大學單片機及接口課程第5章-存儲器

第5章：半導體存儲器本章基本要求： 1、存儲器基本概念 2、RAM、ROM存儲器工作原理- 3、51單片機系統(tǒng)外部存儲器的連接*概述存儲器是計算機的主要組成部分，它使計算機具有記憶功能。能將數(shù)據(jù)和程序存入計算機，使之脫離人的干預自動工作。70年代的存儲器大多采用磁芯存儲器，其速度比CPU慢幾個數(shù)量級。且體積大，成本高。無論是體積上還是成本上，都是計算機的主要組成部分。計算機工作者在存儲器的速度、體積、成本和容量上做了大量工作，解決了很多矛盾，成功地研制出今天的半導體存儲器。單極性MOS存儲器分類雙極性存儲器有TTL、ECLMOS存儲器按工作特點、作用以及制造工藝可分為：MOS存儲器RAMROM動態(tài)DRAM靜態(tài)SRAMRandomAccessMemory掩膜ROM—ReadOnlyMemory現(xiàn)場可編程PROM—ProgrammableROM可擦可編程EPROM—ErasablePROM電可擦可編程E2ROM—ElectricallyEPROM閃速存儲器—FlashMemory

AT89C51/52AT89C1051/2051易失非易失程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器MCS-15存儲器系統(tǒng)配置一、程序存儲器MCS-51最小系統(tǒng)8051/8751內(nèi)部有4KROM/EPROM8052/8752內(nèi)部有8KROM/EPROMMCS-51最大系統(tǒng)：可尋址64KB單元容量不夠時就要擴展片外程序存儲器二、數(shù)據(jù)存儲器MCS-51最小系統(tǒng)MCS-51最大系統(tǒng)：可尋址64KB單元容量不夠時就要擴展片外數(shù)據(jù)存儲器RAM（I/O）51子系列內(nèi)部只有128BRAM52子系列內(nèi)部只有256BRAM系統(tǒng)的擴展設計:存儲器I/O接口5.1 半導體存儲器基礎5.1.1 存儲器的分類5.1.1 存儲器的分類1.RAM讀/寫存儲器

SRAM靜態(tài)隨機讀/寫存儲器DRAM動態(tài)隨機讀/寫存儲器2.ROM

掩模ROM出廠時程序已經(jīng)寫入，不能修改。PROM可編程只讀存儲器EPROM可擦寫PROM3.新型存儲器

OTPROM一次可編程只讀存儲器FLASH存儲器快擦寫存儲器FRAM非易失性鐵電存儲器5.1 半導體存儲器基礎5.1.2 存儲器的技術指標1、存儲容量：是指存儲器能夠存儲信息的容量?？梢员硎緸椋? 存儲容量=字數(shù)×字長2、最大存取時間：是指CPU從存儲器里讀或?qū)懸粋€數(shù)據(jù)所需要的最大時間。3、存儲器功耗4、可靠性和工作壽命5、集成度5.1 半導體存儲器基礎5.1.3 存儲器的結構 可以分為單譯碼和雙譯碼編址存儲器兩類。 注意： ① 存儲器引腳的種類。 ② 存儲器容量與引腳的關系。 ③ 存儲器操作的概念：地址信號、地址譯碼、 數(shù)據(jù)輸入與輸出信號。 ④ 存儲器讀寫操作過程。5.1 半導體存儲器基礎1、單譯碼編址存儲器 如圖：注意地址譯碼器、存儲器陣列。5.1 半導體存儲器基礎2、雙譯碼編址存儲器 如圖：注意它的譯碼與選中單元的過程。5.2 只讀存儲器ROM 特點：存放的信息是固定的，不會隨停電而丟失。在使用過程中，其信息只可以讀取，不可以改寫。 常用的ROM種類有： 1、掩模ROM，由制造廠家寫入信息。 2、PROM，由用戶一次性寫入信息。 3、EPROM，多次可改寫ROM，可由用戶使用紫外線燈擦除再次寫入信息。 4、EEPROM，可用電脈沖擦除，并再次由用戶寫入信息。5.2 只讀存儲器ROM ROM應用舉例： 以2764為例。 1、內(nèi)部結構：如下圖。 2、引腳分類和功能。強調(diào)：CE的作用。常用的EPROM芯片為：276427128272562751212345678914131211102325262728242221201816151719VPPA12A7A6A5A4A3A2A1A0Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7GNDA10A9A8A11NCVCCCEOEPGM地址輸入線A0～Ai三態(tài)數(shù)據(jù)線D0～D7片選線讀出選通線編程脈沖輸入線編程電源線工作電源線2764、27128、27256、27512等地線8K816K832K864K8A0～Ai：地址輸入線，i=12～15Q0～Q7：三態(tài)數(shù)據(jù)線，讀或編程校驗時為數(shù)據(jù)輸出線，編程時為數(shù)據(jù)輸入線。維持或禁止時，呈高阻態(tài)

CE：片選線OE：讀出選通線PGM：編程脈沖輸入線VPP：編程電源線，其值因芯片型號和制造商而異VCC：電源線，接+5VGND:接地線常用D0～D7表示常用EPROM芯片的技術指標：型號2764271282725627512容量（KB）8163264引腳數(shù)28282828讀出時間200200200200最大工作電流75100100100最大維持電流35404040nSmAmAEPROM的操作方式有：編程方式：把程序代碼固化到EPROM中編程校驗方式：讀出EPROM的內(nèi)容，校對編程操作的正確性讀出方式：CPU從EPROM中讀出指令和常數(shù)維持方式：數(shù)據(jù)端呈高阻編程方式：用于多片EPROM并行編程EPROM寫入器讀

001VCC

5vDOUT禁止輸出011VCC

5v高阻維持1

××

VCC5v高阻編程010***DIN編程校驗001***DOUT引腳方式CEOEPGMVPPVCCQ0～Q7編程禁止1

××

***高阻2764A和27128A的操作方式5.3 隨即存取存儲器RAM 1、特點：存儲單元的內(nèi)容可在操作中隨時讀寫操作，其信息會隨停電而丟失。 常用的RAM有：動態(tài)和靜態(tài)兩類。 2、RAM舉例：以6264為例。下圖為其內(nèi)部結構。5.3 隨即存取存儲器RAM 6264引腳說明：注意CS的作用。常用數(shù)據(jù)存儲器芯片常用的靜態(tài)RAM芯片為：6264621286225612345678914131211102325262728242221201816151719NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2D3D4D5D6D7GNDA10A9A8A11CS1VCCCEOEWE地址輸入線雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線片選線讀出選通線寫允許信號輸入線電源線靜態(tài)RAM芯片6116、6264、62128、62256等2KB8KB16KB32KB地線11根13根14根15根D0～D7：三態(tài)數(shù)據(jù)線CE：片選線OE：讀出選通線WE：寫允許信號輸入線VCC：電源線，接+5VGND:接地A0～Ai：地址輸入線，i=10（6116），i=12（6264）i=13（62128），i=14（62256）上頁下頁回目錄常用靜態(tài)RAM芯片的技術指標：型號611662646212862256容量（KB）281632引腳方式CEOEWED0～D76116/6264/62128/62256操作方式讀001輸出DOUT維持1

××

高阻三態(tài)寫010輸入DIN5.4 51單片機與外部存儲器的連接5.4.1 51外擴存儲器應注意的問題 這些問題也是連接外部存儲器時應很好掌握的重要概念。①選取合適的存儲器芯片：芯片的存儲性質(zhì)、芯片的容量、芯片的工作速度等。②存儲器空間地址的分配：確定各類芯片在存儲空間占用的存儲地址。③確定芯片譯碼方式：片內(nèi)譯碼、芯片譯碼。全譯碼方式、部分譯碼方式、線選譯碼方式。④存儲器與單片機連線的種類及要求，重點是三總線的結構。MCS-51系統(tǒng)擴展功能進行系統(tǒng)擴展時，單片機的引腳可構成三總線結構1、片外三總線結構ALEP3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7P3.0EAPSENRST803180518751VccVssP1口P2口P0口373GE+5VA0~A7A8~A15D0~D7I/OXTAL1XTAL2RXDTXDINT0INT1T0T1WRRD控制總線CB數(shù)據(jù)總線DB地址總線AB上頁下頁回目錄CPU微處理器RAMI/OROMCBUSDBUSABUSCBUS：控制總線，方向不確定DBUS：數(shù)據(jù)總線，雙向三態(tài)ABUS：地址總線，單向三態(tài)利用三總線可方便的進行系統(tǒng)的擴展設計:……⑴地址總線AB（A0~A15）寬16位片外尋址64KB⑵數(shù)據(jù)總線DB（D0~D7）寬8位⑶控制總線CB系統(tǒng)擴展用的控制總線有：PSENEAALERESETRDWR地址總線由P0口提供地址低8位。地址總線由P2口提供地址高8位P0口是地址/數(shù)據(jù)復用線，在地址有效時，ALE↓鎖存到片外地址鎖存器保存;數(shù)據(jù)總線由P0口提供，該口為三態(tài)雙向口。P0的驅(qū)動能力：驅(qū)動8個TTL門P1

、P2、

P3的驅(qū)動能力：驅(qū)動4個TTL門2、總線驅(qū)動能力單向總線驅(qū)動器74LS244雙向總線驅(qū)動器74LS245當應用系統(tǒng)規(guī)模過大，超過總線的驅(qū)動能力時，系統(tǒng)不可能可靠工作，此時應加總線驅(qū)動器。PSEN片外取指（片外程序存儲器讀）信號輸出端ALE地址鎖存信號。用↓鎖存P0口的低8位地址RD/WR用于片外RAM的讀寫控制，執(zhí)行MOVX時，這兩個信號，在P3.7/P3.6上自動產(chǎn)生3、常用的地址鎖存器常用的8位地址鎖存器有：74LS373、74LS273、828274LS373是一種輸出帶有三態(tài)門的8D鎖存器1D～8D1Q～8QGE1Q～8Q74LS373結構原理圖輸入控制端輸出允許端E1Q1D2D2Q3Q3D4DGND4Q74LS37312345678910141617181915131211208Q8D7D7Q6Q6D5DG5QVCC引腳圖A0～A7P0.0～P0.7ALE1D～8D1Q～8QGE電路連接圖74LS37374LS373的功能表EG功能01直通（Qi=Di）00保持（ Qi保持不變）1×輸出高阻工作原理：輸入控制端G“1”輸出和輸入端數(shù)據(jù)相同“0”（1D～8D）數(shù)據(jù)鎖入（1Q～8Q）三態(tài)使能端E“1”三態(tài)門輸出呈高阻三態(tài)門開放,其輸出為鎖存器的輸出“0”4、常用的地址譯碼器常用的地址譯碼器是：3-8線譯碼器74LS138雙2-4線譯碼器74LS13974LS13812345678910141615131211ABCG2AG2BG1GNDY7Y6Y4Y3Y2Y1Y0Y5VCC8個輸出端3個選擇輸入端3個允許輸入端Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y7Y6111111111111111111111111111111110111111110111111110111111110111111110111111110110110110100100100100100100XX

000001011010X010101CBAG2BG2AG1100110

11111101100111

11111110輸入輸出74LS138譯碼器真值表禁止允許74LS139123456789101416151312111個允許輸入端2個選擇輸入端4個輸出端1A1BGND1G1Y31Y21Y11Y02Y32Y22Y12Y0VCC2A2B2G輸出輸入GB

AY0Y1Y2Y31XX1111000011100110110101101001111074LS139譯碼器真值表5.4 51單片機與外部存儲器的連接使用三總線進行擴展5.4 51單片機與外部存儲器的連接

幾個重要概念及地址譯碼方式①分清地址線：片內(nèi)地址線、片選地址線；②片內(nèi)地址線的接法：直接與系統(tǒng)的地址線相連。③片選地址線的接法：可用全譯碼方式、部分譯碼方式連接。④用地址譯碼電路產(chǎn)生芯片的選通信號。通常這種選通信號采用集成譯碼電路產(chǎn)生。5.4.2程序存儲器擴展設計一、外部程序存儲器操作時序PSEN片外取指（片外程序存儲器讀）信號輸出端ALE地址鎖存信號。用↓鎖存P0口的低8位地址MCS-51單片機訪問外部ROM，使用的控制信號為：操作時序的兩種情況：⑴不執(zhí)行MOVX指令時⑵執(zhí)行MOVX指令時ALEPSENRD/WRP2PCH輸出PCH輸出PCH輸出PCH輸出P0指令輸入指令輸入指令輸入指令輸入PCL輸出PCL輸出PCL輸出PCL輸出PCL輸出有效PCL輸出有效PCL輸出有效外部程序存儲器操作時序（a）

（a）不執(zhí)行MOVX指令時第一個機器周期第二個機器周期由圖可見：P2口用于送出PCH信息P0口用于送出PCL信息和輸入指令一個周期內(nèi)，ALE脈沖兩次有效。一個周期內(nèi)，PSEN脈沖兩次有效。PSEN低電平期間將指令讀入單片機ALE↓將P0口上的低8位地址鎖存到地址鎖存器PCL輸出有效DPL輸出有效PCL輸出有效OSCALEPSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6機器周期P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6機器周期P2PCH輸出DPH或P2輸出PCH輸出RD/WRP0指令輸入指令輸入PCL輸出地址輸出數(shù)據(jù)輸出PCL輸出數(shù)據(jù)輸入外部程序存儲器操作時序（b）

（b）執(zhí)行MOVX指令時RDWR由圖可見：訪問片外RAM不用PSEN改用RD/WR，此時P0口為數(shù)據(jù)線讀到的指令為MOVX指令（單字節(jié)雙周期指令）時在下一個ALE↓到來時，通過P0口、P2口送出要訪問的片外RAM的地址在第二個機器周期，當RD/WR有效時，實現(xiàn)對這一單元的讀寫ALE↓CPU通過P0口、P2口送出待訪問的地址，因P0還要復用為數(shù)據(jù)總線，低8位地址有地址鎖存器鎖存P0復用口地址/數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)指令PCDPTR三、程序存儲器擴展設計程序存儲器設計要點：⑴外部程序存儲器的操作時序，以及所使用

控制信號的作用⑵找出8031和存儲器芯片之間引腳接線的對

應關系，將其相應的數(shù)據(jù)線、地址線和控

制線正確連接⑶地址譯碼選擇集成度高的芯片，若需多片則應選擇容量相同的芯片，以簡化電路的設計。選擇片選信號A6A7A5A0A1A2A3A4A13A8A9A10A11A12Q1Q0Q2Q7Q6Q5Q4Q3VccGNDVPPOECE271281D2D3D4D6D5D8D7D1Q2Q3Q4Q6Q5Q8Q7QGEVccGND+5V74LS373P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0P3.1。。。P3.7P3.0P1.1。。。P1.7P1.0XTAL1XTAL2VccEAALEPSEN8031VSS+5V1、線地址譯碼法擴展16KBEPROM=0線地址0000H3FFFH～4000H7FFFH～=0=1P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.01、線地址譯碼法擴展16KBEPROMA6A7A5A0A1A2A3A4A13A8A9A10A11A12CE0×000000000000000×11111111111111基本地址范圍：0000H～3FFFH重疊地址范圍：4000H～7FFFH結構特點：地址范圍：⑴EPROM由PSEN進行讀選通控制，8031的EA接地⑵

用一根線(P2.7)去選擇芯片，P2.7=0，選中該片⑶P2.6懸空產(chǎn)生地址重疊271288031EA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN80311D～8DGE1Q～8Q74LS373Q0～Q7CEOEA0～A122764⑵Q0～Q7CEOEA0～A122764⑴Q0～Q7CEOEA0～A122764⑶74LS1392Y32Y22Y12Y0VCC2A2B2GGND+5VA0～A7A8～A12D0～D7片選0片選1片選20000H～1FFFH2000H～3FFFH4000H～5FFFH2、部分地址譯碼法擴展24KBEPROM2、部分地址譯碼法擴展24KBEPROMP2.5P2.6P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12選中地址000110111111111111100000000000001111111111111000000000000000000000000001111111111111片⑴片⑵片⑶0000H1FFFH2000H3FFFH4000H5FFFH地址范圍：結構特點：⑴8031內(nèi)部無ROM，所以EA接地，EPROM由PSEN進行讀控制⑶用譯碼后的部分地址選擇芯片，叫部分地址譯碼⑵用地址譯碼信號選擇某片片選EA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN80311D～8DGE1Q～8Q74LS373Q0～Q7CEOEA0～A122764⑵Q0～Q7CEOEA0～A122764⑴Q0～Q7CEOEA0～A122764⑻A0～A7A8～A12D0～D7片選0片選1片選70000H～1FFFH2000H～3FFFHE000H～FFFFH74LS138VCCABG2BGND+5VY7Y1Y0…G2ACG1…3、全地址譯碼法擴展64KBEPROM74LS373G

1Q～8QE

1D～8DQ0～Q7OEA0～A12

CE2764（1）Q0～Q7OEA0～A12

CE2764（2）……Q0～Q7OEA0～A12

CE2764（8）74LS138G1

VCCY7┇Y1Y0GNDG2AG2BCBA

P27

P26

P25+5V

8031P0P2ALEPSENEA…D0～D7A0～A12A0～A7ALEPSENRD/WRP2PCH輸出PCH輸出PCH輸出PCH輸出P0指令輸入指令輸入指令輸入指令輸入PCL輸出PCL輸出PCL輸出PCL輸出PCL輸出有效PCL輸出有效PCL輸出有效圖5-1外部程序存儲器操作時序（a）

第一個機器周期第二個機器周期2、全地址譯碼法擴展64KBEPROMP2.5P2.6P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12選中地址P2.7000001111111111111100000000000001111111111111000000000000000000000000001111111111111片⑴片⑵片⑻0000H1FFFH2000H3FFFHE000HFFFFH111……………所有地址都參加譯碼選擇芯片，叫作全地址譯碼地址范圍：74LS138CBAA15A14A13A15A14A135.4 51單片機與外部存儲器的連接51單片機與外部EPROM的連接 單片機與兩片2764相連，如下圖。寫出各片2764的地址空間。（0000H-1FFFH，2000H-3FFFH）5.4.3數(shù)據(jù)存儲器擴展設計一、外部數(shù)據(jù)存儲器操作時序可尋址256B外部數(shù)據(jù)存儲器可尋址64KB外部數(shù)據(jù)存儲器訪問外部RAM用專門指令MOVX，共4條指令符號說明MOVXA，＠RiMOVX＠Ri，AMOVXA，＠DPTRMOVX＠DPTR，A外部數(shù)據(jù)存儲器讀時序（a）

PSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6機器周期P1P2S1RD/WRP0指令輸入懸浮A0～A7懸浮數(shù)據(jù)輸入懸浮ALEP2

地址A8～A15DPL(Ri)DPHMOVXA,@Ri@DPTRA外部數(shù)據(jù)存儲器寫時序（b）

PSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6機器周期P1P2S1P0指令輸入懸浮A0～A7數(shù)據(jù)輸出ALEP2

地址A8～A15RD/WRMOVX，A@Ri@DPTRDPL(Ri)DPH（A）由圖可見：S1P2讀到的指令為MOVX指令（單字節(jié)雙周期指令）在S2P1下一個ALE↓到來時，通過P0口、P2口送出要訪問的片外RAM的地址當RD/WR有效時，實現(xiàn)對這一單元的讀/寫1、MCS-51擴展2KBRAMP0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A100

0

000

0

0000

01

1

111

1

1111

1⑴控制信號使用WR和RD。⑵WR和RD分別與6116的WE和OE端相連結構特點：地址范圍：0

0

000

0

0000

1…………0000H0001H07FFH～基本地址范圍：0000H07FFH～61168031CE接地1D2D3D4D6D5D8D7D1Q2Q3Q4Q6Q5Q8Q7QGEVccGND+5V74LS373P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0P3.1。。P3.6P3.7P3.0P1.1。。。P1.7P1.0XTAL1XTAL2VccEAALEPSEN8031VSS+5VA6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10I/O1I/O0I/O2I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3VccVssOECE6116WE+5V二、數(shù)據(jù)存儲器擴展設計1、MCS-51擴展2KBRAM0000H07FFH～1D～8DGE1Q～8Q74LS373A0～A7A8～A14D0～D70000H～7FFFH0000H～7FFFH2、8031擴展32KBEPROM和32KBRAMQ0～Q7CEOEA0～A1427256⑴Q0～Q7CEOEA0～A1462256⑵WEEA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN8031RDWR000000000000000111111111111111基本地址范圍：0000H～7FFFH2、8031擴展32KBEPROM和32KBRAMP0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12A13A14結構特點：⑴EPROM和RAM共用地址總線和數(shù)據(jù)總線⑵控制總線除ALE外，EPROM由PSEN進行讀選通，RAM由RD和WR進行讀寫控制地址范圍：1D～8DGE1Q～8Q74LS373A0～A7A8～A14D0～D73、程序存儲器空間和數(shù)據(jù)存儲器空間的合并Q0～Q7CEOEA0～A1462256⑵WEEA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN8031RDWRQ0～Q7CEOEA0～A1427256⑴8000H～FFFFH0000H～7FFFH0000000000000000001111111111111111P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12A13A14結構特點：將PSEN和RD進行讀邏輯與產(chǎn)生低電平有效的讀選通信號，用于合并外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器空間地址范圍：3、程序存儲器空間和數(shù)據(jù)存儲器空間的合并27256地址100000000000000001111111111111111162256地址A150000H7FFFH~8000HFFFFH~5.4 51單片機與外部存儲器的連接51單片機與外部RAM的連接 采用三總線的連接；注意芯片的片選地址。（4000H-5FFFH）5.4 51單片機與外部存儲器的連接例題：連接三片8K*8RAM和ROM構成外擴存儲空間。

要點：三總線的連接、各片存儲器的地址空間。ROM空間RAM空間2764-10000H-1FFFH6264-10000H-1FFFH2764-22000H-3FFFH6264-22000H-3FFFH2764-34000H-5FFFH6264-34000H-5FFFH5.4 51單片機與外部存儲器的連接課外作業(yè)：

設計51單片機與外部存儲器擴展系統(tǒng)。 要求： 1 擴展RAM、ROM空間各32K。 2 使用8K×8芯片。 3 完成完整的原理圖設計，包含：復位電路、時鐘電路、地址鎖存電路、電源電路等。安全閥基本知識如果壓力容器(設備/管線等)壓力超過設計壓力…1.盡可能避免超壓現(xiàn)象堵塞(BLOCKED)火災(FIRE)熱泄放(THERMALRELIEF)如何避免事故的發(fā)生?2.使用安全泄壓設施爆破片安全閥如何避免事故的發(fā)生?01安全閥的作用就是過壓保護!一切有過壓可能的設施都需要安全閥的保護!這里的壓力可以在200KG以上,也可以在1KG以下!設定壓力(setpressure)安全閥起跳壓力背壓(backpressure)安全閥出口壓力超壓(overpressure)表示安全閥開啟后至全開期間入口積聚的壓力.幾個壓力概念彈簧式先導式重力板式先導+重力板典型應用電站鍋爐典型應用長輸管線典型應用罐區(qū)安全閥的主要類型02不同類型安全閥的優(yōu)缺點結構簡單,可靠性高適用范圍廣價格經(jīng)濟對介質(zhì)不過分挑剔彈簧式安全閥的優(yōu)點預漏--由于閥座密封力隨介質(zhì)壓力的升高而降低,所以會有預漏現(xiàn)象--在未達到安全閥設定點前,就有少量介質(zhì)泄出.100%SEATINGFORCE75502505075100%SETPRESSURE彈簧式安全閥的缺點過大的入口壓力降會造成閥門的頻跳,縮短閥門使用壽命.ChatterDiscGuideDiscHolderNozzle彈簧式安全閥的缺點彈簧式安全閥的缺點=10090807060500102030405010%OVERPRESSURE%BUILT-UPBACKPRESSURE%RATEDCAPACITY普通產(chǎn)品平衡背壓能力差.在普通產(chǎn)品基礎上加裝波紋管,使其平衡背壓的能力有所增強.能夠使閥芯內(nèi)件與高溫/腐蝕性介質(zhì)相隔離.平衡波紋管彈簧式安全閥的優(yōu)點優(yōu)異的閥座密封性能,閥座密封力隨介質(zhì)操作壓力的升高而升高,可使系統(tǒng)在較高運行壓力下高效能地工作.ResilientSeatP1P1P2先導式安全閥的優(yōu)點平衡背壓能力優(yōu)秀有突開型/調(diào)節(jié)型兩種動作特性可遠傳取壓先導式安全閥的優(yōu)點對介質(zhì)比較挑剃,不適用于較臟/較粘稠的介質(zhì),此類介質(zhì)會堵塞引壓管及導閥內(nèi)腔.成本較高.先導式安全閥的缺點重力板式產(chǎn)品的優(yōu)點目前低壓儲罐呼吸閥/緊急泄放閥的主力產(chǎn)品.結構簡單.價格經(jīng)濟.重力板式產(chǎn)品的缺點不可現(xiàn)場調(diào)節(jié)設定值.閥座密封性差,并有較嚴重的預漏.受背壓影響大.需要很高的超壓以達到全開.不適用于深冷/粘稠工況.幾個常用規(guī)范ASMEsectionI-動力鍋爐(FiredVessel)ASMEsectionVIII-非受火容器(UnfiredVessel)API2000-低壓安全閥設計(LowpressurePRV)API520-火災工況計算與選型(FireSizing)API526-閥門尺寸(ValveDimension)API527-閥座密封(SeatTightness)介質(zhì)狀態(tài)(氣/液/氣液雙相).氣態(tài)介質(zhì)的分子量&Cp/Cv值.液態(tài)介質(zhì)的比重/黏度.安全閥泄放量要求.設定壓力.背壓.泄放溫度安全閥不以連接尺寸作為選型報價依據(jù)!如何提供高質(zhì)量的詢價?彈簧安全閥的結構彈簧安全閥起跳曲線彈簧安全閥結構彈簧安全閥結構導壓管活塞密封活塞導向不平衡移動副(活塞)導管導閥彈性閥座P1P1P2先導式安全閥結構先導式安全閥的工作原理頻跳安全閥的頻跳是一種閥門高頻反復開啟關閉的現(xiàn)象。安全閥頻跳時，一般來說密封面只打開其全啟高度的幾分只一或十幾分之一，然后迅速回座并再次起跳。頻跳時，閥瓣和噴嘴的密封面不斷高頻撞擊會造成密封面的嚴重損傷。如果頻跳現(xiàn)象進一步加劇還有可能造成閥體內(nèi)部其他部分甚至系統(tǒng)的損傷。安全閥工作不正常的因素頻跳后果1、導向平面由于反復高頻磨擦造成表面劃傷或局部材料疲勞實效。2、密封面由于高頻碰撞造成損傷。3、由于高頻振顫造成彈簧實效。4、由頻跳所帶來的閥門及管道振顫可能會破壞焊接材料和系統(tǒng)上其他設備。5、由于安全閥在頻跳時無法達到需要的排放量，系統(tǒng)壓力有可能繼續(xù)升壓并超過最大允許工作壓力。安全閥工作不正常的因素A、系統(tǒng)壓力在通過閥門與系統(tǒng)之間的連接管時壓力下降超過3%。當閥門處于關閉狀態(tài)時，閥門入口處的壓力是相對穩(wěn)定的。閥門入口壓力與系統(tǒng)壓力相同。當系統(tǒng)壓力達到安全閥的起跳壓力時，閥門迅速打開并開始泄壓。但是由于閥門與系統(tǒng)之間的連接管設計不當，造成連接管內(nèi)局部壓力下降過快超過3%，是閥門入口處壓力迅速下降到回座壓力而導致閥門關閉。因此安全閥開啟后沒有達到完全排放，系統(tǒng)壓力仍然很高，所以閥門會再次起跳并重復上述過程，既發(fā)生頻跳。導致頻跳的原因?qū)е陆庸軌航蹈哂?%的原因1、閥門與系統(tǒng)間的連接管內(nèi)徑小于閥門入口管內(nèi)徑。2、存在嚴重的渦流現(xiàn)象。3、連接管過長而且沒有作相應的補償（使用內(nèi)徑較大的管道）。4、連接管過于復雜（拐彎過多甚至在該管上開口用作它途。在一般情況下安全閥入口處不允許安裝其他閥門。）導致頻跳的原因B、閥門的調(diào)節(jié)環(huán)位置設置不當。安全閥擁有噴嘴環(huán)和導向環(huán)。這兩個環(huán)的位置直接影響安全閥的起跳和回座過程。如果噴嘴環(huán)的位置過低或?qū)颦h(huán)的位置過高，則閥門起跳后介質(zhì)的作用力無法在閥瓣座和調(diào)節(jié)環(huán)所構成的空間內(nèi)產(chǎn)生足夠的托舉力使閥門保持排放狀態(tài)，從而導致閥門迅速回座。但是系統(tǒng)壓力仍然保持較高水平，因此回座后閥門會很快再次起跳。導致頻跳的原因C、安全閥的額定排量遠遠大于所需排量。

由于所選的安全閥的喉徑面積遠遠大于所需，安全閥排放時過大的排量導致壓力容器內(nèi)局部壓力下降過快，而系統(tǒng)本身的超壓狀態(tài)沒有得到緩解，使安全閥不得不再次起跳頻跳的原因閥門拒跳：當系統(tǒng)壓力達到安全閥的起跳壓力時，閥門不起跳的現(xiàn)象。安全閥工作不正常的因素1、閥門整定壓力過高。2、閥門內(nèi)落入大量雜質(zhì)從而使閥辦座和導套間卡死或摩擦力過大。3、彈簧之間夾入雜物使彈簧無法被正常壓縮。4、閥門安裝不當，使閥門垂直度超過極限范圍（正負兩度）從而使閥桿組件在起跳過程中受阻。5、排氣管道沒有被可靠支撐或由于管道受熱膨脹移位從而對閥體產(chǎn)生扭轉力，導致閥體內(nèi)機構發(fā)生偏心而卡死。安全閥拒跳的原因閥門不回座或回座比過大：安全閥正常起跳后長時間無法回座，閥門保持排放狀態(tài)的現(xiàn)象。安全閥工作不正常的因素1、閥門上下調(diào)整環(huán)的位置設置不當。2、排氣管道設計不當造成排氣不暢，由于排氣管道過小、拐彎過多或被堵塞，使排放的蒸汽無法迅速排出而在排氣管和閥體內(nèi)積累，這時背壓會作用在閥門內(nèi)部機構上并產(chǎn)生抑制閥門關閉的趨勢。3、閥門內(nèi)落入大量雜質(zhì)從而使閥瓣座和導套之間卡死后摩擦力過大。安全閥不回座或回座比過大的因素：4、彈簧之間夾入雜物從而使彈簧被正常壓縮后無法恢復。5、由于對閥門排放時的排放反力計算不足，從而在排放時閥體受力扭曲損壞內(nèi)部零件導致卡死。6、閥桿螺母（位于閥桿頂端）的定位銷脫落。在閥門排放時由于振動使該螺母下滑使閥桿組件回落受阻。安全閥不回座或回座比過大的因素：7、由于彈簧壓緊螺栓的鎖緊螺母松脫，在閥門排放時由于振動時彈簧壓緊螺栓松動上滑導致閥門的設定起跳值不斷減小。

8、閥門安裝不當，使閥門垂直度超過極限范圍（正負兩度）從而使閥桿組件在回落過程中受阻。

9、閥門的密封面中有雜質(zhì)，造成閥門無法正常關閉。

10、鎖緊螺母沒有鎖緊，由于管道震動下環(huán)向上運動，上平面高于密封面，閥門回座時無法密封安全閥不回座或回座比過大的因素：謝謝觀看癌基因與抑癌基因oncogene&tumorsuppressorgene24135基因突變概述.癌基因和抗癌基因的概念.癌基因的分類.癌基因產(chǎn)物的作用.癌基因激活的機理主要內(nèi)容疾?。?/p>

——是人體某一層面或各層面形態(tài)和功能（包括其物質(zhì)基礎——代謝）的異常，歸根結底是某些特定蛋白質(zhì)結構或功能的變異，而這些蛋白質(zhì)又是細胞核中相應基因借助細胞受體和細胞中信號轉導分子接收信號后作出應答（表達）的產(chǎn)物。TranscriptionTranslationReplicationDNARNAProtein中心法規(guī)Whatisgene?基因：

—是遺傳信息的載體

—是一段特定的DNA序列（片段）

—是編碼RNA或蛋白質(zhì)的一段DNA片段

—是由編碼序列和調(diào)控序列組成的一段DNA片段基因主宰生物體的命運：微效基因的變異——生物體對生存環(huán)境的敏感度變化關鍵關鍵基因的變異——生物體疾病——死亡所以才有：“人類所有疾病均可視為基因病”之說注：如果外傷如燒傷、骨折等也算疾病的話，外傷應該無法歸入基因病的行列。Genopathy問：兩個不相干的人，如果他們患得同一疾病，致病基因是否相同？再問：同卵雙生的孿生兄弟，他們患病的機會是否一樣，命運是否相同？┯┯┯┯

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┷┷┷┷增添缺失替換DNA分子(復制)中發(fā)生堿基對的______、______

和

，而引起的

的改變。替換增添缺失基因結構基因變異的概念：英語句子中的一個字母的改變，可能導致句子的意思發(fā)生怎樣的變化？可能導致句子的意思不變、變化不大或完全改變THECATSATONTHEMATTHECATSITONTHEMATTHEHATSATONTHEMATTHECATONTHEMAT同理：替換、增添、缺失堿基對，可能會使性狀不變、變化不大或完全改變?；虻慕Y構改變,一定會引起性狀的改變??原句：1.基因多態(tài)性與致病突變基因變異與疾病的關系2.單基因病、多基因病3.疾病易感基因

基因多態(tài)性polymorphism是指DNA序列在群體中的變異性（差異性）在人群中的發(fā)生概率>1%（SNP&CNP)<1%的變異概率叫做突變基因多態(tài)性特定的基因多態(tài)性與疾病相關時，可用致病突變加以描述SNP:散在單個堿基的不同，單個堿基的缺失、插入和置換。

CNP:DNA片段拷貝數(shù)變異，包括缺失、插入和重復等。同義突變、錯義突變、無義突變、移碼突變

致病突變生殖細胞基因突變將突變的遺傳信息傳給下一代(代代相傳),即遺傳性疾病。體細胞基因突變局部形成突變細胞群（腫瘤）。受精卵分裂基因突變的原因物理因素化學因素生物因素基因突變的原因（誘發(fā)因素）紫外線、輻射等堿基類似物5BU/疊氮胸苷等病毒和某些細菌等自發(fā)突變DNA復制過程中堿基配對出現(xiàn)誤差。UV使相鄰的胸腺嘧啶產(chǎn)生胸腺嘧啶二聚體,DNA復制時二聚體對應鏈空缺，堿基隨機添補發(fā)生突變。胸腺嘧啶二聚體胸腺嘧啶胸腺嘧啶紫外線誘變物理誘變(physicalinduction)

5溴尿嘧啶(5BU)與T類似，多為酮式構型。間期細胞用酮式5BU處理，5BU能插入DNA取代T與A配對；插入DNA后異構成烯醇式5BU與G配對。兩次DNA復制后,使A/T轉換成G/C，發(fā)生堿基轉換,產(chǎn)生基因突變?；瘜W誘變(chemicalinduction)堿基類似物(baseanalogues)誘變AT5-BUA5-BUAAT5-BU5-BU(烯醇式)

(酮式)GGC1.生物變異的根本來源，為生物進化提供了最初的原始材料,能使生物的性狀出現(xiàn)差別，以適應不同的外界環(huán)境，是生物進化的重要因素之一。2.致病突變是導致人類遺傳病的病變基礎?；蛲蛔兊囊饬x概述：腫瘤細胞惡性增殖特性（一）腫瘤細胞失去了生長調(diào)節(jié)的反饋抑制正常細胞受損,一旦恢復原狀，細胞就會停止增殖，但是腫瘤細胞不受這一反饋機制抑制。（二）腫瘤細胞失去了細胞分裂的接觸抑制。正常細胞體外培養(yǎng)，相鄰細胞相接觸，長在一起，細胞就會停止增殖，而腫瘤細胞生長滿培養(yǎng)皿后，細胞可以重疊起生長。（三）腫瘤細胞表現(xiàn)出比正常細胞更低的營養(yǎng)要求。（四）腫瘤細胞生長有一種自分泌作用，自己分泌生長需要的生長因子和調(diào)控信號,促進自身的惡性增殖。Whatisoncogene?癌基因——是基因組內(nèi)正常存在的基因，其編碼產(chǎn)物通常作為正調(diào)控信號，促進細胞的增殖和生長。癌基因的突變或表達異常是細胞惡性轉化（癌變）的重要原因?！彩悄芫幋a生長因子、生長因子受體、細胞內(nèi)信號轉導分子以及與生長有關的轉錄調(diào)節(jié)因子等的基因。如何發(fā)現(xiàn)癌基因的呢?11910年，洛克菲勒研究院一個年輕的研究員Rous發(fā)現(xiàn)，雞肉瘤細胞裂解物在通過除菌濾器以后，注射到正常雞體內(nèi)，可以引起肉瘤，首次提出雞肉瘤可能是由病毒引起的。0.2m孔徑細菌過不去但病毒可以通過從病毒癌基因到細胞原癌基因的研究歷程：Roussarcomavirus,RSVthefirstcancer-causingretrovirus1958年，Stewart和Eddy分離出一種病毒，注射到小鼠體內(nèi)可以引起肝臟、腎臟、乳腺、胸腺、腎上腺等多種組織器官的腫瘤，因而把這種病毒稱為多瘤病毒。50年代末、60年代初，癌病毒研究成了一個極具想像力的研究領域，主流科學家開始進入癌病毒研究領域polyomavirus這期間，Temin發(fā)現(xiàn)RSV有不同亞型，且引起細胞惡變程度不同，推測RNA病毒將其遺傳信息傳遞給了正常細胞的DNA。這與Crick提出的中心法則是相違背的讓事實屈從于理論還是堅持基于實驗的結果？VSTemin發(fā)現(xiàn)逆轉錄酶，1975年獲諾貝爾獎TeminCrickTemin的實驗設計：實驗設計簡單而巧妙：將合成DNA所需的“原料”，即A、T、C、G四種脫氧核苷酸，與破壞了外殼的RSV一起在體外40℃的條件下溫育一段時間結果在試管里獲得了一種新合成的大分子，它不能被RNA酶破壞，但卻可以被DNA酶所分解，證明這種新合成的大分子是DNA用RNA酶預先破壞RSV的RNA，再重復上述的試驗，則不能獲得這種大分子，說明這個DNA大分子是以RSV的RNA為模板合成的1969年，一個日本學者里子水谷來到Temin的實驗室，這是一個非常擅長實驗的年輕科學家。按Temin的設想，他們開始尋找RSV中存在“逆轉錄酶”的證據(jù)DNA

RNA

ProteinTranscriptionTranslationReplicationReplicationRe-Transcription修正中心法規(guī)據(jù)說，1975年Temin因發(fā)現(xiàn)逆轉錄酶而獲諾貝爾獎時，Bishop懊惱不已，因為早在1969年他就認為Temin的RNADNA的“前病毒理論”有可能是正確的，并且也進行了一些實驗，但不久由于資深同事的規(guī)勸而放棄了這方面的努力。但Bishop馬上意識到：逆轉錄酶的發(fā)現(xiàn)為逆轉錄病毒致癌的研究提供了一條新途徑。一個RSV，三個諾貝爾獎?。?！1989年，UCSF的Bishop和Varmus根據(jù)逆轉錄病毒的復制機制發(fā)現(xiàn)了細胞癌基因，并獲諾貝爾獎。Cellularoncogene啟示：Perutz說:“科學創(chuàng)造如同藝術創(chuàng)造一樣，都不可能通過精心組織而產(chǎn)生”Bishop說:“許多人引以為豪的是一天工作16小時，工作安排要以分秒計……可是工作狂是思考的大敵，而思考則是科學發(fā)現(xiàn)的關鍵”Perutzsharedthe1962NobelPrizeforChemistrywithJohnKendrew,fortheirstudiesofthestructuresofhemoglobinandglobularproteins科學的本質(zhì)和藝術一樣，都需要直覺和想像力請給自己一些思考的時間吧！癌基因的分類目前對癌基因尚無統(tǒng)一分類的方法，一般有下面3種分類方法：一、按結構特點分（6）類（一）src癌基因家族（二）ras癌基因家族（三）sis癌基因家族（四）myc癌基因家族（五）myb癌基因家族（六）其它：如fos，erb－A等。三、按細胞增殖調(diào)控蛋白特性分成（4）類（一）生長因子（二）受體類（三）細胞內(nèi)信號轉換器（四）細胞核因子二、按產(chǎn)物功能分（8）類（一）生長因子類（二）酪氨酸蛋白激酶（三）膜相關G蛋白（四）受體，無蛋白激酶活性（五）胞質(zhì)絲氨酸-蘇氨酸蛋白激酶（六）胞質(zhì)調(diào)控因子（七）核反式調(diào)控因子（八）其它:db1、bcl－2癌基因產(chǎn)物參與信號轉導

胞外信號作用于膜表面受體→胞內(nèi)信使物質(zhì)的生成便意味著胞外信號跨膜傳遞的完成。胞內(nèi)信使至少有：cAMP（環(huán)磷酸腺苷）IP3（三磷酸肌醇）PG（前列腺素）cGMP（環(huán)磷酸鳥苷）DG（二?；视停〤a2＋（鈣離子）CAM（鈣調(diào)素）主要機制是通過蛋白激酶活化引起底物蛋白一連串磷酸化的生物信號反應過程,跨膜機制涉及到：（一）質(zhì)膜上cAMP信使系統(tǒng)（二）質(zhì)膜上肌醇脂質(zhì)系統(tǒng)這兩個系統(tǒng)都是由受體鳥苷酸調(diào)節(jié)蛋白（GTP-regulatoryprotein，G蛋白）和效應酶（腺苷酸環(huán)化酶磷脂酶等）組成，有相似的信號轉導過程：即受體活化后引起GTP與不同G蛋白結合活化和抑制效應酶從而影響胞內(nèi)信使產(chǎn)生而發(fā)生不同的調(diào)控效應。（三）受體操縱的離子通道系統(tǒng)（四）受體酪氨酸蛋白激酶的轉導

（一）獲得性基因病

(acquiredgeneticdisease)例如：病毒感染激活原癌基因癌基因活化的機制

（二）染色體易位和重排使無活性的原癌基因轉位至強啟動子或增強子附近而被活化。與基因脆性位點相關。（三）基因擴增（四）點突變?nèi)?、癌基因的產(chǎn)物與功能（一）癌基因產(chǎn)物作用的一般特點1.目前發(fā)現(xiàn)c-onc均為結構基因.2.癌基因產(chǎn)物可分布在膜質(zhì)核也可分泌至胞外.（二）癌基因產(chǎn)物分類1.細胞外生長因子：TGF-b2.跨膜生長因子受體:MAPK3.細胞內(nèi)信號轉導分子:Gprotein/Ras4.核內(nèi)轉錄因子

（三）癌基因產(chǎn)物的協(xié)同作用實驗證明，用ras或myc分別轉染細胞，可使細胞長期增殖，但不能轉化成癌細胞，在裸鼠體內(nèi)也不能形成腫瘤。但用ras+myc同時轉染細胞，則使細胞轉化成癌細胞。說明：致癌至少需要2種或以上的onc協(xié)同作用，2種onc在2條通路上發(fā)揮作用，由于細胞增殖調(diào)控是多因子，多階段影響的結果。而影響增殖分化的onc達幾十種之多，所以大多數(shù)人認為：癌發(fā)生是多階段多步驟的。Whatistumorsuppressorgene?腫瘤抑制基因（抗癌基因、抑癌基因）——是調(diào)節(jié)細胞正常生長和增殖的基因。當這些基因不能表達，或其產(chǎn)物失去活性時，細胞就會異常生長和增殖，最終導致細胞癌變。反之，若導入或激活它則可抑制細胞的惡性表型。——癌基因與抑癌基因相互制約，維持細胞增殖正負調(diào)節(jié)信號的相對穩(wěn)定。影響1歲的兒童“二次打擊”學說兩個等位基因同時突變視網(wǎng)膜母細胞瘤（Retinoblastoma）RB基因變異(13號染色體)

(1)脫磷酸化Rb蛋白（活性）與轉錄因子E2F結合，抑制基因的轉錄活性(2)磷酸化Rb蛋白（失活）與E2F解離，釋放E2F(3)E2F啟動基因轉錄(4)細胞進入增生階段(G1S)因此，Rb蛋白在控制細胞生長方面發(fā)揮重要作用一旦Rb基因突變可使細胞進入過度增生狀態(tài)RB基因的功能等位基因(allele)例如：花顏色基因位于一對同源染色體的同一位置上、控制相對性狀的兩個的基因叫等位基因(allele)一對相同的等位基因稱純合等位基因

一對不同的等位基因稱雜合等位基因

顯性基因隱性基因完全顯性不完全顯性共顯性問：女性的兩條X染色體基因應如何表達？拓展知識：X染色體基因中，有65%完全處于“休眠”狀態(tài)，20%僅在部分女性身上“休眠”，15%則完全逃離“休眠”狀態(tài)一旦其中一條X染色體被損壞，還可以由另一條X染色體來糾正男性卻只有一條X染色體，一旦它遭到破壞，男性就會患上血友病、色盲以及肌肉萎縮癥等各種遺傳病以前人們一直認為，在女性的兩條X染色體中，有一條染色體是完全不起作用或是處于“休眠”狀態(tài)的在Y染色體中，目前仍在“工作”的基因只剩下不到100個X染色體中“工作”的基因>1000個有一個這樣的故事：20年前一次意外事故，三個工人遭受鈷60（Co60)放射性核素的照射結果：一名工人不久死亡一名工人幾年后死于白血病最后一名工人20年后患糖尿病就診你知道醫(yī)生在為病人檢查時發(fā)現(xiàn)了什么嗎？鎖骨骨折肋骨串珠樣X光片發(fā)現(xiàn)廣泛性骨質(zhì)缺損骨髓檢查——漿細胞比例為30%左右（正常為0.6-1.3%）(多發(fā)性骨髓瘤）因此，多基因病涉及遺傳因素和環(huán)境因素物理因素化學因素生物因素自發(fā)因素2.多基因病(polygenicdisease)：性狀或疾病的遺傳方式取決于兩個以上微效基因的累加作用，同時還受環(huán)境因素的影響，因此這類性狀也稱為復雜性狀或復雜疾?。╟omplexdisease）也叫：“復雜性狀疾病”近視(myopia)高血壓(hypertension)糖尿病(diabetes)精神分裂癥(schizophrenia)哮喘(asthma)腫瘤或癌

(tumororcancer)多基因病的遺傳要點數(shù)量性狀的遺傳基礎是兩對以上基因。這些基因之間沒有顯,隱性的區(qū)別,而是共顯性。每個基因?qū)Ρ硇偷挠绊懞苄?稱為微效基因。微效基因具有累加效應,即一個基因?qū)Ρ硇妥饔煤苄?但若干個基因共同作用,可對表型產(chǎn)生明顯影響。不僅遺傳因素起作用,環(huán)境因素具有明顯作用。例如：結腸癌（Coloncancer)相關基因：NGX6，SOX7，ITGB1，HSPA9B，MAPK8，PAG，

RANGAP1，SRC和CDC2等。相關信號通路：ras/MEK/ERK，JNK，Rb/E2F，PI3K/AKT及受體相互作用相關通路，免疫反應相關通路以及細胞黏附相關通路等。①早期原發(fā)癌生長②腫瘤血管形成③腫瘤細胞脫落并侵入基質(zhì)④進入脈管系統(tǒng)⑤癌栓形成⑥繼發(fā)組織器官定位生長⑦轉移癌繼續(xù)擴散例如：糖尿病(diabetes)依賴胰島素型糖尿病在位于第6號染色體上可能包含至少一個對I型糖尿病敏感的基因在人類基因組中，大約10個位點現(xiàn)在被發(fā)現(xiàn)似乎對I型糖尿病敏感其中：1)11號染色體位點IDDM2上的基因

2)葡萄糖激酶基因高血壓(hypertension)目前最受關注的是ATP2B1基因編碼一種膜蛋白，具有鈣泵特性能將高濃度細胞內(nèi)鈣泵出細胞外。精神神經(jīng)性疾病精神分裂癥基因表達改變/誘導增強家族史家暴基因本質(zhì)：基因組變異驚嚇—？—基因突變——精神病多基因病的遺傳：易患性(liability)易感性(susceptibility)發(fā)病閾值(threshold)易患性(liability)——在多基因病發(fā)生中，遺傳因素和環(huán)境因素共同作用決定一個個體患某種遺傳病的可能性。possibility遺傳因素(hereditaryfactors)環(huán)境因素(environmentalfactor)易感性(susceptibility)——特指由遺傳因素決定的患病風險，僅代表個體所含有的遺傳因素，易感性完全由基因決定。——在一定的環(huán)境條件下，易感性高低可代表易患性高低。riskwithdisease發(fā)病閾值(threshold)——當一個個體易患性高到一定限度就可能發(fā)病——這種由易患性所導致的多基因病發(fā)病最低限度稱為發(fā)病閾值minimum例如：三核苷酸拷貝數(shù)變異CGG(精氨酸)重復：——重復5-54次，正?！貜?-230次，攜帶者（敏感體質(zhì)）——重復230-4000次，發(fā)病

如：脆性X染色體綜合征智力低下患者細胞在缺乏胸腺嘧啶或葉酸的環(huán)境中培養(yǎng)時往往出現(xiàn)X-染色體發(fā)生斷裂男性發(fā)病1/1200-2500，女性發(fā)病1/1650-5000FragileXsyndrome閾值效應舉例：長臉，耳外凸智力低下語言障礙對外界反應遲鈍Copynumbervariation問：為什么是三核苷酸重復而不是4、5個？提示：三核苷酸處于閱讀框架內(nèi)，不容易破壞原有基因的開放閱讀框架(ORF)4、5個核苷酸不在ORF內(nèi)，變化容易對原有基因造成很大的影響，一般不容易積累保留癌蛋白抗原癌基因抑癌基因P53蛋白積聚，細胞周期變化P53等位基因丟失、點突變腫瘤形成腫瘤促進因子細胞表型變化相關基因作用P53基因阻滯細胞周期：G1和G2/M期

促進細胞調(diào)亡：bax/bcl2

維持基因組穩(wěn)定：核酸內(nèi)切酶活性

抑制腫瘤血管生成：Smad4P53基因可否用于治療癌癥？P53基因功能基因治療：是指以改變?nèi)祟愡z傳物質(zhì)為基礎的生物醫(yī)學治療。通過將人的正?；蚧蛴兄委熥饔玫腄NA導入人體靶細胞，去糾正基因的缺陷或者發(fā)揮治療作用。抑癌基因P53載體P53基因治療第三節(jié)分析文體特征和表現(xiàn)手法2大考點書法大家啟功自傳賞析中學生，副教授。博不精，專不透。名雖揚，實不夠。高不成，低不就。癱偏‘左’，派曾‘右’。面微圓，皮欠厚。妻已亡，并無后。喪猶新，病照舊。六十六，非不壽。八寶山，漸相湊。計平生，謚曰陋。身與名，一起臭?！举p析】寓幽默于“三字經(jīng)”，名利淡薄，人生灑脫，真乃大師心態(tài)。1.實用類文本都有其鮮明的文體特征，傳記的文體特征體現(xiàn)為作品的真實性和生動性。傳記的表現(xiàn)手法主要有以下幾個方面：人物表現(xiàn)的手法、結構技巧、語言藝術和修辭手法。2.在實際考查中，對傳記中段落作用、細節(jié)描寫、人物陪襯以及環(huán)境描寫設題較多，對于材料的選擇與組織也常有涉及。3.考生復習時要善于借鑒小說和散文的知識和經(jīng)驗，同時抓住傳記的主旨、構思以及語言特征來解答問題。傳記的文體特點是真實性和文學性。其中，真實性是傳記的第一特征，寫作時不允許任意虛構。但傳記不同于一般的枯燥的歷史記錄，它具有文學性，它通過作者的選擇、剪輯、組接，傾注了愛