標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 35307-2017 流化床法顆粒硅》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)通過(guò)流化床法制備的顆粒硅產(chǎn)品進(jìn)行了規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)定義了流化床法生產(chǎn)的顆粒硅的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的要求。

在技術(shù)要求部分，明確了顆粒硅產(chǎn)品的化學(xué)純度、物理形態(tài)等關(guān)鍵指標(biāo)的具體數(shù)值或范圍，比如金屬雜質(zhì)含量不得超過(guò)某一限值，非金屬雜質(zhì)同樣有嚴(yán)格控制標(biāo)準(zhǔn)；對(duì)于顆粒大小分布也有明確的規(guī)定，以確保其適用于不同領(lǐng)域的需求。

試驗(yàn)方法章節(jié)則提供了測(cè)定上述各項(xiàng)性能參數(shù)的方法與步驟，包括但不限于采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES）來(lái)檢測(cè)金屬元素含量、使用激光粒度分析儀測(cè)量粒徑分布等科學(xué)手段，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

檢驗(yàn)規(guī)則部分規(guī)定了產(chǎn)品出廠前必須經(jīng)過(guò)的質(zhì)量檢查程序，涵蓋抽樣方案、判定準(zhǔn)則等內(nèi)容，并指出當(dāng)供需雙方對(duì)質(zhì)量產(chǎn)生爭(zhēng)議時(shí)應(yīng)如何處理。


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....

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  • 2017-12-29 頒布
  • 2018-07-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

流化床法顆粒硅

GB/T35307—2017

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201712

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-58578

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T35307—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海有限

:、、()

公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有研半導(dǎo)體材料有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司陜西

、、、、

天宏硅材料有限責(zé)任公司青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉曉霞蔣立民付治棟魯文鋒賀東江李明峰李咸江銀波宗冰程鳳伶

:、、、、、、、、、、

夏進(jìn)京張雪囡尹敏秦榕

、、、。

Ⅰ

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了流化床法生產(chǎn)的顆粒硅的術(shù)語(yǔ)和定義要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)

、、、、、

輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單或合同內(nèi)容

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以硅烷氣為原料采用流化床法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅產(chǎn)品

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T31854

用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程

GB/T35309

粒度分析圖像分析法第部分動(dòng)態(tài)圖像分析方法

ISO13322.2-2:(Particalsizeanalysis-Image

analysismethods—Part2:Dynamicimageanalysismethods)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號(hào)

.

顆粒硅的牌號(hào)表示按的規(guī)定可表示為

GB/T14844,:

-PSi-G--

表示用途表示電子級(jí)表示太陽(yáng)能級(jí)

,E,S

顆粒硅等級(jí)特級(jí)用表示其他用阿拉伯?dāng)?shù)字表示

,“T”,

表示顆粒狀

表示多晶硅

表示生產(chǎn)方法表示硅烷法

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