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CMOS門電路CMOS門電路1.MOS管的結(jié)構(gòu)S(Source)：源極G(Gate)：柵極D(Drain)：漏極B(Substrate):襯底金屬層氧化物層半導(dǎo)體層PN結(jié)一、MOS管的開關(guān)特性輸出（漏極）特性曲線（分三個區(qū)域）：截止區(qū)：

VGS<VGS(th)，iD=0,ROFF>109ΩCMOS門電路恒流區(qū)：iD基本上由VGS決定，與VDS關(guān)系不大可變電阻區(qū)：當(dāng)VDS較低（近似為0），VGS一定時，

，這個電阻受VGS控制、可變。VGS(th)——開啟電壓轉(zhuǎn)移特性：iD=f(VGS)CMOS門電路

VGS<VGS(th)，iD=0,MOS管截止VGS>VGS(th)，MOS管導(dǎo)通3.MOS管的基本開關(guān)電路CMOS門電路MOS管工作在可變電阻區(qū)，輸出低電平

MOS管截止，輸出高電平當(dāng)υI

<VGS(th)時：當(dāng)υI

>

VGS(th)時：MOS管相當(dāng)于一個由vGS控制的無觸點開關(guān)。MOS管工作在可變電阻區(qū)，相當(dāng)于開關(guān)“閉合”，輸出為低電平。MOS管截止，相當(dāng)于開關(guān)“斷開”，輸出為高電平。當(dāng)輸入為低電平時：當(dāng)輸入為高電平時：CMOS門電路3.MOS管的基本開關(guān)電路二、CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理1.電路結(jié)構(gòu)及工作原理CMOS門電路當(dāng)輸入為低電平時：二、CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理1.電路結(jié)構(gòu)及工作原理CMOS門電路當(dāng)輸入為高電平時：2.電壓、電流傳輸特性CMOS門電路電壓傳輸特性VOHVOL2.電壓、電流傳輸特性CMOS門電路電流傳輸特性3.輸入噪聲容限CMOS門電路輸出高電平的下限值

VOH(min)輸入低電平的上限值

VIL(max)輸入高電平的下限值

VIL(min)輸出低電平的上限值

VOH(max)3.輸入噪聲容限CMOS門電路輸出高電平的下限值

VOH(min)輸入低電平的上限值

VIL(max)輸入高電平的下限值

VIL(min)輸出低電平的上

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