安徽工業(yè)大學科技成果-采用氫化物氣相外延(HVPE)技術制備GaN襯底_第1頁
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安徽工業(yè)大學科技成果——承受氫化物氣相外延〔HVPE〕GaN襯底成果簡介隨著技術進展對于大功率白光LED而言發(fā)光效率的提高始終是個瓶頸。針對GaN基器件，由于同質GaN襯底價格昂貴，因此始終沒有被普遍應用到GaN基材料生長領域。目前一般承受在異質襯底上生長GaN基材料，國內外一般承受藍寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底等等。這導致GaN基材料與異質襯底之間的熱膨脹系數(shù)、晶格系數(shù)的不匹配，從而 GaN 基材料中缺陷密度很高，一般在105-108/cm2量級高密度的缺陷直接導致光電器件發(fā)光效率降低壽命削減。因此承受GaN襯底，始終是國內外關注的焦點問題。HVPEGaN速度快，晶體質量高。HVPEGaN晶體直接生長在具有特定圖形的藍寶石襯底上，當N晶體生長到肯定厚度m量級，在GaN材料與藍寶石襯底材料的熱膨脹系數(shù)的差異，GaNGaNGaNLEDGaN同質襯底上可實現(xiàn)N基材料的激光器GaN襯底上也可實現(xiàn)高性能的電子學器件，例如大功率電開關、FET等。成熟程度和所需建設條件GaNGaN晶體MOCVDLEDLD提高出光效率。HVPE技術需要在超凈間中運行，保證恒定的溫度、HVPE設備，以及材料生長過程中的特種氣體源、Ga源。需要有晶體材料的切、磨、拋工藝。目前該技術已在高技術企業(yè)實現(xiàn)，并取得很大的經濟效益和廣泛的社會效益。技術指標〔1〕HVPE晶體生長速度：10-200μm/h；〔2〕GaN襯底：300-400μm@2英寸；XRD002120arcsec，102衍射峰低MOCVD的材料生長。市場分析和應用前景GaN2023350億GaN襯底需求也相對很大。雖然目前藍寶石是生GaN材料的主要襯底，但是基于將來的進展，GaN同質襯底是最終的方法和最根本的途徑。2023年獲得諾貝爾物理學獎的中村修二LEDGaN襯底為根底的器件。社會經濟效益分析GaNMOCVDLEDLDGaN基LED

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