鈣鈦礦光伏靶材行業(yè)市場(chǎng)分析

鈣鈦礦光伏靶材行業(yè)市場(chǎng)分析1、鈣鈦礦強(qiáng)勢(shì)崛起，高效率+低成本引領(lǐng)變革1.1、鈣鈦礦：極具潛力的新一代光伏技術(shù)鈣鈦礦最初指化學(xué)式為CaTiO3的礦物質(zhì)，及擁有CaTiO3結(jié)構(gòu)的金屬氧化物。鈣鈦礦(Perovskite)，是以俄羅斯礦物學(xué)家L.A.Perovski的名字命名的。1839年，L.A.Perovski研究存在于烏拉爾山變質(zhì)巖中的鈦酸鈣(CaTiO3)時(shí)，首次提出了鈣鈦礦這一晶體結(jié)構(gòu)。經(jīng)過多年發(fā)展，鈣鈦礦材料定義演變?yōu)榫邆浠瘜W(xué)通式ABX3的物質(zhì)。其中，A為一價(jià)有機(jī)（甲基銨，MA+或甲脒，F(xiàn)A+）或無機(jī)（Cs+）陽離子，或兩者的混合物；B為Pb2+或Sn2+，或兩者的混合物；X是鹵化物陰離子（I—、Br—或CI—或它們的混合物）。A位陽離子位于中心，B位陽離子和X位鹵化物陰離子形成八面體，占據(jù)體心立方晶格的角位。晶格中的離子半徑?jīng)Q定鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而影響鈣鈦礦材料的電子性質(zhì)和穩(wěn)定性，并決定鈣鈦礦光伏電池的性能和壽命。通過調(diào)控A、B和X位離子的配比可以優(yōu)化電池的性能和穩(wěn)定性。鈣鈦礦材料具備連續(xù)可調(diào)的帶隙范圍，并覆蓋最佳帶隙。光伏電池的工作原理是把入射光子的能量轉(zhuǎn)換為電子，產(chǎn)生電壓、電流和功率輸出。而帶隙就是電子從它的主原子的一個(gè)軌道帶掙脫到軌道帶之外所需的能量，是為電池的電力輸出所提供的能量。帶隙過大，光子將缺乏發(fā)射電子所需的能量，直接穿過太陽能電池，無法產(chǎn)生大量電流；帶隙過小，光子會(huì)釋放電子，但只向每個(gè)電子傳遞少量能量，導(dǎo)致電壓過低。材料帶隙與能量轉(zhuǎn)換效率息息相關(guān)。晶體硅的帶隙約為1.1eV，理論效率為29.3%。而鈣鈦礦具有連續(xù)可調(diào)的帶隙范圍，人工設(shè)計(jì)的鈣鈦礦材料，帶隙可以非常接近于最優(yōu)帶隙（1.4eV），因此單層鈣鈦礦電池的理論效率為33%，雙層鈣鈦礦電池的理論可達(dá)到43%以上。鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）指利用鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料作為吸光材料的太陽能電池。根據(jù)電荷傳輸方向的不同，鈣鈦礦太陽能電池可分為n-i-p型（透明導(dǎo)電電極/n型電子傳輸層/鈣鈦礦吸光層/p型空穴傳輸層/頂電極）和p-i-n型（透明導(dǎo)電電極/p型空穴傳輸層/鈣鈦礦吸光層/n型電子傳輸層/頂電極），其中，n-i-p型電池根據(jù)電子傳輸層結(jié)構(gòu)的不同又可分為介孔結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)。平面p-i-n型結(jié)構(gòu)制備工藝簡(jiǎn)單、成本低，可用于鈣鈦礦疊層器件的制備，且遲滯現(xiàn)象幾乎可以忽略，受到科研關(guān)注，但其最大的問題是效率不高。鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層和頂電極5部分簡(jiǎn)介如下：（1）透明導(dǎo)電基底（TCO玻璃）：傳輸太陽光和載流子，其透光率、表面粗糙度、表面方阻等會(huì)直接影響器件性能。常用的剛性基底為透明導(dǎo)電玻璃摻氟氧化錫（FTO）和氧化銦錫（ITO），柔性基底為ITO/PEN。（2）電子傳輸層（ETL）：抽取和傳輸電子及阻擋空穴。n-i-p型器件結(jié)構(gòu)的電子傳輸材料主要是金屬氧化物（如TiO2、ZnO、Al2O3、SnO2等），p-i-n型器件結(jié)構(gòu)的電子傳輸材料主要是富勒烯及其衍生物。（3）鈣鈦礦活性層：鈣鈦礦太陽能電池的核心層，吸收一定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的太陽光，促進(jìn)光生載流子的解離與輸運(yùn)。鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量會(huì)對(duì)整個(gè)器件的性能起到?jīng)Q定性作用。（4）空穴傳輸層（HTL）：傳輸空穴到接觸電極及阻擋電子的反向傳輸、降低復(fù)合。n-i-p型鈣鈦礦太陽能電池常用的空穴傳輸材料包括有機(jī)小分子，p-i-n型器件中常用的空穴傳輸材料為聚合物及無機(jī)金屬氧化物（NiOx）等。（5）頂電極：材料有金屬（Ag、Au等）和非金屬（碳等）。鈣鈦礦電池將光能轉(zhuǎn)化為電能的原理可簡(jiǎn)化為“光子進(jìn)，電子出”。當(dāng)光子能量高于半導(dǎo)體的能帶間隙時(shí)，半導(dǎo)體材料吸收光子并產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，電子-空穴對(duì)被P-I-N結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)分離成自由移動(dòng)的載流子（電子和空穴）。電子和空穴在電場(chǎng)的作用下分別被電子傳輸層和空穴傳輸層抽取并定向傳輸，電子向陰極移動(dòng)，空穴向陽極移動(dòng)，最終被兩端的電極收集并輸送到外部電路。技術(shù)路線方面，鈣鈦礦單結(jié)電池進(jìn)展較快，已有多家企業(yè)進(jìn)入中試階段。根據(jù)鈣鈦礦光伏電池的結(jié)構(gòu)，可分為三條主流技術(shù)路線：鈣鈦礦單結(jié)電池、四端和兩端鈣鈦礦/晶硅疊層電池。（1）鈣鈦礦單結(jié)電池：國(guó)內(nèi)外已有數(shù)家企業(yè)進(jìn)入中試階段，目前和晶硅組件的效率依舊相差甚遠(yuǎn)。鈣鈦礦組件的造價(jià)未來在大范圍量產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將略低于晶硅組件。由于其目前較低的效率，度電成本未來仍可能高于晶硅組件。但鈣鈦礦單結(jié)組件可以切入細(xì)分的領(lǐng)域，例如BIPV、柔性組件或者空間應(yīng)用。（2）四端鈣鈦礦/晶硅疊層電池：疊層太陽能電池技術(shù)旨在突破單結(jié)太陽能電池的Shockley–Queisser極限（例如晶硅的理論極限小于30%），在高效轉(zhuǎn)換光子能量的基礎(chǔ)上將理論極限推至40%以上。四端疊層將晶硅和鈣鈦礦電池分開制備，僅在組件端進(jìn)行整合。目前產(chǎn)業(yè)界僅有試驗(yàn)性的嘗試。（3）兩端鈣鈦礦/晶硅疊層電池：和四端疊層電池相比，兩端疊層電池在成本上的優(yōu)勢(shì)更明顯，首先可以減少一層透明導(dǎo)電電極的制備，其次良品率由于單片電池面積的減小而大幅上升，同時(shí)兩端疊層的理論極限上限相對(duì)更高。雖然疊層組件制備成本比晶硅組件略高，但由于其更高的能量轉(zhuǎn)換效率，度電成本會(huì)更低。目前產(chǎn)業(yè)界有英國(guó)的牛津光伏進(jìn)入中試階段。目前，鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化發(fā)展也面臨著一些難點(diǎn)。主要分三方面：大面積制備、穩(wěn)定性、環(huán)保。（1）大面積制備問題。轉(zhuǎn)換效率較高的鈣鈦礦電池其尺寸均為實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，未達(dá)到商業(yè)化尺寸。目前較難生產(chǎn)薄且均勻的大面積鈣鈦礦層，一旦電池尺寸增大，光電轉(zhuǎn)換效率隨之下降。（2）穩(wěn)定性問題。潮濕環(huán)境（包括晝夜溫差造成的水蒸氣）、氧氣氧化、光輻照、紫外線等都會(huì)對(duì)電池穩(wěn)定性產(chǎn)生顯著影響。目前，鈣鈦礦電池持續(xù)光照實(shí)驗(yàn)最長(zhǎng)達(dá)10000h，若按全天平均日照時(shí)長(zhǎng)4h計(jì)算，理論壽命只有6.8年。考慮到實(shí)際日照時(shí)間多于4h及其他日常損耗，正常壽命將會(huì)小于6.8年，與晶硅電池的理論壽命25年比差距較大。（3）環(huán)保問題。目前高性能鈣鈦礦大多以鉛作為原料，并且制備過程中常用的一些溶劑和反溶劑（如氯苯、DMF、DMSO等）具有毒性，會(huì)對(duì)環(huán)境造成危害，不符合綠色可持續(xù)發(fā)展的長(zhǎng)期目標(biāo)。1.2.1、光電轉(zhuǎn)換效率：相對(duì)晶硅光伏，具備更高天花板鈣鈦礦光伏是第三代光伏技術(shù)的代表之一。光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，其技術(shù)路線可分為三代。第一代是以單晶硅、多晶硅為代表的晶硅光伏。第二代是以非晶硅、碲化鎘（CdTe）、銅銦鎵硒（CIGS）和砷化鎵（GaAs）為代表的薄膜光伏。而第三代則是以染料敏化太陽能電池（DSSCs）、有機(jī)光伏（OPV）、量子點(diǎn)太陽能電池（QDSCs）和鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）等為代表的新興光伏技術(shù)。這些新興技術(shù)尚未大批量進(jìn)入市場(chǎng)，但因低成本、低能耗、質(zhì)輕和制造靈活等優(yōu)點(diǎn)廣受關(guān)注。鈣鈦礦光伏電池的實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率在10年間快速追趕晶硅光伏電池。目前光伏電池技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的是第一代晶硅電池。而鈣鈦礦光伏電池則憑借優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率，在第三代太陽能電池中脫穎而出。鈣鈦礦光伏電池的實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率從2009年的3.8%提高至2021年的25.7%，而這一進(jìn)程晶硅光伏電池花費(fèi)了四五十年。鈣鈦礦電池的理論轉(zhuǎn)換效率天花板相對(duì)晶硅電池較高，未來提升潛力大。目前，主流光伏晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率已接近天花板，晶硅組件的實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率為26.7%，量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率約為23-25%，理論轉(zhuǎn)換效率上限為29.3%；而鈣鈦礦單結(jié)電池的實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)化效率為25.7%，理論轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到33%，鈣鈦礦疊層電池的理論轉(zhuǎn)換效率更達(dá)到45%，具有較高的天花板。預(yù)計(jì)未來伴隨鈣鈦礦技術(shù)的逐步成熟，鈣鈦礦電池的光電轉(zhuǎn)換效率具備較高的提升空間。1.2.2、成本端：產(chǎn)業(yè)鏈顯著縮短，規(guī)?；当拘?yīng)顯著鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)鏈較晶硅光伏顯著縮短，原材料到組件僅需45分鐘。據(jù)協(xié)鑫納米，100兆瓦的鈣鈦礦單一工廠，從玻璃、膠膜、靶材、化工原料進(jìn)入，到組件成型，總共只需45分鐘。而對(duì)于晶硅來說，硅料、硅片、電池、組件需要四個(gè)以上不同工廠生產(chǎn)加工，一片組件完工大概需要三天以上的時(shí)間，用時(shí)差異大。從原材料視角，鈣鈦礦原材料豐富、材料用量少、純度要求低。相比于晶硅問世至今材料未發(fā)生變化，鈣鈦礦的材料可以不斷迭代。鈣鈦礦是直接帶隙材料，吸光能力遠(yuǎn)高于晶硅，晶硅組件中硅片厚度通常為180微米，而鈣鈦礦組件中鈣鈦礦層厚度大概是0.3微米，存在三個(gè)數(shù)量級(jí)的差異，因此，相比于全球每年大概50萬噸的硅料產(chǎn)量，鈣鈦礦僅需大概1000噸即可滿足需求。純度要求方面，相比于硅料99.9999%的純度要求，鈣鈦礦僅需95%即可滿足使用要求。鈣鈦礦在產(chǎn)能投資、單瓦能耗等方面均具有優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)能投資方面，晶硅光伏的硅料、硅片、設(shè)備、組件加起來，約在10億元/GW，而鈣鈦礦光伏的產(chǎn)能投資，在達(dá)到一定成熟度后，約為5億元/GW，是晶硅光伏的1/2。單瓦能耗方面，晶硅光伏的最高工藝溫度在1500度以上，而鈣鈦礦光伏的最高工藝溫度在150度左右，因此，鈣鈦礦組件的制造能耗顯著低于晶硅組件制造能耗，單晶硅光伏組件的能耗約是1.52KWh/W，而鈣鈦礦組件能耗僅為0.12KWh/W，約為晶硅組件制造能耗的1/10。鈣鈦礦電池產(chǎn)線建設(shè)具備規(guī)?；当緝?yōu)勢(shì)。鈣鈦礦不同規(guī)模產(chǎn)能的成本差異較大，隨著產(chǎn)線產(chǎn)能的提高，平均建設(shè)成本將顯著降低。以纖納光電為例，其目前運(yùn)行的20MW產(chǎn)線投資額為5050萬元，新建的100MW產(chǎn)線投資額為1.21億元，產(chǎn)能提升至原先5倍，投資額僅提升至原投資額的2.4倍，產(chǎn)線建設(shè)總成本具備顯著的規(guī)?；当拘?yīng)。1.3、政策推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化，多家公司陸續(xù)布局鈣鈦礦產(chǎn)能國(guó)家出臺(tái)多項(xiàng)政策推動(dòng)鈣鈦礦光伏的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。2021年11月，《“十四五”能源領(lǐng)域科技創(chuàng)新規(guī)劃》將“研發(fā)大面積、高效率、高穩(wěn)定性、環(huán)境友好型的鈣鈦礦電池，開展晶體硅/鈣鈦礦、鈣鈦礦/鈣鈦礦等高效疊層電池制備及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研究”列入重點(diǎn)任務(wù)之一。2022年6月，《科技支撐碳達(dá)峰碳中和實(shí)施方案（2022—2030年）》提出堅(jiān)持研發(fā)高效穩(wěn)定鈣鈦礦電池等技術(shù)。2023年1月，《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見》提出推動(dòng)鈣鈦礦及疊層電池等先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)應(yīng)用，提升規(guī)?；慨a(chǎn)能力。多家企業(yè)發(fā)力布局鈣鈦礦產(chǎn)能建設(shè)。目前，鈣鈦礦產(chǎn)能規(guī)劃活躍，參與者多為未上市公司，上市公司中，也有協(xié)鑫科技、奧聯(lián)電子、杭蕭鋼構(gòu)等旗下公司（分別為協(xié)鑫光電、奧聯(lián)光能、合特光電）進(jìn)行積極布局。目前，協(xié)鑫光電已建成全球首條100MW量產(chǎn)線，組件尺寸1m×2m。當(dāng)前產(chǎn)線處于工藝開發(fā)和設(shè)備改造階段，下線組件效率已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步提升，預(yù)計(jì)2023年底實(shí)現(xiàn)18%以上的轉(zhuǎn)化效率，有望成為全球首條跑通量產(chǎn)的100MW產(chǎn)線；纖納光電多次蟬聯(lián)鈣鈦礦小組件世界效率紀(jì)錄榜首；極電光能150MW試驗(yàn)線已開始投產(chǎn)，是目前全球已投產(chǎn)且產(chǎn)能最大的鈣鈦礦光伏生產(chǎn)線。據(jù)我們不完全統(tǒng)計(jì)，截至2023年2月，現(xiàn)有企業(yè)規(guī)劃的鈣鈦礦總產(chǎn)能已達(dá)28GW，2023年鈣鈦礦產(chǎn)能有望落地880MW，2024年有望落地超3GW。2、靶材：鈣鈦礦靶材占比提升，國(guó)產(chǎn)化價(jià)值凸顯2.1、靶材：泛半導(dǎo)體領(lǐng)域制備功能薄膜的核心原材料靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等領(lǐng)域制備功能薄膜的核心原材料，具備十分重要的作用。靶材，又稱“濺射靶材”，是在濺射過程中被高速金屬等離子體流轟擊的目標(biāo)材料，純度為99.95%以上，更換不同靶材可得到不同的膜系，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電或阻擋等功能。濺射工藝原理介紹：一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。面板及光伏領(lǐng)域的靶材，對(duì)比半導(dǎo)體有不同的高標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。而對(duì)比半導(dǎo)體芯片，面板及光伏領(lǐng)域?qū)τ跒R射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，面板及光伏對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。2.2、鈣鈦礦電池中靶材成本占比顯著提升，價(jià)值凸顯鈣鈦礦光伏成本中靶材成本占比顯著提升，協(xié)鑫光電100MW項(xiàng)目中靶材成本占比高達(dá)37.2%。在新一代晶硅光伏技術(shù)中，HJT技術(shù)路線因?qū)щ娦詥栴}，新引入了透明導(dǎo)電薄膜（TCO），TCO膜的制備通常使用ITO（氧化銦錫），需要使用稀有金屬銦，而銦是伴生礦，產(chǎn)量彈性小、價(jià)格高，因此HJT技術(shù)路線在晶硅光伏中靶材成本占比相對(duì)較高。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018年，HJT電池成本構(gòu)成中，靶材成本占比約為4%。然而，相較晶硅技術(shù)路線，鈣鈦礦技術(shù)路線因無硅料成本，且生產(chǎn)溫度低、能耗成本下降等因素，靶材成本占比進(jìn)一步大幅提升。根據(jù)協(xié)鑫納米公布的其100MV鈣鈦礦組件成本構(gòu)成，總成本約為0.94元/W，其中靶材價(jià)值量占比高達(dá)37.2%；其次為玻璃及封裝材料，占比31.9%。鈣鈦礦電池制作工序中，ITO導(dǎo)電玻璃、空穴傳輸層、電子傳輸層、金屬背電極的制作均會(huì)用到各類靶材。其中，涉及靶材的主要工序及材料情況如下：1）TCO玻璃：透明導(dǎo)電氧化物鍍膜（TransparentConductiveOxide，TCO）玻璃，是在平板玻璃表面通過物理或者是化學(xué)鍍膜的方法均勻鍍上一層透明導(dǎo)電氧化物薄膜，主要包括銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）和鎘（Cd）氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜。按膜層成分來分，TCO玻璃可分為ITO-TCO玻璃、摻雜氟的二氧化錫（FTO-TCO）玻璃、摻鋁氧化鋅透明導(dǎo)電膜（AZO-TCO）玻璃。2）空穴傳輸層（HTL）：常用的制備工藝為濺射PVD、蒸鍍PVD或刮涂法。氧化鎳材料常選用PVD法，PTAA等有機(jī)物常使用刮涂制備或噴霧熱解法制備?？昭▊鬏攲颖挥糜谠鰪?qiáng)鈣鈦礦層的空穴傳輸效率，并充當(dāng)水分和金屬離子屏障以緩解鈣鈦礦材料的降解。常用的空穴傳輸材料主要為有機(jī)小分子、有機(jī)導(dǎo)電高分子共軛聚合物和無機(jī)半導(dǎo)體三類，其中無機(jī)半導(dǎo)體中的氧化鎳由于價(jià)格低廉而被產(chǎn)業(yè)端廣泛應(yīng)用。3）電子傳輸層（ETL）：若選擇有機(jī)材料會(huì)使用蒸鍍工藝，若選擇金屬氧化物作為電子傳輸層則常選用氣相沉積。電子傳輸材料與鈣鈦礦光敏層的電子選擇性接觸對(duì)提高光電轉(zhuǎn)化效率具有重要作用。常用的電子傳輸層材料包括無機(jī)氧化物（TiO2、ZnO、SnO2）和富勒烯及其衍生物，其中無機(jī)材料常被用于正式電池結(jié)構(gòu)，有機(jī)材料常被用于反式電池結(jié)構(gòu)。目前，產(chǎn)業(yè)端多使用SnO2及富勒烯作為電子傳輸層材料。2.3、全球靶材處于外資壟斷，國(guó)產(chǎn)化成果初顯靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用四大環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材制造工藝主要包括熔煉鑄造法和粉末燒結(jié)法。其中，常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等；常用的粉末冶金工藝包括熱壓、真空熱壓和熱等靜壓（HIP）等。兩種工藝都有著各自的優(yōu)缺點(diǎn)。全球靶材市場(chǎng)處于外資寡頭壟斷的格局。由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長(zhǎng)期以來全球?yàn)R射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度高，以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等為代表。這些企業(yè)，經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分銷售市場(chǎng)份額。突破技術(shù)壟斷，我國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化取得巨大進(jìn)展。近年來，受益于國(guó)家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國(guó)國(guó)內(nèi)開始出現(xiàn)專業(yè)從事濺射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)。通過將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國(guó)際化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，目前已經(jīng)改變了濺射靶材長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的不利局面。其中，國(guó)產(chǎn)高純金屬鉬靶材、ITO靶材已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，依靠國(guó)內(nèi)原材料高純鉬粉、高純銦等既有資源優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)具備相對(duì)有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。3、投資分析3.1、隆華科技：靶材國(guó)產(chǎn)化先行者成功轉(zhuǎn)型為新材料平臺(tái)型公司。隆華科技的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)以節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)為主，2015年起正式啟動(dòng)轉(zhuǎn)型升級(jí)，全力布局新材料產(chǎn)業(yè)。目前公司在新材料領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局基本完善，已經(jīng)形成了“電子新材料”+“高分子復(fù)合材料”的兩大產(chǎn)業(yè)板塊。全資子公司豐聯(lián)科光電率先打破高端靶材海外壟斷，光伏靶材通過隆基等客戶認(rèn)證。2022年6月，公司全資子公司四豐電子與晶聯(lián)光電進(jìn)行了資產(chǎn)整合，設(shè)立“豐聯(lián)科光電（洛陽）股份有限公司”。豐聯(lián)科光電擁有豐富的靶材產(chǎn)品系列組合，研發(fā)生產(chǎn)的高純鉬及鉬合金靶材、ITO靶材、銀合金靶材等科技產(chǎn)品，填補(bǔ)了中國(guó)在相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)空白，率先打破長(zhǎng)期以來高端靶材依賴進(jìn)口的局面。顯示面板領(lǐng)域，公司成功進(jìn)入京東方、TCL華星、天馬微電子、韓國(guó)LGD、臺(tái)灣群創(chuàng)光電及友達(dá)光電等多家國(guó)際一流半導(dǎo)體