方塊電阻及測量原理課件

Rs及其測量原理Rs及其測量原理1outline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.濃度均勻?qū)ζ骷挠绊憃utline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.濃度2影響閾值電壓SDpsubstrateBG

VGS+

-

n+n+depletionregionnchannel閾值電壓的標準偏差過大即過于分散，則其功能失效，成品率降低影響閾值電壓SDpsubstrateBGVGS+-3np和pn分別是p側(cè)電子和空穴的平衡濃度。Is越小，二極管的反向截止特性越好；影響漏電流反相器原理np和pn分別是p側(cè)電子和空穴的平衡濃度。Is越小，二極管的4影響LDD輕摻雜濃度和輕摻雜區(qū)域長度是LDD設(shè)計的關(guān)鍵。不同輕濃度，漏電流與摻雜長度的關(guān)系影響LDD輕摻雜濃度和輕摻雜區(qū)域長度是LDD設(shè)計的關(guān)鍵。不同5Beam均勻性閾值電壓反相器漏電流抑制載流子效應(yīng)profiler與掃描基板都依靠馬達帶動上下運動，運動的穩(wěn)定性會影響其測量值。所以需對機臺的均勻性即profiler與基板運動的穩(wěn)定性進行監(jiān)控。

profiler上下掃描收集BeamData,分析計算出Beam

Uniformity,以調(diào)節(jié)CorrectorMagnet，達到要求。注入時，基板在掃描運動著，使全玻璃得到均勻注入。Beam均勻性閾值電壓反相器漏電流抑制載流子效應(yīng)61.監(jiān)視IonBeam方向（圖中Y方向）電流密度均一性。2.監(jiān)視基板掃描方向（圖中X方向）Process穩(wěn)定性。1.監(jiān)視IonBeam方向（圖中Y方向）電流密度均一性。7outline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.摻雜濃度對器件的影響outline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.摻雜8Rs定義

Rs定義——一個正方形的薄膜導電材料“邊”到“邊”之間的電阻。1.注入層的載流子濃度均勻即電阻率處處相同2.注入層的載流子濃度不均勻即電阻率不相同電導率其中e載流子電荷量，n載流子濃度，u載流子遷移率為什么可以用Rs來表示注入層的均勻性hxRs定義

其中e載流子電荷量，n載流子濃度，u載流子遷移率為9Rs測量方法1.伏安測量法（二探針法）Rs測量方法1.伏安測量法（二探針法）102.四探針法電壓表的內(nèi)電阻很大，可以把電壓測量電路視為斷路，即通過電流為零,即在接觸電阻上不產(chǎn)生壓降V。I2.四探針法電壓表的內(nèi)電阻很大，可以把電壓測量電路11dRs與R測的關(guān)系dRs與R測的關(guān)系12電流密度間距相等條件電阻率SSS1.當d》S時，以點電流為中心的半球面2.當d《S，等位面近似為高為d圓柱面直線型四探針在直線等距中Rs與R測的關(guān)系：電流密度間距相等條件電阻率SSS1.當d》S時，以點電流為中13反型注入注入相同離子注入相反離子1.注入離子形成的導電層和襯底的并聯(lián)阻值2.襯底的厚度比導電層厚度大得多，1.在離子注入形成的導電層和襯底之間會形成PN結(jié)，可以視為導電層與襯底隔開。2.測量時探針不能扎穿PN結(jié)，以只測導電層Rs硅片測量進行的反型注入反型注入注入相同離子注入相反離子1.注入離子形成的導電層和襯14outline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.摻雜濃度對器件的影響outline2.Rs及其測量方法3.數(shù)據(jù)測量及處理1.摻雜15數(shù)據(jù)測量Rs測量目的從工藝上確認設(shè)備的表現(xiàn)是否正常，防止異常情況的發(fā)生；監(jiān)控設(shè)備工藝能力（BeamU%)的穩(wěn)定性和重復性。YXIonBeamGlassScanDirection硅片放三片在玻璃基板的對角線上。WaferRs測量23個點位，具體分布如右圖。數(shù)據(jù)測量Rs測量目的YXIonBeamGlassS16數(shù)據(jù)處理

標準偏差：用以衡量數(shù)據(jù)值偏離算術(shù)平均值的分散程度。用標準偏差表示注入層的均勻性。薄層電阻的標準偏差為其中為了表示晶片薄層電阻的變化，可以畫出薄層電阻的等電阻線，清晰直觀。粗線表示平均薄層電阻的軌跡，細線表示偏差的電阻等值線。一般用相對標準偏差