2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試歷年高頻考點(diǎn)試題含答案

2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試歷年高頻考點(diǎn)試題含答案（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.參考題庫(共100題)1.簡述液晶材料的物理性質(zhì)對顯示性能的影響。2.簡述薄膜晶體管溝道上面的金屬層M3有兩種作用。3.簡述FED和CRT的區(qū)別。4.為什么說AC-PDP具有存儲特性？存儲特性對圖象顯示有什么好處？5.簡述扭曲效應(yīng)顯示器件和超扭曲向列液晶顯示器工作原理的差異。為什么采用超扭曲向列效應(yīng)的液晶顯示板能增大液晶顯示屏的行數(shù)？6.描述MVA技術(shù)的工藝方案。7.二極型和三極型結(jié)構(gòu)有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？8.設(shè)計(jì)一款4.5英寸，分辨率為960×640的顯示屏，能達(dá)到多少ppi？長寬比為4：3的話，像素間距能達(dá)到多少？9.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。10.簡述偏光式3D技術(shù)的原理。11.簡述低溫多晶硅薄膜晶體管組成的CMOS驅(qū)動電路的優(yōu)點(diǎn)。12.簡述自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。13.試分析4次光刻中第2次光刻的工藝方案。14.簡述PDP顯示的面板結(jié)構(gòu)。15.描述MVA技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)的廣視角？16.簡述背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。17.簡述分子軌道理論。18.簡述VA技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償?shù)摹?9.簡述底發(fā)射型OLED的優(yōu)點(diǎn)。20.簡述無源矩陣驅(qū)動的原理。21.簡述液晶顯示器閃爍形成的原因。22.何為LED器件的變頻特性？由于LED變頻特性存在如何實(shí)現(xiàn)高分辨率LED圖像顯示？23.舉例說明多疇模式的作用？24.簡述柔性顯示面臨的技術(shù)瓶頸。25.主導(dǎo)TFT器件工作的半導(dǎo)體現(xiàn)象是什么？它的物理意義和主要影響參數(shù)？為提高TFT器件在液晶顯示器中的開關(guān)作用，從半導(dǎo)體的角度應(yīng)該提高什么，降低什么？26.簡述疊層存儲電容的組成及等效電路。27.分析n溝道2T1C驅(qū)動電路的缺點(diǎn)？并解釋為什么a-Si：HTFT驅(qū)動OLED會有困難？28.簡述OLED產(chǎn)業(yè)化的面臨的問題？你認(rèn)為有什么解決辦法？29.簡述熱電子發(fā)射和冷發(fā)射的區(qū)別。30.簡述銀點(diǎn)膠和邊框膠的作用。31.簡述有源矩陣液晶顯示器的主要組成部件。32.請畫出常白型TN液晶顯示器的顯示原理圖，并簡述顯示原理。33.簡述5次光刻的工藝流程。34.簡述氧化物薄膜晶體管的特點(diǎn)。35.簡述單像素雙疇FFS模式的實(shí)現(xiàn)的原理。36.簡述漏光產(chǎn)生的原因。37.采用動態(tài)驅(qū)動法，分析顯示一個(gè)數(shù)字“2”，行和列的驅(qū)動波形。38.簡述多晶硅薄膜晶體管驅(qū)動OLED的優(yōu)點(diǎn)。39.請畫出TN-LCD的結(jié)構(gòu)圖，簡述TN型液晶顯示器的組成并在圖中標(biāo)出各部分的名稱。40.簡述MVA技術(shù)的顯示原理。41.簡述層間清洗的作用。42.描述彩色光的3個(gè)基本參量是什么？各是什么含義？43.光度學(xué)中有哪幾個(gè)主要物理量？它們是如何定義的？各自的單位是什么？44.簡述干法刻蝕的物理作用和化學(xué)作用。45.什么是多點(diǎn)觸控技術(shù)？簡述多點(diǎn)觸控技術(shù)的特點(diǎn)。46.簡述液晶顯示器亮度決定因素有哪些？并計(jì)算分析實(shí)際亮度能達(dá)到多少？47.簡述隔墊物的種類及優(yōu)缺點(diǎn)。48.簡述微晶硅薄膜晶體管中非晶硅薄膜上面有一層金屬薄膜Mo的作用，以及工藝中需要采用的特殊技術(shù)？49.簡述非晶硅薄膜晶體管的工作原理。50.簡述偏振片的作用。51.簡述PDP多灰度級顯示的實(shí)現(xiàn)方法。52.簡述提高IGZOTFT性能的方法。53.簡述ELA技術(shù)制備LTPSTFT的缺點(diǎn)，針對ELA技術(shù)的問題有哪些解決方案？54.簡述偏移結(jié)構(gòu)的制作過程。55.簡述3T1C、6T1C驅(qū)動電路中各個(gè)TFT的作用。56.簡述PECVD設(shè)備的特點(diǎn)。57.從電導(dǎo)率的角度思考，如何能制作出高性能的薄膜晶體管？提高載流子濃度可以嗎？58.簡述LED背光源技術(shù)的發(fā)展趨勢。59.簡述微腔結(jié)構(gòu)的工作原理，如何設(shè)計(jì)微腔的光學(xué)長度，及如何控制光波的振動模數(shù)？60.簡述ODF的工藝流程。61.為什么說PVA技術(shù)有降低亮點(diǎn)的可能性？還有那些技術(shù)可以降低亮點(diǎn)呢？62.簡述液晶的種類。63.簡述鐵電液晶的工作原理。64.分析交叉串?dāng)_產(chǎn)生的原因。65.簡述FED與CRT顯示原理的異、同點(diǎn)。66.描述第一個(gè)液晶顯示器采用的顯示原理。67.簡述柔性O(shè)LED顯示的優(yōu)點(diǎn)。68.描述IPS技術(shù)的顯示原理。69.簡述聚合物發(fā)光二極管的發(fā)光原理。70.簡述激光顯示技術(shù)的種類？舉例說明激光顯示原理。71.簡述低溫多晶硅薄膜晶體管特點(diǎn)。72.幾種常見的電子發(fā)射是什么？73.簡述場致發(fā)射的結(jié)構(gòu)及原理。74.簡述視角產(chǎn)生的原因。75.非晶硅是哪種半導(dǎo)體，其能帶的特點(diǎn)？76.簡述聚焦型FED的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)點(diǎn)。77.目前為什么大多研究單位將平面型陰極型FED作為研究重點(diǎn)？78.LCD顯示產(chǎn)生交叉效應(yīng)的原因是什么？用什么方法克服交叉效應(yīng)？79.描述采用ODF工藝的制屏工藝流程。80.在一個(gè)演出的場合需要使用200英寸以上的顯示器，你選擇哪種顯示器？為什么？選81.簡述電子紙的顯示原理。82.簡述PECVD薄膜沉積的原理。83.簡述電容式觸摸屏的優(yōu)點(diǎn)。84.用對比的方法描述ODF與傳統(tǒng)液晶注入方式主要的差別。85.簡述PI膜的形成過程。86.彩色電視傳送色差信號比直接傳送基色信號有什么優(yōu)越性？87.試分析在背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？88.簡述STN型液晶顯示器的顯示原理。89.簡述有機(jī)發(fā)光顯示的特點(diǎn)。90.簡述FFS技術(shù)與IPS技術(shù)的差別。91.VFD工作原理及其器件構(gòu)造是怎樣的？92.簡述晶體與非晶材料在導(dǎo)電上的差別？93.簡述FFS技術(shù)中電極和電場的特點(diǎn)。94.簡述ACF的作用。95.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢？96.簡述PE和RIE設(shè)備的不同點(diǎn)。97.簡述有機(jī)發(fā)光二極管限制發(fā)光效率的因素以及提高效率的辦法。98.簡述MOSFET與薄膜晶體管工作原理上的不同。99.試根據(jù)5次光刻的工藝流程繪制等效電路。100.簡述激光光閥顯示的結(jié)構(gòu)及顯示原理。第1卷參考答案一.參考題庫1.正確答案:彈性常數(shù)和旋轉(zhuǎn)的粘度決定著液晶的響應(yīng)時(shí)間和閾值電壓的主要因數(shù)；介電各向異性決定著液晶在電場下是p型還是n型的特性，大的介電常數(shù)可以降低閾值電壓；光學(xué)各向異性決定著液晶的光學(xué)性質(zhì)；閾值電壓決定著在低功耗下的工作范圍。2.正確答案:1）充當(dāng)薄膜晶體管的的遮光層，相當(dāng)于彩膜基板上的黑矩陣，彩膜基板不用再制作黑矩陣，節(jié)省了材料及成本； 2）作為存儲電容的一個(gè)電極，與公共信號線相連。3.正確答案:1）FED是陣列型發(fā)生源，是一個(gè)面矩陣，有數(shù)十萬個(gè)主動發(fā)光的尖錐陰極陣列。CRT只有一個(gè)電子束，或者彩色顯示有3個(gè)電子束。 2）FED采用微尖型陣列平面電場作用下的冷陰極發(fā)射。CRT是利用電子槍的熱電子發(fā)射。 3）FED的熒光點(diǎn)到陰極的距離小于3mm，是平板顯示。CRT由于使用熱電子搶，為了是電子束獲得足夠的偏離和掃描，必須有一定距離才能打到熒光屏上，體積又大又厚又重。4.正確答案:5.正確答案:6.正確答案:MVA型TFT-LCD的陣列工藝：玻璃基板投入→Gate電極→TFT硅島→源、漏電極→鈍化及過孔→像素電極→MVA凸起物，共5+1次光刻。 MVA型TFT-LCD的彩膜工藝：玻璃基板投入→黑矩陣（BM）膜→彩色膜（RGB）→保護(hù)膜（OC）→透明導(dǎo)電膜（ITO）→襯墊（PS）→MVA凸起物。7.正確答案:8.正確答案:9.正確答案:一般采用多層薄膜疊加的柵絕緣膜，還有許多采用連續(xù)生長的辦法。還有在兩層絕緣膜之間加清洗的方法。10.正確答案:偏光式3D利用光線具有“振動方向”的性質(zhì)，在顯示器屏幕上加放偏光片，將振動方向分解為垂直方向的偏振光和水平方向的偏振光，兩只眼睛配帶的眼鏡也采用不同偏振方向的偏振鏡片，從而使人的左右兩只眼睛接收到兩組不同的畫面，傳輸?shù)揭曈X中樞整合給人以3D立體感。11.正確答案:組成的CMOS驅(qū)動電路的優(yōu)點(diǎn)： 1）利用自對準(zhǔn)工藝，寄生電容降到最低，響應(yīng)速度很快； 2）較高的遷移率以及溝道長度的微細(xì)化，有利于進(jìn)一步提高響應(yīng)速度； 3）在周邊驅(qū)動的CMOS電路中，利用p-SiTFT高開態(tài)電流和高遷移率特性，不受關(guān)態(tài)泄漏電流的影響，使得p-Si?TFT非常適合制作周邊驅(qū)動電路； 4）溝道長度微細(xì)化后，TFT尺寸縮小，周邊驅(qū)動電路的面積縮小，非常適合高精度、高清晰的顯示； 5）在考慮漏極的耐壓極限后，常規(guī)的p-SiTFT的溝道長度設(shè)計(jì)為4μm。采用LDD結(jié)構(gòu)后，耐壓能力提高，溝道長度可以設(shè)計(jì)到1.5～2μm。12.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是：1）利用自對準(zhǔn)技術(shù)減少了光刻次數(shù)，可以降低成本； 2）能夠有效避免柵源和柵漏的交疊面積，提高對準(zhǔn)精度，減小寄生電容。13.正確答案:在4次光刻中，第二次光刻有源島和第三次光刻的源漏電極合為一次光刻，為4次光刻的第二次光刻，光刻次數(shù)減少，但工藝難度大大增大。 第二次光刻的工藝流程概括為：連續(xù)沉積薄膜→涂膠→多段式調(diào)整掩膜版曝光→顯影→濕法刻蝕→干法刻蝕及灰化→再濕刻和再干法刻蝕。14.正確答案:PDP的顯示面板由排列成矩陣型的像素點(diǎn)陣構(gòu)成，每一個(gè)像素由紅綠藍(lán)三基色的子像素構(gòu)成。子像素是獨(dú)立的，由單個(gè)放電單元獨(dú)立進(jìn)行放電發(fā)光。 面板結(jié)構(gòu)： 1）在下玻璃基板上垂直配置掃描電極，上面用介質(zhì)層覆蓋。 2）光刻制作壁障，用來隔開各個(gè)像素，防止放電之間的干擾。 3）壁障外形成彩色熒光粉（紅、綠、藍(lán)）。 4）在上基板上水平配置信號電極，是用來為維持放電控制顯示亮度的。電極外面覆蓋介質(zhì)層。再涂覆一層MgO保護(hù)層，用于得到穩(wěn)定的放電和較低的保持電壓，并延長顯示器壽命。15.正確答案:V字形直條三角棱狀的凸起物把每個(gè)子像素分成了四個(gè)疇，上下基板交錯(cuò)排列。在方位Ⅱ處觀察，開態(tài)和關(guān)態(tài)，看到的都是接近液晶分子長軸的投影，顯示中灰階；在方位Ⅰ和Ⅲ處觀察，關(guān)態(tài)在屏幕的投影是短軸方向，顯示黑色；開態(tài)在屏幕投影是液晶分子長軸方向，顯示白色。因此，方位Ⅱ和Ⅲ處能同時(shí)看到高灰階和低灰階，混色后正好是中灰階。16.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是a-Si：H層可以做得比較薄，一般厚度是300~500?，薄膜的生產(chǎn)性好，關(guān)態(tài)電流很?。豢涛g選擇比大，刻蝕條件寬松，工藝簡單；缺點(diǎn)是比背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)要多增加一次光刻，成本增加，節(jié)拍時(shí)間長。17.正確答案:分子軌道理論概括為： 1）在分子中的任何電子，可以看成是在組成分子的所有原子核和其余電子所構(gòu)成的勢場中運(yùn)動； 2）每一個(gè)描述單個(gè)電子運(yùn)動狀態(tài)的波函數(shù)就是一個(gè)分子軌道，是原子軌道的線性組合，且每個(gè)分子軌道對應(yīng)一個(gè)相應(yīng)的能量； 3）分子軌道中內(nèi)的電子是離域化的自由電子，但只局限在該分子之內(nèi)； 4）組成有機(jī)材料的多個(gè)分子構(gòu)成了多個(gè)能量相近的分子軌道，但彼此之間存在一定能量差。18.正確答案:VA技術(shù)凸起物附近的液晶分子略有傾斜，分子狀態(tài)正好對稱。左右相鄰的液晶分子長軸方向分別指向不同的方向，分子狀態(tài)對稱。利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償。19.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是： 1）陰極可以采用蒸鍍的金屬電極，器件性能好； 2）工藝簡單，比較容易產(chǎn)業(yè)化。20.正確答案:當(dāng)某一行要發(fā)光的像素加電壓，其他行接地；當(dāng)某一列像素加負(fù)電壓，其他列接地，交叉處OLED就可以發(fā)光。21.正確答案:液晶中慢態(tài)離子在長時(shí)間高于50mV以上的直流驅(qū)動下，引起離子的產(chǎn)生和移動。離子可以聚在取向?qū)又?，引起一個(gè)補(bǔ)償電壓，在施加的直流驅(qū)動去除后，離子導(dǎo)致的補(bǔ)償電壓還會持續(xù)很久，引起殘像。22.正確答案:23.正確答案:多疇垂直排列技術(shù)通常采用取向?qū)友谀つΣ?、光控取向或利用凸起物襯底等方法，在每個(gè)像素上形成多個(gè)液晶分子取向方向不同的疇，進(jìn)而改善液晶由于單疇造成的各向異性過強(qiáng)，顯示視角特性差的缺點(diǎn)。24.正確答案:面臨的技術(shù)瓶頸主要有： 1）性能差； 2）壽命低； 3）生產(chǎn)設(shè)備不成熟； 4）相關(guān)高科技技術(shù)還未匹配。25.正確答案:TFT器件中主要的半導(dǎo)體現(xiàn)象是電導(dǎo)現(xiàn)象。 在電場的作用下載流子會定向地運(yùn)動，導(dǎo)電能力由電導(dǎo)率決定。電導(dǎo)率反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電能力的物理量，又由載流子密度和遷移率來決定。非晶硅半導(dǎo)體材料沒有進(jìn)行摻雜，載流子密度很低。因此，決定薄膜晶體管性質(zhì)的主要參數(shù)是遷移率。 從半導(dǎo)體的角度應(yīng)該提高遷移率，降低載流子濃度，或者降低暗電導(dǎo)率。26.正確答案:存儲電容由兩個(gè)并聯(lián)的存儲電容相疊構(gòu)成，一個(gè)存儲電容Cs1為源漏金屬M(fèi)2和金屬層M3，中間夾著的SiNx介質(zhì)層構(gòu)成；另一個(gè)存儲電容Cs2由金屬層M3和像素電極ITO，中間夾著的第三介質(zhì)層構(gòu)成。液晶像素電容Clc由陣列基板的像素電極ITO和彩膜基板上的共用電極構(gòu)成，中間夾著液晶材料構(gòu)成。 27.正確答案:n溝道2T1C驅(qū)動電路中，T2管的柵源電壓VGS由信號電壓和OLED電壓決定。該電路有兩個(gè)缺點(diǎn)： 1）一部分信號電壓施加到了OLED上，而不是全部施加到驅(qū)動TFT的柵極上。要獲得同p溝道相同的像素電流，需要更高的信號電壓； 2）驅(qū)動TFT的柵源電壓要受到OLED性質(zhì)的影響，可能會隨著制造工藝中OLED器件的不同而變化，也可能隨著OLED工作時(shí)間而變化。 a.Si：HTFT是n溝道的薄膜晶體管，不能制作出p溝道的TFT，要驅(qū)動OLED有一定的困難。而LPTSTFT可以制作成p溝道或者n溝道TFT，驅(qū)動OLED比較容易。底發(fā)射型OLED是傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，對OLED制備工藝的難度要求較低，OLED的性能好。28.正確答案:面臨的問題主要有：1）材料穩(wěn)定性和壽命問題；2）驅(qū)動技術(shù)問題；3）成本問題；4）設(shè)備制造問題。另外，噴墨打印技術(shù)、彩色化技術(shù)還需進(jìn)一步研究，設(shè)備也需要進(jìn)一步改進(jìn)。29.正確答案:熱電子發(fā)射是利用加熱物體提供能量使電子從物體表面逸出的過程。當(dāng)物體溫度升高，電子的無序熱運(yùn)動能量隨之增大。升高到一定程度，電子克服體內(nèi)的束縛力從物體表面逸出，發(fā)射出來進(jìn)入真空。 冷陰極發(fā)射是一種場致電子發(fā)射的過程，又稱自發(fā)射。當(dāng)物體表面電場加強(qiáng)，不需要加熱，陰極體內(nèi)的電子在電場下獲得足夠的能量后，克服體內(nèi)的束縛力，利用隧道效應(yīng)從表面發(fā)射出來進(jìn)入真空。30.正確答案:邊框膠是為了使TFT基板和CF基板緊密粘合。銀點(diǎn)膠用于連接TFT基板和CF基板的共用電極（COM電極），使CF基板上的ITO電極導(dǎo)通。31.正確答案:背光源、彩膜基板、陣列基板、液晶屏部分、驅(qū)動IC和周邊組件部分。 背光源由冷陰極燈管、反射板、分光板、導(dǎo)光板和擴(kuò)散板等組成。彩膜基板上包含彩色膜、黑矩陣、保護(hù)膜、ITO共用電極。陣列基板上有規(guī)律整齊排列薄膜晶體管組成的眾多像素點(diǎn)，每一個(gè)像素都有一個(gè)薄膜晶體管TFT、存儲電容、和像素電極組成。液晶屏部分包括液晶材料、取向?qū)?、隔墊物、偏振片。驅(qū)動IC和周邊組件部分包括驅(qū)動IC、驅(qū)動LSI（大規(guī)模集成電路）、FPC（柔性電路板）、PCB（印刷電路板）等。32.正確答案:常白模式液晶顯示器的上下兩個(gè)偏振片透光的光軸垂直，內(nèi)部液晶分子從上到下剛好扭曲90°。不外加電壓時(shí)，液晶顯示器為透光狀態(tài)，為亮態(tài)；加上外界電場后，隨電場的增加透過的光強(qiáng)逐漸減小，最后透光率趨近于零，為暗態(tài)，可以實(shí)現(xiàn)在白色背景上顯示黑色圖案。 33.正確答案:柵極→a-Si：H有源島→源漏電極、n+a-Si溝道切斷→SiNx保護(hù)膜、過孔→ITO像素電極。34.正確答案:1）可見光的透過率較高，可以制備出完全透明的TFT器件，使得顯示器的畫面更加清晰明亮。 2）電學(xué)特性優(yōu)越，器件的響應(yīng)速度、載流子遷移率都非常高。 3）禁帶寬度比較大，很好地避免了光照對器件性能的影響。 4）薄膜均勻，為大屏幕化的實(shí)現(xiàn)提供可靠的保證。 5）制備溫度低，在接近室溫的條件下也可以生長出高質(zhì)量的氧化物TFT薄膜。 6）材料和工藝成本較低，可以在廉價(jià)的玻璃或柔性塑料上生長，節(jié)約了制作成本。 另外，氧化物材料既可以作為TFT的有源層，又可以作為柵極、源漏電極，還可以通過摻雜等手段控制載流子濃度，很好地控制電學(xué)特性。35.正確答案:雙疇的FFS結(jié)構(gòu)中，共用電極線在中間，把像素電極分成上下兩部分。條形電極的方向不同，分別與信號線成一定的角度。表面取向?qū)拥哪Σ练较?，平行信號線方向。不加電壓下，液晶分子沿摩擦方向排列。加電壓后，正性液晶分子平行電場方向排列。像素電極上部分的液晶分子順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，像素電極下部分的液晶分子逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。兩個(gè)方向旋轉(zhuǎn)的液晶分子形成了兩個(gè)不同的疇。36.正確答案:漏光是黑色顯示時(shí)有不同程度的光透過的現(xiàn)象。常黑模式TN型液晶顯示器不加電壓下為黑態(tài)。入射的線偏振光，在扭曲的液晶分子作用下產(chǎn)生雙折射，導(dǎo)致通過液晶層的偏振光的光程差△n?d不同，引起不同程度的漏光，無法得到全黑色。37.正確答案:以7行、6列的無源矩陣點(diǎn)陣為例，顯示數(shù)字“2”為例。用0表示段碼電極與共用電極同相，用1表示反相。 38.正確答案:優(yōu)點(diǎn)：1）具有較高的載流子遷移率； 2）多晶硅TFT閾值電壓漂移也要比非晶硅大大減小，穩(wěn)定性高，更適合作為AMOLED顯示的驅(qū)動器件； 3）由于遷移率高，還可以減小TFT器件的尺寸，可以保證一樣的開態(tài)電流，但像素開口率提高； 4）容易制作出n溝道和p溝道的TFT器件，實(shí)現(xiàn)周邊驅(qū)動的CMOS集成電路。39.正確答案:TN型液晶顯示器是由偏振片、玻璃基板、彩膜、透明電極（ITO）、取向?qū)雍鸵壕ЫM成。 40.正確答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內(nèi)并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會偏向某一個(gè)角度；上下偏振片光軸垂直，從一個(gè)偏振片通過的偏振光，穿過液晶層，到另一個(gè)偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。 當(dāng)加電壓后，n型液晶分子在電場下要垂直電場排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內(nèi)傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺觀察下，MVA技術(shù)上下基板交錯(cuò)的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個(gè)疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償。41.正確答案:背溝道阻擋結(jié)構(gòu)中第一層的SiOx絕緣膜制作完成后加了一道清洗。兩層絕緣膜之間加的這次清洗稱為層間清洗，作用是為減少針孔。42.正確答案:色調(diào)是指在物體反射的光線中以哪種波長占優(yōu)勢來決定的，不同波長產(chǎn)生不同顏色的感覺。色調(diào)是彩色最重要的特征，它決定了顏色本質(zhì)的基本特征。 顏色的飽和度是指一個(gè)顏色的鮮明程度。飽和度是顏色色調(diào)的表現(xiàn)程度，它取決于表面反射光的波長范圍的狹窄性（即純度）。在物體反射光的組成中，白色光越少，則它的色彩飽和度越大。 明度是指刺激物的強(qiáng)度作用于眼睛所發(fā)生的效應(yīng)，它的大小是由物體反射系數(shù)來決定的，反射系數(shù)越大，則物體的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物體明亮程度，可描寫人眼主觀亮度感覺。43.正確答案:44.正確答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來的過程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過程完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移進(jìn)行的，具有很強(qiáng)的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。 化學(xué)作用的刻蝕是一種純粹的化學(xué)反應(yīng)，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學(xué)活性極強(qiáng)的原子團(tuán)、分子團(tuán)等，擴(kuò)散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應(yīng)生成物，由真空泵抽離真空反應(yīng)室。由于只有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生稱之為化學(xué)反應(yīng)刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應(yīng)物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應(yīng)物的等離子體決定刻蝕速率。45.正確答案:多點(diǎn)觸屏是一種用戶可以通過多個(gè)手指同時(shí)對屏幕的應(yīng)用控制輸入技術(shù)。特點(diǎn)是： 1）在同一屏幕上能夠?qū)崿F(xiàn)多點(diǎn)或多用戶的操作，更加方便快捷； 2）用戶也可以進(jìn)行單點(diǎn)觸摸，通過單雙擊、按壓、滾動等不同觸摸方式，實(shí)現(xiàn)隨心所欲的操控，方便對錄像、圖片、三維立體等信息進(jìn)行全面的了解； 3）可以根據(jù)相應(yīng)的要求來制定合適的觸控面板、觸控軟件、觸控系統(tǒng)等，也可以和專業(yè)圖形軟件配合使用。46.正確答案:液晶顯示器亮度決定因素有背光源的亮度、液晶屏的透過率。其中液晶屏的透過率由偏振片1的透過率、液晶屏的開口率、彩膜的透過率、電極的透過率、偏振片2的透過率決定。 根據(jù)背光源的亮度計(jì)算顯示器的亮度，如一個(gè)亮度為3000cd/m2的背光源，液晶屏的透過率大約為5~10%左右，可以得到的顯示屏亮度為150~300cd/m2左右。47.正確答案:隔墊物有球形隔墊物和柱形隔墊物。球形隔墊物是液晶顯示器中較早采用的隔墊物類型，具有材料成本低、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)，且液晶量不受隔墊物密度的影響，但是工藝產(chǎn)率低，抗震動能力差。柱形隔墊物具有設(shè)備成本低、工藝流程少、圖像質(zhì)量優(yōu)良，但是材料成本高，且易產(chǎn)生比重姆拉。48.正確答案:金屬M(fèi)o薄膜起到光熱轉(zhuǎn)換的作用，使薄膜晶化為微晶硅薄膜。晶化后進(jìn)行金屬M(fèi)O層的光刻形成源漏電極。 制作工藝流程是先進(jìn)行有源島位置處的Mo島和Mo柵線的光刻，再濺射AlNd金屬及光刻AlNd柵線。保證了金屬線的低電阻率，又可以獲得穩(wěn)定、高結(jié)晶度的微晶硅薄膜，還能降低缺陷提高成品率。49.正確答案:當(dāng)柵極上不加電壓或加負(fù)電壓時(shí)，在源到漏之間溝道沒有形成，TFT處于關(guān)態(tài)。當(dāng)柵極施加正電壓到足夠大，在絕緣層與a-Si：H層的界面附近，非晶硅半導(dǎo)體一側(cè)感應(yīng)出等量異號的負(fù)電荷形成電子的積累，形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)施加漏源加電壓時(shí)就會有電流從溝道流動。50.正確答案:偏光片是只允許在某一個(gè)方向振動的光波通過，而其他方向振動的光將被全部或部分地被阻擋。51.正確答案:彩色PDP利用調(diào)節(jié)維持脈沖個(gè)數(shù)的方法來實(shí)現(xiàn)多灰度級顯示。對于表面放電型彩色PDP，通常采用尋址與顯示分離（ADS）的子場驅(qū)動方法。在顯示一幅圖像時(shí)，是在一場時(shí)間內(nèi)順序掃描尋址各顯示行，然后整屏所有顯示單元同時(shí)維持顯示。 ADS實(shí)現(xiàn)多灰度顯示的原理是將某一種顏色的電平信號量化為n位數(shù)據(jù)，對顯示數(shù)據(jù)按位進(jìn)行顯示，每位的顯示期的維持放電時(shí)間長度，即發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)和該位的權(quán)重相關(guān)聯(lián)，權(quán)重越大，該顯示期的發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)越多，反之，則發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)越少。這樣，各位顯示的亮度也就不同，一位的顯示時(shí)間稱為一個(gè)子場。每個(gè)子場包括準(zhǔn)備期、尋址期和維持顯示期。通過不同子場的點(diǎn)亮的組合可以實(shí)現(xiàn)多灰度級的顯示。52.正確答案:1）改善非晶金屬氧化物IGZO沉積條件、控制退火溫度和存放環(huán)境等； 2）改善柵極絕緣層和非晶金屬氧化物IGZO形成的界面。柵極絕緣層表面粗糙度越低，表面的缺陷態(tài)越少，成膜的質(zhì)量越高，TFT的性能越好； 3）提高非晶金屬氧化物IGZO鈍化層性質(zhì)。53.正確答案:ELA技術(shù)的缺點(diǎn)是： 1）激光器昂貴、光學(xué)和機(jī)械系統(tǒng)復(fù)雜，制作成本高； 2）由于激光尺寸的限制，非晶硅薄膜按區(qū)域順序晶化，不可避免地在兩個(gè)晶化區(qū)域之間有一個(gè)晶化程度不同的接縫，載流子遷移率不同，TFT特性不勻均； 3）不均勻性隨著驅(qū)動基板尺寸的增大而放大，制作大尺寸面板難度大，大型化困難。 解決方案：1）通過增加冗余驅(qū)動電路的方法有望解決TFT特性不均勻的現(xiàn)象，應(yīng)用到大尺寸的OLED面板中。 2）采用相鄰像素TFT驅(qū)動電路的方法，避開了使用激光束掃描范圍重疊部分的TFT驅(qū)動技術(shù)。54.正確答案:制作過程為： 1）光刻刻蝕柵極，保留柵極上面的光刻膠； 2）利用帶著光刻膠的柵極圖形做掩膜對源區(qū)和漏區(qū)的低溫多晶硅進(jìn)行自對準(zhǔn)重?fù)诫s； 3）在光刻膠的保護(hù)下對柵極進(jìn)行再刻蝕。柵極金屬的側(cè)面沒有保護(hù)會有一定程度的刻蝕稱為側(cè)蝕，從左右兩側(cè)開始側(cè)蝕，柵極圖形變小，小于溝道的低溫多晶硅區(qū)，形成源區(qū)、漏區(qū)附近的一段沒有重?fù)诫s的Los區(qū)域，阻抗很高，可以減小關(guān)態(tài)電流，但開態(tài)電流也跟著減小。55.正確答案:3T1C驅(qū)動電路3個(gè)TFT的作用分別是： 1）T1是開關(guān)TFT，當(dāng)某一行被選通后，負(fù)責(zé)將信號電壓寫入像素電路； 2）T2是開關(guān)TFT，在檢測T3閾值電壓時(shí)，負(fù)責(zé)將T3的柵極跟漏極短路，形成二極管接法。 3）T3是驅(qū)動TFT，工作在飽和區(qū)，根據(jù)所給的信號電壓控制流過OLED電流的大小，實(shí)現(xiàn)像素發(fā)光顯示。 6T1C驅(qū)動電路每個(gè)TFT的作用是： 1）T1是開關(guān)TFT，像素選擇后，將信號電壓寫入像素； 2）T2是短路TFT，在探測TFT的閾值電壓VTH時(shí)，將T6的柵極跟漏極短路，形成二極管接法； 3）T3短路TFT，在探測TFT的閾值電壓VTH時(shí)，避免Cs讀取到信號電壓； 4）T4是開關(guān)TFT，用于決定是否有電流流過OLED，控制OLED的發(fā)光； 5）T5是短路TFT，避免在發(fā)光時(shí)，下一幀的信號電壓影響流過OLED的電流； 6）T6是驅(qū)動TFT，根據(jù)所給的電壓來控制流過OLED電流的大小，工作在飽和區(qū)。56.正確答案:P.ECVD設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)： 1）可以大面積均勻成膜、生長性好、能在較低的溫度下形成致密的薄膜； 2）可防止熱產(chǎn)生的損傷及相互材料的擴(kuò)散； 3）可生長需要低溫成膜及及反應(yīng)速度慢的薄膜； 4）設(shè)備內(nèi)的平行電極方便實(shí)現(xiàn)大面積化。57.正確答案:電導(dǎo)率反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電能力的物理量，由載流子密度和遷移率來決定，空穴和電子的電導(dǎo)率可以表示為： 要制作出高性能的薄膜晶體管需要制作高遷移率的器件，可以獲得高的開態(tài)電流。提高載流子濃度不行，因?yàn)檩d流子濃度提高了，關(guān)態(tài)的暗電導(dǎo)也會增加，關(guān)態(tài)電流也會增大。58.正確答案:1）減少LED背光源顆粒； 2）廉價(jià)直下式LED背光源。59.正確答案:微腔結(jié)構(gòu)是指至少存在一維尺寸與光波波長相當(dāng)?shù)奈⑿凸鈱W(xué)諧振腔，又稱為法布里-珀羅諧振腔。當(dāng)光子從發(fā)光層發(fā)出后，會在兩電極間反復(fù)反射，一部分光被消弱，一部分特定波長的光在某一方向受到增強(qiáng)，這個(gè)特定波長的光稱為微腔的光學(xué)諧振波。波長由微腔的光學(xué)長度（L）決定，并與每層材料的厚度和折射率有關(guān)。 波長由微腔的光學(xué)長度（L）決定。設(shè)計(jì)為半波長的整數(shù)倍，滿足諧振條件。 60.正確答案:61.正確答案:PVA技術(shù)屬于常黑模式的液晶顯示器，不加電場下，屏幕為黑色。在生產(chǎn)制作中，如果有一個(gè)TFT壞點(diǎn)，也同樣不會產(chǎn)生“亮點(diǎn)”，大大降低了液晶顯示器面板出現(xiàn)“亮點(diǎn)”的可能性。 MVA技術(shù)、VA技術(shù)等。62.正確答案:從組成和產(chǎn)生液晶態(tài)的物理?xiàng)l件看，液晶可以分為熱致液晶和溶致液晶兩大類。按照剛性中心部分的形狀可以把液晶分成兩種類型：細(xì)長棒狀和扁平盤狀。63.正確答案:當(dāng)對鐵電液晶的液晶屏加上直流電壓時(shí)，自發(fā)極化的偶極矩與電場相互作用，使液晶分子自極化方向指向電場方向，螺距變長。當(dāng)電場超過一定值時(shí)，螺旋結(jié)構(gòu)消失。當(dāng)電場方向反向時(shí)，分子的極化方向也反向，液晶分子相對于層面法線的傾斜角也從θ變成-θ，即在基板面內(nèi)變化了角度2θ。在E＜-Ec時(shí)，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，到上偏振片，與上偏振片光軸垂直，不能透光為暗態(tài)；當(dāng)E＞+Ec時(shí)，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，剛好扭曲了2θ，與上偏振片光軸幾乎平常，光透過為亮態(tài)。64.正確答案:1）無源矩陣驅(qū)動方式導(dǎo)致在相同行或列上的像素會被同一電極線上電壓影響： 2）液晶顯示像素是一個(gè)無極性電容，具有雙向?qū)ㄐ缘奶匦浴Ｒ壕Р牧系碾娙軨性質(zhì)以及電極線的電阻R性質(zhì)是引起交叉串?dāng)_的另一個(gè)原因。65.正確答案:66.正確答案:動態(tài)散射效應(yīng)顯示原理：在液晶材料上施加電場，外加電場直接對液晶分子作用，使液晶分子長軸按照電場相應(yīng)地排列，如n型液晶垂直電場方向有序排列；液晶中微量雜質(zhì)的帶電粒子受電場作用后分別向兩極移動，使離子所過之處液晶分子受到離子沖擊而轉(zhuǎn)動，破壞液晶分子的有序排列；電場繼續(xù)增加，液晶分子處于不斷搖擺狀態(tài)，發(fā)生紊亂，造成液晶屏各部分折射率分布的不均勻。有光通過液晶屏，入射光會被散射掉。67.正確答案:1）OLED發(fā)光層較輕，基層可使用較柔韌的材料而不必使用剛性材料； 2）柔性O(shè)LED對比度高，相比LED更明亮。OLED有機(jī)層要比LED的無機(jī)晶體層薄很多，而LED一般需要玻璃作為基板而導(dǎo)致一部分光線被玻璃吸收； 3）OLED不需要背光系統(tǒng)，耗電量??； 4）OLED的視角范圍廣，視域大，更適合作為顯示設(shè)備。68.正確答案:以p型液晶的IPS技術(shù)為例。在未加電壓下，入射光通過上偏振片的線性偏振光在液晶屏內(nèi)從上到下旋轉(zhuǎn)90°后，到下偏振片時(shí)，正好與偏振片的光軸方向垂直，不透光，呈現(xiàn)黑態(tài)（或關(guān)態(tài)）。在電極之間施加一個(gè)足夠的電壓，會相應(yīng)的產(chǎn)生一個(gè)電場E，使液晶分子重新排列后，沿電場方向排列，透過上偏振片的線偏振光經(jīng)過液晶分子到下偏振片后，與下偏振片的光軸平行，透光，呈現(xiàn)亮態(tài)（或開態(tài)）。69.正確答案:PLED的發(fā)光原理是從陰極和陽極注入的電子和空穴在電場作用下沿聚合物分子鏈相向運(yùn)動。當(dāng)電子和空穴相遇時(shí)，受到庫侖力的作用相互吸引。處于同一分子鏈時(shí)，電子和空穴形成激子，激子復(fù)合時(shí)發(fā)射光；處于相鄰分子鏈時(shí)，形成電子-空穴對，電子-空穴對的束縛能比激子的束縛能低，比較容易分離形成自由的電子和空穴，也可以發(fā)生電子或者空穴的分子鏈間的跳躍轉(zhuǎn)換成激子。70.正確答案:激光顯示可以分為三類：激光陰極射線管顯示、激光光閥顯示和直觀式電視激光顯示。 激光陰極射線管顯示原理是利用半導(dǎo)體激光器形成激光面板，代替陰極射線管顯像管的熒光屏。當(dāng)電子槍發(fā)出電子束，電子束在聚焦線圈和偏轉(zhuǎn)線圈的調(diào)制下，轟擊到激光面板上，內(nèi)含的半導(dǎo)體材料發(fā)生受激輻射產(chǎn)生激光。電子束從上到下、從左到右掃描后顯示出由激光組成的畫面。71.正確答案:1）高遷移率； 2）容易p型和n型摻雜； 3）自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)； 4）抗光干擾能力強(qiáng)； 5）抗電磁干擾能力強(qiáng)。72.正確答案:所謂電子發(fā)射是指電子從陰極逸出進(jìn)入真空或其它氣體媒質(zhì)中的過程。 表面勢壘：克服阻礙其逸出物體表面的力。 電子發(fā)射按照其獲得外加能量的方式，即電子的受激發(fā)方式分為以下四種：熱電子發(fā)射，光電子發(fā)射，次級電子發(fā)射及場致電子發(fā)射。 1.熱電子發(fā)射：增加發(fā)射體內(nèi)部電子的能量使其獲得超過表面勢壘的能量的電子發(fā)射 2.光電子發(fā)射：即外光電效應(yīng)，電子靠光輻射吸收光量子能量而逸出物體產(chǎn)生的發(fā)射； 3.次級電子發(fā)射：界外獲得能量的電子穿入物體內(nèi)部，把能量傳遞給物體內(nèi)部的電子，使之逸出的發(fā)射方式； 4.場致電子發(fā)射：也稱冷發(fā)射，在物體表面外加電場降低表面勢壘而得到的電子發(fā)射。73.正確答案:FED顯示結(jié)構(gòu)：由陽極基板與陰極基板構(gòu)成。陽極基板上為紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉條，為了保證色純，三基色之間由黑矩陣隔開，陽極采用通明的氧化物導(dǎo)電層；陰極基板由行列尋址的尖錐陣列和柵極構(gòu)成，柵極制作成孔狀。兩基板之間充有隔墊物，用來抵抗大氣壓力。在基板之間用低熔點(diǎn)玻璃膠封住。為了維持器件中的真空度，器件中應(yīng)放置合適的消氣劑。 FED顯示原理： 1）在尖錐陰極與柵極之間加低電壓，小于100V，實(shí)現(xiàn)對陰極發(fā)射電子的調(diào)制； 2）由于電極的間距很小，在尖錐陰極的尖端會產(chǎn)生很強(qiáng)的電場。電子在強(qiáng)電場下由于隧道效應(yīng)從金屬內(nèi)部穿出進(jìn)入真空中； 3）在上基板的陽極上加10000V的高電壓，電子加速獲得能量轟擊陽極基板上的熒光粉，得到高亮度的發(fā)光。74.正確答案:1）液晶顯示器本身不能發(fā)光，是一種被動發(fā)光顯示器。 2）長條棒狀的向列相液晶，具有和晶體類似的雙折射現(xiàn)象； 3）當(dāng)顯示不同灰階施加不同的電壓時(shí)，液晶分子的長軸方向與玻璃基板有不同的角度，不同方向看到的灰階不同； 4）入射的線偏振光，在扭曲的液晶分子作用下產(chǎn)生雙折射，導(dǎo)致通過液晶層的偏振光的光程差不同，引起不同程度的漏光； 5）存在不同程度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。75.正確答案:非晶硅是弱n型半導(dǎo)體。非晶硅能帶中的狀態(tài)可以分為兩種，一種是位于帶頂和帶底附近形成帶尾的狀態(tài)是局域態(tài)；另一種是位于能帶中部的態(tài)是擴(kuò)展態(tài)。費(fèi)米能級接近禁帶中心線，偏向禁帶中心線之上。76.正確答案:三極型FED中.發(fā)射電子的橫向速度很大，幾乎和縱向速度可以比擬。橫向速度導(dǎo)致電子發(fā)散角大，到達(dá)陽極后的束斑很大，限制了顯示器分辨率的提高。為了達(dá)到一定的分辨率，只有采用鄰近聚焦的方法，即將陽極靠近發(fā)射極。普通的FED中陰極和陽極間距在200-300m之間。為了防止電擊穿，陽極電壓往往在500V以下，因此只能采用低壓熒光粉。由于低壓熒光粉性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低下高壓熒光粉，低壓FED的顯示性能很不理想。 當(dāng)陰極電壓超過5000V時(shí)，可以采用中高壓焚光粉，其亮度效率和色度都可以達(dá)到理想的效果。要解決電擊穿問題，陰陽極間距需要加大到2mm以上。這么大的極間距，電子束發(fā)散問題將非常嚴(yán)重，分辨率會明顯降低。聚焦FED是解決高電壓工作的一種可行結(jié)構(gòu)，除了引出電子的柵極外，增加電子聚焦柵極，減小電子束的發(fā)散度，實(shí)現(xiàn)高陽極電壓工作。結(jié)構(gòu)主要有豎直同軸聚焦型和共面聚焦型。77.正確答案:三極管結(jié)構(gòu)中按柵極位置的不同，可分為前柵型FED、后柵型FED和平面柵型FED。前柵型FED在制造過程中容易破壞場致發(fā)射源，另外器件的均勻性難以保證。后柵型FED是將柵極埋在陰極之下，解決了前柵結(jié)構(gòu)的制作困難問題，但是該結(jié)構(gòu)失去了柵極對陽極的屏蔽作用，因此不能提高陽極電壓，否則會直接使陰極產(chǎn)生場致電子發(fā)射。前柵與后柵場致發(fā)射顯示器都需要制作絕緣層，而大面積的絕緣層制作對設(shè)備及工藝要求很高，且絕緣性能很難保證，故器件成本高，不易實(shí)現(xiàn)大面積顯示。 而平面柵型FED是將陰極與柵極做在同一個(gè)平面上，陰極與柵極中間由微小間隙隔開平行分布。采用普通的光刻工藝一次性就可以在基片上完成陰極與柵極的制作，避免了前柵與后柵結(jié)構(gòu)中絕緣層及上電極的制作，大大降低了工藝的復(fù)雜性及難度。由于制作工藝簡單，制作成本遠(yuǎn)小于前柵和后柵結(jié)構(gòu)，故平面柵型場致發(fā)射顯示板更易大面積化和實(shí)用化。78.正確答案:液晶單元是容性負(fù)載，是無極性的，即正壓和負(fù)壓的作用效果是一樣的。在液晶顯示器的多路驅(qū)動中，當(dāng)一個(gè)像素上施加電壓時(shí)，附近未被選中的像素上也會有一定電壓。當(dāng)所施加的電壓大于閾值電壓較多，而液晶顯示器的電光曲線又不夠陡時(shí)，附近未被選中的像素也會部分呈現(xiàn)顯示狀態(tài)，這就是液晶顯示器在無源多路驅(qū)動時(shí)固有的交叉效應(yīng)。 克服交叉效應(yīng)的方法： （1）平均電壓法：將半選擇點(diǎn)上的電壓和非選擇點(diǎn)上的電壓平均化。 （2）最佳偏壓法：增加選擇點(diǎn)與半選擇點(diǎn)間的電壓差。 （3）有源電路驅(qū)動：使每個(gè)象素獨(dú)立驅(qū)動。79.正確答案:ODF工藝是用液晶滴下機(jī)滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過高精度的對位后貼合在一起，再經(jīng)過UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術(shù)形成液晶屏。80.正確答案:擇發(fā)光二極管顯示器。因?yàn)榘l(fā)光二極管顯示器是采用無數(shù)個(gè)小發(fā)光二極管拼接組成的顯示器。不受組裝數(shù)量的限制，適合于大型、戶外顯。81.正確答案:1）當(dāng)在下電極板上施加一個(gè)正電場時(shí)，微膠囊內(nèi)的帶電微粒受到電場的作用，帶正電的白色微粒向上移動到微膠囊的頂部，顯示白色；帶負(fù)電黑色微粒在電場作用下向微膠囊底部移動，使人觀察不到黑色。 2）當(dāng)在下電極板上施加一個(gè)負(fù)電場時(shí)，微膠囊內(nèi)帶正電的白色微粒向下運(yùn)動到底部，白色消失，而帶負(fù)電黑色微粒向上運(yùn)動到微膠囊頂部，顯示黑色。 3）當(dāng)一個(gè)微膠囊施加適當(dāng)?shù)恼妶龊拓?fù)電場時(shí)，就可以顯示多級灰度。改變電場就可以顯示出相應(yīng)的文字或圖像。82.正確答案:薄膜的沉積原理包括三個(gè)基本的過程： 1）等離子體反應(yīng)，是指等離子體通過與具有能量的電子、離子或者基團(tuán)等粒子碰撞，使通入到反應(yīng)室中的氣體分子分解的過程。其中等離子體包括自由基、原子和分子等中性粒子，以及離子和電子等非中性粒子。 2）輸送粒子到基板表面，等離子體產(chǎn)生的粒子以擴(kuò)散方式或離子加速的形式輸運(yùn)到基板表面。中性粒子受濃度梯度的驅(qū)動以擴(kuò)散方式輸運(yùn)到基板表面，陽離子受等離子和基板間的電位差驅(qū)動而離子加速運(yùn)動到基板表面。 3）在表面發(fā)生反應(yīng)，當(dāng)粒子達(dá)到基板表面時(shí)，通過一系列吸附、遷移、反應(yīng)，以及中間產(chǎn)物的解吸附過程形成要沉積的薄膜。襯底溫度對每一步都是致關(guān)重要的。83.正確答案:1）操作新奇，電容式觸摸屏支持多點(diǎn)觸控，操作更加直觀、更具趣味性； 2）不易誤觸，電容式觸摸屏只感應(yīng)人體的電流，只有人才能進(jìn)行操作，其他物體碰觸時(shí)不會有反應(yīng)，避免了放在包內(nèi)或兜內(nèi)等誤觸的可能。 3）耐用度高，電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)較好，可以有效防止塵埃、污漬對計(jì)算觸點(diǎn)位置的影響，在防塵、防水、耐磨等方面更耐用。84.正確答案:1）液晶填充原理不同。傳統(tǒng)的真空液晶注入方法利用的毛細(xì)現(xiàn)象和內(nèi)外壓力差將液晶注入盒內(nèi)。液晶注入時(shí)間很長，盒厚越窄液晶流動阻力越大注入越困難；而ODF工藝?yán)玫囊壕У翁畛涞姆椒ǎ瑫r(shí)間短、效率高。 2）成盒方式不同。傳統(tǒng)的真空液晶注入，成盒采用熱壓方式，液晶屏受加壓封口的影響大；熱壓時(shí)隔墊物變形量大，高溫下的恢復(fù)率低，對玻璃基板的反作用力小。ODF工藝，真空對盒時(shí)不加熱，液晶屏的壓縮率主要取決于液晶滴的量，隔墊物能夠跟隨著變形，但對玻璃基板的反作用力大。 3）封口和再取向。傳統(tǒng)的液晶注入方式，注入后必須要進(jìn)行封口，才能把液晶密封在液晶屏內(nèi)；而ODF方式的液晶滴下方式不需要注入口，對邊框膠熱壓直接把液晶密封在液晶屏內(nèi)。傳統(tǒng)的液晶注入方式，為達(dá)到再取向的目的往往在封口后，再放入加溫箱內(nèi)再取向；而ODF方式的液晶滴下方式，邊框膠熱固化過程同時(shí)起到了再取向的作用。85.正確答案:PI印刷后溶劑尚未揮發(fā)完全，PI的分子仍是聚酰亞胺酸。經(jīng)預(yù)固化均勻地?fù)]發(fā)薄膜內(nèi)的部分溶劑，聚酰亞胺酸轉(zhuǎn)變?yōu)榫埘啺繁∧ぁ＝?jīng)主固化完全轉(zhuǎn)變?yōu)榫埘啺繁∧ぁ?6.正確答案:87.正確答案:背曝光是一種自對準(zhǔn)的光刻工藝，不需要掩膜版，利用柵線和柵極的金屬圖形做掩膜進(jìn)行曝光的工藝。柵線、柵極、存儲電容等有金屬薄膜的地方上面的光刻膠都沒有曝光，其他沒有遮擋的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻膠的性質(zhì)發(fā)生改變。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把柵線和存儲電容上面的光刻膠被一次曝光的紫外光照射到，留下阻擋層圖像。 為了形成精確對準(zhǔn)且能夠恰好在柵極上面的i/sSiNx阻擋層小圖形，采用連續(xù)兩次曝光，先背面曝光再一次曝光相結(jié)合的光刻工藝。僅采用一次曝光，對版精度和圖形的大小都要受到限制，工藝難度大。88.正確答案:STN型液晶顯示器基板表面的液晶分子與偏振片光軸方向不同。入射光側(cè)液晶分子長軸方向與上偏振片的光軸旋轉(zhuǎn)30°（β），而出射光側(cè)的液晶分子長軸方向與下偏振片的光軸旋轉(zhuǎn)60°（γ）。在液晶中傳播速度的不同，光通過下偏振片時(shí)相互發(fā)生干涉。不加電壓時(shí)，在液晶分子旋光和光的雙折射共同作用下透光，呈現(xiàn)黃色；加上一定的電壓，液晶分子沿電場方向排列，從上偏振片透過的光，穿過液晶分子后到下偏振片，由于與下偏振片光軸垂直，不透光，呈現(xiàn)黑色。因此，STN型顯示本身能顯示顏色。89.正確答案:1）材料廣泛； 2）能耗低； 3）成本低； 4）厚度薄，重量輕； 5）響應(yīng)速度快； 6）可實(shí)現(xiàn)柔性顯示。90.正確答案:1）電場不同，IPS技術(shù)中一個(gè)電極是金屬電極，另一個(gè)電極是ITO像素電極，電極間距大。在FFS技術(shù)中兩個(gè)電極都是透明的ITO電極，電極間距?。?2）存儲電容面積不同，IPS技術(shù)用ITO的像素電極和金屬材料為條形結(jié)構(gòu)，存儲電容面積小。FFS技術(shù)第一層ITO的共用電極制作成矩形，第二層像素電極ITO制作成長條形，存儲電容面積大。91.正確答案:92.正確答案:非晶硅材料的特點(diǎn)決定了非晶硅在載流子導(dǎo)電上與單晶硅不同。 1）非晶硅中費(fèi)米能級通常是“釘扎”在帶隙中，不隨摻雜而變化，也基本上不隨溫度變化； 2）非晶硅的遷移率比單晶硅低2~3個(gè)數(shù)量級； 3）非晶硅在氫化后，禁帶寬度將隨著氫化程度的不同可在1.2~1.8eV之間變化，而單晶硅具有確定的禁帶寬度； 4）非晶硅存在擴(kuò)展態(tài)、帶尾局域態(tài)、帶隙中的缺陷態(tài)，這些狀態(tài)中的電子都可能對導(dǎo)電有貢獻(xiàn)； 5）非晶硅的光吸收邊有很長的拖尾，而單晶硅的光吸收邊很陡。93.正確答案:在FFS技術(shù)中兩個(gè)電極都是透明的ITO電極，電極間距小。電極間的距離L小于液晶屏的盒厚d和電極寬度w。加電壓時(shí)整個(gè)液晶屏內(nèi)的電場線呈拋物線形狀。電極上方有電場的水平分量，又有電場的垂直分量，液晶分子也可以旋轉(zhuǎn)，從而增大了開口率，提高了液晶屏的透光率。94.正確答案:ACF是各向異性導(dǎo)電膠膜，將ACF粘貼在要導(dǎo)通的電極和電極之間，在適當(dāng)?shù)膲毫Α囟?、時(shí)間下聚合物樹脂開始流動，導(dǎo)電粒子則夾在組件電極與電極之間起導(dǎo)通的作用，相鄰的電極之間無法接觸絕緣不導(dǎo)通。95.正確答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來的CCFL熒光管。結(jié)構(gòu)與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點(diǎn)光源。優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)構(gòu)簡單、亮度可動態(tài)調(diào)節(jié)、容易實(shí)現(xiàn)區(qū)域控制、對比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調(diào)光，在電路結(jié)構(gòu)方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點(diǎn)是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達(dá)到NTSC色域的70%左右。 RGB-L