標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 5594.4-2015《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法 第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試方法》相較于GB/T 5594.4-1985《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法 介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法》,在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新與補(bǔ)充。具體變更包括:
首先,在標(biāo)準(zhǔn)名稱上,2015版將測(cè)試對(duì)象從僅針對(duì)“介質(zhì)損耗角正切值”擴(kuò)展到了同時(shí)包含“介電常數(shù)”,使得該標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍更加廣泛。
其次,對(duì)于測(cè)試方法而言,2015版本引入了更多先進(jìn)的測(cè)量技術(shù),并對(duì)實(shí)驗(yàn)條件、樣品準(zhǔn)備以及數(shù)據(jù)處理等環(huán)節(jié)提出了更為詳細(xì)的要求。例如,增加了使用網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行高頻下介電特性的測(cè)定方法;明確了不同頻率范圍內(nèi)適用的具體測(cè)試儀器類型及其操作步驟;強(qiáng)調(diào)了環(huán)境溫度、濕度控制的重要性,以確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。
此外,新標(biāo)準(zhǔn)還加強(qiáng)了對(duì)不確定度評(píng)估的關(guān)注,要求實(shí)驗(yàn)室在報(bào)告中提供關(guān)于測(cè)量不確定度的信息,這有助于提高測(cè)試數(shù)據(jù)的質(zhì)量和可靠性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實(shí)施
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GB/T 5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31-030
L90
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T55944—2015
代替.
GB/T5594.4—1985
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
性能測(cè)試方法
第4部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角
:
正切值測(cè)試方法
Testmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectronic
comonentanddevice—Part4Testmethodforermittivitand
p:py
dielectriclossangletangentvalue
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T55944—2015
.
前言
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法分為以下部分
GB/T5594《》:
氣密性測(cè)試方法
———(GB/T5594.1);
楊氏彈性模量泊松比測(cè)試方法
———(GB/T5594.2);
第部分平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法
———3:(GB/T5594.3);
第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試方法
———4:(GB/T5594.4);
體積電阻率測(cè)試方法
———(GB/T5594.5);
第部分化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法
———6:(GB/T5594.6);
第部分透液性測(cè)定方法
———7:(GB/T5594.7);
第部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法
———8:(GB/T5594.8);
電擊穿強(qiáng)度測(cè)試方法
———(GB/T5594.9)。
本部分為的第部分
GB/T55944。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分代替電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介電常數(shù)和介質(zhì)損耗
GB/T5594.4—1985《
角正切值的測(cè)試方法
》。
本部分與相比主要有下列變化
GB/T5594.4—1985,:
標(biāo)準(zhǔn)名稱改為電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角
———:“4:
正切值測(cè)試方法
”;
增加了介電常數(shù)測(cè)試和計(jì)算
———4.1;
刪除了原標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試夾具類型示意圖中尖形電極尖對(duì)平板形電極
———:a.;b.。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任
。。
本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口
。
本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京七星飛
:、、
行電子有限公司
。
本部分主要起草人曾桂生李曉英薛曉梅
:、、。
本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T5594.4—1985。
Ⅰ
GB/T55944—2015
.
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
性能測(cè)試方法
第4部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角
:
正切值測(cè)試方法
1范圍
的本部分規(guī)定了裝置零件真空電子器件電阻基體半導(dǎo)體及集成電路基片等用電子
GB/T5594、、、
陶瓷材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法
。
本部分適用于裝置零件真空電子器件電阻基體半導(dǎo)體及集成電路基片等用電子陶瓷材料在頻
、、、
率為溫度從室溫至條件下的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試
1MHz,500℃。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
GB/T5593—2015
電子陶瓷名詞術(shù)語(yǔ)
GB/T9530—1988
3術(shù)語(yǔ)和定義
界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
GB/T9530—1988。
31
.
介電常數(shù)permittivity
ε
反應(yīng)電介質(zhì)介電性質(zhì)的一個(gè)主要參數(shù)由電介質(zhì)構(gòu)成的電容器的電容量與同樣幾何尺寸真空電容
,
器電容量的比值稱為介電常數(shù)ε無(wú)量綱
()。
32
.
介質(zhì)損耗角正切值dielectriclossangletangentvalue
δ
tan
電介質(zhì)在交變電場(chǎng)作用下有功功率與無(wú)功功率的比值是表征介質(zhì)損耗的一個(gè)無(wú)量綱物理量
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