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文檔簡介

電子衍射原理第1頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月主要內(nèi)容布拉格定律倒易點(diǎn)陣與厄瓦爾德圖解法晶帶定律與零層倒易截面偏離矢量與倒易陣點(diǎn)擴(kuò)展電子衍射基本公式第2頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月1布拉格定律晶體對電子產(chǎn)生衍射的必要條件

根據(jù)布拉格定律:sinθ=λ/2d≤1

通常透射電鏡的加速電壓為100—200kV,即電子波的波長在

10-2—10-3nm數(shù)量級,θ約為10-2rad.第3頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月2倒易點(diǎn)陣與厄瓦爾德圖解法第4頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月厄瓦爾德圖解法第5頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月結(jié)構(gòu)因子--倒易點(diǎn)陣的權(quán)重結(jié)構(gòu)因子可表示為：從X—射線衍射已經(jīng)知道，衍射束的強(qiáng)度第6頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月第7頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月把結(jié)構(gòu)因子作為倒易陣點(diǎn)的權(quán)重，能夠產(chǎn)生衍射的晶面對應(yīng)的倒易點(diǎn)陣與實(shí)際定義的倒易點(diǎn)陣就有所區(qū)別。如：FCC結(jié)構(gòu)晶體的倒易點(diǎn)陣第8頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月3晶帶定律與零層倒易截面第9頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月4偏離矢量與倒易陣點(diǎn)擴(kuò)展第10頁，課件共12頁，創(chuàng)作于2023年2月5電子衍射基本公式根據(jù)圖中的幾何關(guān)系：相機(jī)常數(shù)O*第11頁，課件共12頁，創(chuàng)

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