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

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文檔簡(jiǎn)介
第八章場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓
8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓
8-2空乏型之特性與偏壓
8-3接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓
8-4FET與BJT之功能特性比較
8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓圖8-1常見電晶體的分類增強(qiáng)型之特性與偏壓1.增強(qiáng)型MOSFET之物理結(jié)構(gòu)與電路符號(hào)
(a)物理結(jié)構(gòu)(b)電路符號(hào)(c)簡(jiǎn)化電路符號(hào)圖8-2
N通道增強(qiáng)型MOSFET8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓
(a)物理結(jié)構(gòu)(b)電路符號(hào)(c)簡(jiǎn)化電路符號(hào)圖8-3
P通道增強(qiáng)型MOSFET8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓2.增強(qiáng)型MOSFET之工作模式與特性曲線
1.工作原理(a)電子被吸引聚集在二氧化矽層下(b)N通道的形成圖8-4
N通道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓圖8-5
N通道增強(qiáng)型MOSFET之歐姆區(qū)工作模式:VDS
很小時(shí)之線性電阻特性8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓
(a)不等高的N通道(b)通道立體圖(c)輸出特性曲線圖8-6
N通道增強(qiáng)型MOSFET之歐姆區(qū)工作模式:VDS變大時(shí)之非線性電阻特性8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓
(a)D極端夾止的N通道(b)通道立體圖(c)輸出特性曲線圖8-7
N通道增強(qiáng)型MOSFET之夾止飽和區(qū)工作模式8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓飽和區(qū)的電流特性8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓(a)VDS-ID
輸出特性曲線(b)VGS-ID
輸入輸出特性曲線(c)直流等效電路圖8-8
N通道增強(qiáng)型MOSFET之特性曲線8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓
(a)VDS-ID
輸出特性曲線(b)VGS–ID輸入輸出特性曲線(c)直流等效電路圖8-9
P通道增強(qiáng)型MOSFET之特性曲線8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓3.增強(qiáng)型MOSFET之直流偏壓
1.固定式偏壓電路(a)固式偏壓電路(b)直流等效電路圖8-12
N通道E-MOSFET固定式偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓2.分壓式偏壓電路(a)分壓式偏壓電路(b)戴維寧化簡(jiǎn)等效電路圖8-13
N通道E-MOSFET分壓式偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓3.含源極電阻之分壓式偏壓電路
(a)分壓式偏壓電路(b)戴維寧化簡(jiǎn)等效電路圖8-15
N通道E-MOSFET含源極電阻之分壓式偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓4.汲極回授式偏壓電路圖8-16
N通道E-MOSFET含汲極回授式偏壓8-1增強(qiáng)型之特性與偏壓8-1空乏型MOSFET之特性與偏壓1.空乏型MOSFET之物理結(jié)構(gòu)與電路符號(hào)8-28-2空乏型MOSFET之特性與偏壓2.空乏型MOSFET之工作模式與特性曲線8-2空乏型MOSFET之特性與偏壓8-2空乏型MOSFET之特性與偏壓8-2空乏型MOSFET之特性與偏壓8-2空乏型MOSFET之特性與偏壓3.空乏型MOSFET之直流偏壓固定式偏壓電路8-2空乏型MOSFET之特性與偏壓自給固定式偏壓電路分壓式式偏壓電路接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓1.
JFET之物理結(jié)構(gòu)與電路符號(hào)8-3接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-32.JFET之工作模式與特性曲線接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-3接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-3接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-3特性曲線接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-33.JFET之直流偏壓接面場(chǎng)效電晶體之特性與偏壓8-3FET與BJT之功能特性比較1.
FET的主要功能8-4開關(guān)功能電阻功能FET與BJT之功能特性比較8-42.FET和BJT特性比較樹立質(zhì)量法制觀念、提高全員質(zhì)量意識(shí)。7月-237月-23Tuesday,July18,2023人生得意須盡歡,莫使金樽空對(duì)月。05:43:4205:43:4205:437/18/20235:43:42AM安全象只弓,不拉它就松,要想保安全,常把弓弦繃。7月-2305:43:4205:43Jul-2318-Jul-23加強(qiáng)交通建設(shè)管理,確保工程建設(shè)質(zhì)量。05:43:4205:43:4205:43Tuesday,July18,2023安全在于心細(xì),事故出在麻痹。7月-237月-2305:43:4205:43:42July18,2023踏實(shí)肯干,努力奮斗。2023年7月18日5:43上午7月-237月-23追求至善憑技術(shù)開拓市場(chǎng),憑管理增創(chuàng)效益,憑服務(wù)樹立形象。18七月20235:43:42上午05:43:427月-23嚴(yán)格把控質(zhì)量關(guān),讓生產(chǎn)更加有保障。七月235:43上午7月-2305:43July18,2023作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)記得牢,駕輕就熟除煩惱。2023/7/185:43:4205:43:4218July2023好的事情馬上就會(huì)到來(lái),一切都是最好的安排。5:43:42上午5:43上午05:43:427月-23一馬當(dāng)先,全員舉績(jī),梅開二度,業(yè)績(jī)保底。7月-237月-2305:4305:43:4205:43:42Jul-23牢記安全之責(zé),善謀安全之策,力務(wù)安全之實(shí)。2023/7/185:43:42Tuesday,July18,2023相信相信得力量。7月-232023/7/185:43:427月-23謝謝大家!樹立質(zhì)量法制觀念、提高全員質(zhì)量意識(shí)。7月-237月-23Tuesday,July18,2023人生得意須盡歡,莫使金樽空對(duì)月。05:43:4205:43:4205:437/18/20235:43:42AM安全象只弓,不拉它就松,要想保安全,常把弓弦繃。7月-2305:43:4205:43Jul-2318-Jul-23加強(qiáng)交通建設(shè)管理,確保工程建設(shè)質(zhì)量。05:43:4205:43:4205:43Tuesday,July18,2023安全在于心細(xì),事故出在麻痹。7月-237月-2305:43:4205:43:42July18,2023踏實(shí)肯干,努力奮斗。2023年7月18日5:43上午7月-237月-23追求至善憑技術(shù)開拓市場(chǎng),憑管理增創(chuàng)效益,憑服務(wù)樹立形象。18七月20235:43:42上午05:43:427月-23嚴(yán)格把控質(zhì)量關(guān),讓生產(chǎn)更加有保障。七月235:43上午7月-2305:43July18,2023作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)記得牢,駕輕就熟除煩惱。2023/7/185:43:4205:43:4218July2023好的事情馬上就會(huì)到來(lái),一切都是最好的安排。5:43:42上午5:43上午05:43:427月
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