低溫下PolySi薄膜的ECRPECVD生長(zhǎng)及特性研究的任務(wù)書

低溫下PolySi薄膜的ECRPECVD生長(zhǎng)及特性研究的任務(wù)書任務(wù)書一、研究背景和意義隨著半導(dǎo)體工業(yè)的快速發(fā)展，以及智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，對(duì)高質(zhì)量低溫多晶硅（LowTemperaturePoly-Si，LTPS）薄膜的需求越來(lái)越迫切。LTPS薄膜在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的應(yīng)用主要包括像素、晶體管等，是歐姆型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Thin-FilmTransistors，TFTs）的重要組成部分。因此，LTPS薄膜的生長(zhǎng)和特性研究對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展具有重要意義。目前，ECRPECVD（ElectronCyclotronResonancePlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）技術(shù)被廣泛地應(yīng)用于LTPS薄膜的生長(zhǎng)。通過(guò)使用ECRPECVD技術(shù)，可以在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)多晶硅的生長(zhǎng)，從而降低生產(chǎn)成本并提高生產(chǎn)效率。因此，研究在ECRPECVD條件下生長(zhǎng)LTPS薄膜的特性具有重要的實(shí)際意義和科學(xué)價(jià)值。二、研究?jī)?nèi)容和目標(biāo)本文旨在研究在ECRPECVD條件下生長(zhǎng)LTPS薄膜的特性。具體研究?jī)?nèi)容如下：1.搭建ECRPECVD生長(zhǎng)系統(tǒng)并優(yōu)化生長(zhǎng)條件。2.研究ECRPECVD條件下LTPS薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理。3.探究ECRPECVD條件下LTPS薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌特征。4.分析ECRPECVD條件下LTPS薄膜的電學(xué)特性，包括晶體管特性和電學(xué)穩(wěn)定性。通過(guò)以上研究，旨在實(shí)現(xiàn)以下研究目標(biāo)：1.建立基于ECRPECVD技術(shù)下LTPS薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制。2.探究ECRPECVD條件下LTPS薄膜的顯微結(jié)構(gòu)和表面形貌特征。3.分析ECRPECVD條件下LTPS薄膜的電學(xué)特性，為半導(dǎo)體制造工業(yè)提供參考。三、研究方法和技術(shù)路線本文所采用的研究方法和技術(shù)路線如下：1.搭建ECRPECVD生長(zhǎng)系統(tǒng)并確定生長(zhǎng)條件，例如，氣體流量、壓力和功率密度等參數(shù)。2.采用多種表征手段，例如透射電鏡（TransmissionElectronMicroscopy，TEM）、掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscopy，SEM）等分析生長(zhǎng)的LTPS薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌。3.通過(guò)多種測(cè)試方法，例如電學(xué)測(cè)試、光學(xué)測(cè)試等，對(duì)LTPS薄膜的電學(xué)特性進(jìn)行分析。4.結(jié)合以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果，探究LTPS薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制。四、研究進(jìn)度計(jì)劃階段一（1個(gè)月）：調(diào)研和文獻(xiàn)查閱1.收集有關(guān)ECRPECVD技術(shù)下LTPS薄膜生長(zhǎng)和特性研究的文獻(xiàn)資料。2.對(duì)文獻(xiàn)資料進(jìn)行匯總整理，分析現(xiàn)有研究進(jìn)展，確定研究?jī)?nèi)容和目標(biāo)。階段二（2個(gè)月）：ECRPECVD條件下LTPS薄膜的生長(zhǎng)和表征1.搭建ECRPECVD生長(zhǎng)系統(tǒng)并確定合適的生長(zhǎng)條件。2.生長(zhǎng)LTPS薄膜，并使用多種表征手段，例如TEM和SEM等，對(duì)LTPS薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析。階段三（2個(gè)月）：ECRPECVD條件下LTPS薄膜的電學(xué)特性分析1.進(jìn)行LTPS薄膜電學(xué)特性測(cè)試。2.分析LTPS薄膜的電學(xué)特性，例如晶體管特性和電學(xué)穩(wěn)定性。階段四（1個(gè)月）：數(shù)據(jù)分析和論文撰寫1.對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和總結(jié)。2.完成論文寫作和修改工作。五、參考文獻(xiàn)[1]LiuZ,ZhangJ,ZhangR,etal.Investigationofa-Sithinfilmtransistorcharacteristicswithelectroncyclotronresonanceplasma-enhancedchemicalvapordepositionforflexibledisplayapplications[J].AppliedPhysicsExpress,2019,12(7):076506.[2]HoCH,ChenYS,HuangHJ.Effectsofelectron-cyclotron-resonanceplasma-assistedinsituannealingongrowthandopticalpropertiesofpolycrystallinesiliconthinfilms[J].Vacuum,2015,121:197-201.[3]HashimotoM,OkamotoY,MatsuoM,etal.Improvementofcharacteristicsofthin-filmtransistorsusinglow-temperaturepolycrystall