的光電子數(shù)Ne()與入射的光子數(shù)Np()之比。也稱量子產(chǎn)額Q()3.光譜響應(yīng)曲線４.熱電子發(fā)射：引起噪聲，限制探測靈敏度第4頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月二、銀氧銫(Ag-O-Cs)光電陰極350nm,800nm第5頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月三、單堿銻化物光電陰極金屬銻與堿金屬鋰、鈉、鉀、銣、銫中的一種化合，能形成具有穩(wěn)定光電發(fā)射的發(fā)射體。最常用的是銻化銫，其陰極靈敏度最高，廣泛用于紫外和可見光區(qū)的光電探測器中。四、多堿銻化物光電陰極當(dāng)銻和幾種堿金屬形成化合物時，具有更高的響應(yīng)率第6頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月五、紫外光電陰極通常來說對可見光靈敏的光電陰極對紫外光也有較高的量子效率。有時，為了消除背景輻射的影響，要求光電陰極只對所探測的紫外輻射信號靈敏，而對可見光無響應(yīng)。這樣的光電陰極有碲化銫(CsTe,320nm)和碘化銫(CsI,200nm)第7頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月六、負(fù)電子親和勢光電陰極常規(guī)的光電陰極屬于正電子親和勢(PEA)類型，即表面的真空能級位于導(dǎo)帶之上。如果給半導(dǎo)體的表面作特殊處理，使表面區(qū)域能帶彎曲，真空能級降低到導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢為負(fù)值，經(jīng)過特殊處理的陰極稱作負(fù)電子親和勢光電陰極(NEA)。第8頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月EA1Eg1Eg2EA2Ev1Ec1E0Ec2Ev2SiCs2OEv1EC1EfEAeE0EdEA2Ev2+++---Si-CsO2光電陰極：在p型Si基上涂一層金屬Cs，經(jīng)過特殊處理而形成n型Cs2O。在交界區(qū)形成耗盡層，耗盡區(qū)的電位下降Ed,造成能帶彎曲。對于P型Si的發(fā)射閾值是Ed1=EA1+Eg1,電子進(jìn)入導(dǎo)帶后需要克服親和勢EA1才能逸出表面。由于表面存在n型薄層，使耗盡區(qū)的電位下降，表面電位降低Ed。光電子在表面受到耗盡區(qū)電場的作用。第9頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月從Si的導(dǎo)帶底部漂移到表面Cs2O的導(dǎo)帶底部。此時，電子只需克服EA2就能逸出表面。對于P型Si的光電子需克服的有效親和勢為EAe=EA2-Ed由于能級彎曲，使Ed>EA2,這樣就形成了負(fù)電子親和勢。負(fù)電子親和勢陰極與正電子親和勢陰極的區(qū)別：1.參與發(fā)射的電子是導(dǎo)帶的熱化電子，或稱為“冷”電子；第10頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２.NEA陰極中導(dǎo)帶的電子逸入真空不需作功。特點(diǎn)：1.高吸收，低反射性質(zhì)；2.高量子效率，50%~60%,長波到達(dá)9%;3.光譜響應(yīng)可以達(dá)到1m以上；4.冷電子發(fā)射光譜能量分布較集中，接近高斯分布5.光譜響應(yīng)平坦；6.暗電流小；7.在可見、紅外區(qū)，能獲得高響應(yīng)度；8.工藝復(fù)雜，售價(jià)昂貴。第11頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月§3.2.2光電管與光電倍增管的工作原理一、真空光電管1、結(jié)構(gòu)與工作原理真空光電管構(gòu)造示意圖

真空光電管由玻殼、光電陰極和陽極三部分組成。第12頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月光電陰極即半導(dǎo)體光電發(fā)射材料，涂于玻殼內(nèi)壁，受光照時，可向外發(fā)射光電子。陽極是金屬環(huán)或金屬網(wǎng)，置于光電陰極的對面，加正的高電壓，用來收集從陰極發(fā)射出來的電子。

優(yōu)點(diǎn)：光電陰極面積大，靈敏度較高，一般積分靈敏度可達(dá)20～200μA/lm；暗電流小，最低可達(dá)10-14A；光電發(fā)射弛豫過程極短。

缺點(diǎn)：真空光電管體積大、工作電壓高,達(dá)百伏到數(shù)百伏、玻殼容易破碎等

第13頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月二、光電倍增管1、光電倍增管組成及工作原理光電倍增管由五個主要部分組成：光窗、光電陰極、電子光學(xué)系統(tǒng)、電子倍增系統(tǒng)和陽極。

第14頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月第15頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月工作原理：1.光子透過入射窗口入射在光電陰極上;2.光電陰極上的電子受光子激發(fā)，離開表面發(fā)射到真空中;3.光電子通過電場加速和電子光學(xué)系統(tǒng)聚焦入射到第一倍增級上，倍增級將發(fā)射出比入射電子數(shù)目更多的二次電子。入射電子經(jīng)N級倍增極倍增后，光電子就放大N次；4.經(jīng)過倍增后的二次電子由陽極收集，形成陽極光電流。第16頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月光電倍增管工作原理圖第17頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月第18頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２.入射窗口和光電陰極結(jié)構(gòu)第19頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月硼硅玻璃

這是一種常用的玻璃材料，可以透過從近紅外至300nm的入射光，但不適合于紫外區(qū)的探測。無鉀玻璃中只有極低含量的鉀，其中的K40會造成暗計(jì)數(shù)。所以通常用于閃爍計(jì)數(shù)的光電倍增管不僅入射窗，而且玻璃側(cè)管也使用無鉀玻璃，就是為了降低暗計(jì)數(shù)透紫玻璃（UV玻璃）

這種玻璃材料就象其名字所表達(dá)的那樣，可以很好地透過紫外光，和硼硅玻璃一樣被廣泛使用。分光應(yīng)用領(lǐng)域一般都要求用透紫玻璃，其截止波長可接近185nm。

窗口材料第20頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月合成石英

合成石英可以將透過的紫外光波長延伸至160nm，并且在紫外區(qū)比熔融石英玻璃有更低的吸收。合成石英材料的膨脹系數(shù)與芯柱用玻璃的膨脹系數(shù)有很大差別，所以，用熱膨脹系數(shù)漸變的封接材料與合成石英逐漸過渡。因此，此類光電倍增管的強(qiáng)度易受外界震動的破壞，使用中要采取足夠的保護(hù)措施。

氟化鎂（鎂氟化物）該材料具有極好的紫外線透過性，但同時也有易潮解的不利因素。盡管如此，氟化鎂仍以其接近115nm的紫外透過能力而成為一種實(shí)用的光窗材料。

第21頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月３.電子光學(xué)系統(tǒng)電子光學(xué)系統(tǒng)是適當(dāng)設(shè)計(jì)的電極結(jié)構(gòu)，作用：使前一級發(fā)射出來的電子盡可能沒有散失地落到下一個倍增極上，即使下一級的收集率接近1；并使前一級各部分發(fā)射出來的電子，落到后一級上所經(jīng)歷的時間盡可能相同，即渡越時間零散最小。

第22頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月4.電子倍增極二次電子發(fā)射：具有足夠動能的電子轟擊某些材料時，材料表面將發(fā)射新的電子。二次發(fā)射系數(shù)：二次發(fā)射的電子數(shù)N2與入射的一次電子數(shù)N1的比值第23頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月倍增級結(jié)構(gòu)現(xiàn)在使用的電子倍增系統(tǒng)主要有以下幾類：環(huán)形聚焦型

環(huán)形聚焦型結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用于側(cè)窗型光電倍增管。其主要特點(diǎn)為緊湊的結(jié)構(gòu)和快速時間響應(yīng)特性。

第24頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月盒柵型

這種結(jié)構(gòu)包括了一系列的四分之一圓柱形的倍增極，并因其相對簡單的倍增極結(jié)構(gòu)和一致性的改良而被廣泛地應(yīng)用于端窗型光電倍增管，但在一些應(yīng)用中，其時間響應(yīng)可能略顯緩慢。

第25頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月直線聚焦型直線聚焦型因其極快的時間響應(yīng)而被廣泛地應(yīng)用于要求時間分辨和線性脈沖研究用的端窗型光電倍增管中。

第26頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月百葉窗型百葉窗型結(jié)構(gòu)因倍增極可以較大而被用于大陰極的光電倍增管中，其一致性較好，可以有大的脈沖輸出電流。這種結(jié)構(gòu)多用于不太要求時間響應(yīng)的場合。

第27頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月

細(xì)網(wǎng)型

細(xì)網(wǎng)型結(jié)構(gòu)擁有封閉的精密組合的網(wǎng)狀倍增極，而使其具有極強(qiáng)的抗磁性、一致性和脈沖線性輸出特性。另外，當(dāng)使用交疊陽極或多陽極結(jié)構(gòu)輸出情況下，還具有位置靈敏特性。

第28頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月微通道板（MCP）型MCP是上百萬的微小玻璃管（通道）彼此平行地集成為薄形盤片狀而形成。每個通道都是一個獨(dú)立的電子倍增器。MCP比任何分離電極倍增極結(jié)構(gòu)具有超快的時間響應(yīng)，并且當(dāng)采用多陽極輸出結(jié)構(gòu)時，在磁場中仍具有良好的一致性和二維探測能力。

第29頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月5.陽極陽極作用是接收從末級倍增極發(fā)射出的二次電子，通過引線向外輸出電流。對于陽極的結(jié)構(gòu)要求具有較高的電子收集率，能承受較大的電流密度，并且在陽極附近的空間不至于產(chǎn)生空間電荷效應(yīng)第30頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月§3.2.3光電倍增管的主要特性參數(shù)一、靈敏度靈敏度是衡量光電倍增管探測光信號能力的一個重要參數(shù)光譜響應(yīng)陰極靈敏度陽極靈敏度第31頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月陰極光照靈敏度：陰極輸出光電流Ik與入射到光電陰極面上的光通量之比：GV+HVEA10-5~10-2lm第32頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月陽極光照靈敏度表示光電倍增管在接收分布溫度為2856K的光輻射時陽極輸出電流與入射光通量的比值：GV－HVEA10-10~10-6lm第33頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月二、放大倍數(shù)(增益)光電倍增管的陰極產(chǎn)生的很小的光電子電流，可以放大成較大的陽極輸出電流：

二次電子發(fā)射，產(chǎn)生多于光電子數(shù)目的電子流。連續(xù)地重復(fù)這一過程，直到最末倍增極的二次電子發(fā)射被陽極收集，從而達(dá)到了電流放大的作用。電流增益就是光電倍增管的陽極輸出電流與陰極光電子電流的比值。在理想情況下，具有n個倍增極，每個倍增極的平均二次電子發(fā)射率為的光電倍增管的電流增益為

n。二次電子發(fā)射率由下式給出：

第34頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月這里的C為一常數(shù)，V為極間電壓，α為一由倍增極材料及其幾何結(jié)構(gòu)決定的系數(shù)，α的數(shù)值一般介于0.7和0.8之間。

如果光電倍增有n級倍增級，那么光電陰極發(fā)射的光電流經(jīng)過各級倍增極倍增后，從陽極輸出的電流:０為電子光學(xué)系統(tǒng)的收集率；

１

２..

n倍增極的電子收集率12n倍增極二次電子發(fā)射系數(shù)第35頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月設(shè)陽極電子收集率為1，如果各倍增極的電子收集率和二次電子發(fā)射系數(shù)，那么光電倍增管的放大倍數(shù)放大倍數(shù)也可以表示為第36頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月三、暗電流暗電流是指在施加規(guī)定的電壓后，在無光照情況下測定的陽極電流。暗電流決定光電倍增管的極限靈敏度暗電流組成熱電子發(fā)射極間漏電流殘余氣體的離子發(fā)射玻璃閃爍場致發(fā)射第37頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月減小暗電流的方法直流補(bǔ)償選頻和鎖相放大致冷電磁屏蔽法磁場散焦法PMT第38頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月第39頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月四、噪聲散粒噪聲閃爍噪聲電阻熱噪聲第40頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月五、伏安特性１.陰極伏安特性當(dāng)入射光通量一定時，陰極光電流與陰極和第一倍增極之間的電壓關(guān)系.Ik(nA)312Vk(V)第41頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月2.陽極伏安特性當(dāng)入射光通量一定時，陽極光電流與最后一級倍增極和陽極之間的電壓關(guān)系Ik(uA)312Vp(V)第42頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月六、線性

造成非線性的原因:(1)內(nèi)因－空間電荷、光電陰極的電阻率、聚集或收集率的變化；(2)外因－由于信號電流造成負(fù)載電阻的負(fù)反饋和電壓的再分配。第43頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月七、穩(wěn)定性穩(wěn)定性是指陽極電流隨工作時間的變化，它在閃爍記數(shù)和光度測量中顯得很重要。１.靈敏度的慢漂移2.滯后效應(yīng)第44頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月八、響應(yīng)時間：入射光變化輸出電信號的變化

1.上升時間2.渡越時間九、磁場特性磁場變化時，光電子運(yùn)動軌跡的偏移第45頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月§3.2.4光電倍增管的供電和信號輸出電路一、高壓供電１.供電電壓的極性陽極接地負(fù)高壓供電：陽極信號輸出方便，可以直流輸出。但由于陰極屏蔽困難，陽極輸出暗電流和噪聲較大。陰極接地的正高壓供電：陽極信號輸出必須通過耐高壓、噪聲小的隔直流電容器，因此只能輸出交流信號。但可以得到較低的暗電流和噪聲。第46頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２、分壓器設(shè)計(jì)GKPR1R2R3R4R5R7R61.DC輸出型第47頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月理想曲線真實(shí)曲線入射光通量輸出電流與分壓器電流比１第48頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月2脈沖輸出型GKPR1R2R3R4R5R7R6第49頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月二、信號輸出

光電倍增管輸出一個電流信號，而與其相聯(lián)的后續(xù)電路，一般是基于電壓信號而設(shè)計(jì)的，因此，常用一個負(fù)載電阻來完成電流-電壓的轉(zhuǎn)換。在此，我們來研究一下負(fù)載電阻的選取。由于光電倍增管輸出電流很小，而且實(shí)際上常常將其看作一個恒流源，因此，一般認(rèn)為負(fù)載電阻可以任意大地選取，從而從一個較低的電流信號，得到一個很高的電壓信號。但是實(shí)際上，較大的負(fù)載電阻會導(dǎo)致頻率響應(yīng)和輸出線性的惡化。第50頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月若負(fù)載電阻為RL，光電倍增管陽極和其它電極之間的靜電電容量以及由于布線等引起的雜散電容量的總和為Cs，則截止頻率fc：

上式可以看到，盡管光電倍增管和放大器有極快的響應(yīng)時間，輸出線路響應(yīng)也將受到截止頻率fc的限制。如果負(fù)載電阻RL值較高，在較高輸出電流情況下，負(fù)載電阻將導(dǎo)致陽極電位電壓降增大，造成陽極-末倍增極電壓降低，從而降低了輸出線性（輸出電流與入射光的比例關(guān)系）。

第51頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２.運(yùn)算放大器輸出PMTVRfCf輸出的電壓這是一個由運(yùn)算放大器構(gòu)成的I—V(電流—電壓)轉(zhuǎn)換器第52頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月§3.2.5光電倍增管的應(yīng)用一、光譜學(xué)

-----利用光吸收原理

1.紫外/可見/近紅外分光光度計(jì)

光通過物質(zhì)時使物質(zhì)的電子狀態(tài)發(fā)生變化，而失去部分能量，稱為吸收。利用吸收進(jìn)行定量分析:為確定樣品物質(zhì)的量，采用連續(xù)的光譜對物質(zhì)進(jìn)行掃描，并利用光電倍增管檢測光通過被測物質(zhì)前后的強(qiáng)度，即可得到被測物質(zhì)吸收程度，計(jì)算出物質(zhì)的量。

第53頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月2.原子吸收分光光度計(jì)

廣泛地應(yīng)用于微量金屬元素的分析。對應(yīng)于分析的各種元素，需要專用的元素?zé)?，照射燃燒并霧化分離成原子狀態(tài)的被測物質(zhì)上，用光電倍增管檢測光被吸收的強(qiáng)度，并與預(yù)先得到的標(biāo)準(zhǔn)樣品比較。

第54頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月二、利用發(fā)光原理１.發(fā)光分光光度計(jì)

樣品接受外部照射光的能量會產(chǎn)生發(fā)光，利用單色器將這種光的特征光譜線顯示出來，用光電倍增管探測出特征光譜線是否存在及其強(qiáng)度。這種方法可以迅速地定性或定量地檢查出樣品中的元素。

第55頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月２.熒光分光光度計(jì)

熒光分光光度計(jì)依據(jù)生物化學(xué)，特別是分子生物學(xué)原理。物質(zhì)受到光照射，發(fā)射長波的發(fā)光，這種光稱為熒光。用光電倍增管檢測熒光的強(qiáng)度及光譜特性，可以定性或定量地分析樣品成份。

3.拉曼分光光度計(jì)

用單色光照射物質(zhì)后被散亂，這種散亂光中，只有物質(zhì)特有量的不同波長光混合在里面。這種散亂光（拉曼光）進(jìn)行分光測定，對物質(zhì)進(jìn)行定性定量的分析。由于拉曼發(fā)光極其微弱，因此檢測工作需要復(fù)雜的光路系統(tǒng)，并且采用單光子計(jì)數(shù)法。

第56頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月三、質(zhì)量光譜學(xué)與固體表面分析

固體表面分析

固體表面的成分和結(jié)構(gòu)，可以用極細(xì)的電子、離子、光或X射線的束流，入射到物質(zhì)表面，對表面發(fā)出的電子、離子、X射線等進(jìn)行測定來分析。這種技術(shù)在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域被用于半導(dǎo)體的檢查中，如缺陷、表面分析、吸附等。電子、離子、X射線一般采用電子倍增器或MCP來測定。

第57頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月四、環(huán)境監(jiān)測

塵埃粒子計(jì)數(shù)器

塵埃粒子計(jì)數(shù)器檢測大氣或室內(nèi)環(huán)境中懸浮的粉塵或粒子的密度。它利用了塵埃粒子對光的散亂或β射線的吸收原理。

濁度計(jì)

當(dāng)液體中有懸浮粒子時，入射光會粒子被吸收、折射。對人的眼睛來看是模糊的，而濁度計(jì)正是利用了光的透過折射和散射原理，并用數(shù)據(jù)來表示的裝置。

第58頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月五、生物技術(shù)

細(xì)胞分類

細(xì)胞分類儀是利用熒光物質(zhì)對細(xì)胞標(biāo)定后，用激光照射，細(xì)胞的熒光、散亂光用光電倍增管進(jìn)行觀察，對特定的細(xì)胞進(jìn)行選別的裝置

熒光計(jì)

細(xì)胞分類的最終目的是分離細(xì)胞，為此，有一種用于對細(xì)胞、化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行解析的裝置，它稱為熒光計(jì)。它對細(xì)胞、染色體發(fā)出的熒光、散亂光的熒光光譜、量子效率、偏光、壽命等進(jìn)行測定。

第59頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月六、醫(yī)療應(yīng)用

γ相機(jī)

將放射性同位素標(biāo)定試劑注入病人體內(nèi)，通過γ相機(jī)可以得到斷層圖象，來判別病灶。從閃爍掃描器開始，經(jīng)逐步改良，γ相機(jī)的性能得到快速的發(fā)展。光電倍增管通過光導(dǎo)和大面積NaI（Tl）組合成探測器

正電子CT

放射線同位素（C11、O15、N18、F18等）標(biāo)識的試劑投入病人體內(nèi)，發(fā)射出的正電子同體內(nèi)結(jié)合時，放出淬滅γ線，用光電倍增管進(jìn)行計(jì)數(shù)，用計(jì)算機(jī)作成體內(nèi)正電子同位素分布的斷層畫面，這種裝置稱為正電子CT。

第60頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月液體閃爍計(jì)數(shù)

液體閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用于年代分析和生物化學(xué)等領(lǐng)域。將含有放射性同位素物質(zhì)溶于有機(jī)閃爍體內(nèi)，并置于兩個光電倍增管之間，兩個光電倍增管同時檢測有機(jī)閃爍體的發(fā)光。

臨床檢查

通過對血液、尿液中微量的胰島素、激素、殘留藥物及病毒等對于抗原、抗體的作用特性，進(jìn)行臨床身體檢查、診斷治療效果等。光電倍增管對被同位素、酶、熒光、化學(xué)發(fā)光、生物發(fā)光物質(zhì)等標(biāo)識的抗原體的量進(jìn)行化學(xué)測定。

第61頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月七、射線測定

區(qū)域檢測儀

可以連續(xù)地檢測環(huán)境輻射水平。它采用光電倍增管與閃爍體組合的方式，完成對低水平的α射線和γ射線的檢測。

射線測量儀

射線測量儀采用光電倍增管與閃爍體組合的方式完成對低水平的γ射線和β射線的檢測。

第62頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月八、資源調(diào)查

石油測井應(yīng)用

石油測井中用以確定石油沉積位置以及儲量等。內(nèi)藏放射源、光電倍增管和閃爍體的探頭進(jìn)入井中，分析放射源被散射的以及地質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自然射線，判斷油井周圍的地層類型及密度第63頁，課件共69頁，創(chuàng)作于2023年2月九、工業(yè)計(jì)測

厚度計(jì)

工業(yè)生產(chǎn)中的諸如紙張、塑料、鋼材等的厚度檢測，可以通過包括放射源、光電倍增管和閃爍體的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。對于低密度物質(zhì)，比如橡膠、塑料、紙張等，采用β射線源；諸如鋼板等的高密度物質(zhì)則使用γ射線。（在電鍍、蒸發(fā)控制等處，鍍膜的厚度可使用X射線熒光光度計(jì)）

半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)

廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的缺陷檢查、掩膜錯位等。芯片的缺陷檢查裝置中用光電倍增