GB/T 35307-2023流化床法顆粒硅

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T35307—2023

代替GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T35307—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替流化床法顆粒硅與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編

GB/T35307—2017《》,GB/T35307—2017,

輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20171);

更改了顆粒硅的牌號表示方法見第章年版的

b)(4,20174.1);

更改了顆粒硅的技術(shù)指標要求見年版的

c)(5.1,20174.2);

更改了特級品顆粒硅的粒徑要求見年版的

d)(5.2.1,20174.3.1);

更改了顆粒硅的表面質(zhì)量要求見年版的

e)(5.3,20174.4);

更改了顆粒硅碳含量的測試方法見年版的

f)(6.3,20175.3);

更改了顆粒硅氫含量的測試方法見年版的

g)(6.4,20175.4);

更改了顆粒硅粒徑的測試方法見年版的

h)(6.6,20175.6);

更改了取樣方法見年版的

i)(7.4.1,20176.4.1)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司有色

:、、

金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責任公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司上海賽夫特半

、、

導體材料有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司樂山協(xié)鑫新能源科技有限公司宜昌南玻硅材料有

、()、、

限公司

。

本文件主要起草人朱共山蘭天石蔣立民賀東江王彬李素青徐夢徐巖李朋飛劉輝付緒光

:、、、、、、、、、、、

秦榕劉曉霞宗冰王永亮謝巖田洪先劉文明

、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2017,。

Ⅰ

GB/T35307—2023

流化床法顆粒硅

1范圍

本文件規(guī)定了流化床法顆粒硅的牌號技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存和隨

、、、、、、、

行文件及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于以氯硅烷硅烷氣為原料采用流化床法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅以下簡稱顆粒硅

、,()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

粒度分析圖像分析法第部分動態(tài)圖像分析法

GB/T21649.22:

硅單晶中族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T31854

硅單晶中碳氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T35306、

用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規(guī)程

GB/T35309

流化床法顆粒硅氫含量的測定脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法

GB/T40566

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號

顆粒硅的牌號表示應(yīng)符合