半導體三極管課件

半導體三極管課件第1頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月

收音機

錄音機第2頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導體三極管的結構示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。兩種類型的三極管發(fā)射結(Je)

集電結(Jc)

基極，用B或b表示（Base）

發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。

發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)三極管符號第一節(jié)半導體三極管一、三極管的結構與符號第3頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月

小型三極管塑料封裝

小型三極管金屬封裝

中功率三極管

大功率三極管第4頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月

結構特點：?發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；?集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；?基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。管芯結構剖面圖第5頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月二、三極管的電流放大作用1、電流放大的原因

三極管的放大作用在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來

內(nèi)部條件：內(nèi)部結構上的特點 外部條件：發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置2.內(nèi)部載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子（以NPN為例）載流子為自由電子第6頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月3、實際偏置電路IcIEIBRBEBECRCNNP一般參數(shù)EC

>

EBRB

>

RC第7頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月三極管的電流分配關系：

IE=IB+IC而且IC》IB

，△IC》△IB

IC=IB

；IE=(1+)IB

；

iC=iB

；iE=(1+)iB

；三極管的交流放大系數(shù)：

=△IC/△IB

三極管的直流放大系數(shù)：

=IC/IB

三、三極管的特性曲線

極間電壓和各極電流之間的關系；包括輸入特性和輸出特性兩組；

BCIBRBEBECRCIcIEE輸入回路：EB

、RB

、B、E；輸出回路：EC

、RC

、C、E；共射極電路UCEUBEV第8頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月1、輸入特性IB=f（UBE

）|UCE=常數(shù)2、輸出特性IC=f（UCE

）|IB=常數(shù)從輸出特性曲線上，將三極管劃分為三個工作區(qū)：

截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)；輸入特性曲線（UCE=1V）UBE(v)IB(uA）硅管0.20.40.60.8第9頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月截止區(qū)（1）截止區(qū)

UBE小于死區(qū)電壓（或發(fā)射結反偏）

IB=0；IC=ICEO

（穿透電流）；（2）放大區(qū)

發(fā)射結正偏，集電結反偏：

IC與UCE

幾乎無關；

IC大小IB控制；△IC》△IB

定義

=△IC/△IB=IC/IB

）

UBE

：硅0.7v;鍺0.3v（3）飽和區(qū)

UBE>UCE

（集電結正偏）：集電極飽和電流ICS<IB

；

IC大小不再受IB控制；

ICS=（EC-UCES

）/RC

；ICS=IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第10頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月四、主要參數(shù)1、交流放大倍數(shù)與支流放大倍數(shù)2、ICBO

集電極-基極反向飽和電流：受溫度影響較大，是影響管子工作特性的主要因素；3、ICEO

穿透電流：受溫度影響較大，是影響管子工作特性的主要因素；4、幾個極限參數(shù)：

ICM：集電極最大電流；

UCEO：

集-射反向擊穿電壓；

PCM：集電極最大允許功耗；五、溫度對參數(shù)的影響1、對ICEO和ICBO的影響；2、：溫度升高1℃，值增大0.5%~1%;3、對UBE的影響：溫度升高1℃，UBE

約下降2~2.5mv;4、溫度升高，IC值增大;

第11頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月收音機電路板第12頁，課件共14頁，創(chuàng)作于2023年2月課后總結：本節(jié)課主要講解三極管的結構與符號。電流放大作用。輸入特性和輸出特性。重點：三極管的符號難點：