存儲(chǔ)專(zhuān)題系列一：新應(yīng)用發(fā)軔存力升級(jí)大勢(shì)所趨

究2究2023年7月27日存儲(chǔ)專(zhuān)題系列一：新應(yīng)用發(fā)軔，存力升級(jí)大勢(shì)所趨增持分析師：劉牧野股市有風(fēng)險(xiǎn)入市需謹(jǐn)慎中航證券研究所發(fā)布證券研究報(bào)告請(qǐng)務(wù)必閱讀正文后的免責(zé)條款部分Q。htGPT BM二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生五、建議關(guān)注六、風(fēng)險(xiǎn)提示圖：全球PC季度出貨量(百萬(wàn)臺(tái))800400020182018Q12018Q2：2018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q4全球PC出貨量(百萬(wàn)臺(tái))IDC、中航證券研究所整理2021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2全球PC出貨量YoY80%60%40%20%0%-20%-40%圖：全球智能手機(jī)季度出貨量(百萬(wàn)部)全球智能手機(jī)出貨量(百萬(wàn)部)全球智能手機(jī)出貨量YoYDRAMNAND窄。低迷的需求也使供大于求，存儲(chǔ)廠商庫(kù)存一度攀升，迫使部分廠商以?xún)r(jià)換量清庫(kù)存、促流速，存儲(chǔ)器價(jià)格自2022年4月持續(xù)下跌至今。根據(jù)CFM的存儲(chǔ)市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)，2022年3月29日至2023年7月25日，第三季度均價(jià)跌幅有望進(jìn)一步收窄。圖：國(guó)際DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格(美元)圖：國(guó)際NAND圖：國(guó)際DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格(美元).00.00LCGbMBx現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR48Gb(1Gx8)eTT現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR48Gb(1Gx8)eTT現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps 現(xiàn)貨平均價(jià):Flash:MLC32Gb4GBx8現(xiàn)貨平均價(jià):Flash:MLC64Gb8GBx8貨平均價(jià):DRAM:DDR416Gb(2Gx8)2666MbpsD貨平均價(jià):DRAM:DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps現(xiàn)狀：原廠減產(chǎn)、降資本支出以加速恢復(fù)行業(yè)供需平衡現(xiàn)狀：原廠減產(chǎn)、降資本支出以加速恢復(fù)行業(yè)供需平衡1月開(kāi)始減產(chǎn)，三星電子再未采取“逆投資”而是今年4月宣布加入減產(chǎn)行列。我們判斷各廠商的減產(chǎn)動(dòng)作在半年后才會(huì)逐漸顯現(xiàn)成效，計(jì)H2行業(yè)供需平衡將有明顯修復(fù)。施公司減產(chǎn)與削減資本支出措施三星電子減少產(chǎn)能利用率和產(chǎn)量至合理水平SK海力士自去年Q4起減少部分低利潤(rùn)及高庫(kù)存產(chǎn)品的晶圓產(chǎn)能；2023整體資本支出將同比減少超50%美光將DRAM和NAND晶圓開(kāi)工率進(jìn)一步減少至接近30%，預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到2024年；2023財(cái)年資本支出減少超40%，其中晶圓設(shè)備相關(guān)支出下降超過(guò)50%，預(yù)計(jì)2024財(cái)年WFE同比繼續(xù)下降鎧俠從2022年10月開(kāi)始減少約30%產(chǎn)能西部數(shù)據(jù)今年1月起降低30%的晶圓產(chǎn)量；2023財(cái)年總資本支出由27億下調(diào)至23億美元，預(yù)計(jì)包括工廠、設(shè)備在內(nèi)的現(xiàn)金資本支出同比減少25%閃存市場(chǎng)、中航證券研究所整理2Q232Q23EQ23EPCDRAMDDR4：下跌15-20%整體價(jià)格：下跌15-20%DDR4：下跌3-8%DDR5：下跌0-5%整體價(jià)格：下跌0-5%ServerDRAMDDR4：下跌18-23%整體價(jià)格：下跌15-20%DDR4：下跌3-8%DDR5：下跌0-5%整體價(jià)格：下跌0-5%MobileDRAMLPDDR4X：下跌0-5%HKMG工藝LPDDR5X：上漲0-5%GraphicsDRAM下跌0-5%ConsumerDRAM下跌0-5%TotalDRAM下跌0-5%2Q23EQ23EeMMCUFSmobile：下跌15-20%consumer：基本企穩(wěn)EnterpriseSSDClientSSD下跌15-20%3DNANDWafers (TLC&QLC)上漲0-5%TotalNANDFlash下跌3-8%?23Q3存儲(chǔ)價(jià)格跌幅有望收窄，止跌回升仍應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAM供給位元逐庫(kù)存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。不過(guò)，目前供應(yīng)商全年庫(kù)存應(yīng)仍處高水位，實(shí)際止跌反彈的時(shí)間或需等到2024年。貨態(tài)度，壓抑NANDFlash價(jià)格止跌回穩(wěn)。第三季NANDFlashWafer均價(jià)預(yù)估將率先整體NANDFlash均價(jià)持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。 現(xiàn)狀：美光事件供應(yīng)鏈安全凸顯，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代空間廣闊?美光在華銷(xiāo)售產(chǎn)品未通過(guò)網(wǎng)絡(luò)安全審查，我國(guó)供應(yīng)鏈安全重要性凸顯。近日，我國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室對(duì)美光公司在華銷(xiāo)售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。按照法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。此次事件再次強(qiáng)調(diào)我國(guó)供應(yīng)鏈安全的重要性，充分證明我國(guó)廠商實(shí)力足以?美光在華國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。我國(guó)是全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要買(mǎi)家，2022年我國(guó)企業(yè)購(gòu)買(mǎi)了全球30%的DRAM和33%的NAND。而美光在全球存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)安全審查通報(bào)中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)、中航證券研究所整理二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生五、建議關(guān)注六、風(fēng)險(xiǎn)提示中國(guó)存儲(chǔ)網(wǎng)、中航證券研究所整理中國(guó)存儲(chǔ)網(wǎng)、中航證券研究所整理分類(lèi)：存儲(chǔ)器存在多種分類(lèi)方式式：?按照用途/工作方式：可以分為主存儲(chǔ)器(內(nèi)部存儲(chǔ))和輔助存儲(chǔ)器(外部存儲(chǔ))。器目前應(yīng)用最廣、市?按照存儲(chǔ)器的技術(shù)原理：存儲(chǔ)芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為RAM (隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)和ROM(只讀存斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消ROM長(zhǎng)時(shí)MlashNORFlash于容量大、成本低。?存儲(chǔ)占集成電路1/4以上銷(xiāo)售額，具有與集成電路較同步但更劇烈的周期性。集成電路產(chǎn)業(yè)整體呈穩(wěn)步上升的態(tài)勢(shì)，但受到社會(huì)經(jīng)濟(jì)等因素的影響，電路四IC15000450040003500300025002000150010005000規(guī)模及預(yù)測(cè)80%60%40%20%0%-20%-40%-60%IC規(guī)模(億美元)存儲(chǔ)規(guī)模(億美元)IC規(guī)模YoY存儲(chǔ)規(guī)模YoY圖：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)出貨金額(億美元)M圖：全球DRAM出貨金額(左，單位：億美元)與出貨量(右，億個(gè))圖：DRAM的不同用途生產(chǎn)量(按2Gb計(jì)算，單位為100萬(wàn)個(gè))?2000年至2021年的NANDFlash?2000年至2021年的NANDFlash市場(chǎng)根據(jù)出貨量大致可分為三個(gè)時(shí)?2000-2016年：NANDFlash市場(chǎng)擴(kuò)展至iPod、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等，出貨量呈線性增長(zhǎng)趨勢(shì)。，NANDFlash結(jié)構(gòu)由2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，3DNAND中存儲(chǔ)單元垂直堆疊以增本沒(méi)有變化，雖然位元出貨量有增?2018年后：同樣也是隨著數(shù)據(jù)中心的迅猛發(fā)展，對(duì)安裝在服務(wù)器中的DNAND顯提升。h2%1%441%56%DRAMNANDFlashNORFlashEEPROM/EPROM/Other300250200002Q124Q122Q134Q132Q144Q142Q12Q124Q122Q134Q132Q144Q142Q154Q152Q164Q162Q174Q172Q184Q182Q194Q192Q204Q202Q214Q212Q224Q22全球DRAM營(yíng)收(億美元)DRAM同比增長(zhǎng)率全球NAND營(yíng)收(億美元)100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80% 政策法規(guī)：數(shù)字中國(guó)建設(shè)下，多法規(guī)大力支持存儲(chǔ)技術(shù)突破頒布時(shí)間 (年)頒布部門(mén)文件名稱(chēng)有關(guān)本行業(yè)的主要內(nèi)容2023國(guó)務(wù)院《數(shù)字中國(guó)建設(shè)整體布局規(guī)劃》系統(tǒng)優(yōu)化算力基礎(chǔ)設(shè)施布局，促進(jìn)東西部算力高效互補(bǔ)和協(xié)同聯(lián)動(dòng)，引導(dǎo)通用數(shù)據(jù)中心、超算中心、智能計(jì)算中心、邊緣數(shù)據(jù)中心等梯次布局。2022國(guó)務(wù)院《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》明確瞄準(zhǔn)傳感器、量子信息、網(wǎng)絡(luò)通信、集成電路、關(guān)鍵軟件、大數(shù)據(jù)、人工智能、區(qū)塊鏈、新材料等戰(zhàn)略性前瞻性領(lǐng)域，發(fā)揮我國(guó)社會(huì)主義制度優(yōu)勢(shì)，新型舉國(guó)體制優(yōu)勢(shì)、超大規(guī)模市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，提高數(shù)字技術(shù)基礎(chǔ)研發(fā)能力。021工信部《“十四五”國(guó)家信息化規(guī)劃》要完成信息領(lǐng)域核心技術(shù)突破也要加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，加強(qiáng)人工智能、量子信息，集成電路、空天信息、類(lèi)腦計(jì)算、神經(jīng)芯片、DNA存儲(chǔ)、腦機(jī)接口、數(shù)字孿生、新型非易失性存儲(chǔ)、硅基光電子、非硅基半導(dǎo)體等關(guān)鍵前沿領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局和技術(shù)融通創(chuàng)新。021工信部《“十四五”大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》梳理數(shù)據(jù)生成、采集、存儲(chǔ)、加工、分析、服務(wù)、安全等關(guān)鍵環(huán)節(jié)大數(shù)據(jù)產(chǎn)品，建立大數(shù)據(jù)產(chǎn)品圖譜。021工信部《新型數(shù)據(jù)中心發(fā)展三年行動(dòng)計(jì)劃 (2021-2023)》積極構(gòu)建城市內(nèi)的邊緣算力供給體系，支撐邊緣數(shù)的計(jì)算、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)，滿(mǎn)足極低時(shí)延的新型業(yè)務(wù)應(yīng)用需求；基于業(yè)務(wù)場(chǎng)景，匹配邊緣數(shù)據(jù)中心計(jì)算和存儲(chǔ)能力。2017國(guó)務(wù)院《新一代人工智能發(fā)展規(guī)劃》搶抓人工智能發(fā)展的重大戰(zhàn)略機(jī)遇，構(gòu)筑我國(guó)人工智能發(fā)展的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，加快建設(shè)創(chuàng)新型國(guó)家和世界科技強(qiáng)國(guó)。2017工信部《促進(jìn)新一代人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展三年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》智能化成為技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向，人工智能具有顯著的溢出效應(yīng)，將進(jìn)一步帶動(dòng)其他技術(shù)的進(jìn)步，推動(dòng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)總體突破，正在成為推進(jìn)供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革的新動(dòng)能、振興實(shí)體經(jīng)濟(jì)的新機(jī)遇、建設(shè)制造強(qiáng)國(guó)和網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國(guó)的新引擎。2017上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)《上海促進(jìn)電子信息制造業(yè)發(fā)展“十三五”規(guī)劃》面向物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、醫(yī)療電子、金融、智能交通等應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)嵌入式控制、傳感器、安全控制、新型存儲(chǔ)器、電力電子、顯示驅(qū)動(dòng)芯片等突破發(fā)展。2017國(guó)家發(fā)改委、中央網(wǎng)信辦、工信部《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄(2016版)》明確集成電路等電子核心產(chǎn)業(yè)地位，并將集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)列為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)。2017國(guó)務(wù)院辦公廳《國(guó)務(wù)院辦公廳關(guān)于深化產(chǎn)教融合的若干意見(jiàn)》大力支持集成電路、航空發(fā)動(dòng)機(jī)及燃?xì)廨啓C(jī)、網(wǎng)絡(luò)安全、人工智能等事關(guān)國(guó)家戰(zhàn)略、國(guó)家安全等學(xué)科專(zhuān)業(yè)建設(shè)。2016國(guó)務(wù)院《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃的通知》極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝。攻克14nm刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、摻雜設(shè)備等高端制造裝備及零部件，突破28nm浸沒(méi)式光刻機(jī)及核心部件，研制300mm硅片等關(guān)鍵材料，研發(fā)14nm邏輯與存儲(chǔ)芯片成套工藝及相應(yīng)系統(tǒng)封測(cè)技術(shù)，開(kāi)展75nm關(guān)鍵技術(shù)研究，形成28-14nm裝備、材料、工藝、封測(cè)等較完整的產(chǎn)業(yè)鏈，整體創(chuàng)新能力進(jìn)入世界先進(jìn)行列。2016國(guó)家發(fā)改委、工政部、國(guó)家稅務(wù)總局《關(guān)于印發(fā)國(guó)家規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)軟件和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的通知》 (發(fā)改高技[2016]1056號(hào))將高性能處理器和FPGA芯片、存儲(chǔ)器芯片、物聯(lián)網(wǎng)和信息安全芯片、EDA、IP及設(shè)計(jì)服務(wù)、工業(yè)芯片列為重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。中國(guó)政府網(wǎng)、中航證券研究所整理三星第一次“逆周期投資”：始逆向投資擴(kuò)大產(chǎn)能，三星半導(dǎo)體接近破產(chǎn)。韓國(guó)政府出手“救市”，并且以政府名義背書(shū)給三星拉來(lái)個(gè)體募資。適逢日本半導(dǎo)體被美國(guó)壓制，疊加PC電腦進(jìn)入熱銷(xiāo)期，使三星順利翻盤(pán)。不久后，以三星為代表的韓系DRAM廠商，逐漸蠶食日本半導(dǎo)體企業(yè)讓出的市場(chǎng)份額。三星第二次“逆周期投資”：1993年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)轉(zhuǎn)弱，三星采取第二次“逆周期投資”，投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線。1995年，Windows95視窗操作系統(tǒng)大地刺激內(nèi)存需，內(nèi)存價(jià)格大幅上揚(yáng)，各廠商紛紛擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能急劇增加，DRAM供大于求，價(jià)格下跌。當(dāng)各廠商被迫減產(chǎn)并減小投資規(guī)模，三星繼續(xù)擴(kuò)大投資并推出世界上第一個(gè)1GBDRAM，奠定行業(yè)領(lǐng)軍地位。DRAM需求急速下降。經(jīng)濟(jì)危機(jī)過(guò)后，DRAM市場(chǎng)從低谷中逐漸恢復(fù)，逐漸形成了五強(qiáng)格局：三星、SK海力士、奇夢(mèng)達(dá)、美光和爾必達(dá)。2019年，我國(guó)廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得首筆訂單，產(chǎn)品銷(xiāo)售啟動(dòng)，我國(guó)廠商正式加入主流DRAM市場(chǎng)。三星第三次“逆周期投資”：2007年，微軟推出Vista系統(tǒng)，DRAM廠商預(yù)期內(nèi)存需求大增，紛紛增加產(chǎn)能。但Vista銷(xiāo)量不及預(yù)期，并未帶動(dòng)內(nèi)存需求，導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩。2008年金融危機(jī)DRAM市場(chǎng)雪上加霜，內(nèi)存價(jià)格跌破材料成本，行業(yè)面臨洗牌。三星第三次“逆周期投資”，將總利潤(rùn)的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù)，加劇行業(yè)虧損。2012年初，曾經(jīng)頭部廠商爾必達(dá)宣布破產(chǎn)。至此，形成了三星、SK海力士、美光“三足鼎立”的局面。芯思想研究院、半導(dǎo)體行業(yè)觀察、中航證券研究所整理廠商互不相讓地追逐NAND閃存的制高點(diǎn)。SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光等巨頭為主導(dǎo)的集中型市場(chǎng)。Flash全球半導(dǎo)體觀察、中航證券研究所整理?存儲(chǔ)器中最大的兩個(gè)市場(chǎng)DRAM和NANDFlash均呈現(xiàn)海外玩家寡頭壟斷的格局。根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，市場(chǎng)也在不斷的并購(gòu)整合中更加集中，2022年三星電子/鎧俠/西部數(shù)據(jù)/SK集團(tuán)/美光的營(yíng)收市占率分別為RNAND100%80%60%40%20%0%1Q181Q182Q183Q184Q18三星電子1Q191Q192Q193Q194Q19SK海力士1Q1Q202Q20美光3Q3Q204Q20南亞1Q1Q212Q21華邦3Q3Q214Q21力積電1Q21Q222Q22其他33Q2244Q2211Q23lash100%80%60%40%20%0%1Q211Q232Q213Q214Q211Q222Q2231Q211Q23三星電子鎧俠西部數(shù)據(jù)SK集團(tuán)美光其他80%60%80%60%40%20%0%?大廠逐漸退出，NORFlash的行業(yè)集中度進(jìn)一步提高。2018年全球約90%的NORFlash市場(chǎng)被旺宏、華邦、美光、賽普拉斯和兆易創(chuàng)2018年2019年2020年華邦旺宏兆易創(chuàng)新賽普拉斯美光其他99.30%34.80%23.20%32.70%華邦旺宏兆易創(chuàng)新其他21Q221Q321Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2DRAM和NANDFlash營(yíng)收排名均位列全球第一。三星電子于1969年成立，于1977年完成對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體株式會(huì)社的收購(gòu)，為?三星電子Q2存儲(chǔ)業(yè)務(wù)環(huán)比小幅改善。公司Q2錄得營(yíng)業(yè)收入60.01萬(wàn)億韓元，同比-22%/環(huán)比-6%；毛利率為30.6%，同比-9.46pct/環(huán)比+2.8pct；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.67萬(wàn)億韓元，同比-95.25%/環(huán)比+4.69%。其中，存儲(chǔ)營(yíng)收為8.97萬(wàn)億韓元，同比-57%/環(huán)比+1%，存儲(chǔ)所在的DS部門(mén)營(yíng)業(yè)虧損為4.36萬(wàn)億韓元，上季度營(yíng)業(yè)虧損為4.58萬(wàn)億韓元，環(huán)比+0.22%，去年同期營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為9.98萬(wàn)億韓元。7000057319.855504.86000054419.6 41.8%42.0%41.3%39.5%57319.855504.86000054419.652092.252187.9.374%52092.252187.9.47590.75000031.0%41384.437801.731.0%41384.437801.74000033592.44000033592.43000020000100000-10000半導(dǎo)體事業(yè)部營(yíng)業(yè)收入(十億韓元)半導(dǎo)體事業(yè)部營(yíng)業(yè)利潤(rùn)(十億韓元)存貨(十億韓元)毛利率注：三星電子于2023年6月30日結(jié)束其23Q2公司官網(wǎng)、中航證券研究所整理45.0%40.0%35.0%30.0%25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%0.0%1500040%1000020%50000%1500040%1000020%50000%-20%0SK海力士：HBM市占率第一，英偉達(dá)等爭(zhēng)相申請(qǐng)最新HBM3E樣本HBMHBMETrendForceSKHBM占率達(dá)50%，位列市場(chǎng)第一。60%2000060%2121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2-5000--5000營(yíng)業(yè)收入(十億韓元)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)(十億韓元)存貨(十億韓元)毛利率公司官網(wǎng)、中航證券研究所整理公司官網(wǎng)、中航證券研究所整理21Q321Q42221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q3?美光在DRAM和NANDFlash營(yíng)收市占率分別排名第三和第五，車(chē)規(guī)市場(chǎng)表現(xiàn)亮眼。美光科技在1978年成立于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州，歷經(jīng)四十余載?FY23Q3盈利能力環(huán)比改善，美光判斷存儲(chǔ)行業(yè)已經(jīng)走出最低谷。美光于6月1日結(jié)束了其第三財(cái)季，業(yè)績(jī)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。第三財(cái)季錄得Non-I1000080006000400020000-2000-4000營(yíng)業(yè)收入(百萬(wàn)美元)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)(百萬(wàn)美元)存貨(百萬(wàn)美元)毛利率注：美光于2023年6月1日結(jié)束其23Q3公司官網(wǎng)、中航證券研究所整理60%40%20%0%-20%-40%DRAM、lash中航證券研究所整理?DDR、LPDDR、GDDR是DRAM的三種主流內(nèi)存技術(shù)。其中DDR主要應(yīng)用在邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示2021年DDR在DRAM市場(chǎng)的市占率超在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)使傳輸速度加倍。普通的DDR內(nèi)存條主要用在PC和服已經(jīng)率先開(kāi)始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開(kāi)發(fā)，并預(yù)計(jì)在2024年之前完成設(shè)計(jì)。LPDDR基于同較DDR5率先量產(chǎn)。兩者由類(lèi)似從屬的關(guān)系，演變?yōu)榉謩e根據(jù)自己的應(yīng)用場(chǎng)景需求發(fā)展。GDDRGraphicsDDR合，比如計(jì)算器的顯卡中，與普通DDR相比，擁有更高的時(shí)鐘頻率和更小的發(fā)熱量。GDDR3、GDDR4、GDDR5都是基于DDR3內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)，而最新的GDDR6是基于DDR4內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)。資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察、中航證券研究所整理DRAM歷代名稱(chēng)發(fā)行年代BUS頻率 (MHz)資料傳輸速率 (MT/s)作電壓 (伏特V)憶體TopologyPrefetch憶體接形式T-Branch分支00200266-400T-Branch分支03266-400533-800T-Branch4n分支07533-800分支142133-3200點(diǎn)對(duì)點(diǎn)191600-32003200-6400點(diǎn)對(duì)點(diǎn)半導(dǎo)體行業(yè)觀察、中航證券研究所整理?DDR性能和成本優(yōu)勢(shì)使其成為電腦和服務(wù)器的主工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳DataRateSDRAM，雙倍速率SDRAM)的不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度得以加倍。在性能和成本優(yōu)用的最多的內(nèi)存。?內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展始終與PC發(fā)展相輔相成。從DDRC了配合整體行業(yè)對(duì)于性能、內(nèi)存容量和功耗的不斷追求，規(guī)范的工作電壓越來(lái)越低，芯片容量越IO率先開(kāi)始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開(kāi)發(fā)，并預(yù)計(jì)在2024年之前完成設(shè)計(jì)。DRAM：DRAM：主要DRAM廠商已經(jīng)將單元縮小至低于15nm?主要DRAM廠商已經(jīng)將DRAM單元縮小到低于15nm的設(shè)計(jì)規(guī)則(D/R)以15nm和14nm級(jí)別的單元設(shè)計(jì)規(guī)則 (D/R)發(fā)布了D1z和D1α節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。三星是最早在DRAM上采用EUV極紫外光刻技術(shù)的供應(yīng)商，將其應(yīng)用于D1xDDR4DRAM模組和D1zLPDDR5規(guī)模量產(chǎn)。美光和SK海力士在D1z節(jié)點(diǎn)上還DRAM制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也加入了競(jìng)爭(zhēng)。Flash：閃存主要有Flash：閃存主要有NAND和NOR兩種類(lèi)型?目前性?xún)r(jià)比最高的存儲(chǔ)器閃存(Flash)主要有NOR和NAND兩種類(lèi)型。Flash存儲(chǔ)技術(shù)是在它之前的EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的存儲(chǔ)元是由一個(gè)晶體管組成的。所以Flash存儲(chǔ)器在器件集成度、數(shù)據(jù)容量和功耗低等性能上都比之前的器件有明顯的提高。知乎、中航證券研究所整理間呈現(xiàn)不同的變化趨勢(shì)。通常情況下，當(dāng)單顆容量達(dá)中國(guó)存儲(chǔ)網(wǎng)、中航證券研究所整理恒爍股份招股書(shū)、中航證券研究所整理等應(yīng)用。垂直方向堆疊3DNAND層數(shù)的確是現(xiàn)在NAND芯片制造商競(jìng)賽的主要方。?國(guó)際存儲(chǔ)巨頭已經(jīng)全面展開(kāi)200+層數(shù)3D突破238層，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同推出218層，我國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)也已經(jīng)參與了200+層的競(jìng)爭(zhēng)。未來(lái)如果NAND向著超過(guò)500層堆疊邁進(jìn)，其演進(jìn)方向應(yīng)當(dāng)不局限在die堆疊上，還要考慮3D封裝解決方案的協(xié)助。和QLC。在一個(gè)單元內(nèi)存儲(chǔ)1/2/3/4個(gè)bit分別被稱(chēng)為單層單元(SLC)/多層單元(MLC)/三層單元(TLC)/四層單元(QLC)。單元狀態(tài)越密集，一個(gè)單元內(nèi)便可儲(chǔ)存更多信息?？梢酝ㄟ^(guò)增大在?目前主流的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)顆粒為T(mén)LC與QLC。SLC性能優(yōu)勢(shì)突確度都次于SLC，成本也要遠(yuǎn)高于除SLC以外的其他顆粒，價(jià)格?3DNAND正在逐漸替代2DNAND。對(duì)于2DNAND，如果在同一區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多的單元數(shù)量，形成更小的工作區(qū)和柵級(jí)，便能增大存儲(chǔ)容量。直至10年初，2DNAND中的擴(kuò)展一直是這項(xiàng)技術(shù)的且儲(chǔ)存數(shù)據(jù)會(huì)隨時(shí)間推移而丟失導(dǎo)致使用壽命縮短，該技術(shù)已無(wú)法再實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展。2DNAND技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)形成較小的單元，而3DNAND的核心?在3D-NAND的結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)容量會(huì)隨著三維疊層塞子”的垂直深孔，在其中形成一個(gè)由氧化物-氮化物-氧化量工藝即可同時(shí)形成大量單元。?NORFlash市場(chǎng)規(guī)模的萎縮與功能手機(jī)出貨量表現(xiàn)出強(qiáng)相關(guān)的關(guān)系。功能手機(jī)，顧名思義即是僅僅以滿(mǎn)足通話功能為目標(biāo)的手機(jī)，主西部數(shù)據(jù)、中航證券研究所整理NORFlash807004000200620072008200920102011201220132014201520162017201820191400120010008006004002000全球NORFlash市場(chǎng)規(guī)模(億美元)全球功能機(jī)出貨量(百萬(wàn)部)二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生五、建議關(guān)注六、風(fēng)險(xiǎn)提示%%%%%0%%%%%%%%%%%%用：下游應(yīng)用中消費(fèi)電子和服務(wù)器占比較大PC汽車(chē)電子、視頻監(jiān)控、D務(wù)器的eSSD需求占比有明顯提升。34%16%手機(jī)PC服務(wù)器其他88%9%25%26%MobilecSSDeSSD存儲(chǔ)卡/UFS其他存儲(chǔ)價(jià)格低谷契機(jī)，手機(jī)廠商掀起擴(kuò)容潮存儲(chǔ)價(jià)格低谷契機(jī)，手機(jī)廠商掀起擴(kuò)容潮RAMGBROMGBTB手機(jī)型號(hào)存儲(chǔ)配置價(jià)格(元)手機(jī)型號(hào)存儲(chǔ)配置價(jià)格(元)RedmiK60Pro8GBLPDDR5X+256GBUFS4.02,899XiaomiCivi316GBLPDDR5X+1TBUFS3.12,99912GBLPDDR5X+256GBUFS4.03,19912GBLPDDR5+512GBUFS3.12,69912GBLPDDR5X+512GBUFS4.03,59912GBLPDDR5+256GBUFS3.12,49916GBLPDDR5X+512GBUFS4.04,599Xiaomi12SPro12GBLPDDR5+256GBUFS3.13,899OPPOFindX6Pro16GBLPDDR5X+512GBUFS4.06,9998GBLPDDR5+128GBUFS3.13,19916GBLPDDR5X+256GBUFS4.06,4998GBLPDDR5+256GBUFS3.13,49912GBLPDDR5X+256GBUFS4.05,99912GBLPDDR5+512GBUFS3.14,399OPPOFindX616GBLPDDR5X+512GBUFS4.04,999Xiaomi13Ultra12GBLPDDR5X+256GBUFS4.05,99912GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,49916GBLPDDR5X+512GBUFS4.06,499一加1116GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,29916GBLPDDR5X+1TBUFS4.07,29912GBLPDDR5X+256GBUFS4.03,999XiaomiMIXFold212GBLPDDR5+256GBUFS3.18,99916GBLPDDR5X+512GBUFS4.04,69912GBLPDDR5+512GBUFS3.19,999vivoXFold212GBLPDDR5X+256GBUFS4.08,99912GBLPDDR5+1024GBUFS3.111,99912GBLPDDR5X+512GBUFS4.09,999Xiaomi13Pro8GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,999vivoX90Pro+12GBLPDDR5X+256GBUFS4.06,19912GBLPDDR5X+256GBUFS4.05,39912GBLPDDR5X+512GBUFS4.06,99912GBLPDDR5X+512GBUFS4.05,899vivoX90Pro12GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,999榮耀MagicV216GBLPDDR5X+256GBUFS4.08,99912GBLPDDR5X+512GBUFS4.05,49916GBLPDDR5X+512GBUFS4.09,9998GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,499榮耀Magic58GBLPDDR5X+256GBUFS3.13,479vivoX908GBLPDDR5X+128GBUFS3.13,49912GBLPDDR5X+256GBUFS3.14,1798GBLPDDR5X+256GBUFS4.03,79916GBLPDDR5X+256GBUFS3.14,37912GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,29916GBLPDDR5X+512GBUFS3.14,67912GBLPDDR5X+512GBUFS4.04,699HUAWEIP60Pro8GBLPDDR5+256GBUFS3.16,188iQOONeo8Pro16GBLPDDR5X+256GBUFS4.03,09912GBLPDDR5+512GBUFS3.17,28816GBLPDDR5X+512GBUFS4.03,39912GBLPDDR5+256GBUFS3.16,488iQOO11Pro8GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,849HUAWEIMate508GBLPDDR5+128GBUFS3.14,39912GBLPDDR5X+256GBUFS4.05,0998GBLPDDR5+256GBUFS3.14,89916GBLPDDR5X+512GBUFS4.05,5998GBLPDDR5+512GBUFS3.15,899iQOO118GBLPDDR5X+128GBUFS4.03,799HUAWEInova118GBLPDDR4X+128GBUFS2.22,39912GBLPDDR5X+256GBUFS4.03,9998GBLPDDR4X+256GBUFS2.22,7498GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,099HUAWEIP608GBLPDDR5+128GBUFS3.14,38816GBLPDDR5X+256GBUFS4.04,2998GBLPDDR5+256GBUFS3.14,88816GBLPDDR5X+512GBUFS4.04,5998GBLPDDR5+512GBUFS3.15,888程序的運(yùn)行都在內(nèi)存中進(jìn)行，內(nèi)存性能的強(qiáng)弱影響計(jì)算機(jī)整體發(fā)揮的水平。通過(guò)分析近期熱門(mén)筆記本電腦參數(shù)，Windows系統(tǒng)16GB汽車(chē)：?jiǎn)诬?chē)存儲(chǔ)容量/價(jià)值量增長(zhǎng)顯著高于其他下游應(yīng)用汽車(chē)：?jiǎn)诬?chē)存儲(chǔ)容量/價(jià)值量增長(zhǎng)顯著高于其他下游應(yīng)用?汽車(chē)市場(chǎng)成為增速最快的芯片下游應(yīng)用，中長(zhǎng)期CAGR超過(guò)10%。全球芯片下游應(yīng)用主要可分為：消費(fèi)電子、通訊、工業(yè)、汽車(chē)和數(shù)據(jù)處rigenceCAGRoleDRAMNAND他下游應(yīng)用。圖：2020-2025年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)(十億美元)e?ADAS/自動(dòng)駕駛技術(shù)迭代，對(duì)存儲(chǔ)性能需求升級(jí)。SAE(國(guó)際汽車(chē)工程學(xué)會(huì))將自動(dòng)駕駛從0(完全手動(dòng)控制)到5(完全自動(dòng)駕駛)定義了RGDDR級(jí)至PCle。LL、容量發(fā)展美光、自動(dòng)駕駛說(shuō)、中航證券研究所整理 汽車(chē)：存儲(chǔ)需求貫穿車(chē)內(nèi)多用途，單車(chē)容量或遠(yuǎn)超消費(fèi)電子能座艙成為手機(jī)外的又一大互聯(lián)網(wǎng)終端?！败?chē)內(nèi)體驗(yàn)”已成為影響消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)的一大考慮因素，消費(fèi)者希望能更好地聯(lián)網(wǎng)以方便訪問(wèn)信息，端，且比手機(jī)?存儲(chǔ)需求貫穿車(chē)內(nèi)多用途，未來(lái)單車(chē)存儲(chǔ)容量遠(yuǎn)超消費(fèi)電子。汽車(chē)向智能化演進(jìn)的過(guò)程中多環(huán)節(jié)都需要存儲(chǔ)的支持，包括信息娛樂(lè)系統(tǒng)、ADASVX高精地圖、事故記錄等。根據(jù)SK海力士的測(cè)算，未來(lái)上述環(huán)節(jié)的存儲(chǔ)容量仍有相當(dāng)大的成長(zhǎng)空間，作為安全性能極高的智能?AI服務(wù)器存儲(chǔ)容量顯著高于一般服務(wù)器，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求成長(zhǎng)。ChatGPT風(fēng)靡之下，AI效應(yīng)正持續(xù)發(fā)酵，并不斷滲透至千行百業(yè)，AI服務(wù)器與高端GPU需求不斷上漲。根據(jù)TrendForce，預(yù)估2023年AI服務(wù)器(包含搭載GPU、FPGA、ASIC等)出貨量近120萬(wàn)臺(tái)，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量近9%。現(xiàn)階段而言，ServerDRAM普遍配置約為500~600GB左右，而AI服務(wù)器在單條模組上則多采64~128GB，平均容量可達(dá)1.2~1.7TB之間。以EnterpriseSSD而言，由于AI服務(wù)器追求的速度更高，其要求優(yōu)先滿(mǎn)足DRAM或HBM需求，SSD在傳輸接口上會(huì)為了高速運(yùn)算的需求而優(yōu)先采用PCIe5.0。相較于一般服務(wù)器而言，AI服務(wù)器多增加GPGPU的使用，因此以NVIDIAA10080GB配置4或8張計(jì)算，HBM用量約為320~640GB。未來(lái)在AI模型逐漸復(fù)雜化的趨勢(shì)下，將刺激更多的存儲(chǔ)器用量，并同步帶動(dòng)ServerDRAM、SSD以及HBM的需求成長(zhǎng)。圖：2022-2026年全球AI服務(wù)器出貨量預(yù)估(千臺(tái))2500200015001000500050%40%30%20%0%0%20222023E2024F2025F2026FAI服務(wù)器出貨量(千臺(tái))YoYServerAIServerFutureAIServerServerDRAMContent500-600GB2.2-2.7TBServerSSDContent4.1TB4.1TBHBMUsage320-640GB二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生五、建議關(guān)注六、風(fēng)險(xiǎn)提示一體：“存儲(chǔ)墻”成為數(shù)據(jù)計(jì)算一大障礙數(shù)礙。陳巍談芯、中航證券研究所整理架構(gòu)對(duì)比億鑄科技、智東西、中航證券研究所整理架構(gòu)對(duì)比億鑄科技、智東西、中航證券研究所整理 一體：消除馮諾依曼計(jì)算架構(gòu)瓶頸，存算一體應(yīng)運(yùn)而生?人工智能應(yīng)用興起，“存儲(chǔ)墻”下存算一體技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。應(yīng)用發(fā)展至今，人工智能的出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)了計(jì)算型存儲(chǔ)/存算一體/存內(nèi)計(jì)算的發(fā)展。人工智能算法的訪存密集(大數(shù)據(jù)需求)和計(jì)算密集(低精度規(guī)整運(yùn)算)的特征和為計(jì)算型存儲(chǔ)/存算一體/存內(nèi)計(jì)算的實(shí)現(xiàn)提供了有力的條件。如今，存儲(chǔ)和計(jì)算不得不整體考慮，以最佳的配合方式為數(shù)據(jù)采集、傳輸和處理服務(wù)。?存算一體(ComputinginMemory)是在存儲(chǔ)器中嵌入計(jì)算能力，以新的運(yùn)算架構(gòu)進(jìn)行二維和三維矩陣乘法/加法運(yùn)算。存算一體技術(shù)直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理或計(jì)算，從而把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算融合在同一個(gè)芯片的同一片區(qū)之中，可以徹底消除馮諾依曼計(jì)算架構(gòu)瓶頸。存算一體的優(yōu)勢(shì)是打破存儲(chǔ)墻，消除不必要的數(shù)據(jù)搬移延遲和功耗，并使用存儲(chǔ)單元提升算力，成百上千倍的提高計(jì)算效率，降低成本。一體：包含近存計(jì)算、存內(nèi)計(jì)算等技術(shù)方向?存算一體有近內(nèi)存計(jì)算(NMC)、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)、近存儲(chǔ)計(jì)算(NSC)及存內(nèi)計(jì)算(IMC)等技術(shù)方向。NMCDTSV實(shí)現(xiàn)垂直通信，但成本高，不同型號(hào)的芯片帶還DHBMinterposer這種特殊有機(jī)材料(線寬，節(jié)點(diǎn)間距優(yōu)于電路存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)：常見(jiàn)的是由英特爾和美光推出的3DXpoint，基于相變存儲(chǔ)技術(shù)，速度介于SSD和內(nèi)存之間，目前可以和DRAM配合NSCSSDFPGACPU?存內(nèi)計(jì)算(IMC)：利用存儲(chǔ)器的單元模擬特性做計(jì)算。CPU是二進(jìn)制邏輯計(jì)算，而存內(nèi)計(jì)算則是利用存儲(chǔ)器內(nèi)電阻特性進(jìn)行計(jì)算，不只是電子與信息學(xué)報(bào)《存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用》、中航證券研究所整理一體：成熟存儲(chǔ)介質(zhì)、新型存儲(chǔ)介質(zhì)齊發(fā)展內(nèi)計(jì)算芯片可分為基于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和基于新型非易失性存儲(chǔ)器兩種。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器包括SRAM，DRAM和Flash等；新型非易失性存儲(chǔ)器介質(zhì)的存內(nèi)計(jì)算芯片片性能比較來(lái)源：電子與信息學(xué)報(bào)《存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用》、中航證券研究所整理?HBM(HighBandwidthMemory)即高帶寬存儲(chǔ)器，按照J(rèn)EDEC的分類(lèi)，HBM屬于GDDR內(nèi)存的一種，其通過(guò)使用先進(jìn)的封裝方法(如TSV硅通孔技術(shù))垂直堆疊多個(gè)DRAM，并與GPU封裝在一起。業(yè)界希望通過(guò)增加存儲(chǔ)器帶寬解決大數(shù)據(jù)時(shí)代下的“內(nèi)存墻”半導(dǎo)體行業(yè)觀察、美光科技、中航證券研究所整理HBM：HBM：較傳統(tǒng)GDDR帶寬、功耗等性能優(yōu)勢(shì)明顯?更高速、更高帶寬：最新的HBM3的帶寬最高可以達(dá)到819GB/s，而最新的GDDR6的帶寬最高只有96GB/s，CPU和硬件處理單元的DDR4的帶寬更是只有HBM的1/10。?更高位寬：采用3D堆疊技術(shù)之后，其下方互聯(lián)的觸點(diǎn)數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于DDR內(nèi)存連接到CPU的線路數(shù)量。從傳輸位寬的角度來(lái)看，4層GPU參數(shù)LPDDR4XLPDDR5DDR4DDR5GDDR6HBM2帶寬(Gbps)低-中(136)中(102)中(204)高(409)高(576)最高(2400)速率(Gbps)4.2662/2.4顆粒/組合位寬(bits)64/+8ECC64/+16ECC21024板級(jí)面積/系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度適中適中大/簡(jiǎn)單大/適中中/高小/最高能耗比(mW/Gbps)高(~4)高(~3)適中(~6)適中(~5)適中(~8)最高(~2)使用總成本適中適中低適中高最高可靠性/良率高高高高中低HBMHBM：最新HBM3E送樣在即，有望2024年大規(guī)模生產(chǎn)據(jù)傳輸速率也從1Gbps提高至6.4Gbps。SKHBMESKHBM增強(qiáng)版——HBM3E，主要面向人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)類(lèi)應(yīng)用，基于1bnm制造技術(shù)(該公司第五代10nm級(jí)的DRAM節(jié)點(diǎn))，數(shù)據(jù)傳輸率提高存儲(chǔ)器進(jìn)行送樣，據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道，包括英偉達(dá)、AMD、微軟、亞馬遜在內(nèi)的全球科技巨頭，已相繼向SK海力士申請(qǐng)HBM3E樣本。三星計(jì)劃在今年底開(kāi)始生產(chǎn)HBM3，并計(jì)劃投資數(shù)千億韓元將韓國(guó)Cheonan,Chungnam工廠的HBM產(chǎn)能提高一倍。圖：四代HBM規(guī)格比較(以SK海力士產(chǎn)品為例)四代HBM規(guī)格比較(以SK海力士產(chǎn)品為例)類(lèi)別HBM1HBM2HBM2EHBM3帶寬128GB/s307GB/s460GB/s819GB/s堆疊高度4層4層/8層4層/8層4層/12層容量4GB/8GB8GB/16GB16GB/24GBI/O速率2.4Gbps3.6Gbps6.4Gbps5040302050403020100AIGCAIHBM年爆款A(yù)IGC應(yīng)用帶動(dòng)AI服務(wù)器成長(zhǎng)熱潮，大型云端企業(yè)紛紛積極布AIAIAI器需采用的高端AI芯片，相較于復(fù)雜化的趨勢(shì)下，將推升2023-2024年高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的需求。TrendForce預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來(lái)到2.9億率為25.4%。在近期的業(yè)績(jī)會(huì)上，SK海力士表示目前其HBM的銷(xiāo)量占比還不足營(yíng)收1%，但今年銷(xiāo)售2500200015001000500050%40%30%20%0%0%20222023E2024F2025F2026FAI服務(wù)器出貨量(千臺(tái))YoY圖：HBM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)(億美元)40.88522021-202610.682CAGR25.4%20202026HBM市場(chǎng)規(guī)模(億美元)40%10%40%10%9%38%?HBM市場(chǎng)目前由韓系廠商SK海力士與三星主導(dǎo)，2022年市場(chǎng)份額合計(jì)約90%。根據(jù)TrendForce，2022年三大原廠HBM市占率分別SK光約10%。高階深度學(xué)習(xí)AIGPU的規(guī)格也在刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIAH100目前唯一量產(chǎn)新世代HBM3產(chǎn)品的供應(yīng)商，其整體HBM市占率有望在此契機(jī)下進(jìn)一步提升至53%，而三星、美光則預(yù)計(jì)陸續(xù)在今年底SKKimWoohyun議上表示預(yù)計(jì)2023年HBM收入將同比增長(zhǎng)50%以上。53%50%60%53%50%50%40%30%20%0%0%SK海力士三星電子美光2022年2023年?PCI-Express(peripheralcomponentinterconnectexpress)，簡(jiǎn)稱(chēng)PCIE，是一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)，主要用于擴(kuò)充計(jì)算機(jī)系統(tǒng)總線數(shù)據(jù)吞吐量以及提高設(shè)備通信速度。PCIE本質(zhì)上是一種全雙工的的連接總線，傳輸數(shù)據(jù)量的大小由通道數(shù)lane決定的。資料來(lái)源：英特爾、中航證券研究所整理知乎、是德科技、中航證券研究所整理?PCIe技術(shù)逐漸乏力，CXL旨在解決存儲(chǔ)墻和IO墻問(wèn)題?，F(xiàn)代處理器性能的不斷提升，而內(nèi)存與算力之間的技術(shù)發(fā)展差距卻不斷增大。在過(guò)去存容CXL?存儲(chǔ)墻：現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)通常采取高速緩存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存儲(chǔ)(NANDFlash)的三級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。每當(dāng)應(yīng)用開(kāi)始工作時(shí)，就需要?IO墻：以AI為例，AI模型的大小基本上每?jī)赡晟仙粋€(gè)數(shù)量級(jí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)可以較快訪問(wèn)，但超出內(nèi)存后數(shù)據(jù)就需要放在外部存儲(chǔ)里，用 CXL：具有極高兼容性和內(nèi)存一致性的全新互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和連接設(shè)備內(nèi)存之間的一致性。?CXL硬件加軟件的生態(tài)環(huán)境里，已經(jīng)涌現(xiàn)了一大批公司。CXL聯(lián)盟于2019年3月由創(chuàng)始成員阿里巴巴集團(tuán)、思科系統(tǒng)、戴爾易安信、圖：CXL的使用模式(設(shè)備類(lèi)型)?CXL是基于PCIe5.0發(fā)展而來(lái)，過(guò)去四年時(shí)間CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0三個(gè)不同的版本。?CXL2.0：下圖中H1到H4到Hn指不同Host，它可以通過(guò)CXLSwitch連接多個(gè)設(shè)備，D1到D4到Dn指的是不同的內(nèi)存，也是通CXL務(wù)器互聯(lián)并共享內(nèi)存。除了多層交互以外，CXL3.0還多Memorysharing的能力，突破了某一個(gè)物理內(nèi)存只能屬于某一臺(tái)服務(wù)器的限二、存儲(chǔ)行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品四、存力升級(jí)大勢(shì)所趨，新興技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生五五、建議關(guān)注六、風(fēng)險(xiǎn)提示150%100%50%150%100%50%0%-50%-100%16.82%2022/3/312022/6/3020